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    公开号:WO1989001632A1
    申请号:PCT/DE1988/000488
    申请日:1988-08-08
    公开日:1989-02-23
    发明作者:Wolfgang Ehrfeld；Friedrich Götz；Werner Schelb；Dirk Schmidt
    申请人:Kernforschungszentrum Karlsruhe Gmbh；
    IPC主号:C25D7-00
    专利说明:
    [0001] - f -
    [0002] Verfahren zur Herstellung von Mikrosensoren mit integrierter Signalverarbeitung
    [0003] Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung von Mikrosensoren mit integrierter Signalverarbeitung gemäß dem Oberbegriff von Patentanspruch 1.
    [0004] Zur Herstellung von Mikrosensoren der gattungsgemäßen Art ist es bekannt, Methoden der Halbleitertechnik und der anisotropen Siliziumätztechnik miteinander zu kombinieren, um in einer Fertigungsfolge die elektronischen Schaltkreise und die damit gekoppelten Sensorstrukturen auf einem Siliziu wafer herzu¬ stellen. Eine derartige Vorgehensweise zur Herstellung eines kapazitiven Beschleunigungssensors ist in K.E. Petersen, A. Shartel and N.F. Raley "Micromechanical Accelerometer Inte- grated with MOS Detection Circuitry", IEE Transactions on Electron Devices, Vol. ED-29, No. 1, January 1982, pp. 23 to 27, beschrieben und dargestellt. Gemäß Figur 1 dieser Veröf¬ fentlichung wird zunächst als Elektrode und Ätzstoppschicht eine strukturierte p-dotierte Schicht in der Oberfläche eines Si- afers erzeugt. Sodann wird epitaktisch Silizium in einer dem Elektrodenabstand entsprechenden Dicke abgeschieden und eine strukturierte Siliziumoxidschicht erzeugt. Durch die Öff¬ nung in der Siliziumoxidschicht wird mittels anisotroper Ätz¬ technik ein Kontaktloch durch die epitaktische Siliziumschicht zur vergrabenen Elektrode hergestellt. Durch Dotieren werden Source- und Drainbereich und die elektrische Verbindung im Kontaktloch erzeugt. Danach wird das Gateoxid erzeugt und ein Ätzfenster in der Siliziumoxidschicht zur späteren Bildung der Sensorstruktur in Form einer Zunge freigelegt. Sodann werden die elektrischen Verbindungen erzeugt und der Zungenbereich metallisiert. Als letzter Schritt wird durch anisotropes Sili- ziumätzen eine Grube zwischen der vergrabenen Elektrode und - dem Siliziumoxid gebildet, wodurch eine schwingfähige Zunge ; aus metallisiertem Siliziumoxid entsteht.
    [0005] Nachteilig bei dieser Fertigungsfolge wirkt sich aus, daß Standardhalbleiterprozesse wie z.B. das Oxidieren und das Do¬ tieren in wechselnder Folge mit anisotropen Siliziumätzprozes¬ sen angewendet werden. Dies führt zu Problemen bei der Serien¬ fertigung, da durch die Verwendung alkalischer Ätzmittel beim anisotropen Ätzen die Gefahr besteht, daß die Eigenschaften der elektronischen Schaltkreise in unerwünschter Weise verän¬ dert werden.
    [0006] Die Erfindung hat zur Aufgabe, ein Verfahren zur Herstellung von Mikrosensoren der gattungsgemäßen Art zur Verfügung zu stellen, bei dem die Herstellungsschritte für die Sensorstruk- turen keine negativen Auswirkungen auf die damit gekoppelten elektronischen Schaltkreise haben.
    [0007] Zur Lösung dieser Aufgabe werden die im Kennzeichen von An¬ spruch 1 enthaltenen Verfahrensschritte vorgeschlagen. Die hierauf bezogenen Unteransprüche beinhalten vorteilhafte Aus¬ gestaltungen dieser Lösung.
    [0008] Die Herstellung von MikroStrukturen auf röntgenlithographi- schem Wege (LIGA-Verfahren) ist in dem Bericht KfK 3995, Npv. 1985, des Kernforschungszentrums Karlsruhe, auf den verwiesen wird, beschrieben und dargestellt.
    [0009] Das erfindungsgemäße Verfahren hat den Vorteil, daß die Her¬ stellung der Sensorstrukturen unabhängig von der Herstellung der elektronischen Schaltkreise ist und letztere nicht beein¬ flußt.
    [0010] Ausführungsbeispiele der Erfindung werden im folgenden anhand der Zeichnungen erläutert: Figuren 1 bis 3 zeigen die Herstellung eines induktiven Ab¬ standssensors nach dem erfindungsgemäßen Verfahren,
    [0011] Figuren 4 bis 7 zeigen die Herstellung eines kapazitiven Be¬ schleunigungssensors,
    [0012] Figuren 8 bis 15 zeigen die Herstellung eines kapazitiven Be¬ schleunigungssensors für die Messung sehr kleiner Beschleuni¬ gungen.
    [0013] Figur la zeigt schematisch einen Ausschnitt eines Substrats in Form eines Siliziumwafers 1, auf dem ein elektronischer Schaltkreis, symbolisiert durch eine MOSFET-Struktur 2 und ei¬ nige Leiterbahnen 3, nach bekannten Methoden der Halbleiter¬ technik aufgebracht wurde.
    [0014] Der gesamte Wafer mit darauf befindlichen Schaltkreisen wird mit einer isolierenden Schutzschicht 4 aus Siliziumnitrid überzogen, in die unter Anwendung bekannter lithographischer und ätztechnischer Methoden der Halbleiterfertigung über den entsprechenden Stellen der Schaltkreise Kontaktöffnungen 5,6 für die Anschlußflächen der herzustellenden Sensorstruktur und für die externen Kontakte der Schaltkreise erzeugt wurden.
    [0015] Gemäß Figur lb wird auf diese Schutzschicht 4 eine leitfähige Schicht aus Kupfer aufgesputtert und mittels lithographischer und ätztechnischer Methoden so strukturiert, daß nach Maßgabe des Grundrisses der herzustellenden Sensorstrukturen sowie der erforderlichen Leiterbahnen und Anschlüsse eine flächenhaft strukturierte Galvanikelektrode 7 entsteht.
    [0016] Sodann wird der gesamte Wafer 1 mit Ausnahme des verkupferten ringförmigen Randes 7a mit einer 300 μm dicken Schicht 8 eines Positiv-Röntgenresists (PMMA) beschichtet. Über eine Röntgenmaske 9 wird die Resistschicht mit der Röntgenstrahlung eines Synchrotrons partiell bestrahlt (s. feile in Figur lc) . Nach dem Herauslösen der bestrahlten Bereiche 8a entstehen Negative 10, 11 der Sensorstrukturen und der Anschlußpunkte (Figur Id) . Hierzu muß die Röntgenmaske 9 so justiert werden, daß die entstehenden Negative 10, 11 kon¬ gruent zur zuvor strukturierten Galvanikelektrode 7 sind. Hierauf wird in die Negative 10, 11 galvanisch Kupfer abge¬ schieden, wobei die Galvanikelektrode 7 über dem freige¬ haltenen ringförmigen Rand 7a kontaktiert wird. Nach überfrä¬ sen des Resists mit den darin eingebetteten KupferStrukturen 12, 13 (Figur le) auf eine Solldicke von 250 μm wird das Sub¬ strat in einzelne Sensorchips zersägt.
    [0017] In der Figur 2 ist in der Draufsicht ein Ausschnitt aus der strukturierten Galvanikelektrode 7 auf dem beschichteten Wafe 1,4 gezeigt. Die dem Grundriß der SensorStrukturen entspre¬ chenden spiralförmigen Teile 7c der Elektrode 7 sind über Bah nen 7d zeilenweise mit dem ringförmigen Rand 7a der Galvanik¬ elektrode verbunden, während die den äußeren Kontakten ent¬ sprechenden Teile 7b mit der jeweils nächsten Bahn verbunden sind. Beim Aufteilen in die einzelnen Chips wird die über die Bahnen 7d und die hierzu senkrecht verlaufenden Stege 7e be¬ stehende elektrische KurzschlußVerbindung zwischen den äußere Anschlüssen der Schaltung unterbrochen (s. Schnittlinie 14) .
    [0018] Die Figur 3 zeigt in perspektivischer Ansicht und teilweise aufgerissen schematisch den so hergestellten Abstandssensor mit der spiralförmigen Tellerspule 12 als Sensorstruktur, der strukturierten Galvanikelektrode 7 und die von der Isolier¬ schicht 4 überdeckten elektronischen Schaltkreise 2 auf dem Siliziumwafer 1. Von der Tellerspule 12 mit 50 Windungen mit einer Windungsbreite und einem Windungsabstand von je 25 μm und einer Höhe von 250 μm sind aus darstellungstechnischen Gründen nur wenige Windungen nicht maßstabsgemäß gezeigt. Die externe Kontaktierung erfolgt über die Säulenstrukturen 13. Das Beispiel zeigt, daß das erfindungsgemäße Verfahren zur Massenfertigung von Sensoren mit induktiv arbeitenden Elemen¬ ten und mit integrierter SignalVerarbeitung geeignet ist. Da die Geometrie der SensorStruktur in lateraler Richtung frei wählbar ist, lassen sich auch erheblich kompliziertere Sen¬ sorstrukturen als in diesem Beispiel realisieren.Durch die Kombination von charakteristischen Abmessungen im Mikrometer¬ bereich mit einer großen Strukturhöhe, die bei der Fertigung nach dem erfindungsgemäßen Verfahren für die Sensorstrukturen erreicht wird, können die Sensorstrukturen entweder bei glei¬ chen Leistungsdaten miniaturisiert oder bei gleicher Geometrie in ihren Leistungsdaten (z.B. der Strombelastbarkeit) verbes¬ sert werden. Da mit dem erfindungsgemäßen Verfahren eine hohe Präzision der Geometrie der Sensorstrukturen erreicht wird und durch den integrierten Aufbau die mit den Anschlußkabeln ver¬ bundene Problematik entfällt, können die aufwendigen Ab- gleichs- und Justierarbeiten entfallen, und das Sensorelement kann bei Defekten mit geringem Aufwand ausgetauscht werden.
    [0019] Die Figur 4 zeigt perspektivisch einen Ausschnitt eines Siliziumwafers 41, auf dem nach bekannten Methoden der Halbleitertechnik ein elektronischer Schaltkreis 44, die Oxid¬ schicht 42 und die Leiterbahnen 43 gefertigt wurden. Auf den Wafer wird eine isolierende Schutzschicht 45, z.B. aus Siliziumnitrid, aufgebracht. Durch einen aus der Halbleiter¬ technik bekannten Lithographie- und Ätzschritt werden die Kontaktöffnungen 46 für die Kopplung zwischen Sensorstruktur und Schaltkreis erzeugt. Nunmehr wird z.B. durch Aufdampfen eine das gesamte Substrat überdeckende Leitschicht 47 als Galvanikelektrode aus z.B. Nickel auf das mit der Schutz¬ schicht 45 versehene Substrat aufgebracht. Sodann erfolgt das Aufbringen einer etwa 1000 μm dicken Schicht 48 eines Röntgen- resists. Die Resistschicht 48 wird über eine Röntgenmaske 49 mit Absorberstrukturen 410 mit der extrem parallelen und in¬ tensiven Strahlung 411 aus z.B. einem Synchrotron belichtet. Die Röntgenmaske 49 wird dabei so zum Wafer 41 justiert, daß die herzustellenden Sensorstrukturen über den entsprechenden Kontaktöffnungen 46 entstehen. Bei der Bestrahlung werden die Bereiche 48a der Resistschicht 48, die nicht von den Absorberstrukturen 410 abgeschattet werden, strahlenchemisch verändert. Nach der Bestrahlung werden beim Entwickeln die der Strahlung ausgesetzten Bereiche 48a der Resistschicht 48 her¬ ausgelöst, so daß Negative 412 (Figur 5) der Sensorstruktur entstehen. In diese Negative 412 wird unter Verwendung der Leitschicht 47 als Galvanikelektrode ein Metall 413, z.B. Nickel, galvanisch abgeschieden (Figur 6) . Nach der Herstel¬ lung der metallischen Sensorstrukturen 413 werden der restli¬ che Resist 48 gestrippt und die freigelegten Bereiche der Leitschicht 47 z.B. trocken weggeätzt (Figur 7) . Der Prozeß schließt mit dem Aufteilen des Wafers mit den darauf aufge¬ brachten Sensorstrukturen in einzelne Funktionseinheiten (Chips) mit Hilfe z.B. einer Diamantkreissäge entlang der Schnittlinie 414.
    [0020] Die so gefertigte SensorStruktur besteht aus einer Kapazität von z.B. 1 pF, die aus einer schwingfähigen Elektrode in Form eines freistehenden Balkens 413a mit einer Höhe von etwa 1000 μm, einer Breite von 350 μm und einer Dicke von 3 μm so¬ wie einer feststehenden Gegenelektrode 413b gebildet wird. Die schwingfähige Elektrode 413a ist direkt mit dem Gate G z.B. eines MOSFET-Schaltkreises 44 verbunden.
    [0021] Durch die frei wählbare Geometrie der Sensorstrukturen in la¬ teraler Richtung und Variation der Strukturhöhe bis zu maximal ca. 1000 μm können mit dem erfindungsgemäßen Verfahren kapa¬ zitive Beschleunigungssensoren hergestellt werden, deren Empfindlichkeit und Meßbereich optimal an den jeweiligen Ein¬ satz des Sensors angepaßt werden können. Durch die große Aus¬ wahl von Metallen für die Elektroden der Kapazität ist eben¬ falls eine optimale Anpassung des Schwingverhaltens (Fre¬ quenzbereich) an den jeweiligen Einsatz des Sensors möglich. Durch die Verwendung einer zweiten Gegenelektrode auf der an¬ deren Seite des Balkens ist eine einfache Kompensation der Temperaturfehler durch thermische Ausdehnung der Elektroden und des Wafers möglich. Durch den gleichzeitigen Aufbau von zwei in einem Winkel zueinander angeordneten beschleunigungs¬ empfindlichen Strukturen auf einem Chip kann ein 2-Achsen-Be¬ schleunigungssensor mit integrierter Signalverarbeitung herge¬ stellt werden (nicht dargestellt) .
    [0022] Im folgenden wird die Herstellung eines kapazitiven Beschleu¬ nigungssensors beschrieben, der besonders gut für die Messung kleiner Beschleunigungen geeignet ist. Die Herstellung geht gemäß Figur 8 aus von einem mit einem elektronischen Schalt¬ kreis versehenen Substrat 80. Als Verbindungsglied zwischen diesem Schaltkreis und der zu fertigenden mikromechanischen Sensorstruktur dient ein MOS-Transistor, der schematisch mit Source 80a, Drain 8Ob und Gate einschließlich Gateoxid 80c ge¬ zeichnet ist. Aus Gründen der besseren Übersichtlichkeit sind die weiteren Elemente des Schaltkreises und die Anschlußkon¬ takte weggelassen. Auf das Substrat 80 wird eine Polyimid- schicht 81 aufgebracht, die später als wieder entfernbare Zwischenschicht zwischen einem Teil der herzustellenden Sen¬ sorstrukturen und dem Substrat dient. Diese Schicht 81 wird mit lithographischen und ätztechnischen Methoden so struktu¬ riert, daß über dem Gate 80c des MOS-Transistors und in einem sich daran anschließenden Bereich ein T-förmiger Durchbruch 90 entsteht (Figur 9) . Weitere Durchbrüche 91, 92 sind so strukturiert, daß sie dem Grundriß der kammformigen Gegenelek¬ troden der aufzubauenden Sensorstruktur entsprechen.
    [0023] Hierauf erfolgt eine Metallisierung der Oberfläche mit an¬ schließender lithographischer und ätztechnischer Strukturie¬ rung in der Weise, daß eine als Galvanikelektrode verwendbare Struktur verbleibt, die zum einen dem Grundriß 111 der Sen- sorstruktur entspricht und zum anderen eine elektrisch lei- - ε -
    [0024] tende Verbindung 112 zum Gate 80c des MOS-Transistors her¬ stellt (Figur 10a, 10b) . Nun wird auf die Oberfläche eine dicke Schicht 120 (Figur 11) eines Positiv-Röntgenresists auf¬ gebracht, der so über eine Röntgenmaske in Teilbereichen mit Synchrotronstrahlung bestrahlt wird, daß nach dem Weglösen de bestrahlten Bereiche ein Negativ 121 der Sensorstrukturen ent steht, wobei die herausgelösten Bereiche dem Grundriß 111 der Sensorstrukturen entsprechen (Figur 12) .
    [0025] Dabei wird die in Figur 8 dargestellte Polyimidzwischenschich 81 noch nicht weggelöst.
    [0026] Die so geschaffenen Vertiefungen über dem Grundriß 111 werden sodann galvanisch mit Nickel aufgefüllt, wodurch die in den Resist eingebettete Sensorstruktur in Form kammförmig ineinan der greifender Elektroden 130, 131 gebildet wird (Figur 13) . Als nächster Schritt wird, ggf. nach vorhergehendem Einebnen der Oberfläche, das Substrat, auf dem gleichzeitig eine Viel¬ zahl derartiger Sensorstrukturen aufgebaut werden, in ein¬ zelne Chips aufgeteilt. Sodann werden der restliche Resist 12 (Figur 12) weggelöst und die Polyimidzwischenschicht 81 mit¬ tels eines Sauerstoff-Niederdruckplasmas chemisch entfernt.
    [0027] Wie aus Figur 13 zu ersehen ist, hat die eine Elektrode 130 der Sensorstruktur die Gestalt eines Biegebalkens mit kammfor migen Enden, wobei bei symmetrischem Aufbau der Biegebalken nur in seinem mittleren Bereich 130a mit dem Substrat 80 fest verbunden ist, während die übrigen Bereiche das Substrat nich berühren und daher in der Substratebene frei auslenkbar sind. Die Gegenelektrode 131 hingegen ist fest mit dem Substrat 80 verbunden. Die Kämme greifen hierbei assymmetrisch ineinander
    [0028] Die beschriebene Sensoranodnung mit einem symmetrischen Biege balken hat den Vorteil, daß sehr geringe Translationsbeschleu nigungen unabhängig von überlagerten Winkelbeschleunigungen gemessen werden können, wobei die Größe der Winkelbeschleuni- gung in gleicher Größenordnung wie die Linearbeschleunigung liegen kann. Durch die gleichzeitige Herstellung zweier sol¬ cher Beschleunigungssensoren in senkrechtem Winkel zueinander auf demselben Chip gemäß Figur 14 ist damit eine winkelbe- schleunigungsfreie Messung der Linearbeschleunigung in zwei Raumrichtungen möglich ohne zusätzliche Justierung.
    [0029] Mit einer leicht modifizierten Ausführung gemäß Figur 15 ist darüber hinaus die gleichzeitige Messung von Linear- und Winkelbeschleunigungen möglich, indem zwei Sensoranordnungen parallel zueinander auf einem gemeinsamen Chip hergestellt werden. Die assymmetrische Lage der Kämme zueinander ist hier¬ bei so getroffen, daß die Anordnung 150 nur auf Linearbeschleunigungen anspricht und gegenüber Winkelbeschleu¬ nigungen unempfindlich ist. Bei der Anordnung 151 ist es umge¬ kehrt, d.h. Winkelbeschleunigungen werden angezeigt, während bei Linearbeschleunigungen die Kapazitätsänderungen auf der linken und der rechten Seite des Biegebalkens sich kompensie¬ ren, also zu keiner Anzeige führen.
    [0030] Die Sensorstrukturen können nicht nur, wie vorstehend be¬ schrieben, auf der selben Seite wie die Schaltkreise, sondern auch auf der anderen Seite des Substrats aufgebaut werden. Bei komplexen Anordnungen können auch beide Seiten des Substrats mit Sensoranordnungen versehen werden. Auch in diesen Fällen wird die räumlich unmittelbar benachbarte Fertigung der Sen¬ sorstrukturen und der jeweils zugehörigen mit diesen gekoppel¬ ten Mikro-Schaltkreise zur integrierten Signalverarbeitung re¬ alisiert.
    [0031] Das Resistmaterial kann vor oder nach dem Zerteilen des Sub¬ strats entfernt werden. Das Entfernen nach dem Zerteilen hat den Vorteil, daß die empfindlichen Sensorstrukturen im Resist¬ material eingebettet und damit geschützt sind und das Zersägen erleichtert wird.
    权利要求:
    Claims - -fC -Patentansprüche:
    1. Verfahren zur Herstellung von Mikrosensoren mit integrier¬ ter Signalverarbeitung, bei dem die elektronischen Schalt¬ kreise für die Signalverarbeitung und die mit diesen gekop¬ pelten Sensorstrukturen auf einem gemeinsamen Substrat räumlich unmittelbar benachbart gefertigt werden, gekennzeichnet durch folgende Verfahrensschritte:
    a) Fertigung der elektronischen Schaltkreise auf dem Sub¬ strat nach bekannten Methoden der Halbleitertechnik;
    b) Aufbringen einer Galvanikelektrode auf dem Substrat;
    c) Aufbringen einer Schicht eines Röntgenresists auf dem mit der Galvanikelektrode versehenen Substrat, wobei die Dicke der Schicht einer charakteristischen Höhe der Sen¬ sorstrukturen entspricht;
    d) Herstellen von Negativen der Sensorstrukturen in dieser Schicht auf röntgenlithographischem Wege;
    e) galvanische Abscheidung eines Metalls oder einer Me¬ tallegierung in die Negative der Sensorstrukturen unter Verwendung der Galvanikelektrode;
    f) Aufteilen des Substrats mit den darauf aufgebrachten Sensorstrukturen in einzelne Funktionseinheiten (Chips) . - - ι 1 -
    2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der restliche Resist in Abhängigkeit von der geometrischen An¬ ordnung der Sensorstrukturen vor oder nach dem Aufteilen des Substrats entfernt wird.
    3. Verfahren nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß auf das Substrat partiell eine Zwischenschicht aufgebracht wird, die sich unterhalb von Teilen der herzustellenden Sensorstrukturen erstreckt und die nach dem Entfernen des restlichen Resists ebenfalls entfernt wird.
    4. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichent, daß nach der Fertigung der elektronischen Schaltkreise gemäß a) auf dem Substrat eine isolierende Schutzschicht mit Kontaktöff¬ nungen für die Kopplung zwischen den Sensorstrukturen und den Schaltkreisen erzeugt wird, worauf als Galvanikelek¬ trode gemäß b) nach Maßgabe des Grundrisses der Sen¬ sorstrukturen sowie der erforderlichen Leiterbahnen und An¬ schlüsse eine flächenhaft strukturierte Leitschicht herge¬ stellt wird.
    5. Verfahren nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß nach der Fertigung der elektronischen Schaltkreise gemäß a) auf dem Substrat eine isolierende Schutzschicht mit Kontaktöff¬ nungen für die Kopplung zwischen den Sensorstrukturen und den Schaltkreisen erzeugt wird, worauf als Galvanikelek¬ trode gemäß b) eine das gesamte Substrat überdeckende Leit¬ schicht aufgebracht wird, und daß nach dem Entfernen des restlichen Resists die freigelegten Bereiche der Leit¬ schicht ganz oder teilweise entfernt werden.
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    引用文献:
    公开号 | 申请日 | 公开日 | 申请人 | 专利标题
    法律状态:
    1989-02-23| AK| Designated states|Kind code of ref document: A1 Designated state(s): JP US |
    1989-02-23| AL| Designated countries for regional patents|Kind code of ref document: A1 Designated state(s): AT BE CH DE FR GB IT LU NL SE |
    1989-05-19| WWE| Wipo information: entry into national phase|Ref document number: 1988907108 Country of ref document: EP |
    1990-06-06| WWP| Wipo information: published in national office|Ref document number: 1988907108 Country of ref document: EP |
    1992-05-13| WWG| Wipo information: grant in national office|Ref document number: 1988907108 Country of ref document: EP |
    优先权:
    申请号 | 申请日 | 专利标题
    DE19873727142|DE3727142C2|1987-08-14|1987-08-14|Verfahren zur Herstellung von Mikrosensoren mit integrierter Signalverarbeitung|
    DEP3727142.3||1987-08-14||JP50655288A| JPH0693513B2|1987-08-14|1988-08-08|集積化信号処理機構を有するマイクロセンサの製造方法|
    AT88907108T| AT76199T|1987-08-14|1988-08-08|Verfahren zur herstellung von mikrosensoren mit integrierter signalverarbeitung.|
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