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    • 专利摘要:

    公开号:WO1990007254A1
    申请号:PCT/JP1989/001266
    申请日:1989-12-15
    公开日:1990-06-28
    发明作者:Naoya Tsurumaki
    申请人:Kabushiki Kaisha Komatsu Seisakusho；
    IPC主号:H05B33-00
    专利说明:
    [0001] 明 钿 書
    [0002] 薄膜 E L 素子 と そ の製造方法
    [0003] 発明 の技術分野
    [0004] こ の発明 は 、 車両や種々 の装置 に取付け ら れ る 計器板 等 の デ ィ ス プ レ イ に使用 さ れ る 薄膜 E L 素子 と そ の製造 方法に関す る
    [0005] 発明 の背景技術
    [0006] マ ト リ ク ス駆動 さ せ る 場合の従来の薄膜 E L 素子の断 面を第 1 図 に示す。
    [0007] こ の薄膜 E L 素子は透光性基板 1 の面 に透明電極 2 を 設け る と 共 に 、 こ の基板 1 の面上 に第 1 電気的絶縁膜 3 発光層 4 、 第 2 電気的絶縁膜 5 及び金属背面電極 6 を こ の順序 に形成 し た も の であ る 。
    [0008] 上記の よ う に構成 さ れた薄膜 E L 素子は、 金属背面電 極 6 と 透明電極 2 の間に発光 し き い電圧以上の電圧が印 加 さ れ る 時 に発光す る 。 こ の時、 透明電極 2 の エ ッ ジ部 7 に電界が集中 し、 そ こ か ら電気的絶縁破壊が生 じ て、 そ の部分で は表示が不能に な る と い う 不具合が生 じ て い た o
    [0009] 発明の概要
    [0010] 本発明 は上記 し た事情に鑑みてな さ れた も のであ っ て そ の 目 的 と す る と こ ろ は、 透明電極の エ ッ ジ部の よ う な 電界が集中す る 部分をな く し 、 電気的絶縁破壊 に よ る 表 示不能部分の発生がな い薄膜 E L 素子を提供す る こ と で あ る 。
    [0011] ま た、 本発明の も う 一つの 目 的は透明電極を電気的絶 縁性金属酸化物膜中 に形成 し 、 且つ他の部分は電気的絶 緣体であ る 平坦な透明電極層を形成す る こ と が可能な薄 膜 E L 素子の製造方法を提供す る こ とであ る 。
    [0012] 上記の第 1 の 目 的を達成す る た め に本発明の第 1 態様 に よ れば、 二重絶縁構造を有 し てマ ト リ ク ス駆動 さ せ る 薄膜 E L 素子にお い て、 電気的絶縁性の透光性基板上の 透明電極を、 透明で平坦な電気的絶縁膜中 に形成 し た こ と を特徵 と する 薄膜 E L 素子が提供 さ れ る。
    [0013] ま た、 上記 し た第 2 の 目 的を達成す る た め に本発明 の 第 2 態様に よれば、 二重絶縁構造を有 し てマ ト リ ク ス駆 動 さ せる 薄膜 E L素子の製造方法に おいて、 電気的絶縁 性の透光性基板に電気的絶縁性金属酸化物膜を形成す る ス テ ッ プ と 、 こ の膜面に選択的 に金属層を形成す る ス テ ッ プ と 、 そ し て こ れ ら金属層を絶縁性金属酸化物膜中に 拡散さ せて透明電極を形成す る ス テ ッ プと か ら成る こ と を特徵と す る 薄膜 E L 素子の製造方法が提供さ れ る。
    [0014] 上記第 1 態様の薄膜 E L 素子によれば、 透明電極が透 明で平坦な絶縁膜中に形成 し てあ る ので、 従来の透明電 極の エ ツ ジ部の よ う な電界が集中す る部分がな く な っ て 絶緣破壊に よ る 表示不能部分の発生がな く な る。
    [0015] ま た、' 上記第 2 態様の製造方法に よれば、 透明電極を 絶縁性金属酸化物膜中 に形成 し、 且つ他の部分は絶縁体 で あ る 平坦な透明電極層を形成す る こ と がで き る 。
    [0016] 前記な ら びに他の本発明 の 目 的、 態様、 そ し て利点は 本発明 の原理に合致す る 好適 な具体例が実施例 と し て示 さ れて い る 以下の記述お よ び添附の 図面 に関連 し て説明 さ れ る こ と に よ り 、 当該技術の熟達者に と っ て明 ら か に な る であ ろ う 。
    [0017] 図面の簡単な説明
    [0018] 第 1 図 は従来の薄膜 E L 素子の構造を示す概略断面図 第 2 図は本発明 の具体例 に お け る 電気的絶縁性金属酸 化物膜形成の説明図、
    [0019] 第 3 図は本発明の具体例に お け る 金属層の選択形成の 説明図、
    [0020] 第 4 図は本発明の具体例 に お け る 金属拡散の説明図、 そ し て
    [0021] 第 5 図 は本発明 の一具体例 と し ての薄膜 E L 素子の構 造を示す概略断面図であ る 。
    [0022] 好ま し い具体例の詳細な説明
    [0023] 以下、 添付の 図面 （第 2 図乃至第 5 図） を参照 し て、 本発明 の一具体例を詳細 に説明す る 。
    [0024] 本発明 に係 る 薄膜 E L 素子の製造は、 ま ず第 2 図 に示 すよ う に電気的絶縁性の透光性基板 1 0 に電気的絶縁性 金属酸化物膜 1 1 例えば Z n 0 を ス パ ッ 夕 法あ る い は電 子 ビ ー ム蒸着法等で形成す る 。
    [0025] そ し て、 第 3 図 に示すよ う に、 電極に な る 部分 に の み マ ス ク を使っ て A j 等の金属を蒸着 し て金属層 1 2 を形 成する 。
    [0026] こ の よ う に金属層 1 2 を選択的に形成す る 工程は、 先 ず金属を全面に蒸着 し、 こ れを フ ォ ト リ ソ グラ フ ィ 一 に よ っ てパ タ ーニ ン グ し て も良い し 、 パ タ ー ニ ン グ し た フ ォ ト レ ジ ス ト 上に金属を蒸着 し、 そ の後、 レ ジ ス ト を剥 離す る リ フ ト オ フ 法に よ っ て行っ て も良い。
    [0027] 次に、 第 4 図 に示すよ う に、 上記の透光性基板 1 0 を 真空中で熱処理 （ァ ニー ル） し て、 前記金属層 1 2 の金 属を電気的絶縁性金属酸化物膜 1 1 の中 に拡散 さ せて、 透明電極 1 3 を形成する 。
    [0028] 次に、 第 5 図に示すよ う に、 電気的絶縁性金属酸化物 膜 1 1 と透明電極 1 3 と よ り 成 る 透明電極層 1 4 の上に、 第 1 電気的絶縁膜 1 5 、 発光層 1 6 、 第 2 電気的絶緣膜 1 7 及び背面金属電極 1 8 を、 こ の順序に形成 し て薄膜 E 1/素子を製造する 。
    [0029] 上記透明電極 1 3 の形成におい て、 金属酸化物であ る Z n 0 はバ ン ドキ ャ ッ プが約 3. 2 evで比抵抗が 1 0 s 〜 ： L O U Q cmの電気的絶縁体であ る が、 こ れに A £ を ド ー プ （添加） す る と 比抵抗は〜 1 0 — 4 Ω cm に下が り 、 I T O と 同程度の透明導電体にな る こ と が知 ら れてい る。
    [0030] し たがっ て、 上記 し た薄膜 E L 素子の製造工程に よ つ て、 透明電極 1 3 の部分の みが導電性を保ち 、 他の部分 は電気的絶縁体であ る 平坦 （フ ラ ッ ト ） な透明電極層 14 がで き る 。
    [0031] こ の た め に、 従来の透明電極 2 の エ ツ ジ部 7 の よ う な 電界が集中す る 部分がな く な っ て、 電気的絶縁破壊 に よ る 表示不能部分がな く な る 。
    [0032] 実施例 1
    [0033] 5 0 X 5 0 ram 2 の ガラ ス基板上に Z n 0 を r f マ グネ ト ロ ン ス ハ0 ッ 夕 法で 2 0 0 0 A 成膜 し （ こ の時の ガラ ス 基板温度 は 5 0 0 V ) 、 そ の上に 幅 1 ram、 長 さ 5 0 MIの 長方形の穴が 1 . 8 ram間隔で 1 6 本穿 い て い る メ タ ルマ ス ク を用 い、 電子 ビー ム蒸着法で Α £ を 1 0 0 λ 程度蒸 着 し た。
    [0034] 次に 、 こ れに 5 0 0 V s 3 0 分の真空中での熱処理を 订 つ た。
    [0035] こ の上に r f マ グネ ト ロ ン スパ ッ タ 法で第 1 電気的絶 縁膜 と し て T a 2 0 5 を 5 0 0 0 Α 、 次 に発光層 と し て Z n s ： M n ( M n は 0 . 5 a t % ) を 6 0 0 0 Α 形成 し た。
    [0036] 第 2 電気的絶縁膜は第 1 電気的絶縁膜 と 同様であ り 、 最後に金属背面電極と し て A £ を、 幅 l mm、 長 さ 5 0 mm の長方形の穴が 1 . 8 nun間隔で 1 6 本穿い てい る メ タ ル マ ス ク を用 い、 こ の メ タ ノレ マ ス ク を上記 し た A j 蒸着の 場合 の メ タ ル マ ス ク と は直交す る 位置 に し て、 電子 ビー ム蒸着法で 3 0 0 0 λ 形成 し た。
    权利要求:
    Claims 特許請求の範囲
    1 .二重絶縁構造を有 し てマ ト リ ク ス駆動さ せ る 薄膜 E L 素子において、 電気的絶縁性の透光性基板上の透明電極 を、 透明で平坦な電気的絶緣膜中 に形成 し た こ と を特徵 と す る 薄膜 E L 素子。
    2 .二重絶緣構造を有 し てマ ト リ ク ス駆動 さ せ る 薄膜 E L 素子の製造方法におい て、 電気的絶縁性の透光性基板に 電気的絶縁性金属酸化物膜を形成する ス テ ッ プ と 、 こ の 膜面に選択的に金属層を形成す る ス テ ッ プ と 、 そ し て こ れ ら 金属層を前記絶縁性金属酸化物膜中に拡散 させて透 明電極を形成する ス テ ッ プ と か ら成 る こ と を特徴 と す る 薄膜 E L 素子の製造方法。
    3 .前記絶縁性金属酸化物膜が Z n 0 であ る こ と を特徴 と す る 第 2 請求項に記載の薄膜 E L 素子の製造方法。
    4 .金属層が A £ であ る こ と を特徵とす る 第 2 請求項に記 載の薄膜 E L 素子の製造方法。
    类似技术:
    公开号 | 公开日 | 专利标题
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    EP1191593A2|2002-03-27|Organic electroluminescent device with supplement cathode bus conductor
    同族专利:
    公开号 | 公开日
    EP0450077A1|1991-10-09|
    KR910700596A|1991-03-15|
    JP2764591B2|1998-06-11|
    EP0450077A4|1992-01-15|
    JPH02162684A|1990-06-22|
    引用文献:
    公开号 | 申请日 | 公开日 | 申请人 | 专利标题
    法律状态:
    1990-06-28| AK| Designated states|Kind code of ref document: A1 Designated state(s): KR US |
    1990-06-28| AL| Designated countries for regional patents|Kind code of ref document: A1 Designated state(s): AT BE CH DE ES FR GB IT LU NL SE |
    1991-06-04| WWE| Wipo information: entry into national phase|Ref document number: 1990900991 Country of ref document: EP |
    1991-10-09| WWP| Wipo information: published in national office|Ref document number: 1990900991 Country of ref document: EP |
    1993-11-09| WWW| Wipo information: withdrawn in national office|Ref document number: 1990900991 Country of ref document: EP |
    优先权:
    申请号 | 申请日 | 专利标题
    JP63316300A|JP2764591B2|1988-12-16|1988-12-16|薄膜ｅｌ素子とその製造方法|
    JP63/316300||1988-12-16||KR1019900701718A| KR910700596A|1988-12-16|1989-12-15|박막 el소자와 그 제조방법|
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