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    公开号:WO1992014244A1
    申请号:PCT/JP1991/001437
    申请日:1991-10-19
    公开日:1992-08-20
    发明作者:Atsushi Fukumoto；Toshiki Udagawa；Shunji Yoshimura；Masumi Ono；Kouichi Yasuda
    申请人:Sony Corporation；
    IPC主号:G11B19-00
    专利说明:
    [0001] 明 細 書 光記録媒体の信号再生方法 技 術 分 野 本発明は、 光記録媒体に対して光ビームを照射しながら信号を読 み取るような光記録媒体の信号再生方法に関し、 特に、 高密度情報 の再生が行える光記録媒体の信号再生方法に関する。 背 景 技 術 光記録媒体は、 いわゆるコンパク トディスク等のような再生専用 媒体と、 光磁気ディスク等のような信号の記録が可能な媒体とに大 別できるが、 これらいずれの光記録媒体においても、 記録密度をさ らに高めることが望まれている。 これは、 記録される信号としてデ イ ジタル · ビデオ信号を考慮する場合にディ ジタル · オーディオ信 号の数倍から十数倍ものデータ量を必要とすることや、 ディ ジタル - オーディォ信号を記録する場合でもディスク等の媒体の寸法をよ り小さ く してプレーヤ等の製品をさらに小型化したい等の要求があ るカヽらである。
    [0002] ところで、 光記録媒体への情報の記録密度は、 再生信号の S Z N によって決められている。 従来の一般的な光学的な記録再生におい ては、 図 1 に示すように、 光記録媒体に対するレーザ光等の読み出 し光ビームの光照射領域であるビームスポッ ト S Pの領域の全てを 再生信号領域としている。 このため、 再生可能な記録密度は、 読み 出し光のビーム · スポッ トの径 D S Pにより定まる。
    [0003] 例えば、 図 1 の Aに示すように、 読み出しレーザ光のビーム · ス ポッ ト S Pの径 D S Pが記録ピッ ト R Pのピッチ qより も小さければ, スポッ ト S P内に 2個の記録ピッ トが入ることはなく、 再生出力波 形は図 1 の Bに示すようになり、 再生信号は読み取り可能である。 ところが、 図 1 の Cに示すように、 高密度で記録ピッ ト S P 形成 されており、 ビーム · スポッ ト S P内の径 D S Pが記録ピッ ト R Pの ピッチ qよりも大きくなると、 スポッ ト S P内に 2個以上のピッ ト が同時に入り込むようになり、 再生出力波形は図 1 の Dに示すよう に略々一定となり、 その 2個の記録ピッ トを分離して再生すること ができず、 再生不能となる。
    [0004] スポッ 卜径 D S Pは、 レーザ光の波長； I と、 対物レンズの開口数 N Aに依存しており、 このスポッ ト径 D S Pによって、 読み出し光ビー ムの走査方向 （記録トラック方向） に沿ったピッ トの密度 （いわゆ る線密度） や、 読み出し光ビームの走査方向に直交する方向の隣接 トラック間隔 （いわゆる トラック ピッチ） に応じたトラック密度が 定められる。 これらの線密度やトラッ ク密度の物理光学的限界は、 いずれも読み出し光の光源の波長ス及び対物レンズの開口数 N Aに よって決まり、 例えば信号再生時の空間周波数については、 一般に 2 Ν Α Ζ λが読み取り限界とされている。 このことから、 光記録媒 体において高密度化を実現するためには、 先ず再生光学系の光源 (例えば半導体レーザ） の波長 λを短く し、 対物レンズの開口数 Ν Αを大き くすることが必要とされている。
    [0005] ところで、 本件出願人は、 読み取り光ビームのスポッ ト径を変更 しなくても、 読み取り可能な線記録密度及びトラッ ク密度を高く で きるようにした光記録媒体及びその再生方法を先に提案している。 このような高密度情報の再生が可能な光記録媒体としては、 信号の 記録可能な光磁気記録媒体と、 少なく とも再生が可能な反射率変化 型光記録媒体とが挙げられる。
    [0006] 上記光磁気記録媒体は、 例えばポリカーボネー ト等から成る透明 基板あるいは光透過性基体の一主面に、 膜面と垂直方向に磁化容易 軸を有し優れた磁気光学効果を有する磁性層 （例えば希土類 -遷移 金属合金薄膜） を、 誘電体層や表面保護層等と共に積層して構成さ o れたものであり、 上記透明基板側からレーザ光等を照射して信号の 記録、 再生が行われる。 この光磁気記録媒体に対する信号記録は、 レーザ光照射等によって上記磁性層を局部的に例えばキュ リ一点近 傍の温度にまで加熱し、 この部分の保磁力を消滅させて外部から印 加される記録磁界の向きに磁化することにより行う、 いわゆる熱磁 δ 気記録である。 また光磁気記録媒体からの信号再生は、 上記磁性層 の磁化の向きにより レーザ光等の直線偏光の偏光面が回転する磁気 光学効果 （いわゆる磁気カー効果、 ファラディ効果） を利用して行 われる。
    [0007] 上記反射率変化型光記録媒体は、 位相ピッ トが形成された透明基 板上に、 温度によって反射率が変化する材料が形成されて成り、 信 号再生時には、 該記録媒体に読み出し光を照射し、 読み出し光の走 查スポッ ト内で反射率を部分的に変化させながら位相ピッ トを読み 取るものである。
    [0008] 以下、 上記記録可能な光磁気記 li媒体における高密度再生、 ある いはいわゆる超高解像度再生について、 さらに説明する。 本件出願人は、 先に例えば特開平 1 — 1 4 3 0 4 1号公報、 特開 平 1 一 1 4 3 0 4 2号公報等において、 情報ビッ ト （磁区） を再生 時に拡大、 縮小あるいは消滅させることにより再生分解能を向上さ せるような光磁気記録媒体の信号再生方法を提案している。 この技 術は、 記録磁性層を再生層、 中間層、 記録層から成る交換結合多層 膜とし、 再生時において再生光ビームで加熱された再生層の磁区を 温度の高い部分で拡大、 縮小あるいは消去することにより、 再生時 の情報ビッ ト間の干渉を減少させ、 光の回折限界以下の周期の信号 を再生可能とするものである。 また、 特願平 1一 2 2 9 3 9 5号の
    [0009] I o 明細書及び図面においては、 光磁気記録媒体の記録層を磁気的に結 合される再生層と記録保持層とを含む多層膜で構成し、 予め再生層 の磁化の向きを揃えて消去状態としておく とともに、 再生時にはレ 一ザ光の照射によって再生層を所定の温度以上に昇温し、 この昇温 された状態でのみ記録保持層に書き込まれた磁気信号を再生層に転
    [0010] I 5 写しながら読み取るようにすることにより、 クロス トークを解消し て線記録密度、 トラック密度の向上を図る技術を提案している。
    [0011] これらの高密度再生技術をまとめると、 消去型と浮き出し型とに 大別でき、 それぞれの概要を図 2及び図 3に示す。
    [0012] 先ず図 2の A、 B、 Cを参照しながら消去型の高密度再生技術に 0 ついて説明する。 この消去型の場合には、 図 2の Bに示すように、 常温にて情報記録ピッ ト R Pが表れている状態の記録媒体にレーザ 光 Bを照射して加熱することで、 照射レーザ光 L Bのビーム · ス ポッ ト S P内に記録消去領域 E Rを形成し、 ビーム · スポッ ト S P 内の残りの領域 R D内の記録ピッ ト R Pを読み取ることにより、 線 5 密度を高めた再生を行っている。 これは、 ビーム ' スポッ ト S P内 の記録ピッ ト R Pを読み取る際に、 記録消去領域 E Rをマスクとす ることで読み取り領域 （再生領域） R Dの幅 dを狭く し、 レーザ光 の走査方向 （ トラ ッ ク方向） に沿った密度 （いわゆる線記録密度） を高めた再生を可能とするものである。
    [0013] この消去型高密度再生のための記録媒体は、 光磁気記録用ァモル ファス稀土類 （G d , T b ) —鉄属 （F e , C o ) フヱ リ磁性膜か ら成る交換結合磁性多層膜構造を有し、 図 2の Aに示す例では、 ポ リカーボネー ト等の透明基板 6 0の一主面 （図中下面） に、 第 1 の 磁性膜である再生層 6 1、 第 2の磁性膜である切断層 （中間層） 6 ι o 2、 及び第 3の磁性膜である記録保持層 6 3を順次積層した構造を 有している。 第 1 の磁性膜 （再生層） 6 1 は、 例えば G d F e C 0 でキュ リー温度 TC 1 > 4 0 0 ° Cのものが用いられ、 第 2の磁性膜 (切断層、 中間層） 6 2は、 例えば T b F e C 0 A 1 でキュ リー温 度 TC2= 1 2 0 ° Cのものが用いられ、 第 3の磁性膜 （記録保持層） 6 3は、 例えば T b F e C oでキュ リー温度 TC3= 3 0 0 ° Cのも のが用いられる。 なお、 図 2の C中の各磁性膜 6 1、 6 2、 6 3内 の矢印は各磁区の磁化の向きを示している。 また、 H r e edは再生磁 界の向きを示している。
    [0014] 再生時の動作を簡単に説明すると、 所定温度 TOPより下の常温で 0 は記録媒体の各層 6 3、 6 2、 6 1 が静磁結合あるいは交換結合の 状態で磁気的に結合しており、 記録保持層 6 3の記録磁区が切断層 6 2を介して再生層 6 1 に転写されている。 この記録媒体に対して レーザ光 L Bを照射して媒体温度を高めると、 レーザ光の走査に伴 つて媒体の温度変化は遅延されて表れ、 上記所定温度 TOP以上とな る領域 （記録消去領域 E R) はビーム · スポッ ト S Pより もレーザ 走査方向の後方側にややずれて表れる。 この所定温度 TOP以上では 記録保持層 6 3 と再生層 6 1 との磁気的結合が消滅し、 再生層 6 1 の磁区が再生磁界 HR EEDの向きに揃えられることにより、 媒体表面 上では記録ピッ トが消去された状態となる。 そして、 走査スポッ ト
    [0015] S Pの領域の内、 上記所定温度 TOP以上となる領域 E Rとの重なり 領域を除く領域 R Dが実質的な再生領域となる。 すなわち、 レーザ 光のビーム · スポッ ト S Pは上記所定温度 TOP以上となる領域 E R により一部がマスクされ、 マスクされない小さい領域が再生領域 R Dとなって、 高密度再生を実現している。
    [0016] i o こう して、 レーザ光ビームの走査スポッ ト S Pがマスク領域 （記 録消去領域 E R) によりマスクされない小さい再生領域 （読み取り 領域 R D) からの反射光の例えばカー回転角を検出することにより ピッ トの再生が行われるので、 ビーム · スポッ ト S Pの径を小さ く したことに等しくなり、 線記録密度及びトラック密度を上げること s ができる。
    [0017] 次に、 図 3の Bに示す浮き出し型の高密度再生技術では、 常温で 情報記録ピッ ト R Pが消えている状態 （初期化状態） の記録媒体に レーザ光を照射して加熱することにより、 照射レーザ光のビーム ' スボッ ト S P内に記録浮き出し領域である信号検出領域 D Tを形成 0 し、 この信号検出領域 D T内の記録ピッ ト R Pのみを読み取るよう にすることで再生線密度を高めている。
    [0018] この浮き出し高密度再生のための記録媒体は、 静磁結合あるいは 磁気的交換結合の磁性多層膜構造を有するものであり、 図 3の Aの 例では、 ポリカーボネート等の透明基板 7 0の一主面 （図中下面） に第 1 の磁性膜である再生層 7 1、 第 2の磁性膜である再生補助層 7 2、 第 3の磁性膜である中間層 7 3、 第 4の磁性膜である記録保 持層 7 4を順次積層した構造を有している。 第 1 の磁性膜 （再生層） 7 1 は、 例えば G d F e C 0でキユ リ一温度 TC1 > 3 0 0 ° Cのも の、 第 2の磁性膜 再生補助層） 7 2は、 例えば T b F e C 0 A 1 でキュ リー温度 TC2^ 1 2 0 ° Cのもの、 第 3の磁性膜 （中間層） 7 3は、 例えば G d F e C 0でキユ リ一温度 TC3^ 2 5 0 ° Cのも の、 第 4の磁性膜 （記録保持層） 7 4 は、 例えば T b F e C 0でキ ュ リ一温度 TC4 2 5 0 ° Cのものがそれぞれ用いられる。 ここで 初期化磁界 H i nの大きさは、 再生層の磁化を反転させる磁界 H CPよ り大き く （H i n> HeP) 、 また、 記録保持層の磁化を反転させる磁 界 Hc rより充分小さ く （H i n《HCP) 選定されている。 なお、 図 3 の C中の各磁性膜 7 1、 7 2、 7 3、 7 4内の矢印は各磁区の磁化 の向きを示し、 H i nは初期化磁界の向きを、 Hr eedは再生磁界の向 きをそれぞれ示している。
    [0019] 記録保持層 7 4は、 初期化磁界 H i n、 再生磁界 Hr e,d、 また再生 温度等に影響されずに記録ピッ トを保持している層であって、 室温、 再生温度において充分な保磁力がある。
    [0020] 中間層 7 3の垂直異方性は再生補助層 7 2、 記録保持層 7 4 に比 ベ小さい。 このため、 再生層 7 1 と、 記録層 7 4 との間に磁壁を作 る際、 磁壁が安定にこの中間層 7 3に存在する。 そのため、 再生層 7 1、 再生補助層 7 2は、 安定に消去状態 （初期化状態） を維持す る ο *
    [0021] 再生補助層 7 2は、 室温での再生層 7 1 の保磁力を大き くする働 きをしており、 このため、 初期化磁界によって揃えられた再生層 7 1再生補助層 7 2の磁化は、 磁壁が存在しても安定に存在する。 ま た、 再生補助層 7 2は、 再生時には、 再生温度 Ts 近傍で保磁力が 急激に小さ くなり、 このため、 中間層 7 3に閉じ込められていた磁 壁が再生補助層 1 3にまで拡がって最終的に再生層 7 1を反転させ. 磁壁を消滅させる。 この過程により、 再生層 7 1にピッ 卜が現れる ようになる。
    [0022] 再生層 1 1 は室温でも磁化反転磁界 HePが小さく、 その磁化は容 易に反転する。 このため、 再生層 7 1は、 初期化磁界 Hi nにより、 その全面の磁化が同方向に揃う。 揃った磁化は、 再生補助層 7 2に 支えられて記録保持層 7 4 との間に磁壁がある場合でも安定な状態
    [0023] I o が保たれる。 そして、 上述のように、 再生時には、 記録保持層 7 4 との間の磁壁が消滅することにより、 記録ピッ トが現れる。
    [0024] 再生時の動作を簡単に説明すると、 先ず再生前に初期化磁界 Hin により再生層 7 1及び再生補助層 7 2の磁化の向きを一方向 （図 3 では上方向） に揃える。 このとき、 中間層 7 3に磁壁 （図 3では横 5 向きの矢印で示す） が安定に存在し、 再生層 7 1、 再生補助層 7 2 は、 安定に初期化状態を維持する。
    [0025] 次に、 逆方向の再生磁界 Hre,dを印加しながらレーザ光 L Bを照 射する。 この再生磁界 Hreedとしては、 レーザ光照射による昇温後 の再生温度 TRPにおいて、 再生層 7 1、 再生捕助層 7 2を反転させ、 0 中間層 7 3の磁壁を消滅させる磁界以上の磁界が必要である。 また、 再生層 7 1、 再生補助層 7 2が、 その磁界方向を反転してしまわな い程度の大きさとされる。
    [0026] レーザ光 L Bの走査に伴って媒体の温度変化は遅延されて表れる から、 所定の再生温度 TRP以上となる領域 （記録浮き出し領域） は ビーム · スポッ ト S Pより も走査方向の後方側にややずれて表れる。 この所定再生温度 T R P以上では、 再生補助層 7 2の保磁力が低下し. 再生磁界 H r e , dが印加されることによって磁壁がなくなり、 記録保 持層 Ί 4の情報が再生層 7 1 に転写される。 これによつて、 レーザ 光 L Bのビーム · スポッ ト S P内で上記再生温度 T R Pに達する前の 領域がマスクされ、 このスポッ ト S P内の残部が記録浮き出し領域 である信号検出領域 （再生領域） D Tとなる。 この信号検出領域 D Tからの反射光の偏向面の例えば力一回転角を検出することにより- 高密度再生が可能となる。
    [0027] すなわち、 レーザ光 L Bのビーム ' スポッ ト S Pの内部領域にお いて、 上記再生温度 T R Pに達する前の領域は、 記録ピッ トが現れな いマスク領域であり、 残りの信号検出領域 （再生領域） D Tは、 ス ポッ ト径より小さいので、 前述と同様に線記録密度及びトラッ ク密 度を高くすることができる。
    [0028] さらに、 これらの消去型と浮き出し型とを混合した高密度再生技 術も考えられている。 この技術においては、 上述したように、 常温 で情報記録ピッ トが消えている状態 （初期化状態） の記録媒体にレ —ザ光を照射して加熱することで、 照射レーザ光のビーム ■ スポッ トに対してレーザ光走査方向の後方側にややずれた位置に記録浮き 出し領域を形成すると共に、 この記録浮き出し領域内にさらに高温 の記録消去領域を形成している。
    [0029] また、 本件出願人が先に提出した特願平 3— 4 1 8 1 1 0号の明 細書及び図面においては、 少なく とも再生層、 中間層、 記録保持層 を有する光磁気記録媒体を用い、 再生層にレーザ光を照射すると共 に再生磁界を印加し、 このレーザ照射により生ずる温度分布を利用 して、 初期化状態を維持する部分、 記録保持層の情報が転写される 部分、 再生磁界方向に磁化の向きが揃えられる部分をレンズ視野内 に生ぜしめることにより、 レンズ視野内を光学的にマスクしたのと 等価な状態とし、 線記録密度及びトラック密度を高め、 また、 再生 パワーが変動しても記録保持層の情報が転写される領域が縮小ある いは拡大することがなく、 再生時の周波数特性も良好なものとした 光磁気記録媒体における信号再生方法を提案している。
    [0030] これらの光磁気記録媒体を用いた高密度再生技術によれば、 ビー ム · スボッ ト S 内で、 実質的な信号再生領域である上記読み取り 領域 R Dや信号検出領域 D T内の記録ピッ ト R Pのみを読み取るよ i o うにしている。 この読み取り領域 R Dや信号検出領域 D Tの寸法が、 ビーム · スポッ ト S Pの寸法よりも小さ くなることから、 レーザ光 走査方向、 及びレーザ光走査方向に直交する方向のピッ ト配置間隔 を短くすることができ、 線密度及びトラック密度を上げて高密度化 が図れ、 媒体記録容量の増大が図れることになる。
    [0031] ところで、 以上説明したような高密度の情報を再生する方法にお いて、 再生領域である上記図 2の領域 R Dや、 上記図 3の領域 D T の大きさは、 外部再生磁界が一定で、 レーザ光パワーが一定であつ ても、 周囲温度変化等による光磁気ディスク等の記録媒体の温度変 化により変動してしまう。
    [0032] 0 例えば、 上記図 2 と共に説明した消去タイプの再生方法において は、 光磁気ディスク等の記録媒体の温度が高い場合には、 温度分布 状態は、 図 4の Bの曲線 aで示すように、 温度の高い方にシフ ト し たようになり、 このため、 キュ リー温度 T e を越える記録消去領域 (マスク領域） が図 4の Aの高温時マスク領域 E R H Tのようになる 5 ので、 実質的な読み取り領域 （再生領域） R Dは小さくなる。 また、 媒体温度が低い場合には、 温度分布状態は、 図 4 の Bの曲 線 bで示すように温度の低い方にシフ ト した状態になり、 キュ リ一 温度 T e を越える記録消去領域 （マスク領域） が図 4 の Aの低温時 マスク領域 E R L Tのようになるので、 実質的な読み取り領域 （再生 領域） R Dは大き く なる。
    [0033] 一方、 浮き出しタイプの場合には、 その原理から明らかなように, 光記録媒体の温度が高い場合には、 再生領域が大き く なり、 光記録 媒体の温度が低い場合には再生領域が小さ くなる。
    [0034] 以上のように、 消去タイプ及び浮き出しタイプの再生方法におい て、 実質的な再生領域が変動すると、 常に S Z Nの良い安定な再生 を行う ことができない虞れがある。
    [0035] また、 高密度再生あるいは超高解像度再生として、 前記反射率変 化型の光記録媒体を再生する際にも同様のことがいえ、 読み出し光 ビーム内で反射率の変化している部分の大きさが媒体温度によって 変化するため、 実質的な再生領域である反射率の高い部分の大きさ が媒体温度によって変動することになり、 安定した再生が行えなく なる虞れがある。
    [0036] 本発明は、 このような実情に鑑みてなされたものであり、 光磁気 記録媒体や反射率変化型の光記録媒体に温度変化があっても、 上記 の実質的な再生領域の大きさを一定に保ち、 安定な情報読み出しが できるような光記録媒体の再生方法の提供を目的とする。 発 明 の 開 示 本発明に係る光記録媒体の再生方法は、 記録層と再生層とを有し、 記録層と、 再生層とが定常状態で磁気的に結合しており、 再生時の 読み出し光ビームの照射により所定温度以上に温度上昇する領域の 前記記録層と再生層との磁気的結合を消滅させ、 その磁気的結合消 滅領域を除く光照射領域において前記記録層に保持された記録情報 を前記再生層から読み出すようにする光記録媒体の再生方法におい て、 前記光記録媒体の温度を検出し、 その検出温度に基づいて前記 磁気的結合消滅領域の大きさを制御するようにしたものである。
    [0037] ここで、 前記検出された前記記録媒体の温度に基づいて、 前記読 み出し光ビームの強度を制御することが好ましい。 また、 前記再生
    [0038] I o 層から読み出された信号のレベルに基づいて、 前記磁気的結合消滅 領域の大きさを制御することも好ましい。
    [0039] また、 本発明に係る光記録媒体の再生方法は、 記録層と再生層と を有し、 再生層の磁化の方向を揃えた後、 再生時の読み出し光ビー ムの照射により所定温度以上に温度上昇する領域において前記記録 5 層に保持された記録情報を再生層に転写させて浮き出させ、 この再 生層の浮き出し領域から前記記録情報を読み出すようにする光記録 媒体の再生方法において、 前記光記録媒体の温度を検出し、 その検 出温度に基づいて前記浮き出し領域の大きさを制御するようにした ものである。
    [0040] 0 前記光記録媒体の再生方法は、 再生時に前記記録層に保持された 記録情報を再生層に転写させて浮き出させる際に再生磁界を印加し、 この再生磁界の強度を前記検出された前記記録媒体の温度に基づい て制御することが好ましく、 また、 前記再生層から読み出された信 号のレベルに基づいて前記浮き出し領域の大きさを制御することが 好ましい。 さらに、 本発明に係る光記録媒体の再生方法は、 信号に応じて位 相ピッ トが形成されるとともに温度によって反射率が変化する光デ ィスクに対して読み出し光ビームを照射し、 読み出し光ビームの走 查スポッ ト内で反射率を部分的に変化させながら位相ピッ トを読み 取るような光記録媒体であって、 前記光記録媒体の温度を検出し、 その検出温度に基づいて読み出し光ビームの走査スポッ ト内の反射 率の変化している部分の大きさを制御するようにしたものである。 前記検出された前記記録媒体の温度に基づいて、 前記読み出し光 ビームの強度を制御することが好ま しい。 また、 前記光記録媒体か ら読み出された信号のレベルに基づいて前記反射率の変化している 部分の大きさを制御することが好ましい。
    [0041] 従って、 本発明に係る光記録媒体の再生方法によれば、 光記録媒 体の温度が変化しても、 磁気的結合消滅領域、 浮き出し領域、 又は 反射率の変化している部分の大きさがコン トロールされて、 実質的 な再生領域の大きさを一定にすることができ、 高密度再生あるいは 超高解像度再生を実現しながら、 安定に S Z Nの良い再生を行う こ とができる。 図 面 の 簡 単 な 説 明 図 1 はレーザビームのスポッ ト径と、 再生可能な記録ピッ 卜の記 録密度との関係を説明するための図である。
    [0042] 図 2は消去タイプの光磁気記録媒体、 その再生方法及びその媒体 の実質的な再生領域を説明するための図である。
    [0043] 図 3は浮き出しタイプの光磁気記録媒体、 その再生方法及びその 媒体の実質的な再生領域を説明するための図である。
    [0044] 図 4は光磁気記録媒体の温度変化により実質的な再生領域が変化 することを説明するための図である。
    [0045] 図 5は本発明に係る光記録媒体の再生方法の一実施例が適用され たディスク再生装置の要部を示すプロック図である。
    [0046] 図 6はレーザパワーを変えることによりマスク領域が変わること を説明するための図である。
    [0047] 図 7は外部磁界を変えることによりマスク領域が変わることを説 明するための図である。
    [0048] o 図 8は本発明による再生方法の他の実施例が適用されたディスク 再生装置の要部を示すプロック図である。
    [0049] 図 9は本発明に係る光記録媒体の再生方法のさらに他の実施例が 適用されたディスク再生装置の要部を示すプロック図である。
    [0050] 図 1 0は上記図 9に示す実施例に用いられる反射率変化型光ディ δ スクの一例となる相変化型光ディスクの一例の要部を示す概略断面 図である。
    [0051] 図 1 1 は上記相変化型光ディスクの他の例の要部を示す概略断面 図である。
    [0052] 図 1 2は上記相変化型光ディスクのさらに他の例の要部を示す概 略断面図である。
    [0053] 図 1 3は上記相変化型光ディスクの説明に供する栢変化状態を示 す図である。
    [0054] 図 1 4は上記相変化型光ディスクの説明に供する他の相変化状態 を示す図である。
    [0055] 図 1 5は上記相変化型光ディスクの説明に供する読み出し光スポ ッ トと温度分布との関係を示す図である。
    [0056] 図 1 6は上記図 9 に示す実施例に用いられる反射率変化型の光デ ィスクの他の例の要部を示す概略断面図である。
    [0057] 図 1 7は干渉フィルタにおける温度による反射率分光特性の変化 の様子を示す特性図である。 発明を実施するための最良の形態 以下、 本発明に係る光記録媒体のいくつかの実施例について、 図 面を参照しながら説明する。 すなわち、 先ず、 記録可能な媒体とし ての光磁気記録媒体に本発明を適用した実施例を説明し、 次に、 少 なく とも再生が可能な媒体としての反射率変化型光記録媒体に本発 明を適用した実施例を説明する。
    [0058] 図 5において、 光磁気記録媒体としては光磁気ディスク 1 1 を用 いており、 前述した消去タイプあるいは浮き出しタイプの再生方法 が適用されるものである。 この場合、 この光磁気ディスク 1 1 の回 転駆動方式としては、 回転数一定 （ C A V ) 方式、 線速度一定 （ C L V ) 方式のどちらであってもよい。
    [0059] 例えば、 消去タイプの再生方法が適用される光磁気ディスク とし ては、 前記図 2 と共に説明したように、 光磁気記録用アモルフ ァス 稀土類 （ G d , T b ) —鉄属 （F e , C o ) フエ リ磁性膜から成る 交換結合磁性多層膜構造を有し、 記録保持層は例えば T b F e C 0 で構成され、 キュ リー温度が 3 0 0 。 C、 切断層 （中間層） は例え ば T b F e C 0 A 1 でキュ リ一温度丁が 1 2 0 ° C；、 再生層は例え ば G d F e C 0でキユ リ一温度が 4 0 0 ° C以上のものがそれぞれ 用いられるものが使用される。 また、 浮き出しタイプの再生方法が 適用される光磁気ディスクとしては、 記録保持層は例えば T b F e C oでキュ リ一温度が 2 5 0 ° (：、 中間層は例えば G d F e C 0で キユ リ一温度が 2 5 0 ° C、 再生捕助層は例えば T b F e C 0 A 1 でキュ リ—温度が 1 2 0 ° (：、 再生層は例えば G d F e C 0でキュ リー温度が 3 0 0 ° C以上のものがそれぞれ用いられるものが使用 される。
    [0060] 読み出し光として、 半導体レーザ等のレーザ光源 1 2からのレー ザ光ビームが光磁気ディスク 1 1 の再生層に入射する。
    [0061] i o この例の場合、 再生磁界 H r e a dが、 磁界発生コイル 3 1 に ドライ バ 3 2から驟動電流が供給されることにより発生する。 磁界発生コ ィル 3 1 は、 光磁気ディスク 1 1 のレーザ光ビームを照射する面と は反対側の面側において、 レーザ光源 1 1 と対向する位置に設けら れる。 ドライバ 2 2には基準値発生回路 2 3からの基準値 M r e i 力
    [0062] I 5 供給され、 磁界発生コイル 2 1から発生する再生磁界 H r e e dの大き さがこの基準値に応じた所定の一定値になるようにされている。 そして、 前述した消去タイプ又は浮き出しタイプの再生方法によ り、 レーザ光のビーム · スポッ トの内の前記再生領域 R D又は D T からの反射光が図示しない光学系を介して再生用フォ トディテクタ 0 1 3に入射されて光電変換される。
    [0063] このフォ トディテクタ 1 3の出力信号は、 へッ ドアンプ 1 4を介 して信号処理回路- 1 5に供耠されて R F信号が得られ、 これがデー 夕再生系に供給されて復調される。
    [0064] また、 レーザ光源 1 2のレーザ光の一部は、 レーザパワーモニタ 5 用のフォ トディテクタ 1 6 に入射される。 このフォ トディテクタ 1 6 の光電変換出力は、 オー トパワーコ ン トロール回路 1 7 に供給さ れる。 オー トパワーコン トロール回路 1 7では、 フ ォ トディテクタ
    [0065] 1 6の出力と、 ラ ッチ回路 2 2からの再生レーザパワー設定基準値 R E Fとが比較され、 その比較誤差出力がレーザドライブ回路 1 8 に供給され、 レーザ光源 1 2の出力パワーが、 再生レーザパワー設 定基準値 R E Fに応じた値になるように制御される。
    [0066] この例の場合、 再生レーザパワー設定基準値 R E Fは、 以下に説 明するように、 光磁気ディスク 1 1 の温度に応じたものとなるよう にされている。
    [0067] すなわち、 光磁気ディスク 1 1 の近傍に、 この光磁気ディ スク 1 1 の温度を検知するために、 例えばサ一ミス夕等の温度センサ 2 0 が設けられる。 そして、 この温度センサ 2 0で検知された温度出力 は、 再生レーザパワー設定基準値 R E Fのテーブルを記憶している R O M 2 1 に、 その読み出しア ドレスとして供給される。 R O M 2 1 からは、 温度センサ 2 0からの温度出力に応じて異なる再生レー ザパワー設定基準値 R E Fが読み出される。 そして、 読み出された 設定基準値 R E Fは、 タイ ミ ング信号発生回路 2 3からのタイ ミ ン グ信号によりラッチ回路 2 2にラッチされ、 オー トパワーコン ト口 ール回路 1 6に供耠される。 この結果、 レーザ光源 1 2の出力パヮ 一が、 その時の光磁気ディスク 1 1 の温度に応じた設定基準値 R E Fに応じたものとなるように制御される。
    [0068] 前述したように、 - 光磁気ディスク 1 1 の温度が変わると、 レーザ ビーム走査スポッ トによる温度分布は、 ディスク温度に応じてシフ ト してしまうが、 レーザ出力パワーが変化すれば、 光磁気ディ スク 1 1 の温度が一定でも、 図 6に示すように、 所定の閾値温度 を 越える領域の大きさが S 1、 S 2のように変化する。 従って、 以上 のようにレーザパワーをコン トロールすることにより、 光磁気ディ スク 1 1 の温度が変わっても、 前記再生領域 R D及び D Tの大きさ を一定に保つことができるものである。
    [0069] この場合、 R 0 M 2 1 には、 光磁気ディスク 1 1 の温度として生 じる温度範囲を例えば R 0 M 2 1 の記憶容量に応じて分割して定め た微小温度範囲毎に 1対 1 に対応するレーザパワー設定基準値 R E Fのテーブルが記億されている。 そして、 予め、 光磁気ディスク 1 1 の温度が各温度範囲のときに、 消去タイプ又は浮き出しタイプの i o 光磁気ディスクにおいて、 前述した実質的な再生領域 R D又は D T の大きさが、 常に再生に適切な一定の大きさとなるような再生レー ザパワー設定基準値 R E Fが検出され、 その各温度範囲毎に対応す る再生レーザパワー設定基準値 R E Fが R O M 2 1 に書き込まれて いる。
    [0070] 再生領域 R D又は D Tの大きさが最適の一定の大きさであるか否 かは、 例えば所定の基準パターンの情報を再生したときに信号処理 回路 1 5からの R F信号レベルが所定値になっているか否かにより 佚出 さる。
    [0071] 従って、 R O M 2 1からは、 温度センサ 2 0で検出された光磁気 0 ディスク 1 1 の温度に応じた再生レーザパワー設定値 R E Fが常に 読み出されるが、 再生レーザパワー設定基準値 R E Fは、 常時、 変 更する必要はなく、 光磁気ディスク 1 1 の温度変化を充分に考慮に いれた時点でよい。 この例では、 タイ ミ ング信号発生回路 2 3から のタイ ミ ング信号によりラツチ回路 2 2に R O M 2 1からの出力力 ラッチされ、 その夕イ ミ ング信号時点で再生レーザパワー設定基準 値 R E Fが変更されるものである。 この設定基準値 R E Fの変更時 点は、 例えば再生開始時点と、 再生中、 温度変化が生じると考えら れる所定時間間隔毎、 例えば 1 0分毎とされ、 タイ ミ ング信号発生 回路 2 3からは、 これら再生開始時点と、 再生開始時点から 1 0分 毎にタイ ミ ング信号が発生する。
    [0072] 以上のようにして、 光磁気ディスク 1 1 の温度が周囲の雰囲気温 度等のため変動しても、 レーザパワーをコン トロールすることによ り、 消去タイプ又は浮き出しタイプの再生方法における再生領域 R D又は D Tを一定に保つことができるので、 常に、 安定な再生を行 i o う ことができる。
    [0073] なお、 温度センサ 2 0 として、 上述の例のようにサーミス夕等の 光磁気ディスク 1 1 の周辺温度を検出するこ とにより光磁気ディス ク 1 1 の温度を検出するセンサを用いる代わりに、 光磁気ディスク 1 1 自身の表面温度を検出する赤外線検出センサを用いるようにす 5 れば、 より精度の高い制御を行う ことができる。
    [0074] また、 再生レーザパワー設定基準値 R E Fの発生回路は、 R O M 2 1 を用いる代わりに、 温度センサからの検出温度の情報から再生 レーザパワー設定基準値 R E Fを演算により求める回路を用いるよ うにしてもよい。
    [0075] 0 以上の例では、 レーザパワーをコン トロールして光磁気ディ スク の温度が変わっても上記再生領域 R D及び D Tの大きさを一定にす るようにしたが、 外部磁界 （再生磁界 H R E A D) を制御するようにし ても、 同様の効果が得られる。
    [0076] すなわち、 例えば消去タイプの再生方法を考えた場合、 前述の図 5 2 と共に説明した例において、 マスク領域 （記録消去領域） E Rが でき始める温度は、 正確には中間層 6 2のキユ リ一温度 Tc 2ではな く、 再生磁界 Hr"dも関与し、 再生層 6 1の保磁力を 再生層 6 1 と記録保持曆 6 3 との間の交換結合力を Hw としたとき、
    [0077] Hci + Hw <Hreed ■ · · ( 1 )
    [0078] となる温度である。 再生層 6 1 と記録層 6 3間の交換結合力 Hw は、 温度が上がるに従い小さくなり、 中間層 6 2のキユ リ一温度 TC2で 零になる。
    [0079] HCJ + Hw の温度特性を図示すると、 図 7のようになる。 この図 で TC1は再生層 6 1のキユ リ一温度であり、 中間層のキユ リ一温度
    [0080] I o TC2以上の温度では、 再生層が 1層の場合の保磁力と同様になる。
    [0081] この光磁気ディスクの再生層 6 1の磁化を一方向に揃えるには、 上記 （ 1 ) 式に示したように、 Hcl + Hw より大きい磁界をかけれ ば良い。 従って、 同じ温度分布状態でも、 図 7で再生磁界 Hreadと して Hr0をかけた場合には、 キユ リ一温度 TC2以上の範囲がマスク 領域 ERとなるが、 再生磁界 Hreadの大きさが Hrlの場合には、 キ ュ リ一温度 TC2より低い温度 T a までの範囲がマスク領域 E Rとな り、 再生磁界 Hreadの大きさに応じてマスク領域の大きさが変わり、 この結果、 再生領域 R Dの大きさが変わる。
    [0082] 従って、 光磁気ディスク 1 1の温度に応じて外部磁界、 例えば再 0 生磁界 Hreedを変えるコン トロールをすることにより、 常に再生領 域を一定の大きさにすることができる。
    [0083] 浮き出しタイプの再生方法の場合にも、 同様にして再生磁界をコ ン トロールすることにより、 再生領域 D Tの大きさを一定にするこ とができる。
    [0084] 図 8は、 再生磁界を光磁気ディスクの温度に応じてコン トロー儿 する場合の再生装置の要部の一例である。
    [0085] この例の場合、 基準値発生回路 1 9からの一定のレーザパワー設 定基準値 R E Fがオー トパワーコン トロール回路 1 7に供給され、 レーザ光源 1 2の出力レーザパワーは、 この基準値 R E Fに応じた 一定値に制御される。
    [0086] また、 基準値発生回路 3 3からの基準値 Mr e f は、 加算回路 3 4 に供給され、 ラッチ回路 3 5 らの補正値と加算される。 そして、 そ の加算値の駆動信号がドライバ 3 2に供給される。 従って、 再生磁 界 Hr e edの大きさは、 補正値が零の場合には、 基準値 R E Fに応じ i o た所定値となり、 補正値に応じてその所定値を中心として変化する ものとなる。
    [0087] そして、 この例の場合、 光磁気ディスク 1 1 の温度に応じた補正 値のテーブルを記憶する R 0M 3 6が設けられ、 温度センサ 2 0か らの検出温度出力がこの R 0M 3 6の読み出しア ドレスとして入力
    [0088] 1 5 される。 この例の場合も、 R 0M 3 6に記憶された補正値は、 光磁 気ディスク 1 1 の各温度のときに上記再生領域 R D及び D Tの大き さが常に一定になる値とされている。
    [0089] この場合にも、 上記再生領域 R D及び D Tの大きさが一定である か否かは、 例えば所定の基準パターンの情報を再生したときに信号 0 処理回路 1 5からの R F信号レベルが所定値になっているか否かに より検出できる。
    [0090] そして、 この R OM 3 6から読み出された補正値は、 ラ ッチ回路 3 5·にタイ ミ ング発生回路 3 7からのタイ ミ ング信号により上記の 例と同様のタイ ミ ングでラッチされる。 そして、 このラ ッチ回路 3 5 5にラツチされた補正値が加算回路 3 4 に供給され、 光磁気ディ ス ク 1 1 の温度に応じて再生磁界の大きさが制御され、 上記再生領域 R D及び D Tの大きさが常に一定になるようにされる。
    [0091] なお、 補正値の発生回路は、 R O M 3 6を用いる代わりに、 温度 センサからの検出温度の情報から補正値を演算により求める回路を 用いるようにしても良い。
    [0092] また、 上記の例のように、 光磁気ディスクの温度に応じてレーザ パワーや外部磁界をそれぞれ単独に制御しても良いが、 レーザパヮ —と外部磁界を同時に制御するようにしてもよい。
    [0093] さらに、 これらの消去型と浮き出し型とを混合したタイプの光磁 気ディスクに本発明を適用することもできる。
    [0094] これらの光磁気記録媒体を用いた高密度再生技術によれば、 ビー ム . スポッ ト内の該ビーム · スポッ ト面積よりも狭い部分の再生領 域のみから記録ピッ トの読み出しが可能となり、 しかも光磁気記録 媒体の温度の変化があっても、 常に実質的な再生領域の大きさを一 定にすることができ、 安定に再生を行うことができる。 従って、 高 密度化が可能となり、 媒体記録容量の増大が図れると共に、 品質の よい再生信号を常に得ることができる。
    [0095] 以上説明した本発明の実施例は、 信号の記録が可能な光磁気記録 媒体を用いる例であつたが、 次に、 本発明を反射率変化型の光記録 媒体に適用した実施例について、 以下に説明する。
    [0096] この反射率変化型の光記録媒体に関する技術としては、 本件出願 人が先に特願平 2 — 9 4 4 5 2号の明細書及び図面において光ディ スクの信号再生方法を提案しており、 また、 特願平 2 - 2 9 1 7 7
    [0097] 3号の明細書及び図面において光ディスクを提案している。 すなわ ち、 前者においては、 信号に応じて位相ピッ 卜が形成されるととも に温度によつて反射率が変化する光ディスクに対して読み出し光を 照射し、 読み出し光の走査スポッ ト内で反射率を部分的に変化させ ながら位相ピッ トを読み取ることを特徵とする光ディスクの信号再 生方法を提案しており、 後者においては、 位相ピッ トが形成された 透明基板上に、 相変化によって反射率が変化する材料層が形成され てなり、 読み出し光が照射されたときに、 上記材料層が、 読み出し 光の走査スポッ ト内で部分的に相変化するとともに、 読み出し後に は初期状態に戻ることを特徴とする、 いわゆる相変化型の光デイ ス クを提案している。
    [0098] こ こで、 上記材料層として、 溶融後結晶化し得る相変化材料層を 用い、 読み出し光が照射されたときに、 この相変化材料層が読み出 し光の走査スポッ ト内で部分的に溶融結晶化領域で液相化して反射 率が変化すると共に、 読み出し後には結晶状態に戻るようにするこ とが好ま しい。
    [0099] このような反射率変化型の光記録媒体、 特に相変化型の光デイ ス クを用いた本発明による再生方法の他の実施例が適用されたディ ス ク再生装置の要部を図 9に示す。 この図 9において、 光ディスク 1 0 0は、 反射率変化型、 特に、 相変化型の光ディスクであり、 読み出し光となるレーザ光が照射さ れて温度が上昇した部分の反射率が他の部分の反射率より低いもの が上記光磁気の場合の消去タイプに、 また、 温度が上昇した部分の 反射率が他の部分の反射率より高いものが上記光磁気の場合の浮き 出しタイプにそれぞれ対応する。 本実施例は、 いずれのタイプの相 変化型光ディスクも使用可能であるのみならず、 他の原理に基づく 反射率変化型の光ディスクも使用可能である。
    [0100] この図 9の構成は、 上述した図 5の構成において、 磁界印加のた
    [0101] I o めの磁界発生コイル 2 1、 ドライバ 2 2、 基準値発生回路 3 3を除 去し、 光磁気ディスク 1 1 の代わりに反射率変化型の光ディスク 1 0 0を用いた点が異なるのみで、 他の構成は全く同じである。
    [0102] すなわち、 レーザ光源 1 2からの光ビームが光ディスク 1 0 0に 入射され、 レーザ光のビーム ■ スポッ トの内の一部領域となる再生
    [0103] I 5 領域からの反射光が再生用フオ トディテクタ 1 3に入射されて光電 変換され、 このフォ トディテクタ 1 3の出力信号は、 へッ ドアンプ 1 4を介して信号処理回路 1 5に供給されて R F信号が得られ、 こ れがデータ再生系に供給されて復調される。
    [0104] また、 レーザ光源 1 2のレーザ光の一部は、 レーザパワーモニタ 0 用のフォ トディテクタ 1 6に入射されて光電変換出力され、 オー ト パワーコン トロール回路 1 7に供給される。 オー トパワーコ ン ト口 —ル回路 1 7では、 フォ トディテクタ 1 6の出力と、 ラッチ回路 2 2からの再生レーザパワー設定基準値 R E Fとが比較され、 その比 較誤差出力がレーザドライブ回路 1 8に供給され、 レーザ光源 1 2 S の出力パワーが、 再生レーザパワー設定基準値 R E Fに応じた値に なるように制御される。
    [0105] この例の場合、 再生レーザパワー設定基準値 R E Fは、 光デイス ク 1 0 0の温度に応じたものとなるようにされている。
    [0106] すなわち、 光磁気ディスク 1 0 0の近傍に、 この光磁気ディスク 1 0 0の温度を検知するために、 例えばサ一ミス夕等の温度センサ 2 0が設けられる。 そして、 この温度センサ 2 0で検知された温度 出力は、 再生レーザパワー設定基準値 R E Fのテーブルを記憶して いる R O M 2 1 に、 その読み出しア ドレスとして供給される。 R〇
    [0107] M 2 1 からは、 温度センサ 2 0からの温度出力に応じて異なる再生 レーザパワー設定基準値 R E Fが読み出される。 そして、 読み出さ れた設定基準値 R E Fは、 夕イ ミ ング信号発生回路 2 3からのタイ ミ ング信号によりラッチ回路 2 2にラッチされ、 オー トパワーコン トロール回路 1 6 に供給される。 この結果、 レーザ光源 1 2の出力 パワーが、 その時の光ディスク 1 0 0の温度に応じた設定基準値 R E Fに応じたものとなるように制御される。
    [0108] 相変化型等の反射率変化型の光ディスク 1 0 0の場合も、 上述し た光磁気ディスクの場合と同様に、 ディスク 1 0 0の温度が変わる と、 レーザビーム走査スポッ トによる温度分布は、 ディスク温度に 応じてシフ ト してしまうが、 レーザ出力パワーが変化すれば、 光磁 気ディスク 1 1 の温度が一定でも、 反射率の変化する領域の大きさ が変化する。 従って、 温度に応じてレーザパワーをコン トロールす ることにより、 光ディスク 1 0 0の温度が変わっても、 上記再生領 域の大きさを一定に保つことができるものである。
    [0109] この場合、 R O M 2 1 には、 光ディスク 1 0 0の温度として生じ る温度範囲を例えば R O M 2 1 の記憶容量に応じて分割して定めた 微小温度範囲毎に 1対 1 に対応するレーザパワー設定基準値 R E F のテーブルが記億されている。 そして、 予め、 光ディスク 1 0 0の 温度が各温度範囲のときに、 上記再生領域の大きさが、 常に再生に 適切な一定の大きさとなるような再生レーザパワー設定基準値 R E Fが検出され、 その各温度範囲毎に対応する再生レーザパワー設定 基準値 R E Fが R 0 M 2 1 に書き込まれている。 再生領域の大きさ が最適の一定の大きさであるか否かは、 例えば所定の基準パターン の情報を再生したときに信号処理回路 1 5からの R F信号レベルが 所定値になっているか否かにより検出できる。
    [0110] i o 従って、 R O M 2 1からは、 温度センサ 2 0で検出された光ディ スク 1 0 0の温度に応じた再生レーザパワー設定値 R E Fが常に読 み出されるが、 再生レーザパワー設定基準値 R E Fは、 常時、 変更 する必要はなく、 例えば、 タイ ミ ング信号発生回路 2 3からのタイ ミ ング信号によりラッチ回路 2 2に R 0 M 2 1 からの出力がラッチ
    [0111] I 5 され、 そのタイ ミ ング信号時点で再生レーザパワー設定基準値 R E
    [0112] Fが変更されるものである。 この設定基準値 R E Fの変更時点は、 例えば再生開始時点と、 再生中、 温度変化が生じると考えられる所 定時間間隔毎、 例えば 1 0分毎とされ、 タイ ミ ング信号発生回路 2 3からは、 これら再生開始時点と、 再生開始時点から 1 0分毎に夕 0 ィ ミ ング信号が発生する。
    [0113] 以上のようにして、 反射率変化型の光ディスク 1 0 0の温度が周 囲の雰囲気温度等のため変動しても、 レーザパワーをコン トロール することにより、 上記再生領域の寸法を一定に保つことができるの で、 常に、 安定な再生を行う ことができる。
    [0114] 5 この図 9の実施例の場合も、 上記光磁気ディスクを用いる場合と 同様な変形が可能であり、 例えばディスク回転駆動方式は C A Vで も C L Vでもよく、 媒体検出温度に基づいて、 読み出し光ビームの 強度を制御するようにしたり、 光記録媒体から読み出された信号の レベルに基づいて上記反射率の変化している部分の大きさを制御す るようにしてもよい。 また、 R O M 2 1 を用いる代わりに、 設定値 を演算により求めるようにしてもよく、 ディスクの周辺温度を検出 する代わりに、 ディスク表面温度を赤外線検出センサ等により検出 するようにしてもよい。
    [0115] 次に、 上記図 9の実施例に用いられる反射率変化型の光ディスク 1 0 0 として、 溶融後結晶化し得る相変化材料層を用い、 読み出し 光が照射されたときに、 この相変化材料層が読み出し光の走査スポ ッ ト内で部分的に溶融結晶化領域で液相化して反射率が変化すると 共に、 読み出し後には結晶状態に戻るような相変化型のディ スクに ついて説明する。
    [0116] 上記図 9の光ディスク 1 0 0 として用いられる上記相変化型の光 ディスクは、 図 1 0に要部の概略断面図を示すように、 位相ピッ ト 1 0 1 が形成された透明基板 1 0 2上 （図中では下面側） に、 第 1 の誘電体層 1 0 3を介して相変化材料層 1 0 4が形成され、 この材 料層 1 0 4の上 （図中の下面側、 以下同様） に第 2の誘電体層 1 0 5が形成され、 その上に反射膜 1 0 6が形成されてなつている。 こ れら第 1 の誘電体層 1 0 3及び第 2の誘電体層 1 0 5によって光学 特性、 例えば反射率等の設定がなされる。
    [0117] さらに必要に応じて、 反射膜 1 0 6の上に保護膜 （図示せず） が 被着形成されることも多い。
    [0118] この他、 この相変化型の光ディスクの構造としては、 例えば図 1 1に示すように、 ピッ ト 1 0 1が形成された透明基板 1 0 2上に直 接的に相変化材料層 1 0 4のみを密着形成したものを用いてもよく - また、 図 1 2に示すように、 位相ピッ ト 1 0 1が形成された透明基 板 1 0 2上に、 第 1の誘電体層 1 0 3、 相変化材料層 1 0 4、 及び 第 2の誘電体層 1 0 5を順次形成したものを用いてもよい。
    [0119] ここで、 上記透明基板 1 0 2としては、 ガラス基板、 ポリカーボ ネー トゃメタク リ レー ト等の合成樹脂基板等を用いることができ、 また、 基板上にフォ トポリマを被着形成してスタンパによって位栢 ピッ ト 1 0 1を形成する等の種々の構成を採ることができる。 ι o 上記栢変化材料層 1 0 4に使用可能な材料としては、 読み出し光 の走査スボッ ト内で部分的に相変化し、 読み出し後には初期状態に 戻り、 相変化によって反射率が変化するものが挙げられる。 具体的 には、 S b2 S e 3 、 S b 2 T e 3 等のカルコゲナイ ト、 すなわち カルコゲン化合物が用いられ、 また、 他のカルコゲナイ トあるいは 5 単体のカルコゲンとして、 S e、 T eの各単体、 さらにこれらの力 ルコゲナイ ト、 すなわち B i T e、 B i S e、 I n— S e、 I n— S b— T e、 I n - S b S e、 I n - S e - T 1、 G e - T e - S b、 G e— T e等のカルコゲナイ ト系材料等が用いられる。 このよ うなカルコゲン、 カルコゲナイ トによって相変化材料相 1 0 4を構 0 成するときは、 その熱伝動率、 比熱等の特性を、 半導体レーザ光に よる読み出し光によって良好な温度分布を形成する上で望ましい特 性とすることができ、 後述するような溶融結晶化領域での溶融状態 の形成を良好に行うことができ、 SZNあるいは CZNの高い超高 解像度の生成を行う ことができる。
    [0120] また上記第 1の誘電体層 1 0 3及び第 2の誘電体層 1 0 5として は、 例えば S i 3 N4 、 S i O、 S i 02 、 A 1 N、 A 1 2 03 、 Z n S、 M g F 2 等を用いることができる。 さらに、 上記反射膜 1 0 6 としては、 A l、 C u、 A g、 Au等を用いることができ、 こ れらの元素に少量の添加物が添加されたものであつてもよい。
    [0121] 以下、 相変化型の光ディスクの具体例として、 位相ピッ トが形成 された透明基板上に、 溶融後結晶化し得る相変化材料層が形成され てなり、 読み出し光が照射されたときに、 上記相変化材料層が読み 出し光の走査スポッ ト内で部分的に溶融結晶化領域で液相化して反 射率が変化すると共に、 読み出し後には結晶状態に戻るようなもの o であって、 上記図 1 0の構成を有する光ディスクの具体例について 説明する。
    [0122] 図 1 0の透明基板 1 0 2としては、 いわゆるガラス 2 P基板を使 用し、 この基板 1 0 2の一主面に形成される位相ピッ ト 1 0 1 は、 トラッ ク ピッチ 1. 6〃 m、 ピッ ト深さ約 1 2 0 0人、 ピッ ト幅 0. δ 5 〃mの設定条件で形成した。 そして、 このピッ ト 1 0 1を有する 透明基板 1 0 2の一主面に厚さ 9 0 O Aの A 1 Nよりなる第 1 の誘 電体層 1 0 3を被着形成し、 これの上 （図では下面側、 以下同様） に相変化材料層 1 0 4 として S b 2 S e 3 を被着形成した。 さらに、 これの上に厚さ 3 0 0 Aの A 1 Nによる第 2の誘電体層 1 0 5を被 着形成し、 さ らにこれの上に A 1反射膜 1 ひ 6を 3 0 O Aの厚さに 被着形成した。
    [0123] このような構成の光ディスクにおいて、 信号が記録されていない 部分すなわち位枏ピッ ト 1 0 1が存在しない鏡面部分を用いて、 先 ず以下の操作を行った。
    [0124] すなわち、 最初に上記光ディスクの 1点にフ ォーカスさせるよう に例えば 7 8 0 n mのレーザ光を照射して、 徐冷して初期化 （結晶 化） する。 次に、 同一点にレーザパワー pを、 0 < P≤ 1 0 m Wの 範囲で固定してレーザパルス光を照射した。 この場合、 パルス幅 t は、 2 6 0 n sec ≤ t ≤ 2 . 6 〃 sec とした。 その結果、 パルス光 照射前と、 照射後の冷却 （常温） 後とで、 両固相状態での反射率が 変化すれば、 材料層が結晶から非晶質に変化したことになる。 そし て、 この操作で、 最初と最後で反射率変化がなかった場合でも、 パ ルス光の照射中に、 戻り光量が一旦変化したとすれば、 それは結晶 状態の膜が一旦液相化されて再び結晶化されたことを意味する。 こ
    [0125] I o のように一旦液相状態になって後、 温度低下によって再び結晶化状 態になり得る溶融化状態の領域を、 溶融結晶化領域と称する。
    [0126] 図 1 3は、 上述のように相変化材料層 1 0 4 として S b 2 S e 3 を用いた場合において、 横軸に照射レーザ光パルス幅を、 縦軸にレ —ザ光パワーをそれぞれとり、 これらの各値と相変化材料層 1 0 4
    [0127] I 5 の栢状態を示したものである。 同図中、 曲線 aより下方の斜線を付 して示した領域 は、 相変化材料層 1 0 4が溶融化しない初期状 態を保持したままである場合の領域である。 同図において曲線 aよ り上方においてはレーザ光スポッ ト照射によって液相すなわち溶融 状態になるが、 特に曲線 a と b との間の領域 R 2 は、 レーザ光スポ 0 ッ トが排除されて （常温程度にまで） 冷却されることによって固相 化されたときに結晶化状態に戻る溶融結晶化領域であり、 これに対 して曲線 bより上方の交差斜線で示す領域 R 3 は、 レーザ光スポッ トを排除して冷却されて固相化されたときに非晶質すなわちァモル ファス状態になる溶融非晶質化領域である。
    [0128] 本実施例の上記具体例においては、 図 1 3における溶融結晶化領 域 R 2 での液相状態が再生時に生じ得るように、 その再生時の読み 出し光の照射による加熱状態から常温までの冷却過程において、 そ の融点 M Pから固相化に至るに要する時間 Δ tが結晶化に要する時 間 より大となるように、 再生光パワー、 光ディスクの構成、 材 料、 各膜厚等の選定がなされる。
    [0129] 上記具体例において、 初期化状態の反射率すなわち結晶化状態の 反射率は 5 7 %、 溶融状態では 1 6 %であった。 そして、 その再生 パワーを 9 m Wとし、 線速を S m Z sec に設定して再生を行ったと きの C Z Nは 2 5 d Bであった。
    [0130] 次に、 上述のような相変化型光ディスクの他の具体例として、 相 変化材料層 1 0 4に S b 2 T e 3 を用いた場合において、 上記図 1 3 と同様にその相変化状態を測定した結果を図 1 4 に示す。 この図 1 4において、 上記図 1 3 と対応する部分には同一符号を付して説 明を省略する。 この S b 2 T e 3 を用いた具体例においては、 結晶 化状態、 すなわち初期化状態における反射率は 2 0 %、 溶融状態に おいては 1 0 %となった。
    [0131] なお、 S b 2 S e 3 、 S b 2 T e 3 等のカルコゲナイ トあるいは カルコゲンにおいて、 非晶質状態の反射率と、 溶融状態の反射率は 殆ど同程度の値を示す。 そして、 本発明の実施例に用いられる光デ イ スクは、 その再生に当たって該光ディスクに対する走査スポッ ト 内における温度分布を利用して超高解像度をもって再生する。
    [0132] ここで、 上記枏変化型光ディスクにレーザ光ビームを照射した場 合を、 図 1 5を参照しながら説明する。
    [0133] 図 1 5 において、 横軸はスポッ トの走査方法 Xに関する位置を示 したもので、 今光ディスクにレーザが照射されて形成されたビーム • スポッ ト S Pの光強度分布は、 同図中破線 aのようになる。 これ に対して相変化型材料層 1 0 4における温度分布は、 ビーム · スボ ッ ト S Pの走査速度に対応してビーム走査方向 Xの後方側にやや遅 れて表れ、 同図中実線 bのようになる。
    [0134] ここで、 レーザ光ビームが図中の矢印 X方向に走査されていると き、 媒体の光ディスクは、 ビーム · スポッ ト S Pに対して、 走査方 向の先端側から次第に温度が上昇し、 遂には相変化型材料層 1 0 4 の融点 M P以上の温度となる。 この段階で、 相変化型材料層 1 0 4 は初期の結晶状態から溶融状態になり、 この溶融状態への移行によ
    [0135] I o つて、 例えば反射率が低下する。 この場合、 ビーム · スポッ ト S P 内で図中斜線を付して示した領域 P x の反射率が低くなる。 すなわ ち、 ビーム · スポッ ト S P内で、 位相ピッ ト 1 0 1 の読み出しが殆 ど不可能な領域 Ρ χ と、 結晶化状態を保持した領域 P z とが存在す る。 従って、 図示のように同一スポッ ト S P内に例えば 2つの位相
    [0136] I 5 ピッ ト 1 0 1 が存在している場合においても、 反射率が大なる領域
    [0137] P z に存在する 1 つの位相ピッ ト 1 0 1 に関してのみその読み出し を行うことができ、 他の位栢ピッ トに関しては、 これが反射率が極 めて低い領域 P x にあってこれの読み出しがなされない。 このよう に、 同一スポッ ト S P内に複数の位相ピッ ト 1 0 1が存在しても、 0 単一の位相ピッ ト 1 0 1 に関してのみその読み出しを行うことがで きる。
    [0138] 従って、 上記読み出し光ビームの波長を I、 対物レンズの開口数 を N Aとするとき、 上記読み出し光ビームの走査方向に沿った記録 信号の最短の位相ピッ ト間隔を 1 / 2 N A以下としても良好な読み 出しが行えることが明らかであり、 超高解像度をもつて信号の読み 出しを行う ことができ、 記録密度、 特に線密度の向上が図れ、 媒体 記録容量を増大させることができる。
    [0139] ところで、 上述した例においては、 相変化材料層 1 0 4が溶融状 態のときに反射率が低く結晶状態で高い膜厚等の諸条件を設定した 場合であるが、 各層の構成、 厚さ、 相変化材料の構成、 厚さ等の諸 条件の選定によって溶融状態においての反射率を高め結晶状態にお ける反射率を低下させる構成とすることもでき、 この場合は、 図 1 5で示したレーザ光スポッ ト S P内の高温領域 P x 内に 1 つの位相 ピッ ト 1 0 1 が存在するようにし、 この領域 P x にある 1 つの位相 ピッ ト 1 0 1 からのみその読み出しを行う構成とすることができる c また、 レーザ光照射により温度が上昇して、 例えば上記溶融非晶質 化領域 R 3 に達すること等により、 常温にまで冷却された状態では 上記結晶化状態等の初期状態に戻らないような不可逆的な相変化を 生ずる場合であっても、 何らかの手段で初期化する操作を行えばよ く、 本発明の要旨から逸脱するものではない。 例えば、 再生のため のレーザスポッ トの後に長円系のスポッ トを照射し、 相変化材料層
    [0140] 1 0 4を上記溶融結晶化領域 R 2 にまで加熱したり、 融点 M P以下 で結晶化温度以上の温度に加熱してやれば、 相変化材料層 1 0 4 は 非晶質 （アモルフ ァス） 状態から結晶状態に復帰し、 いわゆる初期 化される。
    [0141] また、 上述した実施例においては、 媒体の相変化により反射率を 変化させているが、 反射率変化はいかなる現象を利用したものであ つてもよく、 例えば、 図 1 6 に示す本発明のさらに他の実施例のよ うに、 干渉フィルタにおける水分吸着による分光特性の変化を利用 して、 温度によって反射率を変化させてもよい。 すなわち、 この図 1 6において、 位相ピッ ト 1 3 1が形成された 透明基板 1 3 2上に、 屈折率の大き く異なる材料を、 それぞれ厚さ が再生光の波長 λの 1 Z4 となるように繰り返し成膜することによ り干渉フィル夕が形成されてなるものである。 本例では、 屈折率の 大きく異なる材料として、 Mg F層 1 3 3 (屈折率 1. 3 8 ) と、 Z n S層 1 3 4 (屈折率 2. 3 5) を採用した。 勿論、 これに限ら ず屈折率の差が大きくなる材料の組合せであれば如何なるものであ つてもよく、 例えば、 屈折率の小さな S i 0 (屈折率 1. 5 ) 等が 挙げられ、 また屈折率の大きな材料としては T i 02 (屈折率 2. 7 3) ゃ〇 602 (屈折率 2. 3 5 ) 等が挙げられる。
    [0142] 上述の Mg F層 1 3 3や Zn S層 1 3 4は蒸着形成されるが、 こ れらを蒸着形成する際に、 到達真空度を例えば 1 0 _4 Torr 程度と 通常より も低く設定すると、 膜構造がいわゆるポーラスなものとな り、 そこに水分が残留する。 そして、 この水分が残留した膜からな る干渉フィルタにおいては、 室温と水の沸点近く まで温度を上げた 時とで、 例えば図 1 7に示すように、 反射率分光特性が大きく異な る。 すなわち、 室温では図中曲線 iで示すように波長； lR を変曲点 とする特性を示すのに対して、 沸点近くにまで温度を上げると、 図 中曲線 iiで示すように波長； I H を変曲点とする特性になり、 温度が 下がると再び曲線 iで示す特性に戻るというように、 急峻な波長シ フ トが観察される。 この現象は、 水分が気化することにより屈折率 が大きく変わり、 この影響で分光特性が変化することによるものと 考えられている。
    [0143] 従って、 再生光の光源の波長をこれら変曲点； I R 、 λ Η の中間の 波長； I。 に選べば、 室温時と加熱時でダイナミ ックに反射率が変化 することになる。
    [0144] 本実施例では、 この反射率変化を利用して高密度再生を行う。 高 密度再生が可能となる原理は、 前述した図 1 5 とともに説明した通 りで、 この場合には水分が気化して波長シフ トが起こつた領域が高 反射率領域に相当し、 温度が上昇していない部分がマスクされた形 となる。 本例では温度が下がると反射率特性が元の状態に戻るので. 特別な消去操作は必要ない。
    [0145] このような反射率変化型の光ディ スクを、 上記図 9の光ディ スク 1 0 0 として用いることにより、 光ディスク 1 0 0の温度変化があ つても、 常に実質的な再生領域 （上記図 1 5の領域 P x 、 P z の内 の反射率が高い方の領域） の大きさを一定にすることができること から、 安定に再生を行うこ とができ、 品質の良い再生信号を常に得 ることができるわけである。
    [0146] なお、 本発明は上記実施例のみに限定されるものではなく、 例え ば、 上記光記録媒体としては、 ディスク状のみならず、 カー ド状、 シー ト状等の媒体にも本発明を適用するこ とができる。
    权利要求:
    Claims請 求 の 範 囲
    1 . 記録層と再生層とを有し、 記録層と、 再生層とが定常状態で磁 気的に結合しており、 再生時の読み出し光ビームの照射により所定 温度以上に温度上昇する領域の前記記録層と再生層との磁気的結合 を消滅させ、 その磁気的結合消滅領域を除く光照射領域において前 記記録層に保持された記録情報を前記再生層から読み出すようにす る光記録媒体の再生方法において、
    前記光記録媒体の温度を検出し、 その検出温度に基づいて前記磁 気的結合消滅領域の大きさを制御するようにした光記録媒体の再生
    2 . 前記検出された前記記録媒体の温度に基づいて、 前記読み出し 光ビームの強度を制御するようにした請求項 1記載の光記録媒体の 再生方法。
    3 . 前記再生層から読み出された信号のレベルに基づいて、 前記磁 気的結合消滅領域の大きさを制御するようにした請求項 1記載の光 記録媒体の再生方法。
    4 . 記録層と再生層とを有し、 再生層の磁化の方向を揃えた後、 再 生時の読み出し光ビームの照射により所定温度以上に温度上昇する 領域において前記記録層に保持された記録情報を再生層に転写させ て浮き出させ、 この再生層の浮き出し領域から前記記録情報を読み 出すようにする光記録媒体の再生方法において、
    前記光記録媒体の温度を検出し、 その検出温度に基づいて前記浮 き出し領域の大きさを制御するようにした光記録媒体の再生方法。
    5 . 前記光記録媒体の再生方法は、 再生時に前記記録層に保持され た記録情報を再生層に転写させて浮き出させる際に再生磁界を印加 し、 この再生磁界の強度を前記検出された前記記録媒体の温度に基 づいて制御するようにした請求項 3記載の光記録媒体の再生方法。
    6 . 前記再生層から読み出された信号のレベルに基づいて前記浮き 出し領域の大きさを制御するようにした請求項 4記載の光記録媒体 の再生方法。
    7 . 信号に応じて位相ピッ トが形成されるとともに温度によって反 射率が変化する光ディスクに対して読み出し光ビームを照射し、 読 み出し光ビームの走査スポッ ト内で反射率を部分的に変化させなが ら位相ピッ トを読み取るような光記録媒体の再生方法において、 o 前記光記録媒体の温度を検出し、 その検出温度に基づいて読み出 し光ビームの走査スポッ ト内の反射率の変化している部分の大きさ を制御するようにした光記録媒体の再生方法。
    8 . 前記検出された前記記録媒体の温度に基づいて、 前記読み出し 光ビームの強度を制御するようにした請求項 7記載の光記録媒体の 5
    再生方法。
    9 . 前記光記録媒体から読み出された信号のレベルに基づいて前記 反射率の変化している部分の大きさを制御するように請求項 7記載 の光記録媒体の再生方法。
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    US5688574A|1997-11-18|Optical recording medium
    同族专利:
    公开号 | 公开日
    EP0526641B1|1996-05-08|
    EP0526641A4|1993-08-11|
    DE69119414T2|1997-01-02|
    JP3057516B2|2000-06-26|
    EP0526641A1|1993-02-10|
    DE69119414D1|1996-06-13|
    US5329512A|1994-07-12|
    引用文献:
    公开号 | 申请日 | 公开日 | 申请人 | 专利标题
    JPH01143042A|1987-11-30|1989-06-05|Sony Corp|Signal reproducing method for magneto-optical recording medium|
    JPH01143041A|1987-11-30|1989-06-05|Sony Corp|Signal reproducing method for magneto-optical recording medium|
    JPH01179224A|1987-12-28|1989-07-17|Sony Corp|Recorder|
    JPH02273355A|1989-04-14|1990-11-07|Seiko Epson Corp|Magneto-optical recording and reproducing device|AU684560B2|1993-11-17|1997-12-18|Canon Kabushiki Kaisha|Optical information recording/reproducing apparatus and method with function of adjusting reproducing power|JPS62154250A|1985-12-25|1987-07-09|Seiko Epson Corp|Photomagnetic recording device|
    JP2910250B2|1990-12-27|1999-06-23|ソニー株式会社|光磁気記録媒体|
    JPH04255936A|1991-02-08|1992-09-10|Sony Corp|Production of high density magneto-optical recording medium|
    JPH04255947A|1991-02-08|1992-09-10|Sony Corp|Method and device for magneto-optical recording|US5590111A|1990-06-29|1996-12-31|Hitachi, Ltd.|Method of controlling recording of optical records|
    WO1992014245A1|1991-02-05|1992-08-20|Sony Corporation|Method for reproducing signal in optically recording medium|
    DE69231042T2|1991-02-08|2000-09-28|Sony Corp|Magnetooptisches Aufzeichnungs- und/oder -wiedergabegerät|
    US5677899A|1991-02-15|1997-10-14|Discovision Associates|Method for moving carriage assembly from initial position to target position relative to storage medium|
    US6434087B1|1995-01-25|2002-08-13|Discovision Associates|Optical disc system and method for controlling bias coil and light source to process information on a storage medium|
    US5729511A|1991-02-15|1998-03-17|Discovision Associates|Optical disc system having servo motor and servo error detection assembly operated relative to monitored quad sum signal|
    US6236625B1|1991-02-15|2001-05-22|Discovision Associates|Optical disc system having current monitoring circuit with controller for laser driver and method for operating same|
    JPH05128732A|1991-10-30|1993-05-25|Sony Corp|データ記録方法|
    JPH06236587A|1992-05-19|1994-08-23|Nikon Corp|再生専用型の光磁気ディスク、その再生方法及び再生装置|
    JP3488261B2|1992-07-27|2004-01-19|三洋電機株式会社|光記録媒体の再生方法及び再生装置|
    EP0644538A4|1993-03-15|1995-12-20|Nippon Kogaku Kk|Magnetooptic recording method, magnetooptic recording medium and magentooptic recording apparatus.|
    US5461603A|1993-04-22|1995-10-24|Sony Corporation|Disc recording/reproducing apparatus having temperature control of the recording/reproducing processes|
    JP2951198B2|1994-03-31|1999-09-20|三洋電機株式会社|温度検出回路|
    US5568461A|1994-04-20|1996-10-22|Matsushita Electric Industrial Co., Ltd.|Optical information recording and reproducing apparatus|
    US5537382A|1994-11-22|1996-07-16|Optex Corporation|Partial response coding for a multi-level optical recording channel|
    JP3177395B2|1995-01-31|2001-06-18|シャープ株式会社|光磁気記録媒体及びその再生方法|
    US5659311A|1995-05-12|1997-08-19|Optex Corporation|M=6runlength limited code for multi-level data|
    US5659310A|1995-05-12|1997-08-19|Optex Corporation|M=5runlength limited code for multi-level data|
    US5781130A|1995-05-12|1998-07-14|Optex Corporation|M-aryrunlength limited coding for multi-level data|
    US5680128A|1995-05-12|1997-10-21|Optex Corporation|M=6 runlength limited code for multi-level data|
    US5668546A|1995-05-12|1997-09-16|Optex Corporation|M=6runlength limited code for multi-level data|
    US5675330A|1995-05-12|1997-10-07|Optex Corporation|M=5runlength limited code for multi-level data|
    US5663722A|1995-05-12|1997-09-02|Optex Corporation|M=10runlength limited code for multi-level data|
    US5670956A|1995-05-12|1997-09-23|Optex Corporation|M=5runlength limited code for multi-level data|
    US5748118A|1995-05-12|1998-05-05|Optex Corporation|M=7runlength limited code for multi-level data|
    US5663723A|1995-05-12|1997-09-02|Optex Corporation|M=7runlength limited code for multi-level data|
    US5757293A|1995-05-12|1998-05-26|Optex Corporation|M=8runlength limited code for multi-level data|
    US5682155A|1995-05-12|1997-10-28|Optex Corporation|M=6 runlength limited code for multi-level data|
    US5682154A|1995-05-12|1997-10-28|Optex Corporation|M=4runlength limited code for multi-level data|
    US5748117A|1995-05-12|1998-05-05|Optex Corporation|M=8runlength limited code for multi-level data|
    JPH097178A|1995-06-15|1997-01-10|Nikon Corp|光ディスクの再生方法、再生装置及び光ディスク|
    US5742566A|1995-11-27|1998-04-21|Sony Corporation|Optical recording methods and apparatus using light modulation technique based on detecting temperature of the medium|
    US6111841A|1996-01-10|2000-08-29|Nikon Corporation|Apparatus for and method of controlling playback light intensity for an optical recording medium|
    WO1997050179A1|1996-06-24|1997-12-31|Etom Technologies Corporation|M=10 , d=3.75 runlength limited code for multi-level data|
    US6226233B1|1996-07-30|2001-05-01|Seagate Technology, Inc.|Magneto-optical system utilizing MSR media|
    US6278667B1|1998-01-30|2001-08-21|Seagate Technology, Inc.|System and method for light power control in a magneto-optical drive|
    JP3778399B2|1998-03-16|2006-05-24|富士通株式会社|光学的記憶装置及び光記憶媒体の記録再生方法|
    US6069853A|1998-08-21|2000-05-30|Terastor Corporation|Head including a heating element for reducing signal distortion in data storage systems|
    US20020067683A1|2000-12-05|2002-06-06|Imation Corp.|Temperature sensitive patterned media transducers|
    US6671232B1|2001-07-25|2003-12-30|Maxtor Corporation|Method and apparatus for measuring the surface temperature of a disk|
    JP2004334940A|2003-05-01|2004-11-25|Pioneer Electronic Corp|回転制御装置、その方法、そのプログラム、そのプログラムを記録した記録媒体、および、情報処理装置|
    US9025421B1|2014-10-08|2015-05-05|Western Digital Technologies, Inc.|Data storage device adjusting laser input power to compensate for temperature variations|
    法律状态:
    1992-08-20| AK| Designated states|Kind code of ref document: A1 Designated state(s): JP US |
    1992-08-20| AL| Designated countries for regional patents|Kind code of ref document: A1 Designated state(s): DE FR GB |
    1992-09-29| WWE| Wipo information: entry into national phase|Ref document number: 1991917827 Country of ref document: EP |
    1993-02-10| WWP| Wipo information: published in national office|Ref document number: 1991917827 Country of ref document: EP |
    1996-05-08| WWG| Wipo information: grant in national office|Ref document number: 1991917827 Country of ref document: EP |
    优先权:
    申请号 | 申请日 | 专利标题
    JP3554491||1991-02-05||
    JP3/35544||1991-02-05||EP91917827A| EP0526641B1|1991-02-05|1991-10-19|Method for reproducing signal in optically recording medium|
    US07/930,617| US5329512A|1991-02-05|1991-10-19|Temperature detection of a magneto-optic recording medium for controlling irradiation of an erasure region|
    DE69119414T| DE69119414T2|1991-02-05|1991-10-19|Verfahren zur Wiedergabe eines Signals aus einem optischen Aufzeichnungsmedium|
    JP3516540A| JP3057516B2|1991-02-05|1991-10-19|光記録媒体の信号再生方法|
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