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    公开号:WO1989011161A1
    申请号:PCT/JP1989/000463
    申请日:1989-05-02
    公开日:1989-11-16
    发明作者:Yasuhide Ono；Yoshio Ozeki
    申请人:Nippon Steel Corporation；
    IPC主号:H01B1-00
    专利说明:
    [0001] 明 細 書 発明 の 名称
    [0002] 半導体素子用 ポ ンデイ ン グ ワ イ ヤ 技術分 野
    [0003] 本発 明 は半導体素子の電極 と外部 リ 一 ド を接続す る た め に 使用 す る ボ ンディ ン グ ワ イ ヤ に 関 す る 。 背景技術
    [0004] 従来 、 半導体素子の電極 を外部 リ ー ド に接続 す る た め に 、 A u に 微量の C a， B e , G eな ど を 含有さ せ た A u合金の線径 2 5〜 5 0 ^ m の ワ イ ヤ 、 す なわ ち ポ ン デ イ ン グ ワ イ ヤ が用 い ら れて い る 。
    [0005] こ の ワ イ ヤを用 い て半導体素子 と リ ー ド フ レ ー ム を接 続 す る際 に 、 両者 と も超音波 に よ る圧接か 、 半導体素子 の電極 につ いて は 、 ア ー ク で先端 を ポ ー ル ア ッ プ し た 後 熱圧着 す る方法 が と ら れて い る 。
    [0006] し か し な が ら 、 近年 I Cよ り 一層 の小型化 、 集積化 が お こ なわ れ、 電極数の 増加 の た め 、 現状 ワ イ ヤ径で は 、 電極 の 占 める面積が大き く な り すぎる こ と が 問題視さ れ る よ う に なっ て き た 。 こ の 問題 を解決す る た め に は 、 ヮ ィ ャ 径を細 く する こ と が必要で あ る が 、 現状の ワ イ ヤ を 細 く し た ので は 、 配線時及び使用 中 に 断線の割合 が高 く 実用 に供 し えな い 。 その た め現状ワ イ ヤで は 、 ボ ンディ ン グヮ ィ ャ の特性 と し て は線径 2 0 m 程度.が限界であ る と さ れて い た 。
    [0007] 特開 昭 5 6— 4 9 5 3 4 号公報及び特開 昭 Ρ 5 6 - 4 9 5 3 5 号公報では P t を 、 3 0 wt % ま で 、 あ る い は Ρ d を 4 〇 ％ まで A u に加 える こ と に よ り ワ イ ャ の髙強度 化を はか り 、 細線化を可能 に する と い う 提案ちある が 、 合金元素の含有量がある限界を越え る と ポ ー ルの硬さ が 増 し 、 熱圧着 に 必要な荷重が大き く な り 、 I C の シ リ コ ンチップに損傷を与える等の 問題が起きる 。 特開 昭 6 0 一 1 5 9 5 8 号公報では A ·2 に異種元素を混入 し た電極 配線に対 し て良好な熟圧着性を有する ポ ンデ イ ング ワ イ ャ と し て A u 基の合金ワ イ ヤ が提案さ れて い る が 、 これ も同様の 問題が あ り 、 従来か ら採用 さ れて いる I C 、 及 ぴ接合方法を特別 に変更する こ とな く 、 I C の小型化 、 高密度化が はかれる新 し いボンディ ング ワ イ ャ が求め ら れて い る 。 発明 の 開示
    [0008] 本発明で は 、 ボ ンディ ング ワ イ ヤ の線径を こ れま で よ り も細 く し て も従来の ワ イ ヤ と同 じ信頼性を持っ た ワ イ ャ を提供する こ と を 目 的 とする 。 ま た 、 本発明 の他の 目 的と し て は、 製造時に おい て も強度がつ よ く て極細線に する こ と が可能で 、 接合時の破断強度に優れた 断線の極 めて少ない半導体素子用 ボンディ ング ワ イ ヤ を提供 し よ う と するも のであ る 。 図面 の簡単 な説明
    [0009] M ' 1 図 は C u を 含有 し た.本発明 の ボ ン デ ィ ン グ ワ イ ヤ の破断強度 に 関 し 、 C U 含有量 と熱処理 し 条件 と の 関連 を示 し た グ ラ フ で あ り 、
    [0010] 第 2 図 は 、 接合強度測定 法 の 説明 図で ある 。 発明 の実施 す る た めの最良の形態
    [0011] 本発明 の ボ ンデ ィ ング ワ イ ヤ の特徴 は " F記の と お り で あ る
    [0012] (1) C u を Ί 〜 5 wt %未満 含有 し 、 残部 は A u か ら な る半導休素子用 ボ ン ディ ング ワ イ ヤ 。
    [0013] (2) C u を 1 〜 5 wt%未満 と 、 C a , G e , B e , し a ， I n の Ί 種 ま た は 2 種以上を合計で 0 . 0 0 0 3 〜 0 . 0 1 wt%含有 し 、 残部 は A u か ら な る半導体素子 用 ボ ンデ ィ ン グ ワ イ ヤ 。
    [0014] (3) C u を Ί 〜 5 wt %未満 と 、 P t を Ί 〜 5 wt %未満 含有 し 、 残部 は A u か ら な る半導体素子用 ボ ン デ ィ ング フ ィ ャ 。
    [0015] (4) C u を 1 〜 5 wt %未満 と 、 P t を 1 〜 5 wt %未満 と 、 C a , G e , B e , L a , I n の 1 種 ま た は 2 種以 上を合計で 0 . 0 0 0 3 〜 0 . 0 1 ^%含有 し 、 残部 は A u か ら な る半導体素子用 ポ ン デ イ ン グ ワ イ ヤ 。
    [0016] 本発 明 の半導休素子用 ポ ンデ イ ン グ ワ イ ヤ に お い て 、 A u に C u を Ί 〜 5 wt %未満含有さ せ た 理 由 は 、 C u が A u に 完全 に 固溶 する こ と に よ り 、 母線の 強度が 向上す る ばか り か接合強度も髙く なる から で 、 こ れまでの ワ イ ャで はなか なか難 し かっ た線径 2 0 ^ m 以下の細線に し ても 、 〇 u が 1 %以上含有さ れて いれば、 破断強度 4 g r 以上を篛足する こ と が出来る 。 こ の特徴 は 、 C u の含有 量の増加 と と も に強度の上昇が認め ら れる が 、 5 % を越 える と耐食性に問題を生 じ 、 長時間 を経た後での信潁性 を擤な う 。 ま た 、 G u の含有量が 5 %に達す る と接合時 に形成する ボールの硬さ が増加 し 、 熱圧着 に必要な荷重 が大き く な る こ と から シ リ コ ン チップ に 損傷を与え る た めで あ る 。
    [0017] なお 、 原料 とな る A u 、 C u は不純物 の含有量が多い と製品 の特性が不安定 と な る こ と と 、 細線化や接合時に 破断の原因 となるので 、 9 9 . 9 %以上の髙純度 と す る こ と が好ま し い 。
    [0018] G u の 含有に よっ て こ の よ う な効果が得 ら れる の は 、 固溶体強化 と規則格子の生成に よ っ て い る と 推察さ れる < なお 、 P t は 、 この効果を肋長す る働きをする 。 その含 有量は 、 1 〜 5 wt%未篛の範囲で 、 そ れ未満で は効果が な く 、 上限を越える と延性の減少や ボ ー ルの硬さ の増加 とい う 不都合が生ず る 。
    [0019] 伸線時 に導入された加工歪を 除き 、 適度な延性と十分 な強度を保持する た め に 、 2 0 0〜 6 0 0 °Cの温度 と適 切 な時間 の熱処理を行う こ とが望ま し い 。
    [0020] 伸線ま ま の翊線は延性 （ 伸び ） がな く 、 ま た加工歪の た め カ ールが強 く 、 使用 に供せ な い こ と が あ るので通常 は焼な ま し 熱処理を行 う 。 熱処理の 温度が高い ほ ど 、 長 時間で あ る ほ ど強度が低下 し 、 延性が大き く な る の が一 般旳で あ る が 、 そ の程度 は合金成分 の含有量 に よ っ て 異 な る の で 、 線径 と成分 に 応 じ た 熱処理条件を選ぶ必要が あ る 。 ま た 、 こ の熱処理に よ っ て 組織の再結晶 、 粒成長 が進行 す る が結晶粒径が線径 に 近づ く と強度 、 延性 と も に い ち じ る し く 低下 す る た め 、 熱処理条件の選定 は細径 ワ イ ヤ の場合 は特 に重要で あ る 。
    [0021] 第 1 図 は 、 C u を含有 し た線径 1 0 m の ワ イ ヤ で 4 gr以上 の破新強度を確保す る 熱処理条件を示 し た グ ラ フ で あ る 。 実線 は 4 0 0 °C、 破線 は 2 0 0 °Cで処理 し た 場 合 を 示 し て いる 。
    [0022] ま た 、 特 に 、 従来の金ボ ン デ ィ ン グワ イ ヤ の 添加 に も 用 い ら れて い る C a , B e , G e , L a , I n の 添加 は 本発明 の ボ ンディ ング ワ イ ヤ の接合強度を 向上さ せ る 。 こ の 目 的のた め に 、 こ れ ら の元 素の 1 種 ま た は 2種以上 を合計で 0 . 0 0 0 3 〜◦ . 0 1 ^%の範囲で 添加 す る こ と がでさ る 。
    [0023] 本発 明 の ポ ンデイ ング ワ イ ヤ は 、 真空溶解炉等を 用 い て 本発明 に し た がっ た 化学成分の A u 合金を 溶解 し 铸造 し た 後 、 線引 、 熟処理等 を お こ なっ て 所望の線径の ワ イ ャ に 製造さ れる 。
    [0024] つ ぎ に 、 本発明 の効果を 明瞭 に す る実施例 を説明 す る 純度 9 9 . 9 9 % の高純度 A n と純度 9 9 . 9 %の高 純度 C u を用 い 、 第 1 表 の よ う な元 素を 添加 し た材料を 真空溶解炉で溶製 し 、 線引 、 熱処理を お こ なっ た 。 線径 は 1 0 m 、 一部 は 、 1 2 m 、 1 5 m 、 9 m 2 5 m 、 3 0 m であ る。
    [0025] 引っ張り 試験 はゲー ジ長 1 0 0 顺の試験片を用 いた 。 接合強度は第 1 図 に示す よ う に S i チップ 1 と リ ー ド フ レ ーム 2 に接合 し たポ ンディ ングワ イ ヤ 3 を 図 に示す よ う に矢印方向 に 引 っ 張 り 、 その とぎの破断強度を測定 し た 。 ワ イ ヤ の破断荷重、 伸び と接合後の破断強度を比較 材 と対比 し た第 1 表 に示す 。
    [0026] 第 "！ 表か ら 明 ら かな よ う に 、 本発明 ワ イ ャ は 、 細径に も かかわ ら ず破断強度及び接合強度が優れて い る こ とが わかる 。 ま た 、 従来の ポ ンデイ ングワ イ ヤ と 同様の線径 で使甩すれば 、 よ り 強度の高い ワ イ ヤ が得 ら れる 。
    [0027] 第 1 表 化学成分 (wt%) 線 ί 引 張 試 験 ί ·Α裕の
    [0028] Γ細 ί¾ίδ庇
    [0029] Au Cu Ρΐ Ca Ge Be し 8 I n 破断強度 (g) 仲びは） (q)
    [0030] y
    [0031] 漏 I 1 残 1 10 4.1 1 1 3
    [0032] " Cm 残 1.2 1 10 V 4.4 4 9 ft CMM j / 残 2 0.0004 10 4.3 6 ¾ 2 // 残 2 0.0008 0.0014 0.0024 10 4.2 5 残 3 10 4.7 12 ¾ ft
    [0033] Cil KJ J J 残 4 0.0042 in 6.4 9 // η 7 残 4 2 0.0011 0.0042 0.0018 0.0014 0.0012 10 7.2 7 4 4 // 8 残 2 4 0.0028 15 12.2 3 4.7 // 9 残 2 0.0004 0.0012 15 10.5 3 4.9 // w 10 残 2 3 19 17.4 11 5.4 220で X15
    [0034] " 11 残 2 3 0.0062 19 17.4 11 5.4 220°GX15
    [0035] " 12 残 2 0.0028 15 10.2 3 4.7 // 13 残 2 0.0022 25 19.3 8 6.7 //
    [0036] " 14 残 2 0.0043 30 24.4 5 10.2 //
    [0037] " 15 残 3 15 13.2 4 6.8 450°GX 5秒
    [0038] " 16 残 3 0.0008 0.OO21 0.0013 19 17.3 5 8.7
    [0039] 表 つづき-
    [0040]
    [0041] 接合後の 1 Cチップに掼 が認めら
    [0042] 産業 上の利用 可 能性
    [0043] 以上説明 し た よ う に 、 本発明 ワ イ ヤ は 、 破断強度及び 接合強度 に 優れ 、 特 に 、 従来の ワ イ ヤ に対 し て 、 1 0
    [0044] U m の よ う な細径 に し て も従来の ワ イ ヤ以上 に 信頼性の 高 い ワ イ ヤ と し て 高集積化 し た L S I の小型化 に役立つ お ので あ る 。
    PCT 世界知的所有権機関
    国 際 搴 務 局
    特許協力条約に基づいて公開された国際出願
    (51)国際特許分類 4
    体^ Ϊ〇 n (ID国際公開番号 WO 89/11161
    H01L 21/60, C22C5/02
    A1
    (43)国際公開日 1989年 11月 16日（16.11.89)
    (21) 国際出願番号 PCT/JP89 O0463
    (22) 国際出願曰 1989年 5月 2曰 （ 02. 05. 89)
    (30) 優先権データ
    -109587 1988年 5月 2曰 （02. 05. 88) JP
    (71 ) 出願人（*aを除くすべての指定国 つ て）
    新日: 会社
    (NIPPON STEEL OOBPOBATI O ) JP/JP D
    flOO 棘都千 ¾B区大 W二丁目 6番 3号 Tokyo, (JP)
    (72) 発明者；および
    (75) 発明者/出願人（米国につ てのみ）
    恭秀 CONO, Yasuhide)CJP/JPD
    大関芳雄 COZBKI, Yoshi o)CJP/JPD
    〒100 東京都千代田区大手町二丁目 6番 3号 新日本製戴 fe*会社内
    Tokyo, CJP)
    (74) 代理人
    弁理士 浅村 皓， 外（ASA UBA, Ki yo shi et al. )
    〒100 ¾S都千代田区大 2丁目 2番 1号 新大手町 33 i
    Tokyo, (JP)
    (81) 指定国
    DE, GB, KR, US.
    添付公開蒈類 国際驟査報告害
    (54) Title: BONDING WIRE FOR SEMICONDUCTOR ELEMENTS
    (54)発明の名称 半導体素子用ポンディ ングワイヤ ホ デイン ィャの破断強度に及 i
    RELATION BETWEEN Cu CONTENT AND HEAT TREATING TIME
    Cu含有量と熱処理時間の閉係 AFFECTING BREAK STRENGTH OF BONDING WIRE
    (57) Abstract 熱処理時間 （分） HEATINCMREATINGllME nin)
    A bonding wire (3) for connecting an electrode of a semiconductor element to an external lead (2)， which comprises 1 to less than 5 wt% of copper and the balance of gold and unavoidable impurities, and which has excellent break strength and bonding strength to provide reliable connection even in a thickness as small as about 10 μτη in diameter.
    PCTガゼッ ト番号 No.04/1990,セクシ ョン Π参照 (57)要約 この発明 は、 半導体素子の電極を外部 リ ー ド （ 2 ) に 接続する ため のポ ンデイ ングワ イ ヤ （ 3 ) に 関 し 、 該ポ ンデイ ングワ イ ヤ （ 3 ) は 1 〜 5 w t %未満の C u と 、 残 部 A u 及び不可避不純物か ら成 り 、 且つ破断強度及び接 合強度に侵れ、 1 0 m 程度の細径に し て も信頼性の高 い接続を得る こ とを可能 に する 。
    NNRSSSSTTU
    憒報 しての用途のみ
    PCT —ド に基づいて公閉される国際出頃刀パンフレ ツ ト第 1頁に PCT¾盟国を同定するために使用される
    ML マリ
    A ォ一ス ト リア FI フ ィ ンラン ド MR モー一リ タニア
    AU オース ト ラ リァ FR フランス
    BB バルバー ドス GA カ ボン MWマラ ィ
    BE ベルギー GB イ ギ ス オラ ンダ
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    BG - 'レガリア HU ハンガリ—
    ル一マニ一ア
    BJ へナン I ィタ リ一
    ス一ダン
    BR ル JP 日本
    CF 中央ァフリ力共和国 KP軺鲜民主主義人民共和国 スゥ 一デン
    GG コ ンゴー KR大幃民国 セ冬ガル
    CH ズイ ス LI リ ヒテンシュタ イ ン ソ ビエ ト速邦
    CM 々 ズ ーン LK スリ ランカ チヤ一ド
    DE S I· <ツ LU ルクセンブルグ トーゴ
    DK デ マ—ク MCモナュ 米国
    ES スヘイ ン MGマダガスカル
    明 TO 発 明 の 名称
    半導体 素子用 ボ ンデ ィ ン グ ワ イ ヤ 技術分野
    本発 明 は半導体素子の電極 と 外部 リ 一 ド を接続 す る た め に 使用 す る ボ ンデ ィ ン グ ワ イ ヤ に 関 す る 。 背景技術
    従来 、 半導体 素子の電極 を 外部 リ ー ド に 接続 す る た め に 、 A U に 微量の〇 a , B e ， G e な ど を 含有 さ せ た A u 合金の線径 2 5〜 5 0 m の ワ イ ヤ 、 す な わ ち ボ ン デ ィ ン グ ワ イ ヤ が 用 い ら れ て い る
    こ の ワ イ ヤ を用 い て 半導体素子 と リ ー ド フ レ ー ム を 接 杭 "5 る際 に 、 両者 と ち超 音波 に よ る 圧接 か 、 半導体 素子 の 電極 につ ヽて は 、 ア ー ク で 先端 を ボ ー ル ア ッ プ し た 後 熱圧着 す る方法 が と ら れて い る 。
    し か し な が ら 、 近年 I C よ り一層 の小型化 、 集積化が お こ なわ れ 、 電極数の 増加 の た め 、 現状 ワ イ ヤ 径で は 、 電極 の 占 め る面積が大き く な り すぎる こ と が 問題視 さ れ る よ う に な っ て ぎ た 。 こ の 問題を解決 す る た め に は 、 ヮ ィ ャ 径 を細 く する こ と が必要で あ る が 、 現状の ワ イ ヤ を 細 く し た ので は 、 配線時及び使用 中 に 断線の割合 が高 く 実用 に 供 し えな い 。 その た め現状 ワ イ ヤで は 、 ボ ンディ ング ワ イ ヤ の特性 と し て は線径 2 0 m 程度が限界で あ る と さ れて い た 。
    特開 昭 5 6 — 4 9 5 3 4号公報及び特開 昭 P 5 6— 4 9 5 3 5号公報で は P tを 、 3 0 wt % ま で 、 あ る い は P dを 4 0 %まで A u に加え る こ と に よ り ワ イ ヤ の髙強度 化を はか り 、 細線化を可能 に す る と い う 提案も あ る が 、 合金元素の含有量が あ る 限界を越える と ポ ー ルの硬さ が 増 し 、 熱圧着 に 必要な荷重が大き く な り 、 I Cの シ リ コ ンチップに損傷を与える 等の 問題が起き る 。 特閗 昭 6 0 一 Ί 5 9 5 8号公報で は に異種元素を混入 し た電極 配線 に 対 し て 良好な熱圧着性 を有する ボ ンデ ィ ン グ ワ イ ャ と し て A u基の合金ワ イ ヤ が提案さ れて い る が 、 こ れ も周様の 問題が あ り 、 従来か ら 採用 さ れて い る I C、 及 ぴ接合方法を特別 に 変更す る こ と な く 、 I Cの小型化 、 高密度化が はかれる新 し い ボ ンディ ング ワ イ ヤ が求め ら れて いる 。 発明 の開示
    本発明では 、 ボ ンディ ングワ イ ヤ の線径を こ れ ま で よ り も細 く し て も従来の ワ イ ヤ と同 じ信頼性を持っ た ワ イ ャを提供する こ とを 目 的 と す る 。 ま た 、 本発明 の他の 目 的 と し て は 、 製造時におい て も強度がつ よ く て極細線 に する こ とが可能で 、 接合時の破断強度 に 優れた 靳線-の極 め て少ない半導体素子用 ボンディ ングワ イ ヤ を提供 し よ う と す るものであ る 。 図面 の 簡 単な説明
    第 Ί 図 は C u を 含有 し た 本発明 の ボ ン デ ィ ン グ ワ イ ヤ の破断強度 に 関 し 、 C U 含有量 と 熱処理 し 条件 と の 関連 を示 し た グ ラ フ で あ り 、
    第 2 図 は 、 接合強度測定 法 の 説明 図で あ る 。 発明 の実施 す る た め の最良 の形態
    本発明 の ボ ン デ ィ ン グ ワ イ ヤ の特徴 は ^記 の と お り で あ る 。
    (1) C u を Ί 〜 5 wt %未満' 含 有 し 、 残部 は A u か ら な る 半導体素子用 ボ ン ディ ン グ ワ イ ヤ 。
    (2) C u を Ί 〜 5 wt %未満 と 、 C a , G e , B e ， L a , レ n の 1 種ま た は 2 種 以上 を合計で 〇 . 0 0 0 3 〜 0 , 0 1 wt % 含有 し 、 残部 は A u か ら な る 半導体素子 用 ボ ン デ ィ ン グ ワ イ ヤ 。
    (3) G u を Ί 〜 5 wt %未満 と 、 P t を Ί 〜 5 wt %未満 含有 し 、 残部 は A u か ら な る半導体素子用 ボ ン デ ィ ン グ ワ イ ヤ 。
    (4) C u を "！ 〜 5 wt %未満 と 、 P t を Ί 〜 5 wt %未 ¾ と 、 C a , G e , B e , L a , I n の 1 種 ま た は 2 種以 上を合計で 0 . 0 0 0 3 〜 0 . 0 1 wt%含有 し 、 残部 は A u か ら な る 半導体素子用 ボ ンデ ィ ン グ ワ イ ヤ 。
    本発 明 の半導体 素子用 ボ ンデ ィ ン グ ワ イ ヤ に お い て 、 A u に C u を 1 〜 5 wt % 未満含有さ せ た 理 由 は 、 C u が A u に 完全 に 固 溶 す る こ と に よ り 、 母線. の強度が 向上す る ばか り か接合強度も髙 く なるか ら で 、 こ れ ま での ワ イ ャで は なかなか難 しかっ た線径 2 0 m 以下の翻線 に し て も 、 C u が 1 %以上含有さ れて い れば、 破断強度 4 g r 以上を満足する こ と が出来る 。 こ の特徴 は 、 C u の含有 量の増加 と と も に強度の上昇が認め ら れる が 、 5 % を越 える と耐食性 に問題を生 じ 、 長時間 を経た後での信頼性 を損な う 。 ま た 、 C u の含有量が 5 % に達す る と接台時 に形成す る ポールの硬さ が増加 し 、 熱圧着 に 必要な荷重 が大き く な る こ と か ら シ リ コ ンチップ に 損傷 を与える た めで あ る 。
    な お 、 原料 とな る A u 、 C u は不純物 の含有畺が多い と 製品の特性が不安定 と な る こ と と 、 細線化や接合時 に 破断の原因 となるので 、 9 9 . 9 /0以上の高純度 と す る こ と が好 ま し い 。
    C u の 含有 に よっ て こ の よ う な効果が得 ら れる の は 、 固溶体強化 と規則格子の生成 に よ っ て い る と 推察さ れる c な お 、 P t は 、 この効果を助長す る働き を す る 。 そ の含 有量は 、 1 〜 5 w t %未篛の範囲で 、 そ れ未満で は効果が な く 、 上陧を越える と延性の減少や ポ ー ルの硬さ の増加 と い う 不都合が生ず る 。
    伸線時 に導入された加工歪を 除き 、 適度な延性 と十分 な強度を保持す る ため に 、 2 0 0 〜 6 0 0 °G の温度 と適 切 な 時間の熱処理を行 う こ と が望 ま し い 。
    伸線 ま ま の細線は延性 （ 伸び ） がな く 、 ま た加 工歪の た め カ ールが強 く 、 使用 に供せ な い こ と が あ るので通常 は焼な ま し 熱処理を行 う 。 熱処理の 溫度が高 い ほ ど 、 長 時 間 で あ る ほ ど強度 が低下 し 、 延性 が 大き く な る の がー 設的で あ る が 、 そ の程度 は合金成分 の 含有量 に よ っ て 異 な る ので 、 線径 と 成分 に 応 じ た 熱処理条件を選ぶ必要 が あ る 。 ま た 、 こ の熱処理 に よ っ て 組織の再結晶 、 粒成長 が進行 す る が結晶粒径が線径 に 近づ く と 強度 、 延性 と も に い ち じ る し く 低下 す る た め 、 熱処理条件の選定 は細径 ワ イ ヤ の場合 は特 に 重要で あ る 。
    第 Ί 図 は 、 C u を含有 し た 線径 1 0 m の ワ イ ヤ で 4 gr以上 の破 節強度 を確保 す る 熱処理条 件 を 示 し た グ ラ フ で あ る 。 実線 は 4 0 0 °C 、 破線 は 2 0 0 で 処理 し た 場 合 を 示 し て い る 。
    ま た 、 特 に 、 従来の金ポ ン デ イ ン グ ワ イ ヤ の 添加 に も 用 い ら れ て い る C a , B e , G e , L a , I n の 添加 は 本発 明 の ポ ンデ イ ン グ ワ イ ヤ の接合強度 を 向 上さ せ る 。 こ の 目 的 の た め に 、 こ れ ら の 元 素 の Ί 種 ま た は 2種以上 を 合計で 0 . 0 〇 0 3 〜 0 . 0 1 wt%の範囲で 添加 す る こ と がで き る 。
    本発 明 の ポ ンデイ ン グ ワ イ ヤ は 、 真空 溶解炉等を 用 い て 本発明 に し た がっ た 化学成分 の A u 合金 を 溶解 し 錶造 し た 後 、 線引 、 熱処理等 を お こ なっ て 所望 の線径の ワ イ ャ に 製造さ れる 。
    つ ぎ に 、 本発 明 の効 果を 明瞭 に す る実施例 を説明 す る 純度 9 9 . 9 9 % の高純度 A u と純度 9 9 . 9 %の高 純度 C u を用 い 、 第 Ί 表 の よ う な 元 素を 添加 し た 材料を 真空溶薛炉で溶製 し 、 線引 、 熱処理を お こ なっ た 。 線径 は 1 0 m 、 一部 は 、 1 2 m 、 Ί 5 m 、 1 9 j" m 、 2 5 ^ m 、 3 0 であ る 。
    引っ張 り 試験はゲー ジ長 1 0 0 顺の試験片を 用 いた 。 接合強度 は第 1 図 に示す よ う に S i チップ 1 と リ ー ド フ レ ー ム 2 に接合 し た ポ ンデイ ングワ イ ヤ 3 を 図 に 示す よ う に矢印方向 に 引 っ 張 り 、 その と きの破断強度を測定 し た 。 ワ イ ヤの破断荷重、 伸び と接合後の破断強度を比校 材 と対比 し た第 Ί 表に示す 。
    第 Ί 表か ら 明 ら かな よ う に 、 本発明 ワ イ ヤ は 、 細 径に -€> かかわ ら ず破断強度及び接合強度が優れ て い る こ と が わ かる 。 ま た 、 従来の ポ ンデイ ングワ イ ヤ と 同様 の線径 で使用 す れば、 よ り 強度の高い ワ イ ヤ が得 ら れる 。
    1 表 化学成分（Wl%) 線 径 引 張 試 験 接合後の
    破断強 讓
    Cu Ρΐ Ca Ge Be し 3 I n 破断強度 (g) 仲び ） (g) 錯例 1 残 1 10 4.1 1 1.3 200 Χ 1
    " 2 残 1.2 1 10 4.4 4 2.8 200 Χ 5
    " 3 2 0.0004 10 4.3 6 3.2
    " 残 1 0.0008 0.0014 0.0024 10 4.2 5 3.6 ■ΌΧ10
    " b 3 10 4.7 12 3.8 200°Gx15
    " 6 残 4 0.0042 10 6.4 9 4.1 //
    " 7 残 4 2 0.0011 0.0042 0.0018 0.0.014 0.0012 10 7.2 7 4.4 //
    " 8 残 2 4 0.0028 15 12.2 3 4.7 ；；
    " 9 残 2 0.Ο0ΟΊ 0.0012 15 10.5 3 4.9 //
    " 10 残 2 3 19 17.4 11 5.4 22(TGx15
    〃 11 残 1 3 0.0062 19 17.4 11 5.4 220ΌΧ15
    " 12 残 2 0.0028 15 10.2 3 4.7 /；
    〃 13 残 2 0.0022 25 19.3 8 6.7 //
    " 14 2 0.0043 30 24.4 5 10.2
    " 15 残 3 15 13.2 4 6.8 450ΌΧ 5
    " 16 残 3 0.0008 0.0021 0.0013 19 17.3 5 8.7
    1 ¾ つづ
    接合後の I〇チップに i£iが めら
    産業 上の利用 可 能性
    以上説明 し た よ う に 、 本発明 ワ イ ヤ は 、 破断強度及び 接合強度 に 優れ 、 特 に 、 従来の ワ イ ヤ に対 し て 、 1 0 U m の よ う な細径 に し て も従来の ワ イ ヤ以上 に 信頼性の 高 い ワ イ ヤ と し て 高集積化 し た L S I の小型化 に役立つ ち ので あ る 。
    国 際 事 務 局
    特許協力条約に基づいて公開された国際出願
    国際特許分類 4
    osczax x*-· . (11)国際公闢番号 WO 89/11161
    H01L 21/60, C22C5/02
    A1
    (43)国際公開曰 年 11月 16日 .(16.11.89)
    (21) 国際出顏番■§· PCT/JP89/00463
    (22) 国際出願日 1989年 5月 2曰 （ 02. 05. 89)
    (30) 優先権デ一タ
    特願昭 63-109587 1988年 5月 2日 （02. 05. 88) JP
    (71) 出願人（*Bを除くすべての指定国につ て）
    (NIPPON STEEL COBPOBA I ON ) J P/JP ]
    〒100 棘都千 f¾H区大 *ST二丁目 6番 3号 okyo, (JP)
    (72)発明者；および
    (75) 発明者/出願人（米国についてのみ）
    ： 恭秀 CONO, Yasuhi de)CJP/JP]
    大関芳雄 COZE I, Yoshi o)CJP/JP]
    〒100 東京都千代田区大手町二丁目 6番 3号 新日本製載 ft*会社内
    Tokyo, (JP)
    (74)代理人
    f ± 浅村 皓， 外（ASAMUBA, Kiyoshi el al. )
    flOO «g都千代田区大 W2丁目 2番 1号 新大手町 331
    Tokyo, CJP)
    (81 ) 指定国
    DE, GB, KR, US.
    添付公開 S類 国際調査報告香
    (54) Title: BONDING WIRE FOR SEMICONDUCTOR ELEMENTS
    (54)発明の名称 半導体素子用ポンディ ング ワイヤ ホ ディングウイャの破断強度に及ぼす
    RELATION BETWEEN Cu CONTENT AND HEAT TREATING TIME CU含有量と熱処理時間の関係 AFFECTING BREAK STRENGTH OF BONDING WIRE
    (57) Abstract 熱処理時間 （分） HEATING-TREATING ΠΜΕ(ιηίη)
    A bonding wire (3) ΙΟΓ connecting an electrode of a semiconductor element to an external lead (2 which comprises 1 to less than 5 wt % of copper and the balance of gold and unavoidable impurities, and which has excellent break strength and bonding strength to provide reliable connection even in a thickness as small as about 10 μπι in diameter.
    PCTカ ゼツ ト番号 No.30/1989,セ ク シ ョ ン II参照 (57)要約 この発明 は、 半導体素子の電極を外部 リ ー ド （ 2 ) に 接続するためのポンデイ ングワ イ ヤ （ 3 ) に関 し 、 該ボ ンデイ ングワ イ ヤ （ 3 ) は 1 〜 5 wt %未篛の C u と、 残 部 A u 及び不可避不純物か ら成り 、 且つ破断強度及ぴ接 合強度に優れ、 1 0 ^ m 程度の綑径に しても信頼性の髙 い接続を得る こ とを可能にする 。
    NNRSSSTTUS
    情報としての用途のみ
    PCTに基づいて公 Wされる国際出厫のバンフレ / ト第 1頁に PCT¾盟国を同定するために使甩される '— ド
    AT オース ト リア FI フ ィ ンラン ド MLマリ―
    AU タニア
    オース トラ リア PR フランス MRモ一リ
    BB , レ, 一 K GA ガボン M マラウィ
    BE GB イギリ ス オランダ
    ベルギ一
    /ルゥェ一
    BG ブルガリァ HU ハンガリ—
    BJ ベナン IT ル一マニア
    イ タリー
    BR JP 曰本 ス一ダン
    ブラジル
    CF スゥヱ一デン
    中央ァフリ力共和国 KP朝鮮民主主義人民共和国
    CG コ ンゴ— R大韓民国 セネがル
    GH: スイ ス LI リ ヒテンシュタ イ ン ソ ビエト逋邦
    LK ス ラン力 チャ ド
    カメル一ン
    DE 西ドィッ LU ルクセンブルダ トーゴ
    D デンマーク MC モナコ 米国
    ES スペイ ン マダガスカル
    PCT 世界知的所有権機 M
    国 際 事 務 局
    特許協力条約に基つ"いて公開された国際出願 国 特許分類 4
    (11)国際公 M番号 WO 89/11161
    H01L 21/60, C22C5/02
    A1
    (43)国際公闋 S 1989年 11月 168(16.11.89)
    (21 ) 国際出顧番号 PCT/JP88 004S3
    (22) 国 lg出願曰 1988年 5月 13S (13. 05. 88)
    (71) 出頃人（米国を除くナベての指定国につ て）
    会社 柏原《«»！^所
    (KASHIWABA MACHINE MPG. CO., LTD. ) CJP/TP]
    =τ582 ； fejaff拍原市; ^展耵1番 22号 Osaka, (JP)
    (72) 発明者：および
    (75) 発明者/出顔人（米国 つ てのみ）
    麵秀儻 (M0RI UNI, Hidenobu)CJP/JP3
    =Γ582 ： teE府柏原市法善寺 1丁目 19香 7号 Osaka, (JP)
    西岡 保 （N'ISHIO A, Mamoru) CJF JI
    干 619-13 京 «W相楽 IKS町字五置市場 52 Kyoto, (JP)
    松本 ¾ C ATSUMOTO, Hi rosh i ) JP/JPJ
    〒636 奈良! ½駒郡 Ξ»ΒΙ立野 3丁目 15香 30号 Nara, (JP)
    B原健治 CFUJIHARA, Kenj i )CJP/JP3
    〒636 奈良県生駒郡ョ»町東信寅ヶ丘 3丁目 6番 6号 Nara, (JP)
    (74) 代理人
    弁理士 生形元重， 外（UBU ATん Motoshi ge et a 1. )
    〒541 大 K¾大阪市東区瓦町 5丁目 44番地 Osaka, (JP)
    (81) 指定国
    DE, US.
    添付公開蒈類 国 報告
    (54) Title: BONDING WIRE FOR SEMICONDUCTOR ELEMENTS
    (54)発 ^の名称 半導体素子用ポンディ ングワイヤ ホ デイン^ィャの破断強度に及
    RELATION BETWEEN Cu CONTENT AND HEAT TREATING TIME CU含有量と熱処理時間の間係 AFFECTING BREAK STRENGTH OF BONDING WIRE
    (57) Abstract 熱処理時間 （分） HEATTNG-TREATING TIME(min)
    A bonding wire (3) for connecting an electrode of a semiconductor element to an external lead (2), which comprises 1 to less than 5 wt % of copper and the balance of gold and unavoidable impurities, and which has excellent break strength and bonding strength to provide reliable connection even in a thickness as small as about 10 μπι in diameter. (57)要約
    バ中べ西ブォブデォスコスカ
    央一 {一ルナルルンンメラィド
    アバスガルスギマンジゴスイイ
    ァリランリクドこア力スリ の発明 は 、 半導体素子の電極を外部 リ ー ド （ 2 ) に 共ァ
    接続す国る た め の ポ ンデイ ングワ イ ヤ （ 3 ) に 関 し 、 該ポ ンデイ ングワ イ ヤ （ 3 ) は 1 〜 5 wt%未満の C u と 、 残 部 A u 及び不可避不純物 か 成 り 、 且つ 破断強度及び接 合強度に 優れ、 1 0 ^ m 程度の細径に し て も信頼性の髙 い接続を得る こ とを可能に する 。
    SS NNRSSTT
    化O DENU
    情報 1 招 み
    PCTに基づいて公閉される国際出願のバンフ レ ッ ト第 1頁に PCTftl盟国を同定するために使用されるコ '
    PI フ ィ ンラン ド ML マ リ一
    FR フ ランス MR モ一リ タニア
    GA 力'ボン Wマラウ イ
    GB イ ギリ ス オ ラ ンダ
    HU ハンカ'リ一 ノ ルゥ 一
    IT イ タ リー ル一マニア
    JP 曰本 ス一ダン
    KP 朗鲜民主主 *人民共和国 スゥ エーデン
    R大鋒民国 セネゲル
    U リ ヒテンシュ タ イ ン ゾ ビェ ト速邦
    L ス リ ラ ンカ チヤ一ド
    LU ルクセンブルダ トーゴ
    MC モナコ US 米国
    MGマダガスカル
    明 棚 発明 の名称
    半導体素子用 ボ ン ディ ン グ ワ イ ヤ 技術分野
    本発 明 は半導体素子の電極 と外部 リ 一 ド を接続す る め に 使用 す る ポ ン デ イ ン グ ワ イ ヤ に 関 す る 。 背景技術
    従来 、 半導休素子の電極 を外部 リ ー ド に 接続 す る た め に 、 A u に 微量の C a， B e , G e な ど を 含有 さ せ た A u 合金 の線径 2 5〜 5 0 ^ m の ヮ ィ ャ 、 す なわ ち ボ ン デ ィ ン グ ワ イ ャ が用 い ら れて い る 。
    こ の ワ イ ヤ を用 い て 半導体素子 と リ ー ド フ レ ー ム を接 続 す る際 に 、 両者 と も超 音波 に よ る圧接か 、 半導体素子 の電極 につ い て は 、 ァ ー ク で 先端を ポ 一 ル ア ッ プ し た 後 熱圧着 す る方法 が と ら れ て い る 。
    し か し な が ら 、 近年 I C よ り ー 窿 の小型化 、 集積化が お こ な わ れ 、 電極数の 増加 の た め 、 現状 ワ イ ヤ 径で は 、 電極 の 占 め る面積 が大き' く な り すぎる こ と が 問題視さ れ る よ o に な つ て き た 。 こ の 問題 を解決 す る た め に は 、 ヮ ィ ャ 径 を細 く する こ と が必要で あ る が 、 現状 の ワ イ ヤ を 細 く し た の で は、 配線時及び使用 中 に 断線の割合が高 く 実用 に 供 し えな い 。 その ため現状 ワ イ ヤで は 、 ボ ンディ ン グワ イ ヤ の特性 と し て は線径 2 0 Ad m 程度が限界であ る とさ れて い た 。
    特開 昭 5 6 — 4 9 5 3 4号公報及ぴ特開昭 P 5 6 — 4 9 5 3 5号公報で は P 1： を 、 3 0 wt % ま で 、 あ る い は P d を 4 0 %まで A u に加える こ と に よ り ヮ ィ ャ の髙強度 化 を はか り 、 細線化を可能 にする と い ぅ 提案 もあ る が 、 合金元素の含有量が ある 限界を越える と ポ ー ルの硬さ が 増 し 、 熱圧着 に必要な荷重が大き く な り 、 I Cの シ リ コ ン チップ に損傷を与える 等の 問題が起き る 。 特開昭 6 0 - 5 9 5 8号公報で は A に異種元素を混入 し た電極 配線 に対 し て良好な熱圧着性を有す る ボ ンデ イ ングワ イ ャ と し て A u基の合金ワ イ ヤ が提案さ れて い る が 、 こ れ も同様の 問題があ り 、 従来か ら 採用 さ れて い る I C、 及 ぴ接合方法を特別 に 変更する こ と な く 、 I Cの小型化 、 高密度化が はかれる新 し い ポ ンディ ング ヮ ィ ャ が求め ら れて い る 。 発明 の 開示
    本発明で は 、 ボ ンディ ン グワ イ ヤ の線径を こ れま で よ り も細 く し て も従来の ワ イ ヤ と同 じ信頼性を持っ た ワ イ ャ を提供す る こ とを 目 的'と する 。 ま た 、 本発明 の他の 目 的 と し て は、 製造時に お い て も強度がつ よ く て極細線 に する こ と が可能で 、 接合時の破断強度 に 優れた 断線の極 め て 少な い半導体素子用 ボ ンディ ン グ ワ イ ヤ を提供 し よ う と す る あので あ る 。
    1
    5
    図面 の簡単な説明
    第 Ί 図 は C u を 含有 し た 本発明 の ボ ン デ ィ ン グ ワ イ ヤ の破断強度 に 関 し 、 C u 含有量 と 熱処理 し 条件 と の 関連 を示 し た グ ラ フ であ り 、
    5 第 2 図 は 、 接合強度測定法の 説明 図で あ る 。 発 明 の実施 す る た め の最良の形態
    本発 明 の ボ ンデ ィ ン グ ワ イ ヤ の特徴 は " F記の と お り で あ る 。
    10 (1) C u を Ί 〜 5 wt %未満 含有 し 、 残部 は A u か ら な る 半導体素子用 ボ ン ディ ン グ ワ イ ヤ 。
    (2) C u を 1 〜 5 wt%未満 と 、 C a , G e , B e , L a , I n の Ί 種 ま た は 2種以上を合計で 0 . 0 0 0 3 〜 0 . 0 1 wt%含有 し 、 残部 は A u か ら な る 半導体素子 用 ボ ン デ ィ ン グ ワ イ ヤ 。
    (3) C u を 1 〜 5 wt %未満 と 、 P t を Ί 〜 5 v/t %未満 含有 し 、 残部 は A u か ら な る半導体素子用 ボ ン デ ィ ン グ ワ イ ヤ 。
    (4) C u を Ί 〜 5 wt %未満 と 、 P t を 1 〜 5 wt %未満
    20 と 、 C a , G e , B e , L a , I n の 1 種 ま た は 2種以 上 を 合計で 0 . 0 0 0 3 〜 0 . 0 1 wt%含 有 し 、 残部 は A u か ら な る半導体素子用 ポ ンデ イ ング ワ イ ヤ 。
    本発 明 の半導体 素子用 ボ ン デ ィ ン グ ワ イ ヤ に お い て 、 A u に C u を 1 〜 5 wt%未満含有 さ せ た 理 由 は 、 C u が
    25 A u に 完全 に 固 溶 す る こ と に よ り 、 母線 の 強度が 向 上す る ばか り か接合強度も髙 く な る か らで 、 こ れ までの ワ イ ャ で はなかなか難 し かっ た線径 2 0 m 以下の細線 に し て も 、 C u が 1 %以上含有さ れていれば 、 破断強度 49 r 以上を満足する こ と が 出来る 。 こ の特徴 は 、 〇 u の含有 量の増加 と と も に強度の上昇が認め ら れる が 、 5 %を越 える と耐食性 に問題を生 じ 、 長時間 を経た後で の信頼性 を損な う 。 ま た 、 G uの含有量が 5 %に達す る と接合時 に 形成 す る ポールの硬さ が増加 し 、 熱圧着 に 必要な荷重 が 大き く な る こ と か ら シ リ コ ン チップに 損傷を与 え る た めで あ る 。
    なお 、 原料 と なる A u 、 .C u は不純物 の含有量が多 い と 製品 の特性が不安定 と なる こ と と 、 細線化や接合時に 破断の原因 となるので 、 9 9 . 9 %以上の高純度 と す る こ と が好 ま し い 。
    C u の 含有に よっ て この よ う な効果が得 ら れる の は 、 固溶体強化 と規則格子の生成に よっ て い る と 推察さ れる な お 、 P t は、 この効果を助長する働き を す る 。 そ の含 有量は 、 Ί 〜 5 wt%未満の範囲で 、 それ未満で は効果が な く 、 上限を越える と延性の減少や ポ ー ルの硬さ の増加 と い う 不都合が生ず る 。
    伸線時 に導入さ れた加 ·Ι歪を除き 、 適度な延性 と 十分 な強度を保持す る ため に 、 2 0 0〜 6 0 0 °Cの温度 と適 切 な 時間 の熱処理を行う こ と が望ま し い 。
    伸線 ま ま の翊線は延性 （ 伸び ） が な く 、 ま た加 工歪の た め カ ールが強 く 、 使用 に供せない こ とが あ る ので通常 は 焼な ま し 熱処理を行 う 。 熱処理の 温度が高い ほ ど 、 長 時 間 で あ る ほ ど強度が低下 し 、 延性が大き く な る の が一 般 的で あ る が 、 そ の程度 は合金成分 の含有量 に よ っ て 異 な る ので 、 線径 と 成分 に 応 じ た 熱処理条件を選ぶ必要が あ る 。 ま た 、 こ の熱処理 に よ っ て 耝锾の再結晶 、 粒成長 が 進行 す る が結晶粒径が線径 に 近づ く と 強度 、 延性 と も に い ち じ る し く 低下す る た め 、 熟処理条件の選定 は細径 ワ イ ヤ の場合 は特 に重要で あ る 。
    第 1 図 は 、 C u を 含有 し た 線径 1 0 m の ワ イ ヤ で 4 gr以上 の破斷強度 を確保 す る 熱処理条件を示 し た グ ラ フ で あ る 。 実線 は 4 0 0 eC 、 破線 は 2 0 0 で処理 し た 場 合を示 し て い る 。
    ま た 、 特 に 、 従来の金ボ ン デ ィ ン グ ワ イ ヤ の 添加 に も 用 い ら れて い る C a , B e , G e , L a , I n の 添加 は 本発 明 の ポ ンデ イ ン グ ワ イ ヤ の接合強度を 向 上さ せ る 。 こ の 目 的の た め に 、 こ れ ら の元 素の 1 種 ま た は 2 種以上 を合計で 0 . 0 0 0 3 〜◦ . 0 1 wt%の 範 囲で 添加 す る こ と が で ぎ る 。
    本発 明 の ポ ンデ イ ン グ ワ イ ヤ は 、 真空 溶解炉等を 用 い て 本発明 に し た がっ た 化学成分の A u合金を 溶解 し 铸造 し た 後 、 線引 、 熟処理等-を お こ なっ て 所望 の線径の ワ イ ャ に 製造さ れる 。
    つ ぎ に 、 本発 明 の効 果 を 明瞭 に す る 実施例 を 説明 す る 純度 9 9 . 9 9 % の 高純度 A u と 純度 9 9 . 9 %の高 純度 C u を用 い 、 第 Ί 表 の よ う な元 素 を 添加 し た 材 料を 真空溶解炉で溶製 し 、 線引、 熟処理をお こ なっ た 。 線径 は 1 0 m 、 一部 は 、 1 2
    2 5 m 、 3 0 m であ る
    引っ張り 試験 はゲ ー ジ長 1 0 0 雕の試験片を用 いた 。 接合強度は第 Ί 図 に示す よ う に S i チップ 1 と リ ー ド フ レー ム 2 に接合 し た ポ ンデイ ングワ イ ヤ 3 を図 に示す よ う に矢印方向 に 引 っ張り 、 そ の ときの破断強度を測定 し た 。 ワ イ ヤ の破 ϋ荷重 、 伸び と接合後の破新強度を比較 材 と対比 し た第 1 表 に示す
    第 1 表か ら 明 ら かなよ う に 、 本発明 ワ イ ヤ は 、 細径に も かかわ らず破断強度及び接合強度が優れて い る こ と が わかる 。 ま た 、 従来の ポ ンデ イ ングワ イ ヤ と同様の線径 で使用 す れば 、 よ り 強度の高い ワ イ ヤ が得 ら れる 。
    1 表 化学成分 (wt%) 繃 引 張 試 験 】5 CJ I の "ノ
    翻
    AU CU Ρΐ Ca Ge Be し 3 I n ( f/m "リ) 破断強度 (g) 仲びは） V y /
    jiHiyy I 残 1 in 4.1 1 1 ¾ 200°Π 1
    " L 残 1.2 1 10 4.4 4 ？ , ftリ t-Vu j il J
    /; 2 0.0004 i 1nJ 4.3 6 3？ n
    ；； A 2 0.0008 0眉 0.0024 1 10 4.2 5 ¾
    残 3 i 1n w 4.7 12 3 ft £·、,、, j 1 t
    „ " a o 残 4 0.0042 10 6.4 9 , Λ 1 ft
    ；； 7 残 4 2 0.0011 0.0042 0.0018 0.0014 0.0012 1 10 V 1.1 7 4 /1 // n 8 2 4 0.0028 15 12.2 3 4.7 //
    " 9 残 2 0.000J 0.0012 15 10.5 3 4.9 /
    " 10 残 2 3 19 17.4 11 5.4 220ΌΧ15
    " 11 2 3 0.0062 19 17.4 11 5.4 220ΌΧ15
    " 12 2 0.0028 15 10.2 3 4.7 ；；
    " 13 残 2 0.0022 25 19.3 8 6.7 n
    " 14 残 2 0.0043 30 24.4 5 10.2 //
    " 15 3 15 13.2 4 6.8 450ΌΧ 5
    " 16 残 3 0.0008 0.0021 0.0013 19 17.3 5 8.7
    1 つづき
    接合後の I Cチップに ϋί0が認めら
    産業上 の利用 可 能性
    以上 説明 し た よ う に 、 本発明 ワ イ ヤ は 、 破断強度及び 接合強度 に 優れ 、 特 に 、 従来の ワ イ ヤ に対 し て 、 1 0 U m の よ う な細径 に し て.も従来の ワ イ ヤ以上 に 信頼性の 高 い ワ イ ヤ と し て 高集積化 し た L S I の小型化 に 役立つ あ ので あ る 。
    权利要求:
    Claims請 求 の 範 囲
    1. C u を 1 〜 5 wt%未満含有 し 、 残部は A u と不 可避不純物か らなる半導体素子用 ボ ンディ ングワ イ ヤ 。
    2. C uを 1 〜 5 wt%未満 と 、 C a . G e . B e ,
    L a , I nの 1 種 ま た は 2種以上を合計で 0. 0 0 0 3 〜 0. 0 1 wt%含有 し 、 残部は A u と不 可避不純物 か ら なる半導体素子用 ボ ンディ ングワ イ ヤ 。
    3. C uを 1 〜 5 wt%未満 と 、 P t を "！ 〜 5 ^%未 篛含有 し 、 残部 は A u と不可避不純物 か ら な る 半導体素 子甩ポンデイ ングワ イ ヤ 。
    4. C u を 1 〜 5 wt%未満 と 、 卩 1:を "1 〜 5 1；%未 篛 と 、 C a , G e , B e , L a , I nの Ί 種 ま た は 2種 以上を合計で 0. 0 0 0 3〜 0. Ο Ί %含有 し 、 残部 は A u と不可避不純物 か ら な る半導体素子用 ボ ンデ ィ ン グワ イ ヤ 。
    5. 線径が 2 0 m 以下であ る諮-求項 Ί 〜 4 の いず れかに記載の半導体素子用 ボ ンデ ィ ング ワ イ ヤ 。
    6. 破断強さ が 4 gr以上で ある請求項 1 〜 4 の いず れかに記載の半導体素子用 ボ ンディ ングワ イ ヤ 。
    7. 線径が 1 5 m 以下で破新強さ が 49 r以上であ る請求項 1 〜 4の いず れか に記載の半導体素子用 ポ ンデ イ ングワ イ ヤ 。
    类似技术:
    公开号 | 公开日 | 专利标题
    US10174406B2|2019-01-08|Copper alloy plate and method for producing same
    US9103001B2|2015-08-11|Ag—Au—Pd ternary alloy bonding wire
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    同族专利:
    公开号 | 公开日
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    引用文献:
    公开号 | 申请日 | 公开日 | 申请人 | 专利标题
    法律状态:
    1989-11-16| AK| Designated states|Kind code of ref document: A1 Designated state(s): DE GB KR US |
    1989-12-28| CFP| Corrected version of a pamphlet front page|Free format text: THE BIBLIOGRAPHIC DATA RELATING TO PCT/JP88/00463 REPLACED BY THE BIBLIOGRAPHIC DATA RELATING TO PCT/JP89/00463 |
    1990-02-08| COP| Corrected version of pamphlet|Free format text: PAGES 1-10,DESCRIPTION,REPLACED BY NEW PAGES 1-9,PAGE 11,CLAIMS,REPLACED BY NEW PAGE 10,AND PAGES 1/6-6/6,DRAWINGS,REPLACED BY PAGES 1/2-2/2 |
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    SG122193A| SG122193G|1988-05-02|1993-11-10|Bonding wire for semiconductor element|
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