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    公开号:WO1986000742A1
    申请号:PCT/JP1985/000391
    申请日:1985-07-11
    公开日:1986-01-30
    发明作者:Atsushi Fukumoto；Kiyoshi Ohsato；Michio Oka
    申请人:Sony Corporation；
    IPC主号:G11B7-00
    专利说明:
    [0001] 明 細 書
    [0002] 発明の名称 光学式ヘッ ドの ト ラ ッキング誤差検出装置
    [0003] 技術分野
    [0004] 本発明は光学式記録装置、 再生装置及び記録再生装置に適甩し て好適な光学式へッ ドの ト ラ ッキング誤^検出装置に関する。
    [0005] 背景技術
    [0006] 先ず第 3図を参照して、 従来の光学式へッ ドの ト ラ ッキング誤 差検出装置について説明する。 0 Hは光学式へッ ドを全体として ^す。 （1)は半導体レーザ素子 （レーザダイオー ド） で、 これのレ 一ザビーム出射端面 （ ) 側より出射した、 断面が椅円の発散レ 一ザビーム L は、 コ リ メ ータ レンズ （不用の場合もある） （2)に入 射せしめられて平 ί亍ビームとなされた後、 阿折格子 （グレーティ ング） ）に入射せしめられる。 回折格子 (3)より出射した 0次ビー ム L。 及び上 1 次ビーム L + L - 1 (尙、 十 2次上、 — 2次以下 のビームは無視する） は無偏光ビームスプリ ッ タ （ハーフ ミ 一）
    [0007] ( I 光ビームスプリ ッタの場合は、 対物レ ンズ ）との間に 4 波县板を設ける） （4)を通過した後、 対物レ ンズ (5)に入射せしめら れて集束せしめられ、 その集束された （）次ビーム し 及び上 1 次 ビーム L + 1 > L - iは光学式記録媒体 （光磁気記録媒体も含む） （6) の d録 '面に所定間隔 （例えば 10 m ) を置いて入射せしめられる。 光学式記録媒体 (6)で反射した 0次ビー し 。 及び土 1 次ビ一ム し +し L - iは対物レンズほ）を通過した後、 ビーム スプリ ッタ W)に 入射せしめられ、 その一部はその反射面 （4 a) で反射して光検出 器 (7)に入射せしめられる。 この光検出器 (7)は、 0次ビーム し。 及 び： r 1 次ビーム L +1 , L - iが各別に入射せしめられる 3個の光検 出部にて構成される。 そして、 ± 1 次ビームが夫々入射せしめら れる一対の光検出部からの一対の光検出出力の差を採ることによ り、 0次ビーム L の光学式 td M媒体 (6)の記録 ]k上での ト ラ ッ キ ング状態に応じた ト ラ ッキング誤差信号が得られる。 又、 0次ビ ームの入射せしめられた光検出部からは、 再生信号、 フ ォ ーカ ス ェラー信号等が得られる。
    [0008] 次に、 半導体レーザ素子 (1)の一例について第 4図を参照して説 明する。 この半導体レーザ祟子 ωは通常一方の電極を兼ねた銅等 より成るヒ — ト シ ンク（8)上に固着されている。 半導体レーザ素子 (丄）の構造を図に於いてその上層から下層に向かつて説明すると、
    [0009] ( la) は電極層、 （ lb) は n-GaAs層 （基体層） 、 （ lc) は n- Gai -y/UyAs 層 （クラ ッ ド層） 、 （ id) は Gat -xAixAs 層 （活性層） 、 ( le) は p-Gai -yAlyAs 層 （ク ラ ッ ド層） 、 （ If) は p- GaAs餍で ある。 そして、 活性展 ( Id) から上述のレーザビーム しが出射す る。 この半導体レーザ素子 (1)の レーザビーム出射端 ώ (劈開面） ( 1A) を止面とすると、 半導体レーザ桌子（1)は、 その幅が 100〜 300 m 、 髙さ （厚さ） が 80〜 100 m 、 奥行が 2ϋ0〜 300 m である。 活性屑 ( Id) の ヒ ー ト シ ン ク （S)の 上. tkfからの「 さ は数 μ m である。
    [0010] と こ ろで、 0次ビーム L。 の光学式記録媒体 (6)の ^ U It]'に対す る タ ンジェ ン シ ャルスキュ一角が変化する と、 ト ッ キ ングェ ラ — 号もそれに応じて周期的に変化し、 £確な ト ラ ッキングェラ 一を検出することができなかつた。
    [0011] 本発明者等はその原因を究明したところ、 次のようなことが分 かった。 光学 ^¾1録媒体 (6)で反射した ϋ次ビーム L。 及び ± 〖 次 ビーム L +1 , L -1は対物レ ンズ (5)を通過した後、 ビームスプ リ ッ タ W)の反射面 ( 4a) で反射するのみならず、 ビ—ム スプリ ッタ W.) を通過し、 回折格子 (3)に入射して、 夫々に対応して格別の 0次ビ 一ム及び土 L 次ビームが^生し、 コ リ メ ータ レ ンズ (2)を通過して 半導体レーザ素子（1)に向かう。 こ の半導体レーザ^子（1)に向かう ビームのビーム量は、 無 ¾光ビ—ム スプリ ッタを用いた場合には 多く 、 偏光ビームスプリ ッタを用いた場合は少ない。 この場合、 第 5図に示す如く 、 半導体レーザ素子 (1)のレーザビーム発光端面 ( 1 A) と、 回折格子は）との相対翻勤角位置に応じて、 半導体レー ザ素子 (1)に向かう中心ビーム L a 及びその両側に位置する両側ビ ーム L b , L c の配置は、 夫々中心ビーム L a がレーザビーム出 射端 !¾' ( 1 A) 上の活性層 （ I d) に位置し、 両側ビーム L b , L c が中心ビーム L a の位置を通り、 活性層 （ i d) と直交する直線上 に於いて上下に位置する場合と、 中心ビーム L a 及び両側ビ一ム L b , L c が共に活性層 （ I d) 上に位置する場合と、 中心ビーム L a 及び両側ビーム L b , L c を結ぶ直線が上記 2つの場合の中 間の任意の角度位置に来る場合とがある。 尚、 これら中心ビーム L a 及び両側ビーム L b , L c は、 第 3図の 0次ビーム L。 及び ± ί 次ビーム L +い し が Μ折格子 (3)によつて冉 tol折され、 丄っ 混在して重畳.されたものである。
    [0012] とこ ろで、 両側ビーム L b , し c の少な く と も一方がヒー ト シ ンク ）の ·に入射した場合は、 その ¾が ffi面であるので、 そのビ ― ムはそこで乱反射されるので問題はないが、 肉（则ビ ー ム L b , I . c の少な く とも一方が半導体レ一ザ素子 (1)のレーザビーム出射 端向 ( L A) に入射する場合は、 この端 iki ( I A) は 射率が： β f ( i列えば 10% ) なので、 この端面 （ 1 Λ) で反射し、 上述の光路を 通過して光検出器 (7)に入射するので、 + 1 次乂は 〖 ビームと f 渉を起こす。 このため、 0次ビーム L。 の光学式 ifd録媒体 (6>の記 録 tkl'に対するタ ンジヱ ンシャルスキュー角に応じて、 光検出器 (7) に入射する + 1 次乂は— 1 次ビームの強度が変化し、 ト ラ ツキン グエラー^号がそのスキュ一角に応じて周期的に変化する。
    [0013] 第 6-図は、 両側ビーム L b , L c の一方 L b が半導体レーザ尜 子（1)のレーザビーム ^光端 (〖Α) に人射し、 他方丄 c がヒー ト シ ンク（8)に入射した場合の、 0 次ビーム L。 の光学式記録媒体 (6) の記録面に対するタ ンジヱ ン シャルスキュー角 α " に対する ト ラ ッ キ ングエラー信号 S e のレベル変化の周期性を示す。 尚、 実際 にば、 I I が増大するにつれて、 ト ラ ッキングエラー信号 s e の レベルは減衰する。 、 両側ビーム L b , L c 共レーザビーム 出射嬸面 ( H) に入射する場合は、 第 6図に対応する波形の振幅 が第 6図のそれの 2倍となり、 位相は第 6図とは異なる。
    [0014] 次に、 両側ビーム L b , L c の う ちの一方 L b が半導体レ一ザ 桌子 ）の レーザビーム出射端面 ( 1 A) に入射し、 他方 L c がヒ ー ト シ ンク （8)に入射する場合の干渉について、 第 7図 （レ ンズ系の 図 を省略してある） を参照して説明する。 第 " 7図に於いて、 実 線にて^される （ 1 A) はレーザビーム出射端面であるが、 破線に て^される正規の位置の出射端面 ( U) に対し ί填いている一般的 な場合を^す。 又、 実線にて/ Γされる（6)は光学式記録媒体である が、 陂線にて される止: の位置の光学式 flti 媒休 (6)に対し傾い ている場合を示す。 0次ビーム L。 は止規の位置のレーザビーム 出射端 ώ' ( ) 及び正規の位置の光 έζ記鉍媒 ί本 (6)の ¾i ^ r iに対 し鉛直である。 e は + 1 次ビーム L +1の 0次ビーム し。 に対する 角度である。 はレーザビーム出射端 [in" ( L A) 及び 折格子 ） 間の光路 ^、 " は ΐ£ϋ折格子 (3)及び光学式記録媒体 (6)の記録面間 の光路畏である。 厶 t , 厶 2 は夫々光路 £ . 1 , & I に対す る 0次ビーム L。 及び + 1次ビーム L +1間の光路差である。 Δ £ 3 厶 ί は夫々光学式記録媒体 (6)のスキューによる光路差、 レ一ザ ビーム出射嬸面 ( 1 A) のスキューによる光路差である。
    [0015] 乂、 . gを回折格子 (3)に於け！） 0次ビーム L ύ 及び + 1 次ビ一ム 間の位相差とする。 i 。 ， i 丄 を夫々回折格子 ）に於ける 0 次ビーム、 + i 次ビームの透過率、 t をハー フ ミ ラ ー（4)の透過率、 r , f を夫々光学式記録媒体 (6)の記録面上、 レーザビー ム出射端 tt! (〖A) 上の反射率とする。 しかして、 + 1 次ビーム L +1が入射する光学 ίζ記録媒体 (6)の記 録面上の点 Αに於ける光の複素振幅を次の 4つの場合に分けて考 える。
    [0016] (1) a 1 ： + 1次ビーム L +1が直接点 Aに入射した場合。
    [0017] (2) a 2 ： 0次ビーム L。 が光学式記録媒体 (6)で反射し、 再度回折 格子 ）に入射するこ とによって得られた 0次ビームがレ 一ザビーム出射端 ' ( ) で反射し、 #度涵折格子 )に 入射するこ とによ って得られた + 1 次ビームが点 Aに入 射した場合である。
    [0018] (3) a 0次ビーム L。 が光学式記録媒体 (6)で 射し、 再度 HI折 格子 ）に入射することによって得られた + 〖 次ビームが レーザビーム出射端面 （ 1A) で is!射し、 冉度 折格子 (3) に入射するこ とによって得られた （）次ビ一ムが点 Αに入 射した場合である。
    [0019] (4) a + i 次ビーム L + Lが光 .cC H媒体 (6)で k射し、 再度回 折格子 (3)に入射するこ とによ って得られた 0次ビームが レーザビーム出射端 t j (〖 A) で反射し、 冉度 折格子 (3) に入射するこ とによ って得られた 0次ビ―ムが点 Aに入 射する場合である。
    [0020] 次に a 1 〜 a 4 を式にて す。
    [0021] i i t · exp { j ( & i + g + £ 2 Δ
    [0022] + 厶 s ) } · · · (1) a 2 i 6 i l 3 r f ' exp C j { 3 ( & ι + g
    [0023] + Δ 2 + 厶 / 2 3 } 〕 · · · （2) a 3 i i t t 3 rf - exp C j { 3 ( i i + & 2 g
    [0024] + 2 厶 1 + 厶 £ 2 + 厶 + 2 厶 4 } 〕 · · · （3) a 4 f · exp j 3 ( & i + £ :i ) + g
    [0025] + 3 (厶 2 + 厶 J2 3 ) + 2 厶 1 + 2 Δ jg 4 } )
    [0026] (4) 計算の簡単のため、 レーザビームの可干渉距離を 2 ( & X + & 2 ) 以下とすると、 点 Aに於ける光の強度 I A は次式のように表され る。
    [0027] I A a + a 2 + a +· a 4 I 2 - i i t 2 ( 1 + i ;5 t 4 r ί { 3 + 2cos 2 (厶 i
    [0028] + 厶 4 ) + 2cos 2 ( Δ £ i + Δ jg 4 + & 2 + Δ £ 3 ) +- 2cos 2 ( Δ a + 厶 ^ 3 ) } 〕 ♦ ♦ · (5) 乂、 両側ビーム L b , L c の両方がレーザビーム出射端面 ( 1A) に入射する場合に於いて、 + 丄 次ビーム し +iが光学式記録媒体 ( の記録面上の点 Aに入射し、 一 1 次ビーム L が 0次ビーム L 0 に対し対称な点 Bに入射する場合は、 点 Aの光の強度 I A はほ）式 の通りであるが、 点 Bの光の強度 I B は次式のように表される。
    [0029] I B - i ί t 2 C 1 + i i5 t v 2 I 1 { 3 + 2cos 2 ( ^ & ι 一 Δ 4 ) + 2cos 2 ( A & ί ー 厶 4 + 厶 2 - Δ £ 3 ) + 2cos 2 (厶 . δ — Δ .2 ； ) } 〕 · ' · （6) 上述の点に鑑み本発明ば、 上述した光学式 ト ラ ッキング誤差検 出装 Uに於いて、 光学 へ ッ ドの 0 次ビームの光 τ,ζ 3d Η媒体に 対するタ ンジェ ンシャルスキュー角の変化によつては変化する虞 のない トラ ッキングエラ一 号を得るこ とのできるものを ¾案し よう とするものである。
    [0030] 発明の開示
    [0031] 本発明は、 半導体レーザ素子と、 この半導体レーザ素子より の レ一ザビームが入射せしめられ,る^折格子と、 こ の fel折格子より 出射した 0次ビーム及び ± 1 次ビームが通過せしめられるビーム スプリ ツタ と、 こ の ビーム スプリ ッタより出射した 0次ビーム及 び土 1 次ビームが集束せしめられて光学式記録媒体に入射せしめ られる対物レ ンズと、 光学式記録媒体により 射せしめられた ϋ 次ビーム及び土 1 次ビームが対物レ ンズを通過し、 更にビームス プリ ツタの反射面で反射した後、 入射せしめられる光検出器とを 有し、 光検出器より 土 1次ビームに対応した一対の光検出出力を 得、 この一対の光検出出力の差に基づいて 0次ビームの光学式記 録媒体上の ト ラ ツキング伏態に応じた ト ラ ツキング誤差信号を得 るようにした光学式ヘッ ドの ト ラ ツキング誤差検出装置に於いて, 半導体レーザ素子及び回折格子間に、 一対の正レ ンズと、 一対の
    [0032] £レ ンズ間に配され、 光学式記録媒体より反射し、 対物レ ンズ、 ビームスプリ ッタ及び回折格子を通過して半導体レーザ素子に向 かう中心ビーム及びその両側の両側ビームの う ち中心ビームを通 過させるも両側ビ一ムを遮る遮光体とを設けたことを特徴とする ものである。
    [0033] 冈面の簡単な説明
    [0034] 第 i A図、 第 1 B図及び第 2図は本発明による光学式へッ ドの 卜 ラ "ノキング誤差検出装置の一実施 Iの耍部を小'す配鑌¾及びそ の説明に供する波形図、 第 3図は従来の光学式へッ ドの ト ラ ツキ ング娛差検出装置を小'す略線的配置図、 第 4図及び第 5 L¾lは従来 の光学式へッ ドの ト ラ ッ キ ング娛差検出装；¾に於ける半導体レー ザ^子の一冽を不す止: i図、 第 6 は波形^、 第 7 図は ^渉の説 明に供する線図である。
    [0035] 発明を実施するための最 の形態
    [0036] 以下に第 1 A図及び第 1 B図を参照して、 本発明の一実施例を 説明するも、 第 1 A H1及び第 i B図に於いて、 第 3 HI〜第 7図と 対応する部分には同一符号を付して重複説明を省略する。 コ リ メ ータ レンズ (2)及び回折格子 (3)間に、 一対の £レンズ （凸レンズ） (9) , ( 10) と、 一対の正レ ンズ (9) . ( 10) 間に配され、 光学式記 媒体 (6)より反射し、 対物レ ンズ（5)、 ビーム スプリ ッタ（4)及び翻 忻格子 (3)を通過して半導体レーザ素子（1)に向かう中心ビーム L a 及びその両側ビーム L b , L c のう ち、 中心ビーム し a を通過さ せるも両側ビーム L b , L c を遮る遮光板 （遮光体） （ il) を設 ける。
    [0037] レンズ (9) , ( 10) と しては、 収差の少ないもの、 有効径の大き いもの、 焦点距離の長いものが望ま し く 、 例えば焦点距離が Πι»、 ΝΑが 0.14のものである。 乂、 遮光板 （ 11) の中心孔 （ 11a ) は直
    [0038] ^ (又は幅） が 60 m 、 厚さが 10 m のものである。 乂、 レーザ ビーム Lの波長は 830nm である。 又、 ビーム間間隔は 75 i m 、 記 録媒体 (6)のビームスポ ッ トサイ ズは 7 μ である。
    [0039] しかして、 第 1 A図に示すように、 半導体レーザ素子 (1)より出 射した発散レーザビームはコ リ メ ータ レンズ（2)で平 亍ビームとな され、 レンズ (9)に入射して集束され、 更にレンズ （ 10) に入射し て再び平行ビームとなされて翻折格子 (3)に入射せしめられる。 そ して、 遮光板 （ 11). をレンズ (9)を出射した集朿ビームの集朿点付 近に i¾ける。 Ula ) は遮光板 .（ U) の中心孔 （ス リ ッ ト） で、 中心ビームのみを通過させるためのものである。 その他の構成は 第 3図〜第 7図と同様である。
    [0040] かく すると、 '第 1 B図に不す如く 、 記録媒体 (6)より反射し、 対 物レ ンズ ）、 ビーム スプリ ッタ（4)及び M ) 格子 通過して半導 体レ一ザ ¾子（1)に向かう中心ビーム L a 及びその両 j則の両側ビ一 ム L b , し c のう ち中心ビーム L a は遮光板 ( 11) の中心孔 （ス リ ッ ト） （ 1 la ) を通過するも、 両側ビーム L b , L c は遮光板' ( 11) で遮られる。 尚、 遮光板 （〖1) の fe!lj斤格子 )侧の面は光吸 収性又は光乱反射性を付 である。
    [0041] 第 2図に、 第 6図に於けるタ ンジヱ ン シ ャ ルスキュー角 α " に 対する ト ラ ッキングエラー信号 S e の レベル変化の特性を、 本発 の如き レ ンズ (9) , ( 10) 及び遮光板 ( 11) を^けない場合と、 設けた場合とで夫々曲線 a , bにて示し、 曲線 （実線） a に比し 曲線 （破線） b の方が振幅レベルがかなり小さ く なつている。 かく して、 かかる光学式へッ ドの ト ラ ッキング娛差検出装置に よれば、 光学式記録媒体 (6)で反射したビームが対物レンズ (5)、 ビ 一ムスプリ ッタ（4)及び翻折格子 )を通じて半導体レーザ素子 (1)に 向かっても、 そのレーザビーム出射嬸面 （ 1 A) で反射する虞がな いので、 光学 ϊζへッ ド 0 Ηの 0次ビームの光学式記録媒体 (6)に対 するタ ンジヱ ン シャルスキュー角の変化によって変化する虞のな い トラ ッキングエラー信号を得ることができる。
    权利要求:
    Claims

    II 求 の 範 囲
    半導体レーザ素子と、 該半導体レーザ素子よりのレーザビーム が入射せしめられる回折格子と、 該 61折格子より出射した 0次ビ ーム及び土 1次ビームが通過せしめられるビ一ムスプリ ッタと、 該ビーム スプリ ッタより出射した 0次ビ一ム及び土 i 次ビームが 集束せしめられて光学式記録媒体に入射せしめられる対物レ ンズ と、 上記光学式記録媒体により反射せしめられた （）次ビ—ム及び 上 1次ビームが上記対物レ ンズを通過し、 更に上記ビームスプリ ッタの反射面で反射した後、 入射せしめられる光検出器とを有し 該光検出器より上記土 1 次ビームに対応した一対の光検出出力を 得、 該一対の光検出出力の-差に基づいて上記 0次ビームの上記光 学式記綠媒体上の ト ラ 'ンキング状態に応じた ト ラ ッキング誤差信 号を得るようにした光. 式へッ ドの ト ラ ッ キング娯^検出装置に 於いて、 上記半導体レーザ桌子及び上記 tel折格子間に、 一対の正 レ ン ズと、 該一対の Lt. レ ン ズ間に配され、 Jr. 光 '' Ud 媒 ί本よ り反射し、 上記対物レ ンズ、 上記ビーム スプリ ッ タ 2¾び 1：記 折 格子を通過して上記半導^レーザ桌子に か -i 中心ビ 一 ム及びそ の両 fflの両側ビームの う ち i亥中心ビームを通過させるも該 i*i ビ ームを遮る遮光体とを |¾けたことを特徴とする光学式へッ ドの ト ラ ッキング誤差検出装置。
    类似技术:
    公开号 | 公开日 | 专利标题
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    公开号 | 公开日
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    引用文献:
    公开号 | 申请日 | 公开日 | 申请人 | 专利标题
    法律状态:
    1986-01-30| AK| Designated states|Designated state(s): AU KR US |
    1986-01-30| AL| Designated countries for regional patents|Designated state(s): AT DE FR GB IT NL |
    1986-03-10| WWE| Wipo information: entry into national phase|Ref document number: 1985903393 Country of ref document: EP |
    1986-07-30| WWP| Wipo information: published in national office|Ref document number: 1985903393 Country of ref document: EP |
    1989-03-08| WWG| Wipo information: grant in national office|Ref document number: 1985903393 Country of ref document: EP |
    优先权:
    申请号 | 申请日 | 专利标题
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