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    公开号:WO1992012542A1
    申请号:PCT/JP1991/001745
    申请日:1991-12-20
    公开日:1992-07-23
    发明作者:Shoji Nishida；Takao Yonehara
    申请人:Canon Kabushiki Kaisha；
    IPC主号:H01L31-00
    专利说明:
    [0001] 明 細 書
    [0002] 選択的ェビタキシャル成長による太陽電池の製造方法
    [0003] 発明の分野
    [0004] 本発明は、 良質にして大粒径の半導体結晶からなる半導体層を有 する太陽電池の製造方法に関する。 より詳細には、 本発明は金属基 体を使用し、 別基体への転写工程を必要とせずに、 前記金属基体上 に大粒径の多結晶を成長させることによ .り半導体層を形成して太陽 電池を製造する方法に関する。 発明の背景
    [0005] 各種機器の駆動エネルギ—源として太陽電池が利用されている。 そう した太陽電池として各種のものが提案されている。 それらの太 陽電池は、 活性領域に P n接合か又は p i ri接合を有する構成のも のである。 そう した接合を形成する半導体の構成材料としては一般 に単結晶シリ コ ン又はァモルファスシリ コ ンが用いられている。 結晶シリ コ ンを用いた太陽電池は、 光電変換効率が高いことから好 ま しいものとして評価されているが、 製造コス トが高いことの他、 大面積化が極めて難し く かつ多量生産が難しいという問題がある。 一方アモルフ ァ スシリ コ ンを用いた太陽電池は、 単結晶を用いた 太陽電池に比べ、 光電変換効率の点では劣るものの、 大面積化が容 易であり、 多量生産が可能であり、 したがって製造コス トが安いと いう利点を有する。
    [0006] ところで、 最近、 単結晶シリ コ ン太陽電池なみの高光電変換効率 が達成できかつアモルファ スシリ コ ン太陽電池なみの低コス トで提 供できるとして多結晶シリ コ ンを用いた太陽電池が注目され、 該太 陽電池について研究がなされ、 各種の提案がなされている。 多詰晶 ン ソ ¾¾έ ヽ ¾¾ Λ ソ ス し、 これをスライ スして板状体として用いる提案があるが、 この場 合該板状体の厚さは最も薄く て 0. 3 «程度が限度でありそれ以上に 薄くするのは極めて難しい。 こう したことから、 得られる多結晶シ リ コン太陽電池は、 その活性化領域 （即ち、 半導体層） は不可避的 に必要以上に厚いものになってしまい、 材料の有効利用が不十分で あり、 かつ光電変換効率も十分ではなく 、 その上コス ト高のものに なってしまう という問題がある。
    [0007] こう したことから、 C V D法などの薄膜形成技術を用いて多結 晶シリ コ ンの薄膜を形成する提案がい く つかなされているが、 い ずれの場合にあっても、 形成される膜の結晶粒径はせいぜい百分 の数ミ ク ロ ン程度にしかならず、 当該膜を使用した太陽電沲は、 上述した塊状多結晶シリ コ ンスラ イ ス法により作成した太陽電池 に比べても光電変換効率の点で劣るという問題がある。 この C V D 法における問題の解決策として、 C V D法により形成した多結晶 シリ コ ン薄膜に Pなどの不純物をイ オ ン打ち込みにより膜中に導 入して過飽和状態にした後、 高温でァニールするこ とにより、 結晶 粒径を膜厚の約 1 0倍程度に ^犬させるいわゆる異常立崁 £技衛が 報告されている ( Y asuo Wada and S higeru Nishimatsu, J ournal of E lectrochemical Society , Solid S tate Science and Technology , 1 2 5 ( 1 9 7 8 ) 1 4 9 9参照） 。
    [0008] しかしこの提案方法により形成される膜は、 結晶粒径の点では満 足のゆく ものではあるものの不純物濃度がかなり高いものである こ とから、 これを使用して作成した太陽電池は、 光生成キャ リ アの再 結合が多発し十分な光電流を得るこ とのできないという問題を伴う。
    [0009] これとは別に、 C V D法により形成した多結晶シリ コ ン薄膜にレ 一ザ光を照射して溶融し再結晶化させて結晶粒径を大き くする方法 が提案されているが、 この方法は、 一定品質の膜を定常的に得るの は難しく、 所望の膜が形成できたにしてもその製造コス 卜はかなり のものになってしまう問題があるところ実用的ではない。
    [0010] 上述したところは、 G a A s , Z n S eなどの化合物半導体の場 合にあっても同様である。 ところで、 特開昭 6 3 - 1 8 2 8 7 2号公報には、 太陽電池の製 造方法において、 基体表面上に該基体表面の材料より も核形成密度 が十分に大き く かつ結晶成長後単結晶となる単一の核だけが成長す る程度に十分微細な異種材料を、 核形成面を構成するように設け、 次いで堆積により該異種材料に核を形成させ、 該核によって結晶を 成長させて上記基体表面上に第 1 の導電型の実質的に単結晶の半導 体層を形成し、 該単結晶層の上方に第 2の導電型の実質的に単結晶 の半導体層を形成することを特徴とする太陽電池の製造方法が開示 され、 この方法によれば、 薄型で結晶粒径の十分大きい、 良好な光 電変換効率を有する太陽電池が得られる旨記載されている。
    [0011] しかしながら、 上記公開公報に記載の方法においては、 核形成が 起こる核形成面に金属材料を採用し、 該金属材料を一方の電極とし て用いているために、 この金属材料の構成原子が形成される半導体 層内に拡散し、 半導体原子と合金を形成しこれが接合を破壌するこ とがしばしばある。 また、 接合破壌が起こらずとも抵散した金属原 子が結晶内や結晶粒界などに多 く取り込まれ、 光生成キ ヤ リ アを ト ラ ップする準位を増加させてしまう問題がある。
    [0012] また、 米国特許第 4 , 8 1 6 , 4 2 0号には、 単結晶シリ コ ン基板の 表面を絶緣膜からなるマスクで覆い、 該絶緣膜の穿孔部を介して露 出した単結晶シ リ コ ンをシー ド として該絶緣膜上にシ リ コ ン結晶を ラテラル ォ 一ノ 'ーグロ ス （l a tera l ov erg rou th ) させ、 ォ ー ノ、'一 グロスしたシリ コ ン結晶を下地の単結晶基板から剝離して別の基板 上に転写して太陽電池を製造する方法が記載されている。
    [0013] しかしながら、 この方法は、 単結晶シリ コ ンを基板として用いて いるが故に、 大面積化が困難であるという問題がある。 即ち、 こ の 方法により大面積の太陽電池パネルを形成するとなれば、 上述した よ つ に して开ク レた シ ソ コ ン iffi を sx ¾ ,½、 レ、 てれりを入面預の 別基板上に付与するようにすることが必要になり、 製造工程が複雑 になるという問題がある他、 こう して得られる太陽電池はコス ト高 のものになるという問題もある。 発明の要約
    [0014] 本発明の主たる目的は、 上述した従来技術における諸問題を解決 し、 特性の良好な多結晶太陽電池の効率的製造を可能にする方法を 提供することにある。
    [0015] 本発明の他の目的は、 別の基板への転写工程を必要とせずに、 電 極となる金属面上に良質の半導体結晶形成ができて、 特性の良好な 多結晶太陽電池の効率的製造を可能にする方法を提供することにあ る。
    [0016] 本発明の他の B的は、 金属基体を使用して大粒径にして良質の多 結晶半導体層の効率的成長を可能にし、 もって特性の良好な多結晶 太陽電池の効率的製造を可能にする方法を提供することにある。 本発明の他の目的は、 小粒径多結晶半導体層を種結晶としてその 上に大粒痊多結晶半導^層を^成することにより、 粒界での欠酷準 位密度を滅らして、 高品質の太陽電池の効率的製造を可能にする方 法を提供することにある。
    [0017] 本発明は、 上述の従来技術における諸問題を解決し、 上記の目的 を達成すべく本発明者らによる銳意研究の結果完成に至ったもので あり、 特性の良好な多結晶太陽電池の製造方法に係わるものである。 本発明の多結晶太陽電池の製造方法は、 下述する構成内容のもの である。 即ち、 )金属基体上に非単結晶半導体層を堆積させる工程、
    [0018] (b)前記非単結晶半導体層に不純物を導入して過飽和状態にする工程、
    [0019] (c)前記非単結晶半導体層の表面に絶緣層を形成する工程、 （d)ァニー ルすることにより前記非単結晶半導体層の結晶粒径を大き く し多結 晶半導体層を形成する工程、 （e)前記絶緣層に前記多結晶半導体層の 平均結晶粒例より も '、さな穿孔部を複数設けて前記多結晶半導体層 の表面を露出させる工程、 （f)気相成長法により前記穿孔部を介して 結晶成長を行い前記絶緣層上に 3次元的にオーバーグロ—スさせて 前記多結晶半導体層の平均結晶粒径より も大きな粒径を有する複数 の半導体単結晶体を形成する工程、 及び (g)前記複数の半導体単結晶 体上に電極を形成する工程の (a)乃至 (g)の工程からなる こ とを特徴と する太陽電池の製造方法である。
    [0020] 本発明の多結晶太陽電池の製造方法は、 具体的には、 次の 3つの 技術構成から成る。 即ち、 技術構成 1 ： 第 2乃至 3図に示されるよ うに金属基板 2 0 1上に堆積された多結晶シリ コ ン 2 0 2に対し P などの不純物原子を、 イ オン打ち込みまたは熱拡散などにより導入 して過飽和状態にし、 ァニールすることで下地金属との才― ミ ッ ク コ ンタ ク ト層となる多結晶シリ コ ン層を形成するとともに、 該多結 晶シリ コ ン中の結晶を異常粒成長を行わせて第 1 の多結晶シリ コ ン 層とする （ただし第 2図においては結晶粒界を省略している。 ） ； 技術構成 2 ： 第 4乃至 6図に示すよう に、 異常粒成長させた前記第 1 の多結晶シリ コ ン層の表面に、 例えば酸化膜 （ S i 0 2 ) などか らなる铯緣層 3 0 4を澎成し、 該絶緣層 3 0 の表面に周期的に微 小な開口部を設けてシリ コ ン表面を露出し、 該絶縁層 3 0 4を非核 形成面とし、 単結晶シリ コ ンのシー ドを形成する ； そして技術構成 3 ： 前記絶緣層と前記各個のシー ドについて選択的ヱビタキシャル 成長および横方向成長を行い、 大きさ （粒径） の揃った単結晶体を 成長させ、 多結晶層 3 0 3を構成する結晶粒より も大粒柽である第 2 の多結晶シリ コ ン薄膜層を形成する、 3つの技術構成からなる。 以上の 3つの技術構成の具体的内容については後に詳述する。
    [0021] こ こで、 本発明においていう選択的ェビタキシャル成長法の一般 的原理について簡単に説明しておく こととする。
    [0022] 選択的ェビタキシャル成長法とは、 第 7乃至 8図に示したように、 気相成長法を用いてェビタキシャル成長を行う場合に、 シリ コ ンゥ ェハ 4 0 1 上に形成された it朕などの絶緑層上では核形成か起き ないような条件の下で気相成長を行い、 絶緣層 4 0 2に設けられた 開口部 4 0 3内の露出したシリ コ ン表面を種結晶としてこの開口部 内でヱビタキシ ャル成長を行う選択的結晶成長法である。 開口部 4 0 3を埋めたヱピタキシャル層がさらに成長を続けた場合には、 結晶層は縦方向の成長を続けながら絶縁層の表面に沿って横方 向にも成長していく。 これが横方向成長法 （E p i tax i a l L a tera l 5 O vergrow th ) と呼ばれるもので、 この時の縦方向対横方向の成長 比ゃファセッ トの出現は一般に形成条件ゃ絶緣層の厚さに依存する < 本発明者らは幾多の実験を重ねることにより、 開口部の大きさを 例えば一辺が 9 μ m以下の微小な領域とすることにより、 絶緑層の 厚さに関係な く縦方向対横方向の成長比がほぼ 1 で三次元的に铯緣
    [0023] 10 層上で結晶成長していく こと、 明瞭なファセッ 卜が現れて山型の単 結晶体 4 0 4が得られることを見い出した （第 9乃至 1 0図） 。
    [0024] また本発明者らはさらに実験を重ねることにより、 シ リ コ ンゥェ ハの代わりに多結晶シリ コ ンを用いても結晶粒径 （平均結晶粒径） がある大きさ以上であれば上述と同様な方法により山型の単結晶体
    [0025] Ι δ が得られることを見い ffiした。
    [0026] また本発明者らはさらに実験を行い、 金属基板上に堆積した第 1 の多結晶シリ コ ン層の膜厚を適当に選ぶことで第 1 の多結晶シリ コ ン上に成長させた第 2の多結晶シリ コ ン層に基板からの金属原子が 混入することが阻止できること、 ァニールにより異常粒成長を行う 0 過程で同時に金属基板 -第 1 の多結晶シ リ コ ン層界面でシリ サイ ド などの中間層が形成され良好なォー ミ ック接触が得られることおよ び第 1 の多結晶シリ コ ンとその上に成長させた第 2 の多結晶との間 に铯緣層が介在することにより第 1 の多結晶シリ コ ン中に高濃度に ド—ビングされた不純物原子が成長している第 2の多結晶層中への 5 拡散が抑えられることを見い出した。 本発明は、 実験を介して見い 出した事実に基づいて更なる研究の結果完成に至つたものである。
    [0027] - - ~r. 一 》 、、
    [0028] ^ ド ^ t >^j ^B つ レン つ / 夭 ^ vrt ^ ^ o 験 1 (選択的結晶成長） 第 7図に示した場合と同様にして、 5 0 0 m厚の（ 1 0 0 )シリ コ ンウェハ 4 0 1 の表面に絶緣層 4 0 2 として熱酸化膜 1 0 0 O A 形成し、 フ ォ ト リ ソグラフィ 一を用いてエ ッチングを行い、 第 1 1 図に示すような配置で一辺が aであるような正方形の開口部 4 0 3 を b S O /^ mの間隔で設けた。 ここで aの値として 1. 2 ； m、 2 « m、 4 mの 3種類の開口部を設けた。 次に第 1 3図に示した構 成の通常の減圧 C V D装置 （ L P C V D装置） を用いて選択的結晶 成長を行った。
    [0029] 第 1 3図において、 7 0 1 はガス供給系、 7 0 2 はヒータ—、 7 0 3 は石英反応管、 7 0 4 は基板、 7 0 5 はサセプタである。 原 料ガスには S i H z C 2を用い、 キャ リ アガスとして H 2 を用い、 さ らに絶緣層 4 0 2 の酸化膜上での核の発生を抑制する ために H C £を添加した。 こ の時の成長条件は表 1 に示すようにした。 成長終了後、 ウェハ表面の様子を光学顕微鏡で観察したところ、 第 9図あるいは第 1 2図に示すように、 ど ® a ®値に封しても粒径 が約 2 0 mの山型フ ァ セ 'ン トを有する単結晶体 4 0 4が 5 0 μ m 間隔で格子点上に規則正しく配列しており、 第 1 1図で決められた 開口部 4 0 3 のバタ一ンに従って選択結晶成長が行われていること が確かめられた。 このとき、 開口部に対して成長した結晶が占める 割合はどの a の値に対しても 1 0 0 %であった。 また、 成長した単 結晶体の中で表面のファセ ッ トがく ずれないで明確に出ているもの の割合 （ファセ ッ ト率） は a の値に依存し、 表 2に示すように aが 小さい程く ずれている割合は少ないことがわかった。
    [0030] また、 得られた単結晶体は全て互いに方位が揃っており、 基板で あるシリ コ ンウェハの結晶方位を正確に受け継いでいることがわか つ / o 実験 2 (金属基板上の多結晶シリ コ ン中の異常粒成長） 基体と して厚さ 0. 8 «の ク ロ ム基板上にタ ングス テ ン （W) を 1 0 0 O A真空蒸着しその上に通常の L P C V D装置により S i H 4 を 6 3 0 'Cで熱分解して 0. 4 m多結晶シリ コ ンを堆積させた。 こ のときの多結晶シリ コ ンの結晶粒径は X線回折で調べたところ約
    [0031] 8 0 人であった。
    [0032] δ 次にこ の多結晶シ リ コ ンの表面に周知のイ オ ン注入装置を用 いてィォン打ち込みにより Ρを加速電圧 5 0 Κ V、 ドーズ量 3. 2 1 0 1 δαπ-2の条件で打ち込み、 不純物濃度を 8 X 1 0 2° cm-3とした。 このような金属基板上の多結晶シリ コ ン膜に対してァニール温度 を変えたときの結晶粒径の変化を調べた。 なおァニール時間ば 3時 10 間一定とした。
    [0033] ァニール後に高分解能走査型電子顕微鏡および E C C (E lectron Channel ing C ontrast ) 法により多結晶シリ コ ン膜中の結晶粒径 を調べたところ、 第 1 4図に示すようにァニール温度の増加ととも に結晶粒径の大幅な増大が見られ、 1 0 0 0 で平均約 3 β mの結 】 Γι 晶粒径が得られた- さらに E C- Ρ ( Ε 1 ec tron C hannc l ing Pattern) 法で各々の結晶方位を調べたところ、 主に （ 1 1 0 ) 方向に配向し ていることがわかつた。
    [0034] また、 ァニール後の金属基板 多結晶シリ コ ン界面付近の組成分 折を行ったところ、 界面では Wと S i が反応してタングステンシリ 0 サイ ド （ W X S i ,— x ： 0 < X < 1 ) が形成されていることが分か つた。 このときのシリ サイ ドの組成は大部分が W S i 2 であった。 実験 3 (金属基板/多結晶シリ コ ン層上への選択的結晶成長） 金属基板上に、 実験 2 と同様な方法で多結晶シリ コ ン層を形成し、 5 その多結晶シリ コ ン層を用いて選択的結晶成長の実験を行った。
    [0035] 形成した第 1 の多結晶シリ コ ン層の表面に実験 1 と同様の方法で ¾ 層としての熱酸化膜を約 1 0 0 0 A形成し、 フォ ト リ ソグラ -ノ ィ ーを用いてエ ッチングを行い、 一辺が a = 1. 2 mであるような 正方形の開口部を b = 5 0 mの間隔で格子点状に設け、 第 1 の多 結晶シリ コ ンの表面を露出させた。
    [0036] 次いで、 第 1 3図に示すような通常の L P C V D装置を用いて表
    [0037] 1 に示す成長条件で選択的結晶成長を行った。 成長終了後、 第 1 の 多結晶シリ コ ン層ノ酸化膜表面の様子を光学顕微鏡で観察したとこ ろ、 実験 1 と同様に粒径が約 2 0 の山型ファセ ッ トを有する単 結晶体あるいは一部多結晶体が 5 0 m間隔で格子点上に規則正し く配列している様子が見られ、 選択的結晶成長が行われていること が確認された。
    [0038] このとき、 開口部に対して成長した結晶が占める割合は 1 0 0 %て あった。 また、 成長で得られた全結晶中に対して単結晶が占める割 合は約 8 9 %であった。
    [0039] 得られた単結晶体について微小 X線回折により配向の様子を調べ たところ、 ほとんど （ 1 1 0 ) 方向に配向していた。 これは各単結 晶体は開口部を介してそれぞれの種結晶である第 1 の多結晶シリ コ ン層の結晶粒の方位を正確に受け維いでおり 、 これらの結晶粒の方 位は実験 2で述べたように主として （ 1 1 0 ) であるためである。
    [0040] また、 （ i ) 開口部の一辺の長さ aを 9 m以下とし、 間隔 bを ァニールにより成長する粒径の大き さ とほぼ等しいかそれ以上の 大きさにするか、 あるいは （ ii ) 開口部の一辺の長さ a の約 2倍以 上の平均粒径をもつ多結晶を下地の半導体層として選択するか、 の ( i ) または （ ii ) の少な く ともいずれか一方の条件を満足する場 合には、 該開口部より露出した種結晶より 1 つの単結晶が形成され る確率が 8 0 %以上になることが判明した。 更に、 開口部に下地の 第 1多結晶層の粒界が露出し単結晶成長しない場合であっても、 他 のシー ド上にきちんと成長した単結晶の約半分程度の粒径をもつ多 結晶が成長し、 太陽電池としての歩留まりや光電変換効率には実質 的な影響を及ぼさないこ が《明した。 実験 4 (連繞膜の形成） 実験 3に引き続いて、 さらに成長時間を 9 0 m i n .と長く して選択 的成長を行った。 成長終了後実験 3 と同様に多結晶シリ コ ンノ酸化 膜表面を光学顕微鏡で観察したところ、 結晶体は隣接するもの同士 が完全に接触しており、 基板上方からみてほぼマス目状に整然と並 んだ単結晶体あるいは一部多結晶体の集合からなる第 1 の多結晶層 の結晶より大粒径 （約 5 0 m ) の第 2 の多結晶層 （連続膜） が得 られていることが確かめられた。 このときの連続膜の高さは酸化膜 上から約 4 0 であった。
    [0041] また、 連統膜形成後に膜の表面を研磨により酸化層から数 mの ところまで削り、 その後 2次質量イ オ ン分折により表面から酸化層 までの Pの濃度プロファ ィルを測定し、 高濃度に ド―プされた多結 晶シリ コ ン層からの不純物原子の成長結晶層への拡散の様子を調へ た。
    [0042] その結果、 酸化層が介在するために Pは第 2の多結晶層へはほと んど拔散しておらず、 遷移領镇はわずか 2 0 0 G A程度であった。 さらに、 基板側からの金属原子の成長層への混入についても ドープ された第 1 の多結晶シリ コ ン層が間にあるために第 2の多結晶シリ コ ン層内では金属原子は検出されなかつた。 実験 5 (太陽電池の形成）
    [0043] 実験 4で得られた大粒径である第 2 の多結晶シリ コ ンの表面に イ オン打ち込みにより Bを 2 O K e V , 1 X 1 0 1 5 cm - 2の条件で打 ち込み、 8 0 0 'C , 3 0 ra i n .でァニールして p + 層を形成した。 こ のようにして作成した p + 大粒径である第 2の多結晶シリ コ ン/ S i 0 z Z小粒径である第 1 の多結晶シリ コ ン （ n + ) / C r構造 の太陽電池について A M 1. 5 ( 1 0 0 m W / cnf ) 光照射下での I - V特性について測定を ί7つたところ、 セル面積 G. ；! 6 αίで開放電圧 0. 4 0 V、 短絡光電流 2 5 m Aノ αί、 曲線因子 0. 6 8 となり、 6. S %の変換効率を得た。 このように、 金属基板上に形成した大粒径で ある第 2 の多結晶シリ コ ン薄膜を用いて良好な太陽電池が形成可能 であることが判明した。 好ま しい態様の詳細な説明
    [0044] 本発明は、 上述した実験を介して判明した技術事項に基づいて更 なる研究の結果完成に至ったものである。 本発明の太陽電池の製造 方法の上述した構成内容のものであるが、 本発明の方法により製造 される太陽電池は、 金属基板上に、 不純物で ドープされた第 1 の多 結晶シリ コ ン層と、 該第 1 の層を構成する多結晶シリ コ ンより平均 粒径の大きい多結晶シリ コ ンで構成された第 2 の層を有し、 前記第 1 の層と前記第 2 の層との間に絶緣層が介在した層構成を有するも のである。
    [0045] 本発明による上記太陽電池は、 具体的には第 1 図に模式的に示す 構成のものである。
    [0046] 第 i図において、 金属基板 1 0 i上に、 金属原子を舍むシリ コ ン 層 1 0 2、 高濃度に不純物の ドープされた比較的小粒径である第 1 の多結晶シリ コ ン層 （ n + または p + 層） 1 0 3、 絶緣層 1 0 4 、 第 1 の多結晶シリ コ ン層の結晶粒径より大粒径の単結晶の集合体て ある第 2 の多結晶シリ コ ン層 1 0 5が積層されており、 第 2の多結 晶シリ コ ン層 1 0 5 の表面には p + または n + 層 1 0 6が形成され ている。
    [0047] P + または n + 層 1 0 6 の上には反射防止膜を兼ねた透明電極 1 0 7 と集電電極 1 0 8が備えられている。 本発明の太陽電池に使 用される金属基板材料としては導電性が良好でシリ コ ンとシリ サイ ドなどの化合物を形成する任意の金属が用いられ、 代表的なものと して W , M 0 , C rなどが挙げられる。 もちろん、 それ以外であつ ても表面に丄述の ¾質を有する金属が付着しているものであれば何 でもよ く 、 従って金属以外の安価な基板も使用可能である。 小粒径 である第 1 の多結晶シリ コ ン層 1 0 3 の粒径としては絶緣層 1 0 4 に設けられる微小開口部の寸法 （好適には、 a = l 〜 5 m) との 兼ね合いから l 〜 2 0 «« mとするのが好ま しく、 1. S l O mと するのがより好ましい。 絶緣層 1 0 4の厚さについては特に規定は ないが、 2 0 0 人〜 l mの範囲とするのが適当である。 また大粒 径である第 2の多結晶シリ コ ン層 1 0 5の粒径および膜厚について は太陽電池の特性上の要求とプロセスの制約から、 それぞれ 2 0 〜 5 0 0 が適当であり、 より好ま し く はそれぞれ 3 0 〜 5 0 0 mが望ましい。 尚ここでいう大粒径、 小粒径の結晶とは第 1 の多 結晶層と第 2の多結晶層とを比較した結晶粒の大きさのことを示し ている。 また、 または n + 層 1 0 6の厚さとしては導入される 不純物の量にもよるが 0. 0 5 〜 1 <" mの範囲とするのが好ましく 、 より好ましく は 0. 1 〜 0. 5 mとするのが望ましい。
    [0048] 以下に、 上述した構成の太陽電池を製造する本発明の方法を、 第 1 5乃至 2 1図に示す工程図を用いて説明する。
    [0049] まず、. 金属基板 8 0 1上に L P C V D装置などで多結晶シリ コ ン 層 8 0 2 (但し図中では粒界を略して示している。 ） を堆積させる。 このとき堆積時に ドーピングするか、 または堆積後にイオン打ち込 みあるいは熱拡散により高濃度の不純物原子 （例えば n型ならば P、 P型ならば B ) を導入して過飽和状態にする （第 1 5図） 。
    [0050] ついで、 第 1 の多結晶シリ コ ン層 8 0 2の表面に絶緣層 （例えば 熱酸化あるいは常圧 C V D法による酸化膜） 8 0 3を形成する （第 1 6図） 。
    [0051] 8 0 0 〜 1 1 0 0 ででァニールして多結晶シリ コ ン層 8 0 2内に 異常粒成長を生じさせ第 1 の多結晶シリ コ ン層 8 0 2 とし、 また金 属基板 8 0 1 と第 1 の多結晶シリ コ ン層 8 0 2 との間に金属原子 (M) を含有する シリ コ ン層 （ S i xM!— x ： M、 但し、 X は、 0 < X < 1 ) 8 0 4を形成する （第 1 7図） 。
    [0052] 絶緣層 8 0 3に周期的に微小の開口部 8 0 5を設けて第 1 の多結 晶シリ コン層表面を露出させ （第 1 8図） 、 後述する方法により選 択的ヱ ピタキ シ ャ ル成長法および横方向成長法により微小開口部 8 0 5から結晶成長を行って大粒径シリ コ ンを成長させ連続膜であ る第 2 の多結晶シ リ コ ン層 8 0 6を得る （第 1 9図） 。
    [0053] イ オ ン打ち込み、 あるいは不純物拡散などにより成長結晶表面に p + または n + 層 8 0 7を形成し （第 2 0図） 、 最後に透明導電膜 8 0 8ノ集電電極 8 0 9を設ける （第 2 1図） 。
    [0054] 金属基板上に多結晶シリ コ ンを堆積させる方法としては、 L P C V D法、 プラズマ C V D法、 蒸着法、 スパッタ法など何でもよいが 一般的には L P C V D法が用いられる。 第 1 の多結晶シ リ コ ン層の 厚さは、 成長させる異常粒の大きさや基板からの金属原子の拡散の 抑制などの要因によつて決められるが、 一般には 0. 1 〜 1. 0 mの 範囲とするのが望ま しい。
    [0055] 本発明においては、 基板上に始めに形成する上記多結晶シリ コ ン層に替えてアモルフ ァ ス シ リ コ ン （ a — S i ) 、 微結晶シ リ コ ン ( μ - S i ) などで構成したシリ コ ン層にしてもよ く 、 この層に 不純物を導入して過飽和状態とすることにより同様に異常粒を成長 させ第 1 の多結晶シ リ コ ン層とするこ とができ る。
    [0056] また上記第 1 の層を構成する多結晶シ リ コ ンまたは a - S i 、 c - S i などのシ リ コ ンに対して異常粒成長を行わせる目的で導 入される不純物としては、 n型では P， A s , S nなどが好ま し く 、 p型では B > Α £などが好ましい。 導入される不純物の量としては、 所望の異常粒の大きさおよびァニール処理条件によつて適宜決めら れるが、 一般には、 4 X 1 0 2° η- 3以上とされる。
    [0057] 金属基板と多結晶シ リ コ ン層との間のォー ミ ックコ ンタク トを形 成する金属原子を舍有するシリ コ ン層を形成するためのァニール温 度は、 異常粒を形成するためのァニール 度より も低いため、 前述 したように異常粒- 形成するためのァニールと同時に形成するこ と によって工程の簡略化が図れるが、 別の工程と して行ってもよいこ とは言うまでもない。 本発明の太陽電池において、 多結晶シリ コ ン、 a - S i , μ c - S i などで構成されるシリ コ ン層の上に形成される絶緣層としては 選択結晶成長中に核発生を抑制する点からその表面での核形成密度 が十分小さいような材質が用いられる。 例えば、 酸化シリ コ ン （例 えば S i 0 2 ) 、 窒化シリ コ ン （例えば S i 3 N 4 ) などが代表的な ものとして使用される。
    [0058] 本発明において上述の異常粒成長させた多結晶シリ コ ンを種結 晶として大粒径シリ コ ン層を成長させる目的で用いられる選択的結 晶成長を行う手法としては、 L P C V D法、 ブラズマ C V D法、 光 C V D法などを適宜採用できるが、 中でも L P C V D法が好ま しく 用いられる。
    [0059] 本発明に使用 される選択的結晶成長用の原料ガス と しては S i H z C ^ z , S i C £ 4 , S i H C ί 3 , S i H 4 , S i 2 H 6 . S i H 2 F z , S i z F 6 などのシラン類およびハロゲン化シラ ン類が 代 ¾的なものとして挙げられる。 またキヤ リ ァガスとして、 あるい は結晶成長を促進させる還元雰西気を得る目的で前記の原料ガス に加えて Η 2 が使. さ る。 前記原料ガスと水素との導入量の割合 は、 形成方法および原料ガスの種類や絶緣層 Gお 、 さ らに形成^ 件により適宜所望に従って決められるが、 好ましく は ί ： i " 丄 1 ： 1 0 0 0以下が適当であり、 より好ま し ぐは 1 ： 2 0以上 1 ： 8 0 0以下とするのが望ましい。
    [0060] 本発明において、 絶緣層上での核の発生を抑制する目的で H C & が用いられるが、 原料ガスに対する H C の添加量は形成方法およ び原料ガスの種類ゃ絶緣層の材質、 さらに形成条件により適宜所望 に従って決められるが、 1 ： 0. 1以上 1 ： 1 0 0以下が好まし く 、 より好ましく は 1 ： 0. 2以上 1 ： 8 0以下とされるのが望ましい。 本発明において選択的結晶成長が ί Τわれる温度および圧力として は、 形成方法および使用する原料ガスの種類、 原料ガスと Η 2 およ び H C £ との流量比などの形成条件によって異なるが、 温度につい ては、 例えば L P C V D法による場合、 6 0 0 ΐ以上 1 2 5 0 'c以 下が適当であり、 より好ま し く は 6 5 0 て以上 1 2 0 0 で以下に制 御されるのが望ま しい。 またプラズマ C V D法などの低温プロセス による場合、 2 0 O 'c以上 6 0 O 'c以下が適当であり 、 より好ま し く は 2 0 0 で以上 5 0 0 で以下に制御されるのが望ま しい。
    [0061] 同様に圧力については、 1 0— z〜 7 6 0 T orr が適当であり、 よ り好ま し く は 1 0 - 1〜 7 6 0 T orr の範囲が望ま しい。
    [0062] 選択的結晶成長法と してプラズマ C V D法などの低温プロセスを 用いる場合には、 基板に付与される熱エネルギ—以外に原料ガスの 分解または基板表面での結晶成長促進の目的で補助エネルギーが付 与される。 例えばプラズマ C V D法の場合には一般に高周波エネル ギ一が用いられ、 光 C V D法の場合には紫外光エネルギーが用いら れる。 補助エネルギーの強度と しては形成方法および形成条件によ つて異なるが、 高周波エネルギーについては高周波放電パワー 2 0 〜 1 0 0 W、 紫外 ¾ェネルギ―においてはエネルギー密度 2 0〜 5 0 0 m Wノ erf といった値が適当であり、 より好ま し く は高周波放 電パヮ一 3 0 〜 ： I 0 0 W、 紫外光エネルギー密度 2 0〜 4 0 0 m W Z en!とするのが望ま しい。
    [0063] 本発明の方法により形成される多結晶薄膜は結晶成長中、 あるい は成長後に不純物元素で ドービングして接合を形成する こ とが可能 である。 使用する不純物元素と しては、 P型不純物して、 周期律表 第 DI族 Aの元素、 例えば B , A £ , G a , I nなどが好適なものと して挙げられ、 n型不純物と しては、 周期律表第 V族の元素、 例え ば P , A s , S b , B i などが好適なものと して挙げられるが、 特 に B , G a , P , S b などが最適である。 ドー ピングされる不純物 の量は、 所望される電気的特性に応じて適宜決定される。
    [0064] かかる不純 ¾元素を成分と して む ¾實 （不純 ¾5導入用物質） と しては、 常温常圧でガス状態であるか、 または適宜の気化装置で容 易に気化し得る化合物を選択するのが好ま しい。 このよう な化合物 としては、 P H 3 , P z H , P F , P F , P C ^ , A s H A s F 3 , A s F , A s C £ a , S b H , S b F 5 , B F 3 , B C £ 3 , B B r a , B H B H 10 B 5 H S B H B ft H li
    [0065] B 6 H 12, A C £ 3などを挙げることができる。 不純物元素を舍む 化合物は、 1種用いても 2種以上併用してもよい。
    [0066] 本発明の太陽電池の製造方法に用いられる選択的結晶成長法を 行う際に絶緣層に設けられる開口部の形状については特に規定はな いが、 正方形、 円などが代表的なものとして挙げられる。 開口部の 大きさとしては、 成長する山型単結晶体のフ 7セ ッ トは実験 1 で示 したように開口部が大き く なるにつれて崩れていく 。 すなわち結晶 性が悪く なる傾向があり、 ファセッ トの崩れを抑えるために 9 m またはそれ以下とするのが望ましい。 現実的にはフォ ト リ ソグラフ ィ —のパターン精度に依るため、 形状が正方形とした場合に、 a は 1 以上 5 m以下が適当となる。 また、 開口部の設けられる間 隔 b と しては-. 成長させる種結晶の大きさを考慮して 1 0 μ m乃至 5 0 0 mとするのが望ましい。
    [0067] 本発明の方法は、 製造する太陽電池の構成について限定はな く 、 シ ョ ッ トキ一型、 M I S型、 p n接合型、 p i n接合型、 ヘテロ接 合型、 タ ンデム型など各種の構成の太陽電池の製造に適用できる。 以下、 本発明を実施して所望の太陽電池を形成するところをより 詳細に説明するが、 本発明はこれらの実施例に何ら限定されるもの ではない。 実施例 1
    [0068] 上述した実験 2〜 5 と同様にして第 1図に示した構成の大粒径多 結晶シ リ コ ン p i n型太陽電池を作成した。 該 p i n型太陽電池は、 上逮した第 1 5 7 至 2 1図に示した作成プロセスに従って作成した。 基体としての金属基板には厚さ 0. 9 «の M 0板を用いた。 こ の上に 第 1 3図に示した L P C V D装置を用いて S i H 4 を 6 3 0 °cで^ 分解して 0. 4 多結晶シ リ コ ンを堆積させた。
    [0069] 次にこ の多結晶シ リ コ ンの表面にリ ンガラ スを堆積させて不純物 拡散を行った。 その際のリ ンガラ スの堆積条件は表 3 に示したよ う にした。 リ ンガラス堆積直後に温度を 9 5 0 でのままにして N 2 雰 囲気中で 5分間 ドライ ブした。 このとき多結晶シ リ コ ン中に導入さ れた Pの量は約 6 1 02 ° cm 3であった。
    [0070] 不純物拡散が終了した後に H : ^{ 20 = 1 : 1 0 の 11 水溶液 で リ ンガラスを除去し、 熱酸化によ り 多結晶シ リ コ ンの表面に S i 0 z 層を 1 0 0 0 A形成した。 次に 1 0 0 0 で 4時間の条件で ァニール処理を行い、 異常粒成長をさせた。 これによ り結晶粒径は 約 3 mである第 1 の多結晶シ リ コ ン層を得た。
    [0071] また金属/多結晶シ リ コ ン層の界面では M o S i 2 が形成されて いることが同一条件で作成した別のサンプルから確認された。
    [0072] S i 0 z 層に開口部を a = 2 m、 b = 5 O mの間隔で周期的 に設け、 第 i 3図に示した L P C V [、装置により表 4の連続条拌で 選択結晶成長を行い大粒径である第 2 の多結晶シ リ コ ンからなる連 続薄膜を得た。 このとき得られたシ リ コ ン薄膜の粒径と膜厚はとも に約 5 0 つであった。
    [0073] こ の大粒径である第 2 の多結晶シ リ コ ン層の表面にイ オ ン打 ち込みにより Bを 2 0 K e V , 1 x 1 0 15 cm - 2の条件で打ち込み、 8 0 0 *C , 3 0 rain でァニールして p + 層を形成した。 最後に E B ( E lectron Beam)蒸着により I T O透明導電膜ノ集電電極 （ C r / A g / C r ) を ρ + 層上に形成した。
    [0074] このようにして得られた Ρ +ノ大粒径多結晶シ リ コ ン Z S i 0 z/ n + 小粒径多結晶シ リ コ ン/ C r構造の太陽電池について A M 1. 5 ( 1 0 0 m W / erf ) 光照射下での I — V特性について測定したと こ ろ、 セル面積 2 5 ίて開放電圧 0. 4 2 V、 短絡電流 2 6 m A cni、 曲線因子 0. 6 6 となり、 エネルギー変換効率 7. 2 %を得た。
    [0075] こ のよ う な特性は再現性良く得られ、 小粒径多結晶シ リ コ ン層を 用いないで直接金属基板上に大粒径多桔晶シリ コ ンを成長させた太 陽電池に比べて特性のバラッキは大幅に改善された。 表 5 に小粒径 多結晶シリ コ ン層の有無による特性のバラツキの様子を示した。
    [0076] このように金属基板上に成長させた大粒径シリコ ン層を用いて良 好な特性を示す多結晶太陽電池が作成できた。 実施例 2
    [0077] 実施例 1 と同様にして単結晶の集合体を形成し、 最終的にァモル フ ァ ス シリ コ ンカーバイ トノ多結晶シリ コ ンヘテロ型太陽電池を作 成した。 金属基板 6 0 1 には C rを用い、 その上にプラズマ C V D 法で S i H 4 ÷ A s H 3の分解により微結晶を含む第 1 のシリ コ ン層 を 0. 4 m堆積した。 このときの ド一 ビング量は A s H 3 / S i H = 1. 6 x 1 0 2 (流量比） とした。
    [0078] 常圧 C V D法により シ リ コ ン層の上に S i 0 2 膜を 5 0 0 A堆積 さ 、. 開口部は大きさを a = i. 2 A' in、 b = 5 0 μ の間隔で設け た。 L P C V D法により表 6の条件で選択結晶成長を行い、 大粒径 である第 2のシリ コ ン層を形成した。 第 2 2乃至 2 8図に、 本実施 例におけるヘテロ接合型太陽電池の作成プ口セスを示した。 但し、 図中 6 0 2 においては結晶粒界を省略した。 この作成プロセスは、 実施例 1 における作成プロセス （第 1 5乃至 2 1図） の場合と、 次 のところを除いて同じである。 即ち、 第 2 6図に示すように p + 層 8 0 7 の代わりに p型アモルフ ァ スシリ コ ン力 一バイ ト 6 0 7を多 結晶シ リ コ ン上に形成した。
    [0079] 次いで P型アモルフ ァ ス シ リ コ ンカーバイ ト 6 0 7を多結晶シ リ コ ン 6 0 6上に形成した。
    [0080] p型ア モ ルフ ァ ス シ リ コ ンカ ーノ ィ ト層 6 0 7 は通常のプ - ズマ C V D装置を^いて表 6に示す条伴 多結晶シ リ コ ン表面上に 1 0 0 A堆積させた。 この時のアモルフ ァ ス シ リ コ ン力一バイ ト膜 の暗導電率は〜 1 0 — Z S ' cm - 1であり、 Cと S i の膜中の組成比は 2 ： 3であった。
    [0081] そして、 透明導電膜 6 0 8 と しては I T Oを約 1 0 0 O A電子ビ ーム蒸着して形成した。
    [0082] このよう にして得られたアモルファ スシリ コ ンカーバイ ト Z多結 晶シリ コ ンヘテロ型太陽電池の A M I. 5光照射下での I — V特性の 測定を行ったところ （セル面積 0. 1 6 αί) 、 開放電圧 0. 4 9 V、 短 絡光電流 2 1. 5 m A /c 、 曲線因子 0. 5 5 となり、 変換効率 5. 8 % という高い値が得られた。 これは従来のスライ ス した多結晶基板を 用いたアモルファ スシリ コ ンカーバイ 卜 /多結晶シリ コ ンヘテロ型 太陽電池に比べて遜色のない結果となっている。 実施例 3
    [0083] 実施例 1 と同様にして第 1 図に示すような p i η型多結晶太陽電 池を作成した。 即ち、 Μ 0基板上に多結晶シリ コ ンを堆積させ、 表 面にリ ンガラスを祈出させて不 物拡散を行った。 H F水溶液でリ ンガラスを除去した後に S i 02 に替えて通常の L P C V D装置て 多結晶シリ コ ンの表面に S i 3 N 4 を 1 0 0 0 A堆積し、 1 0 5 0 *c , 3時間の条件でァニール処理を行い、 異常粒成長をさせた。 このよ う にして結晶粒径は約 3. 2 mの第 1 の多結晶シリ コ ン層を得た。
    [0084] S i3 N 層に開口部を a - L S mとし、 b = l 0 0 mの間隔 で周期的に設け、 第 2 0図の L P C V D装置により表 7 の連続成長 条件で選択的結晶成長を行い大粒径である第 2 の多結晶シリ コ ンか らなる連続薄膜を得た。
    [0085] このとき表 7 の条件において選択的結晶成長中に微量の不純物を 混入させて ド一 ビングを行った。 不純物として P H 3 を用い、 原料 ガス S i H 2 C jg 2 に対して P H 3 / S i H Z C £ z = 2 1 0 " 6 i
    [0086] B > . » t , tm a- n n* is- し ハ .. ― 。 s / 付 り 4 / ノ 'ノ ·/ m r±" _ n天 ' vt し t) vし リ υ μ であった。
    [0087] Ρ + 層を形成するために A £を大粒径シリ コ ンの表面に真空蒸着 して R T A ( R apid Thermal Anneal ing) 処理を行った e した A の膜厚は 6 0 0 人であり、 R T A処理の条件は 8 0 0 'c 、 1 5秒で行った。
    [0088] 最後に反射防止膜を兼ねた透明導電膜 I T 0を約 1 0 0 0 A電子 ビーム蒸着して形成し、 さ らにその上に集電電極として C rを 1 fi m真空蒸着した。
    [0089] このよう にして作成した P i n型多結晶太陽電池 A M 1. 5光照射 下での I - V特性を調べたところ、 セル面積 0. 1 6 で開放電圧 0. 4 7 V、 短絡光電流 2 8 m A / oil曲線因子 0. 6 7 となり、 8. 8 % という高い変換効率が得られた。 実施例 4
    [0090] 実施例 1 〜 3 と同様にして第 1図に示すような n i p型多結晶太 陽電池を作成した。 C r基板上に第 1 3図に示した L P C V D装置 を Kいて、 S i H 4 を 6 3 0 Tで熱分解して 4 m厚の多桔晶シ リ コ ンを堆積させた。 この多結晶シリ コ ンの表面に Bを打ち込みェ ネルギー 2 0 K e V、 ドーズ量 2 1 0 1 6 cm 2の条件でイ オ ン打ち 込みを行い、 不純物濃度を 5 1 0 2 ° cm- 3とした。
    [0091] 常圧 C V D装置により S i 02 膜を 8 0 0 A堆積させ、 I 0 0 0 で、 5時間のァニール条件で多結晶シリ コ ン中の異常粒成長をさせ た。 そして第 1 の多結晶シリ コ ン層を形成した。
    [0092] この後、 S i 02 層に開口部を a = 1. 2 〃 m、 b = 5 0 mの間 隔て'周期的に設け、 L P C V D法により表 4の条件で選択結晶成長 を行い、 大粒径である第 2 の多結晶シ リ コ ンからなる薄膜層を 得た。 大粒径多結晶シリ コ ン層の表面にイ オン打ち込みで Pを 5 0 K e V , l X 1 0 1 5cm 2の条件で打ち込み、 8 0 0 *C , 3 O min.でァ レ レ u j苣 'Tノ Iク / レ / o 取仪 m iru ¾ im し' i i し' 集電電極を形成して太陽電池の作成を完了した。
    [0093] このよう にして作成した n i p型多結晶太陽電池の A M 1. 5光照 射下での I - V特性を調べたところ、 セル面積 0. 1 6 cn!で開放電圧 0. 4 6 V、 短絡光電流 2 6 m A / αί . 曲線因子 0. 6 9 となり 、 変換 効率 8. 3 %を得た。
    [0094] 以上詳述したように、 本発明によれば、 小粒径多結晶シリ コ ン層 を種結晶としてその上に大粒柽多結晶シリ コ ン層を形成することに より金属基板上に高品質な多結晶シリ コ ン層が形成できることから 量産性のある安価な太陽電池を製造することができることが理解さ れる。
    [0095] 以上述べてきたように、 本発明によれば、 特性の良好な多結晶太 陽電池を金属基板上に形成することが可能であることから、 量産性 のある安価で良質の太陽電池を市場に提供することができる。
    [0096]
    [0097] 0 Q
    [0098]
    [0099] 4 ガ ス 流量比 基板温度 圧 力 成長時間 ( ί /min) CO ( Ί orr) (min) ΰ / p 一 3/2.0/100 950 100 20
    [0100] I
    [0101] + + 3/1.6/100 950 100 40 i i
    [0102] 3/2.0/100 1060 100 90 ί ！ 3/0.5/100 1060 100 i 10
    [0103] ! 1 ガ ス 流量 比 基板温度 圧 力 放電電力
    [0104] 350 *c 0.5 T or r 8W
    [0105] B2H6/SiH4 = l.5 x 10"z
    [0106] 図面の簡単な説明
    [0107] 第 1図は、 本発明の方法により作成した P i η型太陽電池の構成 の模式的断面図である。
    [0108] 第 2乃至 3図は、 それぞれ異常粒成長についての模式的説明図で ある。
    [0109] 第 4図は、 異常成長させた多結晶シリ コ ンを種結晶として選択的 結晶成長法により大粒径多結晶シリ コ ンを成長させている様子を示 した模式図である。
    [0110] 第 5乃至 6図は、 それぞれ異常成長させた多結晶シリ コ ンを種結 晶として選択的結晶成長法により大粒径多結晶シリ コ ンを成長させ ている様子を示した模式図である。
    [0111] 第 7乃至 8図は、 それぞれ選択的結晶成長法についての模式的説 明図である。
    [0112] 第 1 1乃至 1 2図は、 選択的結晶成長法において山型結晶が三次 元的に琅長していく過程を示す模式的説萌図である。
    [0113] 第 1 3図は、 本発明の太陽電池の製造過程において使用した L P C V D装置の概略図である。
    [0114] 第 1 4図は、 不純物ドープした多結晶シ リ コ ン膜においてァニ ー ル温度を変えたときの結晶粒径の変化を示す特性図である。
    [0115] 第 1 5乃至 2 1 図は、 第 1図に示した本発明による P i n型太陽 電池の製造工程の模式的説明図である。
    [0116] 第 2 2乃至 2 8図は、 本発明によるへテロ接合型太陽電池の製造 工程の模式的説明図である。
    权利要求:
    Claims 請求 の 範面
    1. 金属基体上に非単結晶半導体層を堆積させる工程と、 前記非単 結晶半導体層に不純物を導入して過飽和状態にする工程と、 前記非単結晶半導体層の表面に絶縁層を形成する工程と、 ァ ニ—ルすることにより前記非単結晶半導体層の結晶粒径を大 き く し多結晶半導体層を形成する工程と、
    前記絶縁層に前記多結晶半導体層の平均結晶粒径より も小さな 開口部を複数設けて該多結晶半導体層の表面を露出させる工程と 気相成長法により前記開口部から結晶成長を行い前記絶縁層上 にオーバ—グロー スさせて前記第 1 の多結晶半導体層の平均結晶 粒径より も大きな粒径を有する複数の半導体単結晶体を形成する 工程と、
    前記複数の半導体単結晶体上に電極を形成する工程と、 からなる太陽電池の製造方法。
    2. 前記複数の半導体単結晶休の平均粒径が 2 0 m以上 5 0 0 m以下である請求項 1記載の太陽電池の製造方法。
    3. 前記多結晶半導体層の平均粒径が 1 m以上 2 0 m以下であ る請求項 1記載の太陽電池の製造方法。
    4. 前記多結晶半導体層が多結晶シ リ コ ン層であって、 4 X 1 0 cm - 3以上の不純物原子を舍む請求項 1 、 請求項 2、 又は請求項 3 記載の太陽電池の製造方法。
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    US5248621A|1993-09-28|Method for producing solar cell devices of crystalline material
    同族专利:
    公开号 | 公开日
    DE4193392C2|2003-05-08|
    DE4193392T0||
    JPH04225282A|1992-08-14|
    JP2624577B2|1997-06-25|
    DE4193392T1|1992-12-10|
    引用文献:
    公开号 | 申请日 | 公开日 | 申请人 | 专利标题
    法律状态:
    1992-07-23| AK| Designated states|Kind code of ref document: A1 Designated state(s): DE US |
    1992-12-10| RET| De translation (de og part 6b)|Ref document number: 4193392 Country of ref document: DE Date of ref document: 19921210 |
    1992-12-10| WWE| Wipo information: entry into national phase|Ref document number: 4193392 Country of ref document: DE |
    优先权:
    申请号 | 申请日 | 专利标题
    JP2/413874||1990-12-26||
    JP2413874A|JP2624577B2|1990-12-26|1990-12-26|太陽電池およびその製造方法|DE4193392A| DE4193392C2|1990-12-26|1991-12-20|Verfahren zur Herstellung einer Solarzelle mittels eines Epitaxialwachstumsverfahrens|
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