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    • 专利摘要:

    公开号:WO1986000986A1
    申请号:PCT/DE1985/000130
    申请日:1985-04-25
    公开日:1986-02-13
    发明作者:Klaus Brill；Karl-Franz Reinhard；Dieter Eckardt；Gerhard Hettich；Hans-Dieter Schmid；Gerhard Conzelmann；Erich Zabler
    申请人:Robert Bosch Gmbh；
    IPC主号:G01D5-00
    专利说明:
    [0001] Magnetoresistiver Sensor zur Messung von Magnetfeldänderungen und Verfahren zu seiner Herstellung
    [0002] Stand der Technik
    [0003] Die Erfindung geht aus von einem magnetoresistiven Sensor zur Messung von Änderungen der in der Ebene von magnetoresistiven Meßstreifen wirkenden Komponente eines Magnetfeldes. Solche bekannten magnetoresistiven Sensoren werden bevorzugt zur Abtastung von Magnetbändern in Leseköpfen verwendet (Philips Technische Rundschau 37, Nr. 2/3, 1977/78, Seite 47 ff), über eine Eingangsschaltung wird mit einer Gleichspannung ein bestimmter Meßstrom durch die magnetoresistiven Meßstreifen geschickt. Der elektrische Widerstand des Meßstreifens läßt sich nun durch eine in der Ebene des Meßstreifens wirkende Komponente eines Magnetfeldes verändern, die mit der Stromrichtung im Meßstreifen einen Winkel bildet (Barber-Pole-Ausführung). Beim Lesen werden die in Form kleiner magnetischer Bereiche auf dem Magnetband gespeicherten Informationen erfaßt. indem der magnetoresistive Meßstreifen senkrecht zum Magnetband angeordnet wird und die in der Ebene des Meßstreifens auftretenden Schwankungen des Magnetfeldes beim Vorbeibewegen des Magnetbandes die Richtung der Magnetisierung im Meßstreifen beeinflußt und damit eine Änderung des Widerstandes im Meßstreifen bewirkt. Mit Hilfe eines Vorwiderstandes kann über die Stromänderung ein Meßsignal am Meßstreifen abgegriffen werden, das über eine geeignete Ausgangsschaltung verstärkt werden muß. Zur Verstärkung der relativ schwachen Meßsignale ist es erforderlich, die Verstärkerschaltung möglichst dicht an den magnetoresistiven Meßstreifen anzuordnen.
    [0004] Mit der vorliegenden Lösung wird angestrebt, zur Vermeidung von Störungen und Leitungsverlusten, die in Dünnschichttechnik hergestellten magnetoresistiven Meßstreifen möglichst dicht an der in IC-Ausführung herzustellenden Eingangs- und Ausgangsschaltung anzuordnen.
    [0005] Vorteile der Erfindung
    [0006] Die erfindungsgemäße Anordnung mit den kennzeichnenden Merkmalen des Hauptanspruchs hat den Vorteil, daß die Meßstreifen mit der Eingangs- und Ausgangsschaltung ein Bauteil bilden, so daß störanfällige Verbindungsleitungen zwischen dem Meßstreifen und der Auswerteschaltung vermieden werden. Als weiterer Vorteil ist anzusehen, daß mit der Dünnschichttechnik zur Herstellung der magnetoresistiven Meßstreifen zugleich auch die Kontaktierung mit der IC-Ausführung der Eingangs- und Ausgangsschaltung erzielt wird. Der so gebildete magnetoresistive Sensor kann als Hybrid durch automatische Fertigungsverfahren mit hoher Genauigkeit und kostengünstig hergestellt werden. Eine vielfältige Anwendung des Sensors ist auch dadurch möglich, daß mit dem Halbleiterchip die Eingangs- und Ausgangsschaltung sowie die Meßstreifen auf kleinstem Raum untergebracht werden können. Zudem kann der Sensor direkt durch die Auswerteschaltung abgeglichen werden. Gegenüber Hall- Gebern hat der magnetoresistive Sensor eine wesentlich höhere Meßempfindlichkeit. Das Meßsignal liegt bei Hall- Gebern im Bereich von lV/Tesla, bei magnetoresistiven Sensoren dagegen im Bereich von 40 V/Tesla.
    [0007] Durch die in den Unteransprüchen aufgeführten Maßnahmen sind vorteilhafte Weiterbildungen und Verbesserungen der im Hauptanspruch angegebenen Merkmale möglich. Dabei ist es besonders vorteilhaft, zur Erzielung eines höheren Ausgangssignals die magnetoresistiven Meßstreifen in einer Brückenschaltung anzuordnen, wobei jeder der Widerstände in einem der vier Quadranten eines quadratischen Bereiches neben der IC-Schaltung auf dem Halbleiterchip aufgebracht ist. Die Widerstände der Brückenschaltung bestehen dabei jeweils aus mäanderförmig in Reihe liegenden Widerstandsbahnen. Um durch eine entgegengesetzte Widerstandsänderung an den Widerständen ein größeres Meßsignal an der Brückendiagonale zu bekommen, sind die Widerstandsbahnen eines jeden Widerstandes in der Brückenschaltung in ihrer Längsrichtung zu den Widerstandsbahnen der benachbarten Widerstände um 90 gedreht. Die Meßstreifen der Widerstände werden zur Erzielung eines verwertbaren Meßsignales von einer Magnetfeldkomponente durchsetzt, welche in dem quadratischen Bereich des Halbleiterchip, in dem die Meßstreifen aufgebracht sind, möglichst homogen sein und einen Feldstärkewert H> 4 KA/m aufweisen soll. Mit dem erfindungsgemäßen Verfahren zur Herstellung des magnetoresistiven Sensors ist eine kostengünstige Produktion bei hoher Qualität und Funktionssicherheit möglich. Auch bei extremen Anforderungen auf den verschiedensten Einsatzgebieten, wie beispielsweise in der Kraftfahrzeugtechnik oder in der Schwerindustrie kann der erfindungsgemäße Sensor verwendet werden. Dabei bietet er den weiteren Vorteil, daß Herstellungstoleranzen bereits am Ende des Herstellungsverfahrens am bzw. im Halbleiterchip durch geeignete Abgleichmaßnahmen kompensiert werden können.
    [0008] Zeichnung
    [0009] Zwei Ausführungsbeispiele der Erfindung sind in der Zeichnung dargestellt und in der nachfolgenden Beschreibung näher erläute,rt. Es zeigen Figur 1 einen magnetoresistiven Sensor mit vier zu einer Brückenschaltung gehörenden Meßwiderständen, Figur 2 den erfindungsgemäßen Halbleiterchip mit einem IC und den Meßwiderstänάen in vergrößerter Darstellung, Figur 3 zeigt eine stark vergrößerte Darstellung des Halbleiterchip nach Figur 2 und Figur 4 zeigt stark vergrößert die Darstellung magnetoresistiver Meßstreifen in Barber-Pole-Ausführung in einem Ausbruch eines Sensors.
    [0010] Beschreibung der Ausführungsbeispiele
    [0011] In Figur 1 ist ein erfindungsgemäßer magnetoresistiver Sensor mit 10 bezeichnet, der zur Messung von Richtungsänderungen einer Magnetfeldkomponente Fx dient, welche in der Ebene von magnetoresistiven Meßstreifen wirksam ist. Die Meßstreifen sind hier durch vier Meßwiderstände 11 dargestellt, die zu einer Brückenschaltung 12 zusammengefaßt sind. Die Brückendiagonale ist auf den Eingang einer Verstärkerschaltung 13 gelegt, der die Ausgangsschaltung des Sensors 10 bildet. Die Brückenschaltung 12 liegt an einer konstanten Gleichspannungsquelle 14, welche die Eingangsschaltung des Sensors 10 bildet. Über Anschlüsse 15 und 16 ist die Eingangs- und Ausgangsschaltung 13, 14 an eine Versorgungsspannung z.B. am Bordnetz eines Kraftfahrzeuges anzuschließen. An einer Klemme 17 ist das Meßsignals des Sensors 10 am Ausgang der Verstärkerschaltung 13 abzugreifen.
    [0012] Der magnetoresistive Sensor 10 ist gemäß Figur 2 auf einem Halbleiterchip 18 aus p-leitendem Silizium angeordnet. Im linken Bereich ist die Eingangs- und Ausgangsschaltung 14, 13 des Sensors 10 als IC 19 in den Halbleiterchip 18 integriert. In dem rechts danebenliegenden quadratischen Bereich 18a des Halbleiterchip 18 sind die Meßwiderstände 11 aus Figur 1 in Form von magnetoresistiven Widerstandsbahnen 11a in Dünnschichttechnik auf die Oberfläche des Halbleiterchip isoliert aufgebracht.
    [0013] Figur 3 zeigt den Halbleiterchip 18 in stark vergrößerter Draufsicht, wobei der in den Halbleiterchip 18 integrierte IC 19 oben durch eine Schutzschicht abgedeckt ist. Dort ist auch erkennbar, daß die magnetoresistiven Widerstandsbahnen 11a aus Figur 2 jeweils zu einem der Meßwiderstände 11 mäanderförmig in Reihe geschaltet sind. Sie bestehen aus einer aufgedampften Schicht aus magnetoresistivem Material, z.B. aus Permalloy. Die Enden der Meßwiderstände 11 sind über Leiterbahnen 20 und Anschlüssen 21, die ebenso wie die Anschlüsse 15, 16 und 17 in Dünnschichttechnik hergestellt werden, mit den dort integrierten, nicht erkennbaren Anschlußinseln der IC-Schaltung 19 kontaktiert. Die Widerstandsbahnen 11a eines jeden Meßwiderstandes 11 der Brückenschaltung 12 sind in ihrer Längsrichtung zu den Widerstandsbahnen der benachbarten Meßwiderstände 11 um 90° gedreht. Dadurch wird beim Anlegen eines Magnetfeldes mit einer in der Ebene der Widerstandsbahnen 11a wirksamen Feldkomponente Fx, die mit der Richtung der Leiterbahnen 11a einen Winkel von etwa U5 bildet, durch eine Richtungsänderung dieser Magnetfeldkomponente in den Widerstandsbahnen 11a eine Widerstandsänderung hervorgerufen, die in zwei einander diagonal gegenüberliegenden Meßwiderständen 11 eine Widerstandserhöhung, in den zwei anderen diagonal gegenüberliegenden Meßwiderständen 11 dagegen eine Widerstandsabnahme zur Folge hat. Die Feldkomponente Fx wird dabei so groß gewählt, daß die Widerstandsbahnen 11a davon jeweils bis zur Sättigung magnetisiert sind. Dabei ergibt sich durch Verdrehen der Magnetfeldkomponente Fx an der Brückenschaltung 12 eine Meßempfindlichkeit von ΔU/ΔB = 40 V/Tesla.
    [0014] Ein solcher m.agnetoresistiver Sensor kann als Drehzahlsensor verwendet werden, indem er zusammen mit einem Dauermagneten dicht über einem umlaufenden Flußleitstück oder einem weichmagnetischen Zahnkranz so angeordnet wird, daß der quadratische Bereich 18a des Halbleiterchip von dem Magnetfeld des Dauermagneten derart durchsetzt wird, daß sich eine starke Magnetfeldkomponente senkrecht zum Halbleiterchip 18 und eine in der Ebene der Meßwiderstände 11 liegende Komponente Fx ergibt, die wesentlich kleiner ist, jedoch ausreicht, um die Widerstandsbahnen 11a unter einem Winkel von 45° bis in die Sättigung zu magnetisieren. Wird nun beim Vorbeidrehen eines Zahnes die Magnetfeldkomponente Fx in ihrer Richtung verändert, so tritt an der Brückenschaltung 12 eine Meßspannung auf, die im IC 19 verstärkt als Meßsignal am Anschluß 17 erscheint. Die Drehzahl einer Brennkraftmaschine kann auf diese Weise durch die Zahl der Meßsignale pro Zeiteinheit ermittelt werden. In einem weiteren Ausführungsbeispiel sind bei einem Sensor 10a gemäß Figur 4 die einzelnen Widerstandsbahnen 11b durch elektrisch leitende Goldstege 22 in Bahnabschnitte 11c aufgegliedert. Die Goldstege 22 verlaufen unter einem Winkel von 45 ° zur Längsrichtung der Widerstandsbahnen 1 1 b . Dadurch wird die Richtung des Stromes im Sensor um 45 gegen die Längsachse gedreht. Um mit der neuen Strcmrichtung wieder einen Winkel von 45 zu erzielen, wird nunmehr die Magnetfeldkomponente Fx' in Längsrichtung der Widerstandsbahnen 11b angelegt. Um auch hier bei einer Brückenschaltung 12 gemäß Figur 1 bei Änderung der Richtung der Magnetfeldkomponente Fx' ein Meßsignal zu erzielen, müssen die Goldstege 22 auf den Widerstandsbahnen 11b eines jeden Meßwiderstandes 11 zu den Goldstegen 22 der benachbarten Meßwiderstände 11 der Brückenschaltung 12 um 90 gedreht werden. Die Unterteilung magnetoresistiver Meßstreifen durch schräg verlaufende elektrisch leitende Stege ist unter dem Namen Bar-ber-Pole-Ausführung an sich bekannt.
    [0015] Zur Herstellung eines magnetoresistiven Sensors 10 nach Figur 3 ist es erforderlich, daß in einem ersten Verfahrensabschnitt zunächst die Eingangs- und Ausgangsschaltung als IC 19 in den Halbleiterchip 18 integriert wird. Danach wird die gesamte Oberfläche des Halbleiterchip 18 mit Ausnahme der noch zu kontaktierenden Anschlüsse mit einer Oxidschicht abgedeckt. Anschließend werden die Meßwiderstände 11 in Dünnschichttechnik neben dem IC 19 auf den Halbleiterchip 18 aufgebracht und schließlich werden die Meßwiderstände 11 über die ebenfalls in Dünnschichttechnik herzustellenden Leiterbahnen 20 mit den Anschlüssen 21 am IC 19 kontaktiert. Dabei werden zugleich die Anschlüsse 15, 16 und 17 des Sensors 10 mit hergestellt. Für die Herstellung eines magnetoresistiven Sensors 10a nach Figur 4 werden in einem weiteren Verfahrensschritt die zu einer Brückenschaltung 12 vereinigten Widerstandsbahnen 11b mit den Goldstegen 22 bedampft, wobei gegebenenfalls diese Golάstege 22 noch galvanisch verstärkt werden können.
    权利要求:
    ClaimsAnsprüche
    1. Magnetoresistiver Sensor zur Messung von Änderungen der in der Ebene von magnetoresistiven Meßstreifen wirksamen Komponente eines Magnetfeldes, die mit der Stromrichtung im Meßstreifen einen Winkel bildet und wobei die Meßstreifen mit einer Eingangs- und Ausgangsschaltung zur Erzeugung eines Meßsignales verbunden sind, dadurch gekennzeichnet, daß die Eingangs- und Ausgangsschaltung als IC (19) in einem Bereich des Halbleiterchip (18) integriert ist und daß in einem anderen Bereich die magnetoresistiven Meßstreifen (11a, b) in Dünnschichttechnik auf dem Halbleiterchip (18) isoliert aufgebracht und mit der IC-Schaltung (19) kontaktiert sind.
    2. Sensor nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die magnetoresistiven Meßstreifen (11a, b) aus vier in einer Brückenschaltung miteinander und mit der IC-Schaltung (19) verbundenen Meßwiderständen (11) bestehen, die in den vier Quadranten eines quadratischen Bereichs (18a) auf dem Halbleiterchip (18) aufgebracht sind.
    3. Sensor nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß die Meßwiderstände (11) der Brückenschaltung (12) aus mäanderförmig in Reihe liegenden Widerstandsbahnen (11a,11b) bestehen.
    4. Sensor nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, daß die Widerstandsbahnen (11a) eines jeden Meßwiderstandes (11) der Brückenschaltung (12) in ihrer Längsrichtung zu den Widerstandsbahnen (11b) der benachbarten Meßwiderstände (11) um 90 gedreht sind.
    5- Sensor nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, daß die Meßwiderstände (11) jeweils aus einer aufgedampften Permalloyschicht bestehen.
    β. Verfahren zur Herstellung eines magnetoresistiven Sensors nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß in den Halbleiterchip (18) zunächst die Eingangs- und Ausgangsschaltung als IC (19) integriert wird, daß danach die Oberfläche des Halbleiterchip (18) durch eine Isolierschicht abgedeckt und anschließend die magnetoresistiven Meßstreifen (11a,17b) in Dünnschichttechnik hergestellt und schließlich Leiterbahnen (20) und Anschlüsse (15, 16, 17, 28) in Dünnschichttechnik hergestellt und dabei die Meßstreifen (11a,11b) mit der IC-Schaltung (19) kontaktiert wird.
    7. Verfahren nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, daß die gemäß Anspruch 2 zu einer Brückenschaltung (12) vereinigten Meßstreifen (116) mit Goldstegen (22) bedampft werden, welche unter 45 zur Längsrichtung der Meßstreifen (I1foj verlaufen und diese in Bahnabschnitte (11c) aufgliedern.
    8. Verfahren nach Anspruch 7, dadurch gekennzeichnet, daß die aufgedampften Goldstege (22) galvanisch verstärkt werden.
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    优先权:
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