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    公开号:WO1989003127A1
    申请号:PCT/JP1988/000987
    申请日:1988-09-28
    公开日:1989-04-06
    发明作者:Yoshio Murakami；Tadashi Sugihara；Takuo Takeshita
    申请人:Mitsubishi Kinzoku Kabushiki Kaisha；
    IPC主号:H01L39-00
    专利说明:
    [0001] m糸田 ^
    [0002] 超伝導体配線の構造およびその形成方法
    [0003] 技術分野
    [0004] 本発明は超伝導体配線に関し、 特に、 .超伝導体セラミ ックの配線 構造およびその製造方法に閡する。 背景技術
    [0005] 超伝導体の酉 δ線搆造に関する典型例は、 山中らによ り、 電子材料 1 9 8 7年 8月号、 第 2 6巻、 第 8番、 第 8 9頁〜第 9 2頁の 「ァ ルミナ基板上の超伝導配線技術」 と題する記事に報告されている。 この記事によると、 第 1 図に示されているよ うに、 複数の配線体 1 0 0が、 通常のアルミナ基版と F G A (F i n e G r a i n e d A 1 u rn i n a ) 基板 1 02上にそれぞれ印刷された複数のベ一 ス ト体を焼成する こ とによ り形成され、 そのベ一ス ト は：ィ ッ 卜 リ ゥ ムーバリ ウム一銅酸化物の粉末を有檨ビヒクル中に混合して準備さ
    [0006] 'れたものである。 複数の酉 1 0 0は通常のアルミナ基扳と F G A基板 .1 0 2とに直接印刷されており、' 酉 S線体 1 0 0に 、 何等保 護膜を付与していない。 通常のアル - :ミナ基板 1 0 2は F G A基板に 比べると純度において劣ってお り、 それ钕、 通常のアルミ ナ基板 かなりの 純 が含まれている。' ' '
    [0007] 'しかしながら、 上記従来の超伝導体配線 1 0 0はその安定性にお いて問題を含んでいる。 すなわち、 配線本 1 0 0は比較的短期間の 内に超伝導性を失う傾向があ り、 それ故、 それらの記鎳体 1 0 0で は電流経路が遮断ざれてし ま う ことになる。
    [0008] また、 別の従来の超伝導体配線はスバッタ リング技術を使用して 形成される。 .すなわち、 ィ ッ ト リウム一ノ リ ウムー錕馥化物のター ゲッ ト を真空中でスバッ タ リングしてアモルファス状態の超伝導体 物質層を形成し、 このァモルフ ァス^態の超伝導体物質層をアルコ' ンガス雰囲気 Φで摂氏約 9 0 0度に加熱し て結晶化していた。 しかしながら、 上記別の超伝導体 ¾線は高温ァニール工程で結晶 化していたので、 酸素が超伝導体物質層から揮発し、 所定の紐成比 の超伝導体セラミ ックが得られないという問題点があつた。 超伝導 体セラミックの臨界温度 T c はその發素の組成比にかなり支配ざれ るので、 揮発する酸素量を制御しがたいァニール工程を必要とする スパッタリングでは、 超伝導体セラミ ックを所定の組成比で再現' i生 よ く形成できない。
    [0009] したがって、 本発明の目的は長期間超伝導 ϊ犬態に留まれる超伝導 体配線の镜造を提供する ことである。
    [0010] また、 本発明の別の目的は組成比を制御し易い超伝導体配線攆造 の製造方法を提供するこ とである。 発明の闆示 . 本願発明は超伝導体セラミックの £線体を上記超伝導 ί本セラミ ッ クに含まれる元素のいずれか 1 つを欠いた絶緣锊中に形成し、 配镍 体を絶縁锊で保護するもので.ある。 . '
    [0011] したがって、 本発明の第 1 の観点によると、 スカンジウムとイ ツ ト リ ウムとランタノィ ド との群から選択された少な く とも ！ つの元 素と、 少なく とも Lつのアルカ リ土類金属元素と、 鋇と該素との 4 つの元素の内から選択された 3つの元素を含む化合'锈で作られた絶 緣《本と、 該絶緣 によ り電気的に分離ざれ、 スカンジウムとイ ツ 卜 リウムとランタノィ ドとの群から選択された少なく とも I つの元素 と、 少なく とも 1 つのアルカリ土類金眞元素と、 錕とも含む酸化锊 で作られた超伝導体セラミックの 線体とを備えた超沄導 j$ IE線の 構造が提供される。
    [0012] また、 本発明の第 2の観.点によると、 ス力ンジゥムとィ ッ ト リ ゥ ムとランタ ノイ ド との群から選択された少なく とも 1 つの元素と、 少なく とも 1 つのァル力 リ土類金属元秦と.、 鎮と篛素と 0 4 つの元 素から選択された 3つの元素を含む化合物で作られた铯緣体で 緣 層を形成する工程と、 上記絶緣層に配線形成領域を画成する工程と、 上記配線形成領域に上記 4つの元素の内上記絶緣体に含まれない元 素をイオン注入して超伝導体セラミ ックの配線体を形成する工程.と を備えた超伝導体配線の製造方法が提供される。 ' 上記スカンジウムとイ ツ 卜 リ ウムとランタ ノィ ド との群から 2以 上の元素が選択されてもよ く、 上記アル力 リ土類金属から も 2以上 の元素が選択されてもよい。 図面の簡単な説明
    [0013] 第 1 図は山中らによ り報告ざれている配線構造の断面図、 第 2図 〜第 6図は本発明の第 1 実施例に係る超伝導体^線構造を形成する ための一連の工程を示す ^面図、' 第 7図〜第 1 1 図は本発明の第 2 実施例に係る超伝導体配線構造を形成するための一連のェ程を示す '断面図、 第 1 2図は本発明の第 3実施例に係る超伝導体 鎳镌造を 示す靳面図、 第 1 4図〜第 1 7図は本発明の第 4実 ^倒に係る超伝 導 ί本配線構造を形成するための一違の工程を示す断面図、 第 1 8 図 は本発明の第 5実施例に係る超伝導体配線構造を示す ^面！]である。 発明を実跑するための最良の形態
    [0014] 第 1 実施例 "
    [0015] 最初に第 2'図〜第 &図を参照して、 本発明を薄膜集積回路の配線 層に適周する例を説明する。
    [0016] 参照番号.1 は半導体、 例えば単結晶シ リ コ ンの基扳を示し てお り、 この.芋導佑基板 1 Q表面には絶緣層 2、 例えば二酸化シリ コン屠が 成長されている。 この絶緣層 2の一部は除去されて半導体基板 1 の 表面が露出されており、 この露出した表面上でソース電極 3 と ド レ イ ン電極 4 とが約 0 . 5 ミク口ンの間隔をおいて対向し ている。 こ れらのソース電極 3 と ド しイ ン電極 4 と露出 している半導体墓扳 1 の表面とは絶緣層 5で被われており、 上記約〔）.' 5 ミ グ ンの問隔 上の铯緣層 5上に後述する一違の工程を経て超伝導体セラ ミックの ゲー ト電極が形成される。 この段階における中間構造を第 2図に示 す。
    [0017] 次に、 スカンジウムとイ ッ ト リウムとランタノィ ド の群から選 択された 1 つまたは複数の元素と、 1 つまたば複数のアル力リ土類 金属と、 銅とを含む化合物のターゲッ ト を準備し、 このターゲッ ト を真空中でスパッ タ リングしてアモルファス状態の ¾線層 Sを絶緣 層 5上に被着する。 上記ターゲッ ト には意図的に篛素を含めていな いので、 IH線層 6'は發素を含まないか、 含んでいてもきわめて少量 である。 次に、 配線層を高温雰'圏気中に匱き、 ァニールして結晶化 を図る。 上述のように、 この段階では、 配線層 6ば篛素を含'まない ので、 上記高温ァニール中にその組成比が変化することはない。 、、 に、 第 3図に示されているように配線層 6上にホト レジス ト 7が塗 布され、 このホ ト レジス ト 7は一違のリソグラフ ィ工程を IIてパ ーン形^され、 マスク層 8が形成される。 この段階の申間镎造は第 4図に示されてい:る。 '· . かようにしてマスク層 8が形成されると、 配線層 6は第 5図に示 ざれ.ている ように反応性イオンエツチングで選択的に除去ざれて配 線!本 9が形成される。 この配線体 9の蝠は約 0 . 5 ミク πンでるる。 配線体 9:の形钛が規定されると、 マスク層 8が除去ざれ、 謖素が I 籙体 9にイ オン注入ざれる。 ここでイオン注入ざれる篛素は 定の 超伝導俸セラミ ックの組成を得るのに必要な量であ り'、 本実施例で はィオン注入後の超伝導 ^セラミックは分子式 （ Y b 3 . 3 a ） C u 3.0 ύで表される紐成比を有する。 このよ うにし てイオン注入 が実行されると、 · 摂氏約 5 0 0度でァニールざれ、 第 6図に示され ている超伝導体セラミ ックの配線体 1 0が得られる。 このように、 イオン注入後のァニールはスパ ッタ リング後のァニールに比へる と 低^であ り、 酸素の揮癸による組成の変化は ^視できる。
    [0018] なお、 ソース電極 3 と ド レイ ン電極 4とをイオン注入から保護す るために、 絶緣層 5の厚さを大き く してもよい。
    [0019] 上記一達の工程により形成された超伝導体セラミ ックの配線体 1 0は電界効果形ト ランジスタのゲー ト 電極と して機能する。 このゲ 一ト電極に印加される電圧を制.御する と、 半導体界面のキ ヤ リァ濃 度は増加し、 ゲー ト電極から しみだした波動関数の広がり も増加す る。 その結果、 ソース電極 3からの波動関数と ド レ イン電極 4から の波動関数とは重なるよ うになり、 半導体界面は超伝導状態になる。 従って、 ゲー ト電極の電圧を制御して、 半導体界面を超伝導状態と 常伝導状態との間で切り換え、 ト ランジスタ動作を実現することが でき る。
    [0020] なお、 上記実施例では、 半導体基板を単結晶シリ コ ンと したが、 インジウム 0素のような化合物半導体と してもよい。 また、 上記実 施例ではパターン形成にリ ソグラフ ィ技術を使^したが、 ί¾の方法 でパターン形成してもよ く。 配線層も,スパッ 夕リ ング以外の方法、 ' 例えば、 三源蒸着法、 イオンプレイティ ング法を使, してもよい。 更に、 ' ¾線体 よヽ スカンジゥムとイ ツ ト リウムとランタノ ィ ドとの 群'から選択された複数の元素と、. 複数のアルカリ土類金属と、 鋸と の酸化物で構成ざれてもよ く、 かかる酸化饬を例示すると、 分子式 ' ( G d ε . 5 Hps . 5 ) i , a ( Β 'a ε .？ S r s . 2 . C u s . ø 0 ·=. . で表され る.酸化 ¾や、. 分子式 ( E； r ε , & S m ø . ί ) ·:·... : ( Β a e , * = C a 3 . 2 -:〉 ：
    [0021] . 3 C U S . 8 0 9で表される酸化 であ'る。 第 2実^例
    [0022] 次に、 第 7図〜第 1 1 図を'参照してィ ッ ト リ ウム安定化ジルコ二 ァ基.板 1 1 上に厚膜集積回路 Q配線を形成する例を説明.する。 ま ず、 第 7図に示されているよ うに、 イ ッ ト リウム安定化 ·ジルコニァ基板 1 1 上に絶緣層 1 12を形成する。 この絶緣層 1 2はィ ッ ト リ ゥと銷 との酸化物であ り、 例え'ば、 スク リーン印刷でパターン形成 れる c 次に、 第 8図に示ざれているよ うに、 絶緣層 1 2上にホ ト レ ジス · 1 3を塗布する。 ホ ト レジス ト 1 3の厚さは後述するィオン注入ェ 程で絶緣層 1 2中の配線形成予定領域以外の部分を注入されるィォ ンから保護するのに足り る厚ざにする。
    [0023] 次に、 リソグラフ ィ技術を使用してホ ト レジス ト 1 3を部分的に 除去し ΪΕ線形成予定領域を露出させる間口 1 4を設ける。 このよう にしてホト レジス トのマスク餍 1 5が第 9図に示されているように 形成される。 続いて、 配線形成予定領域にバリウムイオンを注入す る。 イオン打ち込みは本実施例の場合、 出力約 2 0 0 K e Vで実旖 されるので、 バリウムイオンは絶緣層 1 2中に約 3 5 0オングス ト ロームの深さに達する （第 1 0図参照） o したしながら、 配線形成 予定領域以外はマスク層 1 5で被われているので、 バリウムイオン は注入されない。 また、 バリウムイオンを約 1 0 0 0オングス ト 口 一ムの滢ざに打ち込むには、 イオン注入機の岀カは約 I M e Vに設 定される。 .
    [0024] イオン注入後、 マスク層 1 5は絶緣層 1 2上から除去され、 ^入 ざれたイオンを活性化するために摂氏約 5 0 0度で低^ァニールを 実旖する。 その锗杲、 イオン打ち込みによる餒素不足も薛消されて 第 i 1 図に示されているようにイ ツ ト リゥムーバリゥムー錕馥化 の超伝導体セラミ ツクの 12線本 1 6が絶緣層 1 2中に形成される イオン注入で打ち込まれたバリ ゥムの分布は近似的にガウス分布と なる。 したがって.、 上述のよう に 力約 2 0 0 e Vでバリウムを 打ち込むと、 溧さ約 3 5 0オングス ト ロームに最大値を有するガ ス分布になり、 第 1 1 図に示されているように、 配線体 1 6は絶緣 像 1 2中に形成ざれる。 その結果、 15線体 1 6は空気中の水蒸気や ニ發化炭素の影響を受けにく く、 長 間にわたり超伝導祅態を示す ことになる。
    [0025] なお、 上記実 ¾例では、 絶緣層 1 2を基板 1 1 上に形成したが、 絶緣層を基板と兼 ¾してもよい。 また、 絕緣層をバリウムと錕との 篛化 Jとし、 イ ッ ト リ ウムをイオン注入してもよ く、 更に、 铯緣層 をイ ッ ト リ ウムとバリウムとの酸化物と し、 銅をィオン注入しても よい。 更に、 イオン打ち込み時に、 イオンビームを収束させ、 該ィ オンビームで絶緣層に直接回路パターンを描いてもよい。 この直接 描画とィ ッ ト リウムー銅酸化物の蒸着とを繰り返し、 3次元の回路 パターンを形成してもよい。 第 3実施例
    [0026] 第 1 2図は本発明の第 3実施例に係る超伝導体配線の構造を示す '断面図である。 本実施例では、 イ ッ ト リウム安定化ジルコニァ基板 2 1 上にイ ツ リ ゥムと銅との酸化物からなる絶緣層 2 2をスク リ ーン印刷し、 配線形成予定領域を除きマスク層 （不図示） で被う。 この後、 配線形成予定領域にバリウムをイオン注入する。 このィォ ン注入時には、 出力ェネルギを段階的に変化させ絶緣層 2 2の深さ 方向に延びる配線体 2 3 を形成する。 本実施例では、 イオン注入機 の出力エネルギは約 5 0· K e V、 約 1 0 0 K e V、 約 3 0 0 K e V の 3 '段階に変化させる。 その結杲、 互いに異なる 3 つのガウス分布 を重畳し.たプ フ ァィルになり、 絶緣層 2 3 の表面に露出した酉 S線 体 2 3が形成される。 第 4実施例..' ... · . . .
    [0027] 次に、 第 1 3図 第 1 7図を参照して本発明の第 4実旛例を説明 する。 第 4実施例に係る超伝導 本配線構造はィ ッ ト リウム安定化 iン ルコニァ基板 3 1 上に以下に説明する工程を経て形成される。 す わち、 まず第 1 3図に示ざれているよ うに、 ィ ッ ト リ ゥム安定化ジ ルコニァ基板 3 1 上に絶緣層 3 2を、 例えば、 スク リ一ン印刷で形 成する。 この絶緣層 3 2 はィ ッ トリゥムーパ'リゥ.ム一銅の ¾化物で あるが、 該酸化物中の酸素の組成比は、 上記酸化物が使用 度で超 伝導状態にならないよう に選択され.ている。 - 次に第 1 4図に示ざれている よ うに、 絶緣層 3 2上にホ し ジス ト 3 3を塗布し、 ホ ト レジス ト 33は通常のリソグラフィ技術でパ ターン生成ざれて第 1 5図に示されているように配線形成領域を露 出する閲ロ 34を形成する。 このホト レジス ト 3 '3の厚さは、 上記 IS線形成領域以外の絶緣層 32に後述するィオン注入工程で酸素が ほとんど到違できないよう選定する。 このようにしてホト レジス ト
    [0028] 33から開口 34を有するマスク 35が作られると、 第 1 6図に示 されているように、 酸素が配線形成領域に注入され、 記鎳形成領域 は使用^度で超伝導状態を示す酸素の組成比になる。 本実施例の場 合は、 イオン注入エネルギは約 50 K e Vに設定され、 酸素の分布 は絶緣屠 3 2の表面から約 60 0オングスト ロームの溁さで最大濃 度となる。 イオン注入ェネルギは最大濃度の現れる 1さにより変更 され、 例えば、 絶緣層 32の表面から約 30 00オングス ト ローム の溁さに濃度分布の最大値を形成するには、 ィオン注入エネルギを 約 2 00 K e Vに設定すればよい。 上記イッ ト リウム一バリウム一 錫の篛化物では、 分子式 Y.3 a 2. ø C us.sO ÷で袠される餒化 は 铯対 ¾度約 83度で超伝導状態を示すが、 分子式 Y B a sC u ;.: 0 ε.；で表される酸化 ¾は上記絶対 ¾度約 83度では超伝導状態を示 さず、 分子式 Y B a 2.2 C u s.a Os.sで表される發化锊は絶対 度約
    [0029] 40度で超伝導钛態を示す。 したがって、 度を絶対温度約 4 0度に設定するなら、 2番目の篛化 と第 3番目の酸化 ¾とで絶 緣層と配線本を形成すればよく、 使^温度を絶対^度約 8 3度に設.' 定すれば第 1番目の餒化物と第 2番目も酸化锊とを利 すればよい。
    [0030] この後、 マスク 35は除去ざれ、 低温ァニールが実施される c そ の結果、 第 1 7図に示されているように超 ¾導体セラミックの IH線 本3 6が絶緣層 3 2中に形成される。 ' 第 5実施例
    [0031] 1 8図には、 本発明に係る超伝導体 IE線の第 5実施例が示さ a ている。 第 1 8図【こ示さ た超伝導体配線搆造はィ ッ ト リゥム安定 化ジルコニァ基板 4 1 上に形成されており、 超伝導体セラ ミ ックの 配線体 4 2は絶縁層 4 3の表面に露出している。 かかる構造を形成 するには、 イッ ト リウム安定化ジルコニァ基板 4 1 上に絶縁層 4 3 をスク リーン印刷し、 '配線形成予定領域'を除きマスク層 （不図示） で被う。 絶緣層 4 3はイ ツ ト リ ゥムーバリゥムー銅の酸化物である が、 酸化物中の酸素の組成比は、 上記酸化物が使用溫度で超伝導状 態にならないように選択されている。 この後、 配線形成予定領域に 酸素をイオン注入する。 このイオン注入時には、 出力エネルギを段 階的に変化させ絶緣層 4 3の溁さ方向に延びる配線体 4 2 を形成す る。 本実施例では、 イオン注入機の出力エネルギは約 5 K e V、 約 1 0 K e V、 約 3 0 K e Vの 3段階に変化させる。 その結果、 互い に異なる 3つのガウス分布を重畳したプロフ ァィルになり、 絶緣層 4 3の表面に露出した配線体 4 2が形成される。 配線体 4 2は絶緣 層 4 3の表面から約 1 0 0 0オングス ト ロ一ムの溁さ までほぼ一定 の濃度分布となる。 産業上の利 ^可能性 、
    [0032] 本発明の超伝導体配線構造およびその製造方法は、 ¾獏集積回路 の配線体および厚膜集積回路の蓄 g線バターンに適^できる。
    权利要求:
    Claims言青 求 の 範 固
    1 . スカンジウムとイッ ト リウムとランタノイ ドとの群から選択ざ れた少なく とも 1 つの元素と、 少なく とも 1 つのアルカリ土類金属 元素と、 銅と酸素との 4つの元素の内から選択された 3つの元素を 含む化合物で作られた絶緣体と、
    該絶緣体により電気的に分離され、 スカンジウムとイツ ト リウム とランタノイ ドとの群から選択された少なく とも 1 つの元素と、 少 なく とも 1 つのアルカリ土類金属元素と、 銅とを含む酸化 ¾で作ら れた超伝導体セラミックの IB線体とを備えた超伝導 ί本配線の構造。
    2 . 特許請求の範囲第 1項に記載された超伝導体配線の搆造におい て、 上記絶縁体はスカンジウムとイッ ト リウムとランタノィ ドとの 群から選択された少なく とも 1 つの元素と、 少なく とも 1 つのアル 力リ土類金属元 '素と、'銅との化合物である。
    3 . 特許請求の範囲第 1項に記载ざれた超伝導体配線の構造におい て、 上記絶緣本はスカンジウムとイツ ト リウムとランタノィ ドとの 群から選択ざれた少なく とも 1 つの元素と、 少なく とも 1 つのアル 力リ土類金属元素と、 鍔との内から選^された 2つの元素を舍む篛 化锊である。
    4 . 特許請求の範囲第 3項に記载ざれた超伝導体記線の構造におい て、 上記絶緣.体 イッ ト リウムと銅とを含む酸化 ¾であり、 上記 g 伝導体セラミックはイッ ト リウムとバリゥムと鋸とを含む篛化 ¾で
    5 - 特許請求の範園第 3項に記載された超沄導^ ^線の構造におい て、 上記超伝導体セラミック © 15線体は上記絶緣体の内部に-形成さ れ いる。 .
    6 . 特許請求の範囲第 3項に記載されている超伝導体 IE線の構造に おいて、 上記超伝導対セラミックの IE線本は上言己絶緣体の表面に露 出している。
    7 . 特許請求'の範囲第 1項に記載された超伝導体配線の搆造におい て、 上記絶緣体は上記超伝導体セラミ ックに含まれる酸素とは異な る組成比で酸素を更に含んでいる。
    8 . スカンジウムとイ ッ ト リウムとランタノ イ ドとの群から選択さ れた複数の元素と、 複数のアルカリ土類金属元素と、 '銅と酸素との 元素の内から選択ざれたいずれか 1 つの元素を欠いた化合物で作ら れた絶縁体と、
    該絶緣体によ り電気的に分離され、 スカンジウムとイ ツ ト リウム とランタノ ィ ドとの群から選択された複数の元素と、 複数のアル力 リ土類金属元素と、 銅とを含む酸化物で作られた超伝導体セラ ミ ッ クの配線体とを備えた超伝導体配線の構造。
    9 . スカン：ジゥムとイ ッ ト リウムとランタノ イ ドとの群から選択さ れた少なく'とも 1 つの元素と、 少なく とも 1 つのアル力リ土類金属 元素と、 銅と酸素との 4つの元素から選択された 3つの元素を含む 化合物で作られた絶緣体で絶緣層を形成するェ程と、
    .上記絶緣層に配線形成領域を画成する工程と、
    ' 上記 .配線形成領域に上記 4つの元素の内上記絶緣 に舍まれな 、 元素.をィオン注入して超伝導体セラミ ックの配線体を形成する工程 とを備えた超伝導体配線の製造方法。 '
    1 0 . 特許請求 G)範囲第 9項に記载された超伝導体 S線の製造方法 において、 上記 線形成領域は上記絶緣層をハ'ターン形成して画成 する。
    1 1 . 特許請求の範囲第 1 0項に記載された超伝導 ί本配線の製造方 法において、 上記配線形成領域はィォン注入後に低 ^ァニールされ る。
    1 2 . 特許請求の範囲第 9項に記载された超伝導体配線の製造方法 において、 上記配線形成領域は上記絶緣層上に形成されたマス ク層 から露出して画成されている。 .
    1 3 . 特許請求の範囲第 1 2項に記載ざれた超伝導体配線の製造方 法において、 上記絶緣体はイ ッ ト リウムと鋸との酸化物であ り、 該 酸化物中にバリウムがイオン注入される。
    1 4 . 特許請求の範囲第 1 3項に記载ざれた超伝導体配線の製造方 法において、 上記ィオン注入は所定の単一注入エネルギで実施され る。 '
    1 5 . 特許請求の範囲第 1 4項に記载された超伝導体 線の製造方 法において、 上記単一注入エネルギば約 2 0 0 K e Vである。
    1 6 . 特許請求の範囲第 1 3項に記载された超伝導本¾線の製造方 法において、 上記イオン注入は注入エネルギを変化さ^て実施され
    。
    1 7 . 特許請求の範囲第 1 6項に記載された超伝導 ί本配線の製造方 法において、 上記注入エネルギは約 5 0 K e Vから約 3 0 0 K e V に変化する。
    1 8 . スカンジウムとイッ ト リウムとランタノイ ドとの群から選択 された少なく とも 1つの元素と、 少なく とも 1つのアル力リ土類金 属元素と、 鋼との酸化饬であって、 動作温度において電気的に絶緣 ^態に留まる絶緣餍を形成する工程と、 .
    上記絶緣層に IE線形成領域を画成する工程と、
    上記 IS鎳形成領域に酸素をィオン注入して超伝導体セラミックの 配線依を形成する'工程とを備えた超伝導 i本配線の製造方法。
    1 9 . 特許請求の範囲第 1 8項に ϊδ载された 伝導体 IS線の製-造方 法において、 上記 ΪΗ線形成領域はイオン注入後に低温ァニールされ る。
    2 0 . 特許請求の範囲第 1 9項に記載された超伝導 ί本記線の製造方 法において、 上記配線形成領域は上記絶緣層上に形成されたマスク 層から露岀して画成ざれている。 · 2 1 . 特許請求の範囲第 2 0項に記载された超伝導体配線の製造方 法において、 上記イオン注入は所定の単一注入エネルギで実施され る。 -'
    2 2 . 特許請求の範囲第 2 1項に記载ざれた 云導体記線の製造方 法において、 上記単一注入エネルギは約 5 0 K e Vである。
    2 3 . 特許請求の範囲第 2 0項に記载ざれた超伝導体配線の製造方 法において、 上記イオン注入は注入エネルギを変化させて実施され る。 ，
    2 4 . 特許請求の範画第 2 3項に記載された超伝導体配線の製造方 法において、 上記注入ェネルギは約 5 K e Vから約 3 0 K e Vに変 化する。 -
    类似技术:
    公开号 | 公开日 | 专利标题
    Lee et al.2000|Thermal stability and electrical characteristics of ultrathin hafnium oxide gate dielectric reoxidized with rapid thermal annealing
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    同族专利:
    公开号 | 公开日
    EP0338084A4|1989-12-14|
    EP0338084A1|1989-10-25|
    引用文献:
    公开号 | 申请日 | 公开日 | 申请人 | 专利标题
    法律状态:
    1989-04-06| AK| Designated states|Kind code of ref document: A1 Designated state(s): KR US |
    1989-04-06| AL| Designated countries for regional patents|Kind code of ref document: A1 Designated state(s): AT BE CH DE FR GB IT LU NL SE |
    1989-05-12| WWE| Wipo information: entry into national phase|Ref document number: 1988908375 Country of ref document: EP |
    1989-10-25| WWP| Wipo information: published in national office|Ref document number: 1988908375 Country of ref document: EP |
    1993-06-19| WWW| Wipo information: withdrawn in national office|Ref document number: 1988908375 Country of ref document: EP |
    优先权:
    申请号 | 申请日 | 专利标题
    JP62/248773||1987-09-30||
    JP62248773A|JPS6490574A|1987-09-30|1987-09-30|Formation of superconductor wiring|
    JP62/305370||1987-12-01||
    JP62305370A|JPH01145879A|1987-12-01|1987-12-01|Structure and manufacture of superconductor wiring|
    JP62332982A|JPH01171243A|1987-12-25|1987-12-25|Structure of superconductor interconnection and formation thereof|
    JP62/332982||1987-12-25||KR8970937A| KR930001567B1|1987-09-30|1988-09-28|초전도체 배선의 구조 및 그 형성방법|
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