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    公开号:WO1990007789A1
    申请号:PCT/JP1987/000205
    申请日:1987-04-01
    公开日:1990-07-12
    发明作者:Masahide Oshita；Masaaki Isai；Toshiaki Fukunaka
    申请人:Masahide Oshita；Masaaki Isai；Toshiaki Fukunaka；
    IPC主号:H01L43-00
    专利说明:
    [0001] 明 細 書 金属間化合物半導体薄膜及びそ の製造方法 技 術 分 野
    [0002] 本発明 は、 金属間化合物半導体薄膜、 殊に高い電子 移動度 と 素子抵抗 と を併せ持つ HI - V族金属間化合物 半導体薄膜及び製造方法 に関す る 。 背 景 技 術
    [0003] 磁界中 に お いて電気抵抗が変化す る 性質 （磁気抵抗 効果） を有す る 物質 と し て、 従来か ら m — V族金属間 化合物半導体が知 ら れてお り 、 そ の 中で も特に I n — S b 化合物は磁界の変化に対す る 素子抵抗変動の大 き さ 、 即 ち感度を左右す る 電子移動度が大 き い材料と し て周知であ り 、 磁気セ ン サ用 の磁気抵抗素子 と し て用 い ら れて い る 。
    [0004] し 力、 し なが ら 、 前記 I n — S b 化合物は、 それ 自 体 の抵抗が極めて低い た め、 こ れを使用 し て磁気抵抗素 子を製造 し た場合、 磁気抵抗素子 と 、 こ れを接続す る 増幅回路 と の ィ ン ピー ダ ン ス整合を取 り に く い と い う 欠点があ っ た。
    [0005] こ の欠点を補償す る た め、 従来の I n — S b 金属間 化合物半導体薄膜を用 い る 磁気抵抗素子は そ の形状効 果を利用す る こ と に よ り 素子縦横寸法比を犬 と し感度 の劣化を忍んで素子抵抗の増大を図 っ た り 或い は素子 抵抗小な る も のを多数直列接続 して感度と素子抵抗と を両立せ し め る等の工夫を行 っ てい た。
    [0006] 従来の I n — S b 金属間化合物半導体薄膜を用 い る 磁気抵抗素子は第 2 図及び第 3 図 に説明す る 原理に基 づ き第 4 図 に示すよ う な構成を と る のが一般的であ つ た o
    [0007] 第 2 図 は、 磁気抵抗素子の一般的動作原理を説明す る 図であ っ て、 I n — S b 金属間化合物を用 い た磁気 抵抗素子 1 の 両端 に 端子 2 , 2 ' を設 け、 端子 2 ， 2 ' 間 に通電 し た場合、 磁気抵抗素子 1 が磁界 B の影 響を受けな ければ電子は第 2 図 （ a ) に示す如 く 端子 2 ， 2 ' 間を最短経路を通っ て移動す る。 一方、 こ の 磁気抵抗素子 1 が磁界 B の中 に置かれた場合、 電子は 第 2 図 （ b ) に示す如 く 湾曲 し た経路を移動す る。 と こ ろ で、 上述 し た磁気抵抗効果は、 磁気抵抗素子 1 の 形状によ っ て異な る 、 いわゆ る形状効果が存在す る。 即 ち、 第 3 図 （ a ) 及び （ b ) に示す説明図か ら 明 ら かな如 く 、 素子寸法比 b Z a が大であれば、 素子抵抗 は大 と な る が、 磁界 B に対す る素子抵抗の変化率は小 であ り 感度は低 く な る。
    [0008] そ こで、 電子移動度につ いて も 、 素子抵抗につ いて も共に充分满足すべき特性値を得 る こ とができ なか つ た従来の金属間化合物半導体を用 い た磁気抵抗素子に あ っ ては、 基本的 に は、 第 4 図 （ a ) に示す如 く 縦横 比の小 さ な磁気抵抗素子 1 を多数直列 に接続す る と 共 に磁気抵抗素子 1 の端子 2 ， 2 ' を磁気抵抗素子 1 の 薄膜上 に夫 々 シ ョ ー ト バ一 3 と し てエ ッ チ ン グ等の手 法 に て形成 し 、 感度 と 素子抵抗の両立を図 っ て い た。
    [0009] 更に第 4 図 （ b ) は、 第 4 図 （ a ) に示 し た構成で は磁気抵抗素子 1 自 体が長大 と な る た め、 こ れを回避 すべ く 折 り 返 し を設け、 磁気抵抗素子 1 全体の形状を 実用 に適す る よ う に構成 し た も ので あ る。
    [0010] 即 ち 、 例 え ば、 I n — S b 化合物を用 い た場合、 I n - S b 化合物は それ 自 体素子抵抗が低い の で、 こ の素子抵抗を高めて ィ ン ピー ダ ン ス整合を良好に行 う よ う にす る た め、 磁気抵抗素子 1 の膜厚を薄 く す る ( l m 以下） と 、 今度は電子移動度が低下 し 、 そ の 結果感度が劣化す る 。
    [0011] そ こ で、 電子移動度の 向上 と 、 素子抵抗を高め る こ と と の妥協点が従来の I n — S b 間化合物半導体薄膜 た る 膜厚 1 iz m前後、 電子移動度 l 〜 2 x 1 0 4 ci / V · sec 程度の も のであ る が、 こ の薄膜にお いて も 素 子抵抗は、 その形状に も よ る が、 極めて小さ い も の で あ り 、 そ の結果、 前述の よ う な シ ョ ー ト バー を付す如 き 工夫が必要 と な る も のであ っ た。
    [0012] 而 し て、 斯か る 従来の I n — S b 半導体薄膜の製造 方法 は、 例え ば、 2 x 1 0 _5Torrの真空度を保持す る 真空蒸着装置を用 い、 高純度の I η — S b 多結晶を高 温度に保持 さ れて い る マ イ 力基板に蒸着 し 、 薄膜を生 成す る手段 と してマイ 力基板上へ付着す る I n — S b の結晶性の 向上及び粒径の増大化を図 る た め、 マ イ 力 基板温度は 3 8 0 〜 4 2 0 て の高温に保持 し、 時間の 経過 と 共に蒸発源温度を 9 0 0 で か ら 1 0 5 0 eCへ約 8 で Z min の昇温速度で上昇 さ せ る も のであ る が、 こ の と き 、 蒸着の進行に伴い、 マイ 力 基板温度を 3 8 0 °Cか ら 4 2 0 °Cへ約 2 で in i n の昇温速度で増加 さ せ る こ と で蒸着初期の基板温度を低 く 保ち、 付着 し た膜 か ら S b の再蒸発を低 く 抑えて化学量論的組成を維持 す る こ と に よ り 、 薄膜 0 . 8 〜 1 . で電子移動 度 5 〜 6 万 ci! Z V * sec を得た例 も文献的 に存在す る が、 素子抵抗はいずれ も極めて低い も のであ っ た。 そ の他、 マ イ 力基板温度を一定に して蒸発源温度を所定 速度で上昇す る方法 も あ る が、 上記 と 同様の特性を有 す る I n — S b 化合物化合物薄膜を生成 し得る こ と が 報告さ れてい る にす ぎな い。
    [0013] —方、 従来の I n - S b 半導体薄膜等の m — V族の 半導体薄膜に あ っ て は、 そ も そ も電子移動度が低い た め、 そ の結果感度が悪 く 、 更に膜厚を薄 く す る こ と が で き な い ので素子抵抗 も低 く 、 そ の結果素子抵抗を高 め る た め、 シ ョ ー ト ノく一 と称す る メ タ ノレス ト リ ッ プを 素子薄膜上に形成する等の工夫を施す必要性か ら 、 製 造工程が複雑化 し 製品 が高価 に な る と い う 欠点 も 生 ずる 。
    [0014] 本発明 は上記に鑑みてな さ れた も のであ っ て、 素子 抵抗を低下 さ せ る こ と な く 、 電子移動度を向上 さ せ、 高感度、 且つ薄小膜厚の半導体薄膜及びそ の製造方法 を提供す る 。 発 明 の 開 示
    [0015] 本発明で は、 化学量論的組成比が実質的 に 1 ： 1 で あ る ΙΠ — V族の金属間化合物か ら な る 単結晶蒸着膜に よ っ て半導体薄膜を構成 し て い る 。 かか る 構成に よ れ ば 0 . 6 m以下の膜厚で 1 X 1 0 4 乃至 5 X 1 0 4 / V - sec の電子移動度を も つ均一な薄膜を形成す る こ と が可能 と な る 。 従 っ て、 素子抵抗を低下 さ せ る こ と な く 、 高感度の m— V族半導体薄膜を得 る こ と がで さ る β
    [0016] ま た、 本発明で は、 蒸着法に よ っ て ΠΙ— V族半導体 薄膜を形成す る に際 し 、 蒸着基板温度を当初高温に維 持す る と 共に蒸発源温度を斬次上昇せ し め、 前記蒸着 基板に対 し て ffl— V族の金属間化合物の付着が開始 し た と き 、 前記蒸着基板温度を低下せ し め る と 共に、 前 記蒸発源温度を前記金属間化合物付着時の温度に維持 し 、 更に蒸着時間を制御す る よ う に し て い る。
    [0017] 上記方法 に よ れば、 極めて容易 に、 全面にわ た っ て 均一で化学量論的組成比が実質的に 1 ： 1 であ る ΠΙ - V族単結晶薄膜が形成 さ れ、 0 . 6 ^ m以下で 1 X 1 0 乃至 5 X 1 0 4 / V · sec の電子移動度を得 る こ と が可能 と な る 。 図 面 の 簡 単 な 説 明
    [0018] 第 1 図 （ a ) 及び （ b ) は本発明の一実施例 に係 る 磁気抵抗素子の電気的諸特性の デ一 夕 を示す グラ フで あ り 、 第 2 図 （ a ) 及び （ b ) は磁気抵抗結果の原理 を説明す る 図であ り 、 第 3 図 （ a ) 及び （ b ) は素子 の縦横比 と感度と の関係 （形状効果） を説明す る 図で あ り 、 第 4 図 （ a ) 及び （ b ) は夫々 従来の磁気セ ン サの異な つ た構成を示す説明図で あ り 、 第 5 図は本発 明 に係る 金属間化合物半導体を製造す る為の蒸着装置 の一実施例を示す説明図であ り 、 第 6 図 （ a ) 及び ( b ) は本発明 に係 る磁気抵抗素子を製造す る 際の温 度制御法を示すグラ フ であ り 、 第 7 図 （ a ) ， ( b ) 及び （ c ) は本発明の他の例に係 る磁気抵抗素子の電 気的諸特性の デー 夕 を示すグラ フ であ る 。 発明を実施す る ための最良の形態
    [0019] 以下、 本発明 に よ る 金属間化合物半導体薄膜及びそ の製法を添付図面に基づいて詳細 に説明す る 。
    [0020] 第 5 図は本発明 に係 る金属間半導体化合物を製造す る た めの蒸着装置の基本的構成を示す断面図であ る。
    [0021] 真空蒸着を行 う た めの真空チ ェ ン ノ た る ペルジ ャ 4 を基台 5 の上にパ ッ キ ン グを介 して固定す る と共に基 台 5 の中央部に開 口す る排気孔 6 か ら 内部の空気を真 空ポ ン プ （図示せず） にて吸引 し、 ペル ジ ャ 4 内を所 定の真空度に保持す る 。
    [0022] ペ ル ジ ャ 4 内 に は基台 5上 に適当 な支持台 7 を配置 し 、 そ の底部中央に は M。 ， W或い は T a 等の シ ー ト を適当 な形状 に加工 し た ボー ト 8 を固定 し 、 該ボ一 ト 8 内 に 蒸発物質 た る 多結 晶 I n — S b 或い は I n — S a 粒子か ら 成 る 蒸発物質 9 を投入す る と 共に前記ボ 一 ト 8 を通電に よ り 抵抗発熱せ し めて蒸発物質 9 を蒸 発 S せ な o
    [0023] ま た、 支持台 7 の上方に は蒸発物質 9 を付着せ し め る 為の マ イ 力 基板 1 0 を整置 し 得 る よ う にす る と 共に 該基板 1 0 の 直上か ら S i · C ロ ッ ド等の発熱体 1 1 に よ っ て基板加熱を行い、 ま た 、 基板 1 0背面に接触 さ せた熱電対 1 2 に よ っ て基板 1 0 の温度制御を行 う よ う に し た も の で あ る 。
    [0024] 上述の如 く 構成 し た蒸着装置を用 い て ボー ト 8 (蒸 発源） の温度 、 及びマ イ 力 基板 1 0 の温度 T 2 を 以下の如 く 制御す る （第 6 図） 。
    [0025] 第 1 に 、 ペ ル ジ ャ 4 内の気圧を 1 0 _4乃至 1 0 _。
    [0026] Torrに維持 し た上で、 マ イ 力 基板温度 T 2 を 4 3 0 乃 至 4 6 0 で に保持す る 。 同時に ポー 卜 8 の温度を Τ 0 の 時点で T ， a ま で上昇 せ し め て 、 そ の 中で 5 N ( 9 9 . 9 9 9 % ) の純度を有す る I n — S b 単結晶 を融解せ し め た後 （ こ の 際の ポー ト 温度は Τ Γ a は正 確に は測定 し 得な いが 5 2 0 前後で あ る と 思われ る ） 漸次ボー 卜 8への 印加電流を増加 し て I n — S b の蒸 発を盛ん にする。
    [0027] こ の結果、 I n と S b と の蒸気圧の差力、 ら S b が先 に蒸発 し I n は後力、 ら蒸発す る が、 マ イ 力基板 1 0 の 表面温度を前述 し た如 く 4 3 0 乃至 4 6 0 で に維持す る と基板表面に は S b は付着せず I n が先ず全面的 に 薄 く 付着す る 。
    [0028] 第 2 に、 こ の時マ イ 力基板 1 0 表面への I n 付着の 様子は明瞭に観察 し得 る ので、 そ の時の ポー ト 8への 印加電流値に基づき ボー ト 8 の温度は以降 T ， a に保 持す る 。
    [0029] 第 3 に、 マ イ 力 基板 1 0 表面への I n 付着が始ま る と それに引 き 続いて遊離 し てペル ジ ャ 4 内 に浮游す る S b が前記付着 し た I n に と り 込ま れて初期核が形成 さ れる 。 こ の初期核は比較的、 疎に分布す る 、 そ こで、 上述 し たマ イ 力基板 1 0 への I n の全面付着か ら初期 核形成の タ イ ミ ン グ （第 6 図 （ a ) ) を と ら えて マ イ 力 基板 1 0 の表面温度 T 2 を 3 9 5 乃至 4 1 0 °C に低下せ し め、 こ れを所定時間 （第 6 図 （ a ) t 2 〜 t 3 ) 維持す る と前記マ イ 力 基板 1 0 表面近傍の雰囲 気は S b リ ツ チ の状態と な り I n 及び S b が所望の化 学量論 的組成 （ I n ： S b = 1 ： 1 ) を有 し膜厚が 0 . 1 5 乃至 0 . .6 ii mの薄膜が形成さ れる 。 ま た、 第 6 図 （ b ) も第 6 図 （ a ) と 同様の こ と を示 してい る が、 第 6 図 （ b ) の t 4 の時点で約 1 0 。C程度ポー ト 8 の温度を上昇 さ せてい る の は、 ボー ト 8 の昇温後 定常状態 と し た と き に お い て、 該温度が低温にす ぎた 場合、 マ イ 力 基板 1 0 に付着 し た も の が再び蒸発 し て し ま う の で 、 そ れ を 防 ぐ た め に 付加 的 に 行 う 操作で あ る 。
    [0030] 尚、 前記マ イ 力基板 1 0 の表面温度 T 2 を 4 3 0 乃 至 4 6 0 C よ り 低い或い は高い初期状態に保 っ て蒸着 を開始 し た場合に は所望の組成を有す る 薄膜を安定 し て得 る こ と がで き な か っ たが、 そ の理由 は前者の場合 に は初期核に対す る S b 入射量の增大、 後者の場合 に は初期核の再蒸発に よ る も のであ る と 考え ら れ る 。
    [0031] 以上説明 した如 き 製造方法に よ つ て製造 し た金属間 化合物半導体薄膜は蒸着時間 （第 6 図 t 2 〜 t 3 ) を 適宜制御す る こ と に よ り 所望の膜厚 と す る こ と が可能 で あ る が、 こ れは ピ ン ホ ー ル も な く 均一且つ表面状態 も 平滑であ る こ と が光学式 （干渉縞を検査す る 方法） 或い は機械 （針） 式検査の結果判明 し 、 ま た、 結晶状 態 は透過電子顕微鏡 （ T E M ) に よ る 測定の結果、 電 子線回折パ タ ー ン に 明瞭な菊地線が認め ら れ る こ と か ら （ I I I ) 方位を有す る 単結晶で あ る こ と が確認 さ れた
    [0032] 以上の製造方法に よ り 得 られた I n — S b 間化合物 半導体薄膜の電気的特製を第 1 図 （ a ) 及び （ b ) に 示す。
    [0033] 第 1 図 （ a ) は I n — S b 間 化合物半導体薄膜 の 膜厚 と 電子移動度 の 関係 を 示 す も の で 、 ヴ イ ダー ( Wieder) の デー タ （実線） は I n — S b 合金バルク をエ ッ チ ン グに よ っ て薄膜化 し各膜厚に於け る電子移 動度を実測 し た も ので あ る 。
    [0034] 一方、 メ ニ イ （ Many) の デ ー タ （点線） は I n — S b 間化合物半導体薄膜の電子移動度の理論値をプロ ッ ト し た も のであ る 。
    [0035] こ れに対 し て本発明 に係 る I n — S b 間化合物半導 体薄膜は、 ほぼ前記メ ニイ の理論曲線同等の特性を示 す こ とか ら理想的な も のであ る と推定さ れる。
    [0036] 因 み に 、 従来市販 さ れて い た 磁気セ ン サ用 I n — S b 磁性抵抗薄膜 （ シ ョ ー ト バー を用 いて感度と素子 抵抗の不足を補 っ てい る ） の特性は、 ほぼ A ゾー ン に あ り 、 又ホ ール素子用 の それは、 ほぼ B ゾー ン にあ る。 従 っ て、 本発明 に係 る I n — S b 磁気抵抗薄膜が従来 の それに比 していか に特性の優れた も のであ る か理解 さ れ よ う 。
    [0037] 尚、 素子抵抗につ い て は本発明 に係 る 薄膜が極めて 薄い も のであ る為充分高い値を有す る 。
    [0038] ま た第 1 図 （ b ) は本発明 に係 る 半導体薄膜の感度 を従来市販の それと 比較 し たデー タ を示す も のであ つ て、 前記電子移動度 ^ が従来の I n — S b 薄膜に比 し て 2 倍以上 と な っ て い る の で、 感度 も 素子縦横比を ―定と した場合 2倍以上 とす る こ と が、 可能であ る と 共に、 膜厚 t を減少 し て も前記電子移動度 は大であ る ので、 素子抵抗を極めて大な ら し め る こ と が可能で な る
    [0039] 以上、 本発明 を I n - S b 半導体薄膜の実験結果を 基に説明 し たが、 本発明 は I η — S b 半導体薄膜に の み限定す る 必要は な く 、 同様の製法 に よ れば極めて電 子移動度の高い I II 一 A s 半導体薄膜を も得 る こ と が で き 、 即 ち 、 従来の I n - A s 半導体薄膜の電子移動 度 は約 1 〃 m の膜厚で 1 X 1 0 4 / · sec 以下 であ つ も のが本発明 に よ れば 0 . 6 m以下で 5 乃至 6 X 1 0 4 ci / Y · sec 程度に 向上す る こ と が確認 さ れて い る が、 説明 の重複を避 け る 為詳細な デー タ の提 示 は省略す る 。
    [0040] 尚、 上記実施例 に お いて は、 基板表面に於け る 初期 核形成 タ イ ミ ン グ を と ら え て 基板温度を 3 9 5 乃至 4 1 0 C の範囲内で低下 さ せて い たが、 低下 さ れ る 温 度範囲 は こ れに 限 る こ と は な い。 例え ば こ の温度範囲 を 4 1 0 乃至 4 2 5 で に設定 し 、 （第 6 図 （ a ) 及び ( b ) の一点鎖線） 他の条件は上記実施例 と 同様に し た場合 は、 I n - A s 半導体薄膜の電子移動度は、 膜 厚 0 . 6 m以下で 1 乃至 2 x l 0 4 ci! Z V * see 程 度 と な る こ と 力《確認 さ れた。
    [0041] 第 7 図 （ a ) 及び （ b ) は上記速度範囲を 4 1 0 乃 至 4 2 5 °C の場合の上記例の第 1 図 （ a ) 及び （ b ) に対応する 図であ る 。 こ の 図か ら も 見 られ る よ う に温 度範囲を 4 1 0 乃至 4 2 5 °C に設定 し た場合で も本発 明の効果は十分に あ る こ とが確認 さ れ る 。 更に、 第 7 図 （ c ) は、 こ の例 に係 る I n — S b 半 導体薄膜をホ ー ル素子に適用 し た場合に於け る磁界 B に対す る ホ ール電圧 vh の変化を従来市販品 と比較 し た実験デー タ を示す図であ る。 本図か ら も 明 ら かな如 く 、 積感度 Kは従来市販品の値 2 0 乃至 3 0 ( ffiv/mA ♦ kg) に比 し、 最大約 6倍の 5 0 乃至 2 0 0 ( inv/mA • kg) 、 即 ち感度約 6 倍を示す こ と が判 っ た。
    [0042] 尚、 本発明 に係 る 金属間化合物半導体薄膜の製造条 件中、 I n — S b 或い は I n — A s を融解せ し め る ポ 一 卜 の温度につ いて明示 し得なか っ たが、 こ れは正確 な温度測定手段が見出だせなか っ た こ と に よ る 。 し力、 も こ の温度条件は蒸着装置の形状、 構造に よ っ て も変 化す る如 く 思われる の で、 本発明 に係 る半導体薄膜を 工業的 に量産す る 際に は、 先ず蒸着装置を決定 し た後、 前記ボー ト に印加する電流値につ いて最適値を実験的 に選択 し 、 こ れを プ ロ グ ラ ム · コ ン ト ロ ー ルすれば よ い。
    [0043] ま た、 マ イ 力 表面に蒸着形成 し た半導体薄膜は適当 な形状の フ ユ ラ イ ト 或い はセラ ミ ク ス等の基板に接着 剤を用 い て転写 した上で入出力端子を付 し て 2端子の 磁気セ ン サを構成する か或い は 4端子のホ ー ル素子を 構成すればよ い。
    [0044] ま た。 本発明 に係 る 金属間化合物半導体薄膜は以上 説明 し た如 き製法に よ っ て、 従来の それの 2 倍以上の 電子移動度を極めて薄い膜に よ っ て実現す る こ とが可 能で あ る か ら 、 こ れを 2 端子磁気セ ンサ に適用す る 場 合 に は高い感度を得 ら れ る と 共に素子抵抗が高い こ と 力、 ら シ ョ ー ト バー を付す如 き 格別の付加加工な し に、 或い は素子を数個直列接続す る の みで周辺回路の ィ ン ピー ダ ン ス に対 し マ ッ チ ン グを と る こ と がで き る ので、 磁気セ ン サ等を安価に製造す る上で著 し い効果を発揮 す る 。 ま た、 こ れをホ ー ル素子に適用す る 場合に も 感 度が極めて高い の で高感度のホ ー ル素子を得 る と い う 効果があ る 。
    [0045] 更に、 本発明 に係 る 磁気抵抗素子の 内膜厚の薄い も の は P 型半導体であ る こ と が確認 さ れて い る ので、 こ れ と 他 の n 型半導体 を 組 み 合 わ せれば極め て高速 の P 一 n 接合型増幅用 デバ イ ス或い は光デバイ ス等を実 現 し得 る 可能性を 内在 さ せて い る。 産 業 上 の 利 用 可 能 性 以上の よ う に、 本発明 に よ れば素子抵抗を低下 さ せ る こ と な く 、 電子移動度を 向上 さ せ、 感度の 向上を 図 り 、 且つ膜厚の薄小化を回避 し 、 製品の コ ス ト ダウ ン を図 る こ と がで き る ので産業上の利用可能性は大 き い。
    权利要求:
    Claims 請 求 の 範 囲
    1 . 化学量論 的 組 成 比 が 実 質 的 に 1 ： 1 で あ る m — V族の金属間化合物か ら な る単結晶蒸着膜であ る こ と を特徵と する 金属間化合物半導体薄膜。
    2 . 前記 m — V族の金属間化合物が I n — S b 化合 物であ る こ と を特徵と す る請求の範囲第 1 項記載の金 属間化合物半導体薄膜。
    3 . 前記 H — V族の金属間化合物が I n — A s 化合 物であ る こ と を特徵とす る請求の範囲第 1 項記載の金 属間化合物半導体薄膜。
    4 . 蒸着に よ る半導体薄膜形成時、 蒸着基板温度を、 当初高温に維持す る と共に蒸発源温度を漸次上昇せ し め、 前記蒸着基板に対 して、 m — V族の金属間化合物 の付着が開始 し た と き 、 前記蒸発源温度を前記金属間 化合物の付着開始時の それに維持 し た後、 前記基板表 面に於け る 初期核形成タ イ ミ ン グを と ら えて前記基板 温度を所要の温度ま で低下せ し め た状態の下で蒸着時 間を制御す る こ と を特徴 とす る金属間化合物半導体薄 膜の製造方法。
    5 . 前記所要の温度が 3 9 5 °C 乃至 4 2 5 。Cであ る 請求の範囲第 4 項記載の金属間化合物半導体薄膜の製 造方法。
    6 . 前記所要の温度が 3 9 5 。C乃至 4 1 0 でであ る 請求の範囲第 4 項記載の金属間化合物半導体薄膜の製 造方法 o
    类似技术:
    公开号 | 公开日 | 专利标题
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    同族专利:
    公开号 | 公开日
    US4874438A|1989-10-17|
    引用文献:
    公开号 | 申请日 | 公开日 | 申请人 | 专利标题
    法律状态:
    1990-07-12| AK| Designated states|Kind code of ref document: A1 Designated state(s): US |
    优先权:
    申请号 | 申请日 | 专利标题
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