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    公开号:WO1990016086A1
    申请号:PCT/JP1990/000777
    申请日:1990-06-14
    公开日:1990-12-27
    发明作者:Hisaakira Imaizumi；Toshinobu Tanimura；Hiroaki Yamaguchi；Katsushi Fukuda
    申请人:Kabushiki Kaisha Komatsu Seisakusho；
    IPC主号:H01L35-00
    专利说明:
    [0001] 明 細 書 熱電半導体材料お よ びそ の製造方法 技術分野
    [0002] 本発明 は、 熱電半導体材料お よ びそ の製造方法 に 関 す る 。
    [0003] 背景技術
    [0004] ぺノレチ ェ 効果、 あ る い はエ ツ チ ン グ ス ハ ウ ゼ ン効果 を利用 し た電子冷却素子、 あ る い はゼ一べ ッ ク 効果を 利用 し た熱電発電素子は、 構造が簡単で かつ取扱いが 容易で安定な特性を維持で き る こ と か ら 、 広範囲 に わ た る 利用 が注 目 さ れて い る 。 特 に電子冷却素子 と し て は、 局所冷却お よ び室温付近の精密な温度制御が可能 で あ る こ と 力、 ら 、 ォ プ ト エ レ ク ト ロ 二 ク ス 、 半導体 レ 一ザな ど の恒温化の た め の デバ イ ス と し て の使用 に 向 け て広 く 研究が進め ら れて い る 。
    [0005] こ の電子冷却に用 い る 熱電材料は、 通常結晶材で作 ら れ る た め、 暈産性に 問題力 あ り 、 こ れが汎用 化を阻 む問題 と な っ て い る 。 すな わ ち 、 電子冷却素子 と し て 一般に用 い ら れ る 結晶材は、 テ ル ル 化 ビ ス マ ス （ B i 2 T e 3 ) 、 テ ルル 化ア ン チ モ ン .（ S b 2 T e 3 ) お よ び不純物 と し ての セ レ ン 化 ビ ス マ ス ( B i 2 S e 3 ) の 混晶系で あ る が、 テ ノレ ル 化 ビ ス マ ス 、 セ レ ン 化 ビ ス マ ス の結 曰 B は し い劈開性を有 し てお り 、 イ ン ゴ ッ ト か ら 熱電素子を得 る た め の ス ラ イ シ ン グ、 ダ イ シ ン グ 工程等を経 る と 、 割れや欠けの為に歩留 り が極め て低 く な る と い う 問題力 あ っ た。 こ の よ う に 、 テ ルル化 ビ ス マ ス 、 セ レ ン 化 ビ ス マ ス な どの結晶材を用 い る 場台、 結晶固有の 劈開性が著 し い た.め、 機械での取扱 は困難 で あ り 、 人手 に よ る 取扱 に頼 っ てい る のが現状で あ る 。
    [0006] そ こ で、 機械的強度の 向上の た め に粉末焼結素子を 形成す る 試み力《な さ れてい る 。 こ の よ う に結晶 を用 い る ので はな く 、 粉末焼結体を形成 し て用 い る と 、 劈開 性の 問題はな く な る が、 そ の反面、 焼結密度が上が ら ず、 半田付けを行な う と 内部 に半田が し み込み性能低 下を ひ き お こ す と い う 問題があ る 。
    [0007] ま た、 粉末焼結体にす る と 粒界が増加 し 、 キ ャ リ ア の移動度が低下す る 。 こ の た め、 焼結体の電気抵抗が 増大 し て、 ジ ュ ー ル熱が増加 し 、 冷却能が低下す る と い う 問題力《あ っ た。
    [0008] と こ ろ で、 こ の熱電材料の冷却能は、 物質固有の定 数であ る ゼ一べ ッ ク 係数 α と比抵抗 ρ と 熱伝導率 に よ っ て表わ さ れる性能指数 Ζ ( = a b / ρ Κ ) の大小 で決ま る 。 こ こ で、 焼結体の電気抵抗を元に戻すた め に不純物の ドー プ量を増やす と 、 ゼーベ ッ ク 係数が小 さ く な り 、 や は り 性能指数力 小 さ .く な る。 こ れは、 第 3 図に示す よ う に、 性能指数お よ びキ ャ リ ア 濃度に は そ れぞれに最適値が存在 し 、 両者を满足 さ せ る よ う な 値を得 る の は極めて困難であ る た めであ る 。 更に 、 粉末の場合、 ドー ピ ン グ制御が困難であ り 一 定量の不純物を添加 し て も キ ヤ リ ァ 濃度が一定 に な ら な い と い う 問題があ っ た。 すな わ ち 、 粉末焼結体を実 際 に製造す る に 際 し て は、 同 じ 組成、 同 じ 条件で製造 し て も 再現性 よ く 所望の特性を得 る の は極め て困難で あ る と い う 問題力 あ っ た。
    [0009] 本発明 は、 前記実情 に鑑み て な さ れた も の で 、 ドー ビ ン グ制御が容易で製造歩留 り の高い熱電半導体材料 を提供す る こ と を 目 的 と す る 。
    [0010] 発明 の開示
    [0011] そ こ で本発明 の第 1 で は、 粒径が均一で、 一導電型 の不純物を含むか ま た は 化学的量論比か ら わずか にず ら し た テ ノレ ノレ化 ビ ス マ ス （ B i 2 T e 3 ) — テ ル ル化 ア ン チ モ ン （ S b 2 T e 3 ) 固溶体粉末の粉末焼結体 に よ っ て熱電半導体材料を構成 し い る 。
    [0012] ま た、 本発明の第 2 で は 、 粒径が均一で、 一導電型 の不純物を含むか ま た は 化学的量論比か ら わずか にず ら し た テ ノレ ノレ化 ビ ス マ ス （ B i 2 T e 3 ) — テ ル ル化 ア ン チ モ ン （ S b 2 T e 3 ) お よ び セ レ ン 化ア ン チ モ ン （ S b 2 S e 3 ) 固溶体粉末の粉末焼結体 に よ っ て 熱電半導体材料を構成 し て い る 。
    [0013] ま た、 本発明 の方法で は、 目 的 と す る 組成 と な る よ う に所望の組成の ビ ス マ ス 、 ア ン チ モ ン 、 テ ル ル 、 セ レ ン お よ び — 導電型 の不純物を混合 し 、 加熱溶融せ し め た後、 急冷 し て イ ン ゴ ッ ト を形成 し て こ れを粉砕 し 、 粒径をそ ろ え た後、 加圧焼結す る よ う に し て い る 。
    [0014] こ こ で望 ま し く は、 加熱溶融後冷却 に 際 し 、 凝固点
    [0015] 以下 と な る ま で急冷却す る 。 一般に、 粉末の粒径を
    [0016] 小 さ く す る と 、 熱伝導度 K は小 さ く な り 、 比抵抗 p が
    [0017] 大 き く な る 。 そ こ で、 本発明.は、 こ の比抵抗 p の増大
    [0018] を捕 う ほ ど、 熱伝導度 K を小 さ く す る こ と がで き な い
    [0019] 力、 と い う 点に着 目 し てな さ れた も のであ る 。
    [0020] 本発明者 ら は、 鋭意検討 し た結果、 （ B i , S b )
    [0021] 2 ( T e ， S e ) 3 系の粉末に おい て はサ ブ ミ ク ロ ン
    [0022] 粒子に な る と 酸化吸着が著 し く 、 電気的特性は極度に
    [0023] 低下 し 、 ま た特性の再現性 も 困難に な る こ と を発見 し 一方、 粒径を 5 m S O O iz m にす る と 比抵抗の
    [0024] 増大力《 1 5 〜 2 0 % で あ る の に 、 熱伝導度の 低減が 2
    [0025] 0 % も あ る こ と を発見 し た。
    [0026] そ こ で、 本発明では、 微粒子を除い た最適粒径の粉
    [0027] 末を用 い て焼結体を形成す る こ と に よ り 、 性能指数の
    [0028] 低下を防止 し 、 機械的強度が高 く かつ信頼性の高い熱
    [0029] 電素子を得 る こ と が可能と な る 。
    [0030] こ の よ う に本発明では、 単結晶ではな く 、 微粒子を
    [0031] 除い た最適粒径の粉末を用 いて形成 さ れた粉末焼結体
    [0032] で構成 さ れて い る た め、 組成比を■§ 由 に選択で き 、 性
    [0033] 能指数 Z の高い も の を得 る こ と がで き る 。
    [0034] 又粒径を揃え る こ と に よ り 、 ドー ピ ン グ制御が容易
    [0035] と な る 。 こ れは、 粒径が揃 う と 粒界の分布 も均一 と な
    [0036] ：、- り 、 粒界か ら 発生す る と 考え ら れ る 電子 も 一定 と な る た め、 電子濃度の再現性 も よ く な る も の と 考え ら れ る ま た 、 粒径を揃え る こ と に よ り 、 焼結密度が上 り 、 半田付工程 に お い て も 半田 の し み込み に よ る 性能低下 も な い。
    [0037] ま た、 溶融後、 凝固点以下 と な る ま で急冷す る よ う に し て い る た め、 適切な粒度を得 る こ と がで き 、 ド一 ビ ン グ制御が容易 と な る 、 ち な み に 、 従来 は常温程度 ま で急冷す る と い う 方法力《 と ら れて い る た め、 微結晶 と な る こ と 力、 ら 粒界が増大 し 過 ぎ、 ドー ピ ン グ制御が 困難に な る こ と 力 あ っ た。 し 力、 し な 力 ら こ の方法に よ れば、 ドー ピ ン グ制御が容易に可能 と な る
    [0038] 加え て、 単結晶あ る い は多結晶の イ ン ゴ ッ 卜 を そ の ま ま 用 い た場合 に比べ、 割れ等 に よ る 製造歩留 り の低 下 も 大幅に 低減 さ れ る 。
    [0039] 図面の簡単な説明
    [0040] 第 1 図お よ び第 2 図は、 本発明実施例の粉末焼結体 の不純物濃度を変化 さ せた場合の ゼ一べ ッ ク 係数 α と 比抵抗 Ρ と の関係を示す図、 第 3 図 はキ ヤ リ ァ 濃度 と 熱電特性の関係を示す図であ る 。
    [0041] 発明 を実施す る た めの最良の形態
    [0042] 以下、 本発明 の実施例 につ い て、. 図面を参照 し つつ 詳細に説明す る 。
    [0043] ま ず、 ビ ス マ ス B i 3 3 5 . 6 4 g 、 ア ン チ モ ン S b 5 8 6 . 6 0 2 g、 テ ル ル T e 1 2 2 9 . 6 3 g を秤量 し 、 こ の混合物 を石英管内 に投入 し た後、 真空ポ ン プに よ っ て管内の
    [0044] 空気を排気， 封入す る 。
    [0045] こ の管を 6 5 ◦ °C に加熱 し 3 時間 にわ た り 石英管内
    [0046] を攪拌 し つつ 化合 さ せた後、 凝崮点直下であ る 5 6 0
    [0047] で の領域に石英管を移動 し急冷す る 。
    [0048] 次 に 、 こ の 急冷 イ ン ゴ ッ ト を ス タ ン プ ミ ノレ 、 ボー ル
    [0049] ミ ル等で粉砕 し た後、 2 0 0 メ ッ シ ュ お よ び 4 0 0 メ
    [0050] ッ シ ュ の篩に 力、'け 4 0 0 メ ッ シ ュ の篩上に残 っ た も の
    [0051] を選び、 粒径 2 6 〜 7 4 m程度の粉末に揃え る 。 0 .
    [0052] 3 気圧， 3 5 0 てで 8 時間の熱処理を行 う 。
    [0053] こ の よ う に し て粒径の揃え ら れた粉末を真空中 ま た
    [0054] は不活性ガス 中で一方向 に加圧 し なが ら 、 5 0 0 V ,
    [0055] 8 0 0 k g / ci2 の ホ ッ ト プ レ ス法に よ り 力 一 ボ ン ダ
    [0056] イ ス を用 い てホ ッ 卜 プ レ ス し 、 粉末焼結体を形成す る 。
    [0057] こ の後、 こ の粉末焼結体を 3 ミ リ 角 6 ミ リ 長の チ ッ
    [0058] プに分断 し 、 B i Q , S b , 5 S e 3 を形成す る 。
    [0059] こ の よ う に し て 形成 さ れ た B i ^ r S b i r S e
    [0060] 3 焼結体の特性を、 こ の結晶材 と 比較す る と 、 次の第
    [0061] ¾ 1 表の よ う に な っ てい る 。
    [0062] < 第 1 表 >
    [0063] こ の表力、 ら も 明 ら 力、な よ う に、 本発明実施例の B i 0 5 S b , 5 S e 3 焼結体 に よ れば、 比抵抗 ρ は 1 5 %高 く な っ てい る が、 熱伝導度 Κ は 1 3 %小 さ く な つ て い る た め、 性能指数 Ζ は結晶材 と ほぼ同等 に な っ て い る 。 ま た機械的強度 は極めて高い も の と な っ て い さ こ の よ う に 、 本発明 の熱電発電材料に よ れば、 性能 指数を低下せ し め る こ と な く 、 素子の機械的強度を高 め る こ と がで き る 。 こ の た め、 電子冷却素子を形成す る 際に も 機械に よ る 実装が容易 と な り 、 量産性を はか る こ と がで き る と 共 に 、 低 コ ス ト 化が可能 と な る 。 実施例 2
    [0064] 次に本発明の第 2 の実施例 につ .い て説明す る 。
    [0065] ま ず、 ビ ス マ ス B i 3 1 3 . 5 g 、 テ ル ノレ T e 2 7 2 . 7 7 g セ レ ン S e 8 . 8 8 3 g を秤量 し 、 さ ら に キ ャ リ ア 濃度を 調整す る た め に ヨ ウ 化ア ン チ モ ン S b I 3 を添加 し 、 こ の混合物を石英管内 に投入 し た後、 真空ポ ン プ に よ つ て管内の空気を排気， 封入す る 。 そ し て、 前記第 1 の実施例 と 同様に し て、 B i り T e 2 85 S e n 1 C + メ 夕 ノレ ハ ラ イ ド （ ヨ ウ 化ア ン チ モ ン ） 8 . 9 X 1 0 8 cm1 の 固溶体を作 り 、 さ ら に同様に し て粒径の均一な粉 末を作 り 5 5 0 V 8 ton /cm 2 で 2 0 分ホ 'ソ ト プ レ ス し η 型の B i 2 T e 2 85 S 焼結休を形 成す る
    [0066] こ の よ う に し て形成 さ れた焼結体の特性を同一組成 の結晶材 と 比較 し た も の を第 2 表に示す。
    [0067] <第 2表 >
    [0068]
    [0069] こ の表力、 ら も 、 n 型の B i 2 T e 2 85 S e 0 15焼結
    [0070] 3
    [0071] 体の性能指数は、 2 . 4 5 X 0 / K と な っ てお り 同一組成の锆晶材 （ 2 . 4 4 X 0 / K ) と ほぼ同 程度であ る こ と がわ力、 る 。
    [0072] こ の よ う に 、 本発 明 の n 型 の B i 2 T e
    [0073] 2.85 S e 0. i 5焼結体は、 ゼーベ ッ ク 係数は結晶材 と 同程度を維持 し、 かつ機械的強度が極めて向上 し 、 再現性の良好な も の と な っ てい る 。 こ こ で 、 不純物濃度を メ タ ルハ ラ イ ド S b I .3 の添 加量あ る い は テノレ ノレ T e の添加量 と に よ っ て変化 さ せ た と き の ゼ一 べ ッ ク 係数 α と 比抵抗 ρ と の関係を第 1 図お よ び第 2 図 に示す。
    [0074] こ の 図力、 ら あ き ら かな よ う .に 、 不純物添加濃度 は 1 cm-3 あ た り 1 0 21と な る と T e の場台ゼ一 ベ ッ ク 係数 力《 5 0 〃 V Z K 程度 と な っ て し ま う 。 ま た S b l 3 の 添加量を 6 X 1 0 20 / cm-3 と し た場合、 ゼー ベ ッ ク 係 数 α は 1 2 0 V / K と な り 、 1 0 19 台添加時の半分 に 低下 し 、 性能の低下は避け ら れな い。 比抵抗 ρ に つ い て も 同様で あ る 。 こ の こ と 力、 ら も 不純物の濃度は 1 0 11 / cm"3 以下 と す る のが望 ま し い。
    [0075] 次に、 こ の よ う に し て形成 さ れた第 1 の実施例の p 型 B i Q 5 S b , 5 S e 3 焼結体お よ び第 2 の実施例 の n 型の B i 2 T e 2 g 5 S e β 15焼結体を組み 合わせ て p — n 素子対を形成 し 、 こ れ に よ る 最大降下温度を 測定 し た。
    [0076] す な わ ち 、 こ の p — n 素子対 の 発熱側 の 温度 T H を 2 7 C に保 ち つつ p — n 素子対 に電流を流 し 、 冷却 側の温度 τ Λ を測定す る 。 こ の差の最大値△ τ ma„ は
    [0077] △ T max = T tI - T c = 66.5K を記録 し た。 比較の た め に、 同一組成の結晶材で構成 し た ρ — η 素子対の Τ m m。 ν は、 66.9 Κ で あ り ほ と ん ど同程度の性能が得 ら れ てい る こ と 力 わ力、 る 。
    [0078] な お， 前記実施例で は， 不純物 と し て ヨ ウ 素を用 い た力《， ヨ ウ 素等の ハ ロ ゲ ン の他 V族元素を用 い る よ う に し て も良い .
    [0079] 実施例
    [0080] 次 に本発明の第 3 の実施例 につ い て説明す る 。 ま ず、 ビ ス マ ス B i 78.38 、 ア ン チ モ ン S b l36. 98. テル ノレ T e 295.73g 、 セ レ ン S e 5.329 g を秤量 し 、 こ の 混合物 を 石英管 内 に 投入 し た後、 真空ボ ン プ に よ つ て管内'の空気を排気， 封入す る 。 そ し て、 前 記第 1 の実施例 と 同様に し て、 B 0.5 S b 1 , 5 T e
    [0081] 2.915 S e n n Q固溶体粉末を作 り 、 さ ら に 同様に し て 粒径の均一な粉末を作 り 、 4 0 0 ， 4 0 0 k g / CIS
    [0082] 2 で 2 0 分ホ ッ ト プ レ ス し n 型の B i 9 T e 2 g S e
    [0083] 0.15 結体を形成す る 。
    [0084] の よ う に し て形成 さ れた焼結体の特性を同一組成 の結晶材 と 比較 し た も の を第 3 表に示す。
    [0085] < 第 3 表 >
    [0086] こ の 表 か ら も 、 P ¾ B i o.5 S b i .5 T e 2.90
    [0087] 5 S e 0 n n焼 結 体 の 性 能 指 数 は 、 0 X 0 -3
    [0088] K と な っ てお り 、 同一組成の結晶材 （ 2 . 8 X 0 一 3 K ) と ほ ぼ同程度であ る こ と がわ 力、 る 。
    [0089] こ の よ う に 、 本発明 の ρ 型の B i G 5 S b T e
    [0090] 1.5
    [0091] 2 915 S e . 9焼結体 は 、 性能指 は結晶材 £ 同程度 を維持 し 、 かつ機械的強度が極 て向上 し 、 再現性の 良好な も の と な っ てい る 。
    [0092] と こ ろ で、 こ の
    [0093] B 1 0.5 S b 1.5 T e 2.915 S e 0.09焼結体 は 、 B
    [0094] ( T e ^x S e x + y T e
    [0095] 0.5 S b 1.5
    [0096] (0≤ x ≤ 0.2 , 0 ≤ y ≤ Q . 2 ) に示す組成の範囲内で 適宜調整可能であ る 。
    [0097] さ ら に 、 こ こ で は 、 4 0 0 °C , 4 0 0 k g / cm 2 で 2 0 分 ホ ッ ト プ レ ス し n 型の B i 2 T e 9 g r S e Q i 5焼結体を形成 し たが、 圧力が 2 0 0 0 k g /cm 2 以上 と な る と 3 5 0 て ， 1 0 分で も 粒成長 し て粒径が 僅 力、 に 大 き く な り （ 圧 力 力 2 3 ◦ 0 k g /cm 2 以 上 と な る と 溶解す る ） 、 熱電特性は 8 %程度改善す る こ と がで き る が、 単結晶 よ り も脆 く な り 、 実用 に適 さ な く な る こ と 力《わ 力、 つ た 。
    [0098] ま た 、 ホ ッ ト プ レ ス時の温度につ い て も 実験を童ね た結果、 6 0 0 以上 と な る と 粒成長 し て粒径が僅か に大 き く な り 、 単結晶 よ り も 脆 く な り 、 実用 に適 さ な く な る こ と 力 わ力、 つ た。
    [0099] こ の よ う に 、 焼結温度は 3 5 0 力、 ら 6 0 0 °C 、 圧 力 は A O O k g Z cm2 力、 ら 2 0 0 0 k g cm2 程度 と す る の が望 ま し い 。 な お、 本発明実施例の方法に おい て は、 材料を石英 管内で加熱溶融 し 化合せ し めた後、 凝固点よ り も わず かに低い温度ま で急冷す る と い う 方法を と つ てい る 。
    [0100] 従来は偏析を逸れ る た め、 常温程度ま で急冷す る と い う 方法力 と ら れてい る 。 こ の場合、 微結晶 と な る た め に粒界が増大 し過 ぎ、 ドー ピ ン グ制御が困難に な る こ と があ つ たが、 本発明実施例の方法に よ れば、 適切 な粒度を得 る こ と が可能と な る 。
    [0101] 更に ま た 、 前記実施例では、 粉末焼結体中の粉末粒 径を 2 6 ~ 7 4 m 程度に揃え たが、 1 0 2 0 0 m の範囲内で適宜領域を選択すればよ い。 1 0 μ πι以 下であ る と 、 粒界が非常に多 く な る た め に ドー ピ ン グ 制御が困難 と な る 上、 粒界での キ ャ リ ア の散乱に よ り 移動度が低下す る こ と に よ り 、 特性が低下す る 。 ま た、 粉末の凝集が起 り 易 く な り 、 扱いが困難であ る 。 ま た 2 〇 0 m以上であ る と 、 十分な機械的強度お よ び十 分な焼結密度を得 る こ と がで き な い。
    [0102] 産業上の利用可能性
    [0103] こ の熱電材料は、 2 つ の異な る 導電型の材料を接合 し て p n 接合を形成 し 、 ペルチェ素子等に用 い ら れ、 ォ プ ト エ レ ク 卜 ロ ニ ク ス、 半導体 レ ー ザ等の恒温化の た めの デバイ ス と し て極めて有効であ る 。
    权利要求:
    Claims 請求の範囲
    ( 1 ) 粒径が均一な テ ル ル化 ビ ス マ ス （ B i 2 T e 3 ) お よ び テ ノレ ノレ化ア ン チ モ ン （ S b 2 T e 3 ) の 固溶体 粉末を主成分 と し た一導電型の粉末焼結体か ら な る こ と を特徴 と す る 熱電半導体材料。
    ( 2 ) 前記粒径が 1 0 ~ 2 0 0 ミ ク ロ ン の範囲 に あ る こ と を特徵 と する 請求項 （ 1 ) 記載の熱電半導体材料。
    ( 3 ) 粒径が均一な テ ル ル化 ビ ス マ ス （ B i 2 T e 3 ) と テノレ ノレ化ア ン チ モ ン （ S b 2 T e 3 ) と セ レ ン 化ァ ン チ モ ン （ S b 2 S e 3 ) と の 固溶体粉末を主成分 と し た一導電型の粉末焼結体か ら な る こ と を特徴 と す る 熱電半導体材料。
    ( 4 ) 前記粒径が 1 0 〜 2 0 0 ミ ク ロ ン の範囲 に あ る こ と を特徴 と す る 請求項 （3) 記載の熱電半導体材料。
    ( 5 ) 前 記 粉 末 焼 結 体 は 、 不純物 と し て 1 0 21 cm -3 以下の ハ ロ ゲ ン原子ま た は V 族原子を添加 し た も の で あ る こ と を特徴 と す る 請求項 （1) 記載の熱電半導体材 料。
    ( 6 ) 所望の組成の ビ ス マ ス 、 ア ン チ モ ン 、 テ ル ル 、 セ レ ン お よ び一導電型の不純物を混合 し 、 加熱溶融せ し め る 加熱工程 と 、
    急冷 し て固溶体を形成す る 冷却工程 と 、
    該ィ ン ゴ ッ ト を粉砕 し 固溶体粉末を形成す る 粉 砕工程 と 、
    前記固溶体粉末の粒径を均一化す る 整粒工程 と 、 粒径の均一と な つ た前記固溶体粉末を焼結せ し め る 焼結工程 と を含む こ と を特徴 と す る 熱電半導体材 料の製造方法。
    ( 7 ) 前記冷却工程は、 凝固点よ り も わずか に低い温 度ま で急冷す る 工程であ る こ と を特徵 と す る 請求項 （6 ) 記載の熱電半導体材料の製造方法。
    ( 8 ) 前記焼結工程は、 整粒粉末を一方向加圧 し なが ら 焼結せ し め る 工程であ る こ と を特徵 と す る 請求項 （6 ) 記載の熱電半導体材料の製造方法。
    ( ) 前記焼結工程は、 焼結温度は 3 5 0 て か ら 6 〇 0 て 、 圧力 は 4 0 0 k g ノ cm2 力、 ら 2 0 0 0 k g / cm 2 程度であ る こ と を特徴 と す る 請求項 （8) 記載の熱電 半導体材料の製造方法。
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    US8171980B2|2012-05-08|Process for producing thermoelectric semiconductor alloy, thermoelectric conversion module, thermoelectric power generating device, rare earth alloy, producing process thereof, thermoelectric conversion material, and thermoelectric conversion system using filled skutterudite based alloy
    US6797199B2|2004-09-28|Clathrate compounds, manufacture thereof, and thermoelectric materials, thermoelectric modules, semiconductor materials and hard materials based thereon
    US6274802B1|2001-08-14|Thermoelectric semiconductor material, manufacture process therefor, and method of hot forging thermoelectric module using the same
    US6653548B2|2003-11-25|Thermoelectric conversion material, method for manufacturing same, and thermoelectric conversion element
    Bhandari et al.1980|Silicon–germanium alloys as high-temperature thermoelectric materials
    CN101080506B|2012-06-13|热电半导体合金的制造方法、热电转换模块以及热电发电设备
    Sharp et al.1995|Thermoelectric properties of CoSb3 and related alloys
    US6342668B1|2002-01-29|Thermoelectric materials with filled skutterudite structure for thermoelectric devices
    Rogl et al.2015|New bulk p-type skutterudites DD0. 7Fe2. 7Co1. 3Sb12− xXx | reaching ZT> 1.3
    KR101042574B1|2011-06-20|Ｉｎ－Ｃｏ－Ｎｉ－Ｓｂ 계 스커테루다이트 열전재료 및 그 제조방법
    US6727424B2|2004-04-27|Complex oxide having high thermoelectric conversion efficiency
    KR100924054B1|2009-10-27|열전 재료 및 그 제조 방법
    EP2227834B1|2011-08-03|Extrusionsverfahren zur herstellung verbesserter thermoelektrischer materialien
    JP3092463B2|2000-09-25|熱電材料及び熱電変換素子
    JP2006523019A|2006-10-05|熱電発生器又はペルチェ配置のためのＰｂ−Ｇｅ−Ｔｅ−化合物
    US7728218B2|2010-06-01|High efficiency thermoelectric power generation using Zintl-type materials
    US8299349B2|2012-10-30|Thermoelectric materials and chalcogenide compounds
    同族专利:
    公开号 | 公开日
    EP0476134A1|1992-03-25|
    KR920702798A|1992-10-06|
    EP0476134A4|1992-04-29|
    JPH0316281A|1991-01-24|
    JP2829415B2|1998-11-25|
    引用文献:
    公开号 | 申请日 | 公开日 | 申请人 | 专利标题
    JPS642379A|1987-06-25|1989-01-06|Idemitsu Petrochem Co Ltd|Manufacture of thermoelectric element|
    JPS6437456A|1987-07-31|1989-02-08|Komatsu Mfg Co Ltd|Thermoelectric semiconductor material and production thereof|
    JPS6477184A|1987-09-18|1989-03-23|Teikoku Piston Ring Co Ltd|Manufacture of thermoelement|
    JPH01106478A|1987-10-19|1989-04-24|Mitsui Mining & Smelting Co Ltd|Manufacture of thermoelectric material|US5448109A|1994-03-08|1995-09-05|Tellurex Corporation|Thermoelectric module|
    US6060656A|1997-03-17|2000-05-09|Regents Of The University Of California|Si/SiGe superlattice structures for use in thermoelectric devices|
    RU2470414C1|2011-06-28|2012-12-20|Российская Федерация, от имени которой выступает Государственная корпорация по атомной энергии "Росатом"|СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ТЕРМОЭЛЕКТРИЧЕСКОГО МАТЕРИАЛА p-ТИПА НА ОСНОВЕ ТВЕРДЫХ РАСТВОРОВ Bi2Te3-Sb2Te3|GB920275A|1959-11-24|1963-03-06|Sandro Vartanovich Airapetianz|Alloys for positive branches of thermocouples|
    FR1292746A|1961-06-22|1962-05-04|Sanyo Electric Co|Procédés de fabrication de thermo-éléments utilisant l'effet peltier et thermoélément résultant|
    FR1306282A|1961-11-07|1962-10-13|Metallgesellschaft Ag|Combinaison thermoélectrique|
    JPS4868409A|1971-12-21|1973-09-18|||
    US4588520A|1982-09-03|1986-05-13|Energy Conversion Devices, Inc.|Powder pressed thermoelectric materials and method of making same|
    JPH0642379A|1992-05-27|1994-02-15|Fuji Heavy Ind Ltd|動弁機構のバルブタイミング制御装置|US5415699A|1993-01-12|1995-05-16|Massachusetts Institute Of Technology|Superlattice structures particularly suitable for use as thermoelectric cooling materials|
    US5900071A|1993-01-12|1999-05-04|Massachusetts Institute Of Technology|Superlattice structures particularly suitable for use as thermoelectric materials|
    EP0827215A3|1996-08-27|2000-09-20|Kubota Corporation|Thermoelectric modules and thermoelectric elements|
    KR20000036119A|1996-09-13|2000-06-26|안자끼 사토루|열전반도체 재료의 제조방법과 이를 이용한 열전모듈 및 열간단|
    US6307143B1|1998-10-22|2001-10-23|Yamaha Corporation|Thermoelectric materials and thermoelectric conversion element|
    DE19924715A1|1999-05-29|2000-11-30|Synthesechemie Gmbh|Peltier-Element|
    CA2280990A1|1999-08-27|2001-02-27|Jacques L'ecuyer|New process for producing thermoelectric alloys|
    JP2001320097A|2000-05-09|2001-11-16|Komatsu Ltd|熱電素子とその製造方法及びこれを用いた熱電モジュール|
    JP2005072391A|2003-08-26|2005-03-17|Kyocera Corp|Ｎ型熱電材料及びその製造方法並びにｎ型熱電素子|
    SE529160C2|2004-12-27|2007-05-15|Svenska Aerogel Ab|En metod för framställning av agglomerat av utfällt silikamaterial, ett mikroporöst material innefattande sådana agglomerat och användning därav|
    WO2014205290A1|2013-06-19|2014-12-24|California Institute Of Technology|IMPROVED TE PERFORMANCE BY BAND CONVERGENCE IN 2Te3|
    KR101470197B1|2013-07-26|2014-12-05|주식회사 제펠|비스무트-텔루륨-셀레늄계 고용체로 이루어진 열전 재료|
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    优先权:
    申请号 | 申请日 | 专利标题
    JP1/151380||1989-06-14||
    JP1151380A|JP2829415B2|1989-06-14|1989-06-14|熱電半導体材料およびその製造方法|KR1019910701841A| KR920702798A|1989-06-14|1990-06-14|열전반도체 재료 및 그 제조방법|
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