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    • 专利摘要:

    公开号:WO1986000719A1
    申请号:PCT/JP1985/000375
    申请日:1985-07-04
    公开日:1986-01-30
    发明作者:Satoru Tomita；Susumu Imakawa
    申请人:Ricoh Company, Ltd.；
    IPC主号:H01S5-00
    专利说明:
    [0001] 明 細 書
    [0002] 光走査装置 に おけ る半導体 レ ーザ ーの 温度制御方 ί¾ 技術分野
    [0003] こ の発 明は 、 半導体 レ ーザ ー から の光を ホ ·α ス キ ャ ナ —で偏向 させ る 方式の光走 g装置に おい て 、 半導体 レ ー ザ 一の 温変制御 を行な う 方法に 関す る 。
    [0004] 背景技術
    [0005] レ ーザ ー ビ ー ム に よ り 走 を行 っ て 、 ^傢 を 記録 し た り 、 画像 を ^み驭 つ た り す る 光走 S装 ftが知 ら れ て い る こ の よ う な 光走査装置の Ί 種 と し て 、 光源 と し て半導体 レ ーザ ー を用 い 、 こ の半導体 レ ー ザ ー か ら の 光を 、 ホ α ス キ ャ ナ 一 で懾向 させ る 方式の S ¾が琵案 され て いる
    [0006] ( 例 えば、 特虚'昭 59 - 28ϋ όό 号 ） 。
    [0007] 以 下、 矛 1 図 を参照 し て 、 上記方 式の光足 g mの あ ら ま し に っ き 簡単 に |¾ ¾ し 、 あ わせ て 、 ^発 ¾ K よ り 解 決し よ う と す る 問通 ^に つ き のベ る
    [0008] 1 図 ' 、 半導 レ 一 ザ 一 力、 ら の光を ホ α ス キ ャ ナ 一 で偏向 させる 方式の 光走': i: ^ fc を ¾ いた ¾i z録装置 を し て ヽ な ο
    [0009] ォ 1 ^ に おい て 、 衧号 1□は半導体 レ ーザ —、 符号 1 2は コ リ メ 一 ト レ ン ズ 、 符号 1 4は シ リ ン ド リ カ ル レ ン ズ 、 符 号 16 , 1 b , 22 は平面繞、 符 号 2CJはホ ロ ス キ ャ ナ 一 、 符号 24は ：^ レ ン ズ 、 符号 20 , 2 & に平面鏡、 符号 3ひ シ リ ン ド リ カ ル レ ン ズ 、 符号 32は允導 ' 性の 感光体、 符 号 54 · 56 は 、 受光 ¾ 子を 、 それぞれ示 し て い る 。 実の と こ ろ 、 ^ 1 図 示す装 ftに お い て 、 本発明は実 施 されて い る の であ る が、 1 図力 ら 、 受光累 子 30を と り のぞい た も の を考え る と 、 受光累 子 30のな い装置は、 上記問題点を含む も のであ る か '「つ 、 さ し あ た っ て 、 問題 点を説明す る あ いだ、 1 図 に おい て 、 受光素 子 30の存 在を無視す る も の と す る。
    [0010] ホ ロ ス キ ャ ナ 一 2Qは 、 ホ ロ デ ィ ス ク 2CJA と モ ー タ 一' 2QB と に よ り 構成 され て い る π ホ α デ ィ ス ク 20Α は、 円 ¾吠であ っ て 、 モ ー タ 一 2C1B の軸 （て 固装 され て 、 矢印方 向へ、 モ ー タ 一 2( Β よ っ て 叵転 動 され る よ う に な つ て い る 。 . ホ α デ ィ ス ク 2ϋΑ の透明 な 円形 S板の Η 面 は 、 同一 形状の複敎の「 折 ¾ 子 2ϋα が、 円 境 伏 列 ^ ¾ され て い る。
    [0011] 回折格 子 20Q は 、 匼線状 折格 子で っ て 、 相互に 光 学的 Κ 等： であ り 、 ホ ロ グ ラ ム と し て力乡 され て い る 。 ホ α デ ィ ス ク 、 ホ α ス キ ャ ナ ー と い う 名 祢； 、 折裕 子
    [0012] 2口□ がホ 口 グ ラ ム と し て形 ' され て い る こ と 由来す る c さ て、 半導体 レ ー ザ 一 Ί ϋ力 ら 放射 され る レ ーザ ー 光は、 コ リ メ 一 ト レ ン ズ 12に よ り 平行光 ¾化 さ rし 、 シ リ ン ド リ カ ル レ ン ズ 14、 平 面 1 ό , 1 δを介し て 、 ホ 。 デ ィ ス ク
    [0013] - 20Α の 折裕 子 2ϋα 入射する 。 こ れ よ つ て 、 折 ビ — ム が発生す る 。 ホ α デ ィ ス ク 2 ϋΑ が回転す る と 、 回折 ビ ー ムは 冋 す る。 入射 レ ー ザ 一 尤 ^ rする 折裕 子 200 の、 格 子方：司 が変化する ため であ る 。 こ の よ う 偏 向 される 回折 ビ ー ム を、 偏向 レ ー ザ一 ビ ー ム と 称す る 。 回折 ビ ー ム は、 平面鏡 22、 f Q レ ン ズ 24、 平面鏡 20， 28 、 シ リ ン ド リ カ ル レ ン ズ 50を 介 し て 、 ベ ル ト 状の感 光体 32上 に 至 [J り 、 f 0 レ ン ズ 24、 シ リ ン ド リ カ ル レ ン ズ 1 , 30 の結傢作用 に よ り 、 感光体 32上に ス ボ ッ ト 状に 集束す る。 ホ 。 デ ィ ス ク 2 ϋΑ の 回転に 伴い偏'向 レ ー ザ 一 ビ ー ム に よ る 感；) t体上の ス ボ ッ ト は 、 感光体 52上を直線 的に変位 し 、 レ ーザー 光の入射す る 回折格 子が切澳 る た びに 、 同一の変位 、 すな わち 光走査が繰返 さ れ る。 矛 1 図に お い て 、 直線 38は 、 光走査に おけ る上 記ス ボ ッ ト の 軌跡を示 し 、 こ の直線 38を 、 主走査線 と い う 。 ま た 、 感 光体 32上で、 主走 ¾羰 58と ！：交す 方 向 を ¾ 定 ¾方向 と 称す る。 、
    [0014] 感 光体 52は回'勤する 。 慼 光体 52の ^ 面は均一；て 帝電 さ れたの ち 、 光走 ¾邰 K至 IJ り 、 偏 向 レ ーザ 一 ビ ー ム に よ り 光足 ¾ され る 。 こ の と き 、 ¾錄すべ き 1 に ¾ す る 画 ¾ 1百亏で、 半導体 レ — ザ — Ί ΰの発 光強 ¾を変 ^すれぱ、 感光体 52に は 、 上記画像 '/ ζ ¾ずる 静電 潜 ¾が形 tlx され る c 従 っ て、 こ の静電潜 i を ％傢 し 、 得 られ る 可視塚を紙等 の 記録シ ー ト に ¾έ写 · 定 ¾すれば、 所望の 記録画傢を得 る こ と が で き る 。
    [0015] 以上が、 光走 ¾のあ ら ま し であ る 。
    [0016] な お、 受光素 子 34は、 光 ¾の！： 前で偏向 レ ーザ'一 ビ — ム を受 し 、 光走 ¾:の ¾点を 揃え る の ¾ い ら れ る- さ て 、 周知 ク ヌ Q く 、 半導体 レ ー ザ 一 力 ら放射 され る レ 一ザ一 光は、 半導体 レ ー ザ — の；！度が変化す る と 、 それ に伴っ て変化す る 。
    [0017] 半導体 レ ー ザー 力 ら の光を ホ α ス キ ャ ナ 一 で偏向す る 方式の光走 ¾装置 に おい ては 、 半導体 レ ーザ —から の レ 一ザ 一光の 波長が変化す る と 、 回折格 子に よ る 回折 ビ ー ム の 回折角 が変化 し 、 それ に伴 っ て 、 光走 部すな わち 主走 S線 の位 ftが 」走査方向へ変動 し 、 適正な 光走 ¾が でき な く な る 。
    [0018] 半導体 レ ー ザー の 度は 、 光走査装！：の 、 半導体 レ ー ザ一近傍 の 雰 H気 温 Sや、 半導体 レ ー ザ一 に 通ぜら れ る 電流に よ る ジ ュ 一 ル 熱等 よ つ て変ィヒす る の で、 レ ー ザ 一光の波長を安足 させ る ため は 、 半導 ^ レ ーザ ーの 温 ^を πϊϋ御する 必要 があ る が、 半導体 レ ーザ — 自 体; 極め て微小であ る の で、 こ れ を 直接に Ϊ1 i¾ rflj す る こ と が困 難であ る と こ ろ力ゝ ら 、 半導体 レ 一 ザ一 を保持す る 保持体 を S釗脚す る こ と に よ り 半 本 レ ー ザ 一 の を間 ¾ に 】 : す る こ と が行な われ て い る 。
    [0019] さ て、 半導体 レ ーザ ーはー骰に 0 ― 5 ϋ 'C く ら いの温 s範 a で使用 され る が 、 こ の ¾ の is ¾ iii 円 では 、 温 度 と レ ーザ ー 光の波長 と の阖 1糸は、 2 凶 に 示す如 く 、 一絞に 階 ¾状の線であ ら わ され る 。 こ の よ う な 啥 I ^伏の 3 - 1 を 、 温 ¾ と 波長の！ 1糸 をあ ら わす特性線 と ^ぶ こ と にす る。 特性 ¾の形 ^: 自 は 、 個 々 の半導体 レ ー ザ 一 に ） じ て定 ま り 、 半導体 レ ーザ ー ご と に萁な る が、 特 ¾線の： 伏は一 ¾に ¾状 と な 。 ^ 2 図 に おい て 、 かかる 特性線に おける 、 領域 A , B , C 等、 温度変化 に 応 じ て波長がゆ る やかに 変化す る 領域を 、 棚状部 と よ び、 棚状部間 の、 波長が ジ ャ ン プす る部分を 差部 と 呼ぶこ と にする 。 現実に は 、 棚伏部に も 、 多 少の凹凸はあ る が、 それ らは、 実除上光走 gに 支障を き たす よ う な 問題 と な ら な いの で、 矛 2 図 では無視 され て い る 。 棚状部の幅す なわ ち 、 ひ と つの ¾差部 と 、 こ れに と な る ¾差部 と の間 は 、 通 常数度の 温度蝠であ る 。 そ こ で、 仮 に 、 棚状部 B の 温度幅 . すな わち ， 温度差 （ u - T L ) が 5 度あ っ た と す る と ， その 中間の 温度 を 設定温度 と し 、 半導体 レ 一ザ一 を保持す る 保持体の温荧を 、 ¾定温 度 τ。 の .近 傍、 例えば T： ± 1 °C の範囲 制御すれば 、 実 ^上、 半 導体 レ ーザ 一 力 ら の レ 一 ザ 一 光の波長は一定に 制御 され る ο
    [0020] な お、 半導体 レ ーザ 一 の温 度ね、、 L か ら ,· ま で変化 し た と し て も 、 レ ー ザ 一 光の ？反長の変化は - L であ つ て、 この変化は小 さ く 、 言すれぱ 、 半導体 レ ーザ一 の 温 .が同 じ棚状部上で変動 し て い る り は 、 前述の主走 g の変動は実用上問題 と な ら な い n
    [0021] し 力、 し 、 半導体 レ ーサ ー の温度が u ま たは T L を越 え る と 、 レ ー ザ 一 光の 長は、 （ 2 - え ' ） あ る いは ( ' - 1 ) だけ 不連続 大 き く 変化 し 、 こ の よ う な 大 き な 波長変化が生ずる と 、 適正な 光走査は困離 と な る 。
    [0022] さ て 、 本発明 よ り 解决 し ょ う と す る 問題点 と は 、 以 下の如 き も の であ る 上述の'例でいえぱ、 半導体 レ ー ザー を保持す る 保持体 の温度を 、 設定温度 Tc の近傍に 制御 し ていれば 、 実際 上、 半導体 レ ーザ ーの 温度変化 に よ る 光走 上の 不都合 は生 じ な い。 し カゝ し な が ら 、 こ れは、 特性線が時間的に 不変であ る こ と を前徒 と し て い る 。
    [0023] と こ ろ で、 特性線は、 実 ^ に は、 時間的に 不変では な く 、 半導体 レ ーザ ー の疲労 と と も に経時的 に 変化す る 。 こ の経 寺的な 変化に は 2 つ の パ タ ー ン力；あ る 。 すな わち、 その ^ 1 は、 矛 5 '図 （： I ) に 示す よ う に 、 棚伏 ^上をす ベ る よ う に し て 、 特性 «全体が、 破 で示す よ う 低温 度側へずれ る場合であ り 、 2 は、 3 囟 〔 U ) 示す よ -う に 、 棚状邰上をすベ る よ う に し て 、 特 ΓΕ ≡: '本が 、 破籙で示す よ う 、 ¾ © s, wへすれ る ·½ ¾· ； る つ
    [0024] 特性裰の ^時的変化は 々 の半導体 レ ー ザ — ご と に こ と な る 。 すな わち 、 特性綠がー方 ¾ に 高 ^ ' ま たは低 ¾ S i へずれ る も の も あ る し 、 特性 ^の 丁 る 万向 ね U的 変化す る も の も あ る 。
    [0025] する と 、 」 え ば、 3 a 〔 I ) ；て お い て 、 έ¾ fij 上 の設定温 S ό^ τ: であ る場合、 半 体 レ ー ザ ー 痰労が な く 、 特性 ^が実 ^ 5 - 1 であ と ぎは問 な '、、 が、 特
    [0026] 'ίϋΕ ^が β 的に 変ィ匕 し て 、 俊線 4 - Ί の き も の と な る と 、 牛導 ' レ ー サ ー の .: S度は Τ であ っ て も 、 放射 され る レ ーザ ー 允の 長は；； き く ¾ィヒ し て し ま う 。 3
    [0027] ( li ) に おい て 、 特性 ¾の经 的 化 に と も な い、 特性 線が破梂 4 - 2 の き も の と な つ た.場合 も I司 であ る 。 こ の よ う な 特性線の経時的変化が生ずる と 、 従来行な われ て い る 温度制御は、 も は や、 役に 立た な く な つ て し ま う 。
    [0028] 従 っ て 、 本発明 の 目 的は、 矛 1 に 、 上記特性線の経時 な変化 に 对処 し う る 温 制御方法を提供す る こ と であ り 、 2 に 、 上記温度制 ¾方 を長 ¾的 に 行な う こ と を 可能な ら し め る こ と であ り 、 3 に 、 上記溘 ¾副 ^方法 の確実 な 実 を ¾ 能な ら し む る こ と であ る 。
    [0029] 発明の開 示
    [0030] 本発明 お い て も 、 半導体 レ ー ザ ー は 、 こ れ を 保持す る 保持 ^を 介 し て I曰 ¾ B9 ίώ ¾制 1 され る
    [0031] すな わち 、 ' 捋体の温度は ifi素 子 ';て よ り 悮出 され、 こ の感 a 素 子の 出力 ί 、 じ て 、 ペ ルチ ェ素 子が、 を Tj あ る いは；令却 し て 、 怃待体の is κ を所定の 設定温 ¾ も と づい て 、 ι¾定 ^度近傍 ： c す る 。
    [0032] 一万 、 偏！可 レ ー ザ ー ビ ー ム よ る ¾R 外 ；'て 、 2 個 '^：光 ¾ 子が M され る 。 こ こ 定 ¾ ¾¾ ¾外 と は、 偏问 レ ー ザ ー ビ ー ム を 光で き て 、 な おかつ 、 允走 ¾の妨け と な ら な い よ う な a Κ —を い う つ
    [0033] 2 の 光累 ナは 、 偏向 レ ー サ ー ビ ー ム を順 I 受光 し う る よ う に ^備 され る 。
    [0034] 非本走登 、 上 c: 2 1回 の ' 宂 ¾ 子 よ っ て 、 偏向 レ 一 ザ 一 ビ ー ム が ； 光 され、 こ れ ら ¾光素 子の 出力 の ： が俠出 され る ， こ の ' 間 s 、 循向 レ ー サ ー ビ ー ム り波：¾ ^ じ て変化す る ¾ 'ノリ であ り 、 こ の時 ra1 が尸 定の設定領域外と な る と き 、 温度制御の た め の設定温度 が、 所定温度だけずら し て再設定 さ れる 。
    [0035] 2 個の受光累 子の う ちのひ と つ を 、 ビ ー ム 位置検出 セ ン サ 一 と し、 上記時'間差と と も に 、 ビ ー ム 位置の検出 を 行な う こ と に よ り 、 特性線の経 ^変化 を 、 よ り 確実に検 知で き る 。 ビ ー ム位 I も ま た 、 波長変化 に 对 IT、する か ら であ る 。 従 っ て 、 ビ ー ム位置 と 、 時間 s と に 、 予め適正 領域の限界 mを定め てお き 、 少 く と も どち 「つ か一方が、 こ の 界値を越え た と ぎ に 、 m s SJ めの ¾定温度 を尸丌定温度すら す よ う す る こ と よ り 、 よ り ^実に 0御を行な い う る 。 ま た 、 設定温 &:を すら し て 冉設定 し た と き 、 Tた な ¾定 ί : ¾ し て 、 正 -、 ん 界 を も 設定す る こ と よ り 、 is ¾ 」 を 、 よ- り 二-.:: 」 '；て わた つ て： ιΕ正 行 う こ と がで き る 。
    [0036] ま た . 非本走 ^:時 ；て 、 半導 レ ー サ ー を '!- i'f す る ¾ T寺 体の sを変化 させつつ 、 上 t時 ¾ ^ い ^ 差 と ビ ー ム ΐΰ ¾ と を，ί 出 し 、 こ れ ら が、 m定の ¾ を -越え る と き の ^度を 知 し 、 こ のネ ¾ さ た ； ¾ 7i ら 所定 ¾
    [0037] Sすれた S ¾を 、 ® ¾制 -%の た め の お定 s S と し て再設 定 し て も よ い。
    [0038] こ の よ う に 、 2 つの ^;光素 子の 出力の時 ¾ 差、 あ る い は、 時 ^ と ビ ー ム 12： ¾ と に よ っ て 、 キ守性祙の经埒変化 を検知 し 、' それ ίι5 じ て Ϊ ¾剞 』 た め の ¾定温 Kをず ら すの で、 E ffij 上 性 ¾の変ィヒ ；に ΰϊ. じ て对 ' する ご と がで き る 。 図 s の簡単な説 明
    [0039] 矛 1 図 は 、 本発 明 の各実拖 m κ 共通 実沲 され る 光走 置に つ い て ， こ れを 画 1 '彖 記録装置に 適用 し た場合を 要部のみ示す説明図的な斜視図、 矛 2 図お よ び矛 3 IIは、 半導体 レ ー ザ 一 の特性線 と 、 その怪時的変化を 説明す る た めの図 、 矛 4 図は 、 本発明の実拖の た めの 回路構成 の 1 例を 示す フ' α ッ ク 図 、 矛 5 図は、 本発明 の実沲の ため の 回路構成の他の 例を示す ブ 口 ッ ク 図、 矛 ό 図お よ び 矛 7 図は 、 本発明 つ い て の ビ ー ム位置検出累 子を説明 する た め の図 、 矛 8 図， 9 図は 、 本発明の温 制御手 設を 説明す る た めの 回路 図 であ る 。
    [0040] 発明 を実 范す る ため の最良 の形態
    [0041] 以下、 本発明 を実拖例 Κつ い て図面 を参照 し な が ら |¾ 明す o
    [0042] ( 5E 求の範囲矛 1 項記載の発 明 / ^ ¾ I す る実 沲 」 ）
    [0043] 不発 明は 、 矛 1 図（て 示 され る 装 ¾に よ り 芙 沲 される 。
    [0044] こ では 、 前述 おい て存在 を 視する こ と と し'た受 光素 子 を 、 無視せずに発明 の実 施上必 な構 ^要素 と し て位置づけ る
    [0045] 従 つ て 、 偏向 レ ーザ ー ビ ー ム に よ る 走 ¾镇域外に 、 2 個の受光 m 子 34 、 3 0 が配漏 され る こ と と な る 。
    [0046] こ に 走笪領域外 と は 、 偏向 レ ー ザ 一 ビ ー ム を 受光 で き て 、 な おかつ 、 光走 ¾の妨け と な ら な い よ う な 位蘆 を い う
    [0047] 2 l la"の受尤累 子は、 各 l 向の た び に 、 谁向 レ - ザ 一 ビ ー ム を順欠受光す る 。 2 個の受光累 子か ら の 出 力信号の
    [0048] ' 時 rsi差が検出 され、 こ の時 m差が所定の設定領域外 と な る と き、 温度制御の た め の設定温度を所定 ®度だけずら し て再設定す る 。
    [0049] 前述 し た よ う に 、 半導 1 レ ー ザ ーの発光波長が変化す
    [0050] •る と 、 回折 ビ ー ム おけ る 叵折角 が変化す る 。 叵折 ビ 一 ム の 叵折角 が変化す る と 、 偏冋 レ ーザ 一 ビ ー ム の走 ¾速
    [0051] - が変化 し 、 従 っ て 、 偏向 レ ー ザ ー ビ ー ム を 2 1 の受光 素 子で順 ；欠 :！：光す る と 、 谷 光累 子か ら の 出力 信号の時 间 sが変化する 。 従 っ て ， 上記時 差は 、 半導 レ ー ザ
    [0052] — の発光波長の変化 す る 。 そ こ で、 2 1^ ¾ ¾ 子の 出力の時 ra に よ っ て 、 半 ：本 レ ーザ ー ，、- お る発 光波； ¾の変ィ匕 を し 、 午 ¾ レ ー サ ー ...：； 人 〗 に する のであ る 。
    [0053] 以 、 具体的な '」 βμ し て ^ す 、
    [0054] 半導 1本 レ ー ザ 一 お 丁 る 、 特 ¾ ：; 、 广 ¾ ^ こ と が で き る 。 特性 ¾ 、 ¾ ^ すれ る よ う ；て 変化す る が、 特性議の形伏 自 体 、 実質 [ 3 (て ¾! ί匕 し な い も の と 考えて よ い。
    [0055] そ こ で ま す、 1 図 7C 示す半 ^ レ ー ザ — 1 C!の特性 ^ が、 疲労 の な い ， で、 2 ^| 、 7 ^ に 示す特 铩 b - 1 の如 き も の であ る と す る 。 そ こ で、 半導体 レ ーザ — 1 に痰労 の な ' 、状 ' お い ては 、 '(S ¾ SO f:aJの めの ¾ζ
    [0056] を Τ : と し 、 こ の と き の発 光 & を ： と す る 。
    [0057] 5 ま た 、 诵 向 レ ーザ ー ビ ー ム を ； 2 つ 光素 子 54 ， 3 6 ( 1 図 ） で受け る よ う に す る 。 各偏向の た び に 、 偏向 レ ー ザ 一 ビ ー ム は 、 ま ず受光素 子 34で受光 され、 感光体 52 を光走 S し ， いで受光累 子 30で受光 され る 。 そ こ で、 波長 义 0 の と き 、 受光累 子 54の 出力 と 、 受光累 子 30 の出 力 と の時 差を て。 と す る 。 ま た、 波長 ス。 + ( 2 一 I rj ) = λ A 9 0 — ( L 一 ス 1 ) = を 設定 し 、 こ れ ら 波長 A , ス 3 の と き の上記 時間差を て A λ よ び て Β と す る 。 2 A 〉 。 〉 B であ り、 回折角は、 波：¾が大 き く な る に つれ て大 き く な り 、 回折 角が大き いほ ど、 上 記時 差は .短 く な る の で、 て A く て 。 く て δ であ る 。
    [0058] そこ で， 受光素 子 34 . 3 ό の 出 力の時間差を検知す る の であ る が 、 今、 温度制 ¾の ため の ¾定温 Sが Τ·: であ も こ と を考 え る と 、 時間差 が検 され る と き は 、 半 導 1 レ ー サ ー 1□の特性 ^は 、 Λ ' 3 ( I ) の特性 ^ -
    [0059] 1 の ご と き も の と な っ て い る 。 従 っ て 、 こ の - ¾兮、 a度 削 miの め の r 定 ^ 度 を τ か ^ 、 低 ¾ ¾側へ所定温 度
    [0060] 1
    [0061] 〔 —— （ , - ) 程 ） ずら し た T i Q ¾定 し て 温 ¾制
    [0062] 2
    [0063] - lすれば 、 ¾定温 は痰労 し た特性 - 1 に おけ る棚 ^ B の 中央近傍の ^ と な り 、 発光波長は 、 当 初の に 近い .□ の近傍 安定する 。 同 、 時 差 て 5 が検 知 され た と き は 、 特性 ^はォ 3 図 （ ]1 ) の特性羰 4 - 2 の如 き も の と な っ て い る の で、 こ の場合は 、 ¾定 'ΪΙ ¾： を
    [0064] Τ , カゝ 高 ¾度側へ所定温 ¾ずら し た Τ 2 Q に 再 ¾ し て 温度制御する と 、 発光波長は、 当初の え：. に近い 2 Q の 近傍に安定する 。
    [0065] ' 矛 4 図は、 本発明 を 実拖す る 際の回路構成を 、 ブ α ッ ク 図 よ り 示 し て い る 。 図 中、 符号 40は、 半導体 レ ーザ 一 を保持す る 侏持体を示す。 こ の保持体 40の温度は感 a素 子た る サ ー ミ ス タ 42で検知 され、 ま たペ ルチ ェ素 子
    [0066] 44 に よ り 、 保持 4Qを加熱 ' 冷却で き る よ う に な っ て い る 。
    [0067] 半導体 レ ーザ一 1□に痰労の な い当 初、 比較器 όόには 温 度 : に 対応する 値が設定 されて い る 。 サ ー ミ ス タ 42の 出力は比較器 60に送 ら れて 設定 Μ と 比敷 され、 両者の差 Κ ¾ じ た 出 力が比較 66か 、 制脚 路 όδへ送 ら れる 。 制 ¾回路 08は印刀 Π され る 信号に じ て 、 ペ ルチ ェ累 子 44 の通電 を制 し 、 侏持 ί¾4 ύを加熱 し 又は；令却す る '。 こ の 制 ¾は 、 常 、 サ ー ミ ス タ 42の 出 力 を 、 比較 όόに おけ る 111； ^ ¾せ し め る よ う に 行な れ る 。 ^ つ て 、 当 初は、 侏待体4 ΰクリ ¾は 定 區 - の近傍 ' mされ、 それ に 応 じ て 、 半導体 レ ー ザ ー 10の ^ S も ^ 佞的 に To の近傍 ' ' 制 ¾ され る 。 ·
    [0068] さ て、 光素 子 34 . 30 の 出 力は、 電圧信号 変 ¾ さ れ、 ¾蝠 され る 等、 必 な 処垤を 沲 され て 、 フ リ ッ プ フ 口 ッ プ 40に 印 ^ され る 。 する と 、 フ リ ッ プ フ α ッ プ 40の 出力は、 受光累 子 4 . 5 ό の 出力の時間 ^ ^ ^ )^する 。 フ リ ッ ブ フ α ッ プ 40の 出 力 、 すな わち受光素 子 4 , 50 の出力 の時 i¾j差は 、 カ ウ ン タ 一 5ϋに 印加 され、 発 ¾器 48 力 ら の ク ロ ッ ク パ ル ス で計量 され、 その結果は 、 D Z A 変 ¾器 52で ア ナ α グ量 に変侠 され、 増幅器 54で増幅 され て 、 比.較器 5ό , 58 に 印加 され る 。
    [0069] 比較器 50は 、 受光素 子 54 . 50 の 出力の時間差 r が、 設定値 て 3 よ り 大き い と き 、 論理値 0 を 出力 し 、 て が て B よ り 小 さ い と き は、 論理値 1 を 出力する よ う に 調製 され て い る 。 一方 、 比敷器 58は、 時間差 て が て A よ り 小 さ い と き 、 論理値 0 、 て A よ り 大き い と き m理値 1 を 出力す る よ う に 1¾製 され て い る。
    [0070] 比馭器 50の 出 力 、 ア ン ド 回路 00、 ナ ン ド 回路 02に 印 ^ され、 比敏器 58の 出力は 、 ア ン ド 回路 60へ印加 され る と と も に 、 ナ ン ド [Q路 02へは 、 イ ン バ — タ 一 01を 介 し て 印加 され る 。
    [0071] す る と 、 時 差 が、 rA < r < r 3 であ る と き は、 了 ン ド 回路 όθ 、 ナ ン ド 13；¾ 02の 出力 と も に 論理 1 であ る 。 時「 が、 ： 〉 ： 3 と な る と 、 ァ ン ド ό ϋの出 力 ¾理値 ϋ 、 ナ ン ド Ε C 2の 出力 論 値 Ί と な り 、 時
    [0072] ,¾1 ¾ r 力'、、 て ぐ て k の と き は、 ア ン ド fej路 ό 0 , ア ン ド 回 ¾ 62は、 と も に 論 ¾ 0 を 出 力す る 。
    [0073] 力 く し て ， . く て く τ 3 , r > 7 Β , く て Α の各場合 /て 、 じ て 、 ^度 ¾：定 ¾ ό4に は、 異な る 信号が印 πされ る こ と に な る 。
    [0074] く ： く て s であ る と き 、 温 ：定回路 04は、 その と き の 、 比歐器 όόの ¾定値を 、 その値 ' つ。 ま た 、 て > て -- の と き は 、 S設定回 04は、 ¾定 ^ を 、 低 ^ 度 1
    [0075] 側へ所定温 g、 例えば一 （ , - T L ) だけずら し た温度
    [0076] 2 に対 す る値を 、 比較器 ό όに 再設定する 。 ま た 、 て く て Α の と き は、 温 設定回路は 、 設定温度を高 温度側へ所定 温 度だけずら し た温度 に对 5す る 値を 、 比釵器 ό όに 再設 定'す る 。
    [0077] 受光素 子 34 . 30 に よ り 、 出力 の時間差を検出 し 、 そ の結果 に も と づい て、 設定温 を ずら すのは、 非本走査 時、 す な わち 、 半導体 レ ー ザ ーが発光し 、 ホ α ス キ ャ ナ ―が（乍 ¾ し 、 な おかつ画 記録用 又は画傢読取用 の 光走 が行な われ て い な い と き に 行な えば よ い。
    [0078] な お、 1 図の例 おい て 、 受光素 子 ό4は、 光走 gの ；司期を と る ための 、 同 ¾検 素 子を ¾ね て い る 。 2 個の 受光素 子は、 傰向 レ ー ザ ー ビ ー ム を， '1貞 i欠受光 し う る限 り 走 ¾i镇 外の任 *の位置 ¾け て よ い。
    [0079] ( 請 の 範 ! 51矛 2 項記 の発 ¾ に · 、する 実沲 ）
    [0080] ( に 、 求の ½ a矛 2 項記載の発明 对 ^す る 実 例 を ^明す る 。
    [0081] こ の実 拖：タ |」 も 、 例えぱ 1 図 に 示 され る 装 に よ り 実 沲 さ ，L る 。
    [0082] 本実 沲 では 、 非本定 a時 、 保持体の ® ¾を変化 さ せつつ 、 2 の受光累 子の 出 力の時「曰 差が検出 される 。 そ し て 、 こ の時間差が所定の ¾定値を越え る と き の温 S が 知 さ れ る 。 そ し て 、 こ の よ う に し て俟知 された温 度 力 ¾ら 所定の S Sだけすら し た 磕度を 、 a .制御の ための 設定温度 と し て 設定す る の であ る 。 な お、 非本走査時 と は、 半導体 レ ー ザー が発光 し 、 ホ α デ ィ ス ク が回転 し 、 な おかつ、 画傢 記録用 も し く は画像記録用 の光走 '： g 〔 本 走査 と い う ） が行な われ て い な い と き を い い 、 具体的に
    [0083] 5 は 、 本走査と 本走 ¾の間 、 あ る いは 、 本走 ¾前の待期時 等であ る 。
    [0084] 矛 1 図 示す例 に おい て 、 2 個の 受光素 子 と は 、 受光 ¾ 子 54 , 3 ό であ る 。 偏向 レ ーザ 一 ビ ー ム は、 走 ^:領域 を 走査する 直前 に 受光累 子 54に受光せ ら れ、 走 ¾：領 ¾を )0 走 ¾ し た直 ¾に 受光素 子 30に 受光 され る 。 受光素 子 54の 出力は、 光走 ¾ 同期 を と る の に 用 い ら れ る 。 すな わち 矛 1 図 お 、 て本実 沲 ^ では受 t素 子 3 4は 、 瘟 ¾制脚 ¾ と 、 光走 の 同 ¾ - 用 と を ¾ ね て い る 、
    [0085] と こ ろ で、 前述し た よ う に 、 半導体 レ ーザ 一 の温 sが
    [0086] 15 変化 し 、 発 光波長が変化す る と 、 ホ □ デ ィ ス ク の 折裕 子に よ る 回 ^ ビ ー ム の 叵折 ¾ が ¾化す る 。 折 ^の W.化 は、 偏向 レ ーザ ー ビ ー ム の偏向 ； に を生 ずる 。 従 つ て 、 偏向 レ ーザ 一 ビ ー ム の ' fe冋 ¾ の 2 ^ 光素 子 を.配 し て 、 各受光素 子の 出 力 の時 ¾i ¾を検出す る と 、 こ
    [0087] 2Q の時 差の変勣；ΐ 、 半導体 レ ー ザ ー に おけ る発光波長の 変動 と 对 す る 。 本発 明は 、 こ の事実を利 し て い る 。
    [0088] 以下、 具体 3勺に ^明す る 。 Ί て 示す半導体 レ ー ザ — 1 0の特性 を 、 疲労 のな い状恶に おい て ^ · 2 図の特性 镪 5 - 1 であ る と す る 特性籙 5 - Ί は 、 g時的 て 変動
    [0089] 25 し 、 厳 ¾ な 意味 では 、 こ の軽 変化 に よ り 特性裰の形 ί : 自 も変化する の であ る が、 こ の特性線の形状の変化は 極めて微か-な も の であ り 、 本発明の実 沲 おい て は、 特 性線の形状自 体は不変 と し て取扱 つ て良い。
    [0090] 今、 特性線 3 - 1 の 棚状部 B の 中央部 を 、 温 度制御の ¾定 ¾度 と する こ と を考 えて み る 。 上に の べ た よ う に 、 特性線 3 - 1 の形状自 体は 、 経時変化 に 对 し 実質的 に 不 変であ る から 、 棚状 B の両端の ¾差部 を与え る 温度 T L , T 自体は、 経時的 に変化す るが、 （ T D - T L ) と
    [0091] 1
    [0092] い う 温 差は、 経時的 変化 し な い。 以下、.一 （ u -
    [0093] 2
    [0094] τ二 ） を Τ と 書 く 。 . 本走 ¾時に おけ る半導体 レ —ザ 一 1 ϋの温 ¾：制 は、 に述べる よ う に行な われ る 。
    [0095] ^ 5 a おい て、 比釵 ¾ όϋ に は 、 設定温度、 え ば ifi s τ . に对 ^する比敷 レ ベル が 定 され る n こ の こ と を 、 ¾i nfij 用 の 温 Si τ— 力 ' 定 され る と い う 。
    [0096] ' ΐ零'^: 4 ϋの 温 Sはサ 一 ミ ス タ 42に よ り 検矢 ϋ され、 サ ー ミ ス タ 42の出 力は比較器 40 U に と り こ ま れ て 上 sd比較 レ ベルと 比較 され る 。 そ し て 、 比較 όϋ カゝ らは 、 両 の S；て S じ た信亏が出 され、 謂 ¾ 路 48 Q へ送ら れ る 。 制 $6 4 & ϋ は 、 印 jf|4 され る 1言号に従 って 、 ぺノレチ ェ素 子 4 に 通 する 電 を制 ' する 。 ペルチ ェ素 子 44は通 ·¾ さ れる ¾流の大 き さ及 び向 き に 従 っ て 、 発熱 ま たは ¾熟 し fe持体 4 Qを UG ¾¾ し 、 义は ；令却す る 。 」脚は 、 サ ー ミ ス タ 42 の 出 力が比 ¾ 4όに おけ る 比較 レ ベ ル に 合 ¾す る よ う に行な われ る 。 こ れ に よ つ て 、 保持体 40の 温 Sは、 設 定温度の近傍の 温度に 制御 さ れ、 半導体 レ 一ザ一 1リの温 度 も 上記設定温度近傍の 温 S に HJ御 され る 。
    [0097] さ て 、 非本走査時に 、 本発 の 温度制御を行 う と 、 CPU 50C1 が カ ウ ン タ ー 580 を 作動 させ る 。 カ ウ ン タ 一 580 は 、 発振 000 か ら の ク α ッ ク パ ル ス を カ ウ ン ト し、 所定数の パ ル ス ご と に 、 信号出 力 を 、 所定の初期 1直か ら、 順 、 ゆ っ く り と 階 ¾状 に 上昇 させ て い く 。 カ ウ ン タ ー 580 の 出 力は、 D Α 変渙器 020 で ア ナ Q グ信号 変 され、 比馭 ¾ 46 U に 印加 し 、 比釵器 4ό ϋ に おけ る レ ベ ル を変化 させ る 。 こ れ よ つ て 、 比較器 4ό ϋ の比較 レ ベ ル が所定の初期 レ べ ルか 的 '：て ¾化 す る .っ 初 ¾ レ ベ ル は、 溘 S と し て は、 伊」ぇぱ、 3 ( ]1 ：) の Τ。 に.对応 する 。 ま た、 比敏 レ ベ ル の 1 ス テ ツ ァの変ィ匕は、 例えぱ. ^ 差 CJ · 1 度に对 、す る 。 そ う す る と 、 ® K；别 '；¾の ¾定 s Xが 、 ; か 0 . 1 'c き ざみ で ¾ 的 ¾：化 す る と こ ろ と な り 、 従 っ て保持 40を介 し て 半 ¾ 7 レ ーザ 一 Ί ϋの が 、 Τ : から Q · Ί き ざみ で上昇. Τる 。 比敏 ¾ 4ό ϋ - の設定 温 ¾ をゆ っ く り と 切 ^ え る のは 、 ¾定 S ¾：の変化 に 、 待体4 CJ、 半導体 レ ー ザ — 1 ϋ の .: ¾度変化 を ¾実 ；て返 従 させる ため であ る 。 従 っ て . ゆ っ く り 、 と は 、 上 ¾退 従が可 —な ^ り に おけ る 、 可及的 運い変化 を い う 。
    [0098] —方 、 光累 子 4 . 5 0 の ¾ カ フ リ ツ ブ フ Q .ソ プ 5 Q 0 /て 印； され る 。 す る と 、 フ リ ッ プ フ ロ ッ フ' 5ϋ ΰ か は、 受光累 子 34 , 3 ό の出 カ クつ 時「曰 差 [L, じ た 信号 ; ら れ る の で、 こ れ を カ ウ ン タ ー 520 で、 発振 ¾ 000 か ら の ク Q ッ ク パ ル ス に よ り 計数 し 、 その結果 を D Z A変換 器 55Q で ア ナ Ω グ信号に 変換 し て 、 比較器 54 Q に 印加す o
    [0099] と こ ろで、 特性線 5 - 1 に おい て 温 g T c に对； 5す る 発光波長を と し 、 こ の 。 に ( 2 - ' ) を加 え た 、 。 + ( 2 - ) の と き の 受光累 子 · 34 ， 56 の 出力の時 差を t と し 、 例えぱ こ の時間差 1： を 、
    [0100] ^定値 と し 、 こ の に对応する ίϋを 、 比驟器 54 CJ に 定 し てお く 。
    [0101] 叵折 ビ ー ム の [Ε,折角は 、 &長が大 き いほ ど大 き く 、 偏 向 レ ー ザ ー ビ ー ム の ^向 ^は ： 折角が大き いほ ど大 き い力ゝ ら 、 出 力の 時 は 、 &長大な る ほ ど小 さ く な る 。
    [0102] そ こ で、 比較 ^ 540 は 、 入 力 レ ベ ル が比釵 レ べ ノレを越 え て小 さ く な る と き に 、 侠言すれば 、 受光 ¾ 子出力の時 raj - が ΐ ·.: よ り 小 さ く な る と き に 、 出力 を発す る よ う し てお く 。
    [0103] す る と 、 比較 540 が出 力 を発す る のは 、 特性線が、 i生 ^ 5 - 1 であ る と き 、 半導 1¾： レ ー サ ー の ^ T が の と き であ る し （ 矛 .2 図 ） 、 特性 4 - 1 の と き は、 ifi ¾ T a- c であ る と き （ 3 ! i ( i ) ：) であ り 、 特性
    [0104] 4 - 2 " と き は、 ^ ¾： T が、 2 C 3 ii¾ C ji ) ) の と き であ っ て 、 いずれにせ よ 、 比 ¾ 54 ϋ が出力 を発す る と き の半導体 レ 一ザ 一 1 0 >1 、 ¾ί ^邰 Β の ¾通 fij の ¾ ^ ¾·μの S Kを 与え て い る 。 と い う こ と は 、 いずれの-場合 も 、 比較器 54□ が出力を
    [0105] 1
    [0106] 発する と き の 溘度力ゝ ら 、 Δ T =— ( T c - Τ ι, ) だけ低温
    [0107] 2 側へすら し て 、 温芰制御の ¾定温 Sを 設定すれば、 常 に 栩状^ Β の 中央邰近傍の ϋ度に 半導体 レ 一 ザ 一 1 0の温 度 を制 ¾で 'き る 。 さ て 、 比教器 540 が出力 を発す る と き の温度 を仮 に r と し ょ う 。 岀 カ が発せら れ る と 、 こ れ を受けた CPU 560 は 、 温 S τ に 相当す る 分だけ、 カ ウ ン タ 一 580 を減算 方 向 作動 させる 。 そ し て ， その後， カ ウ ン タ ー 580 の 作動を 停止す る 。
    [0108] す る と 、 比鲛器 40 Q K 印 され る 比敏 レ ベルは、 Τ τ;
    [0109] - Δ τ = : 对 ¾す る m 定 され . 定 され る。 力 く し て 、 それ以： は 、 τ を ！ ¾ 温 ¾ と し て半導体 レ ーザ 一 1 ϋの ^度駒御が な され る こ と な る。
    [0110] 比钗 ¾ 54 u の 出力が発せ ら れ る と き 半 レ ーザ 一 1 U の ^ si が τ : ま た は τ2 の と き は 、 温 ¾： 刷 の た め の ¾定 s ¾：は 、 それぞれ ： - Δ τ ( 5 図 （ 1 ) ) 、 ま は τ2 - τ . c 3 ¾ c 2 ) ) に ¾：定 され る こ と に な る 。 従っ て 、 · K m miの ための 定温 は、 特性 ¾ の経時 変化に じ て変化 し 、 その た め、 半導 レ ーザ 一 の発光 波長 も 、 ¾£定 s sが変化す る た ひ ¾化する が 、 しカゝ し、 その ¾ 光波長 ¾変 ¾i 小 さ い ため 、 常 に 、 尤走 ¾；を安定 ^ 行 う こ と がで き る 。 . ( 矛 3 の発明 κ 係 る実施 m )
    [0111] ί欠に 、 請 求の範囲 3 項記載の発明 ¾ Γ5す る 実沲例 を説明する 。
    [0112] こ の 実沲例 も 、 矛 1 図 示 され る装 置 に よ り 実 沲 され る
    [0113] 本実 沲例では非本走 g時、 すな わち、 半導体 レ ーザ ー が発光 し 、 ホ σ ス キ ャ ナ 一 が作動 し 、 な おかつ、 画 1家記 録用 の、 ま たは画傢読取用 の光定 ¾ ( 本走 ¾ と い う ） が 行な われ て い な い と き 、 具体的 に は 、 本走 Sと 本走 ¾と の ^、 あ る いは 、 本走 ¾ ¾ ¾ Ιΰの待期時等 、 ビ ー ム 位 夜出 素 子 よ り 摘冋 レ ーザ ー ビ ー ム の ビ ー ム位置 と 、 ビ ー ム I ft 出 素 子、 光素 子両 ¾"の 出 力の時間差 と が 夜出 さ れ る 。
    [0114] これ ら ビ ー ム m ¾ と 時間差 つ い ては 、 それぞれに 对 し て ， 予め . IE t¾ が定め ら れ て い る ：、
    [0115] そ し て 、 上記の く 検出 さ，れ ビ ー ム ！ Ϊ ϋ 、 ,¾] ¾の う ち の 、 少 く と も 一： 5が、 週正 isュ或 の 界值を - えた と き 、 温 ill mlj ,·£ りた め の 、 ¾ ¾ ^度を 、 それ ま での温 度か ら 尸丌 ¾ is Sすら し て 丹 ¾t定 し 、 こ の よ う に 再 ¾：定 された
    [0116] §¾定温 ¾ 、 じ て 、 上記 a正髌 の - f 値が冉 ¾定 され d o
    [0117] 以 T"、 具体的に ^明す る 。 .
    [0118] ビ ー ム位置衩出 素 子であ る が、 こ の ビ ー ム I ¾検出 素 子 と し ては 、 従釆、 半導体 ^出 素 子 と し て知 ら れ て い る も の を い る こ と かで き る 。 半導体 _ in 出素 子は 種 々 の も の が知 ら れ、 例 えば矛 ό 図 （： 1 ) に 示す如 く 、 単一の受光 ® 5 - 1 を有する も の や、 矛 ό 図 （ U ) 示 す如 く 、' 2 つ の受光面 5 - 2 , 5 - 3 を有す る も のや、 矛 ό 図 （ 11 ) に 示す如 く 、 4 つ の受光面 5 - 4 ， 5 - 5 5 - ό , 5 - 7 を有す る も の等があ る 3 本発明 の実拖 上 ビ ー ム 位 ¾検出 素 子 と し ては 、 上記複 々 の半導体位 a検 出素 子 を適宜 も ち い る こ と がで き る 。 以下では . 矛 ό 図 c I ) に 示す、 卓一の受光囬— 5 - 1 を有す る も の を例 と し て 用 い る 。
    [0119] さ て 、 矛 7 1 し:て おい て ， 光面 5 - 1 が 光す る 偏向 レ 一ザ 一 ビ ー ム の ス ボ ッ ト を 、 ス ボ ッ 卜 S と す る と 、 こ の ス ボ ッ ト SP j 5¾ ¾ I は、 yy 7 万 ¾ く 、 つ り 鐘型 の 分 ^ を ¾ し 、 こ の ス ボ ッ 卜 :- か ：'： 问へ、 光面' 5 - 1 を w切る と 、 ビ ー ム I ¾'： i ]'· 出力は、 ス ボ ッ ト SP の に P 心 ^ が Y を 切 'ζ ·ιϊ 人- — て乓 な る。 1£ つ て . ビ ム ii£繪 # m ^ -ί'· ノリ ' / ，こ よ り 、 ス ボ ト が 切 る Y 上の を 矢 υ ¾ こ と かで き る 。
    [0120] 述 し よ う に 、 牛導 レ — ザ 一クン発光 焚が変化す る と 、 [EJ -：!斤 ビ ー ム 折； ¾ が変化す る こ の 折月 変 化に よ り 、 ' 冋 レ ー ザ — ビ ー ム 、 m走 ¾ 5 向 に ヌ、 J ¾す る万 Γ ' ビ ー ム が ¾ 1'匕する 。
    [0121] そ こ で、 ビ ー ム 位 ¾ ¾¾ ¾ 素 子の 光面 5 - 1 の Y 万 向
    [0122] ¾ 、 上 ij 走 ¾：万 j κ对 させれ 、 ビ 一 ム 位置： 出 素 子 出 力 に よ り 、 半導 レ — ザ 一 の発： ¾ ¾ί長の変 bを知 ろ こ と がで き る 明 を 体的 に する た め 、 半導体 レ ーザ ー の特性裰が、 疲労の な い状態で特性 ¾ 5 - 1 ( 矛 2 図 、 ό 図 ） の如 く であ り 、 当 初、 温 制 の た めの 設定； sを τ。 であ る と す る （ こ の と き の発光波長を と す る ） 。 する と、 保持体の ； K πίϋ を 通 じ て、 半導体 レ ー サ ー の温 S も 、 ifi ¾ T c . の近傍 制 ^ され る 。 そ こ で今、 こ の よ う に is度制 を行 っ てい る 状態 お い て、 特性 ¾が経時的 変化 し て き て 、 3 図 （ I ：) の 特性 ¾ 4 - 1 の如 く な つ た と き 、 ビ ー ム位置 が、 7 図 で， よ り 上に な り 、 特性 線が、 矛 3 図 （ I ) の特性 ^ 4 - 2 の 如 く な つ た と き に 、 ビ ー ム 位 ·力' 、 ？ 7 で 2 よ り 下に な る も の と す る 。 す る と 、 .こ の Υι と Υ 2 の ¾ を 、 適王锒塚 と し 、 Υ ι , 2 を 、 正银 Μの限界値 と すれぱ 、 ビ ー ム 位 ¾が、 限 界 ' Υ ι を越え た力、、 Υ2 を ¾え た力、 よ っ て 、 その と き の特性 を 、 特性 ¾ 4 - Ί 又は 4 - 2 と し て特定でき る 。 こ の よ う に特性裱が 4 - 1 , 又は 4 - 2 の如 く な つ た ¾合、 半 体. レ ーザー の を Τ : に 制 ¾ し て も 、 発 光吸 ;¾は 、 当 初の ； 力 ら 、 （ 2 - ス υ ) ま た は （ L - '' ι ) だけ、 入 き く すれ て 、 ； ι 正な 光走 aはで き な く な る 。 そ の と き は、 特 ¾ が、 性 4 - 1 の如 く に な つ て い る 力 、 特 ^ 4 - 2 の ご と く に な っ て い る かに 応 じ て 、 温度制御の ため の ¾ 'ϊ≤ i を 、 か ら 、 低温 側
    [0123] 1
    [0124] 又は ¾ '！則へ、 ¾： 'ί ¾ Δ T =——（ - - T L ) だけずら
    [0125] 2 し た T 1 Q ま た は Τ 2 Q に 設定 し な おせば、 半導体 レ ーザ 一 の波光波長は、 再び当初の 。 に 近い ！] ま たは 2 Q に 安定し 、 再び良好な 光走査が 可能 と な る 。 ひ き つづ き 、 同様の制御を繰返 し を行 う た め に f た に 設定 され る 設定 温度に 応 じ て 、 適正領域の限界値を 再設定し 、 新た な 設 定温度 ^ α 又は T 2 Q で、 特性線の 使用極状部の ¾差部を 検知し う る よ う にす る。
    [0126] と こ ろで、 半導体 レ ー ザ ー の発光波長が変化す る と 、 回折 ビ ー ム の 回折角 が変化 し 、 こ れ に伴い、 偏向 レ ー ザ — ビ ー ム の 偏向速 Sが変化す る つ 従 っ て 、 ビ ー ム位置検 出累 子 と 受光'素 子 と で偏向 レ ーザ ー ビ ー ム を順；欠受光 し 両 の 出 力の 間 s て を ¾出す る と 、 こ の時 £差 r も ま た 、 発 光波長の変勤に 応 じ て変動す る 。 そ こ で、 時間差 め に つ い て も 、 適正 ¾ ¾を ¾ ¾で き る こ と に な る 。 すな わち 、 発 光波長 が A； の と き の時 ra 7 か であ る と し..
    [0127] ¾： ; で'、 特性 が、 性 ^ 4 - 1 の ¾' く な る と き 、 時 la] ¾ τ が、. 適正 域の ^界偃 て を ^え て小 さ く な り、 特性裱 4 - 2 の く な る と き は 、 時「ョ1 S て が眠界値 て 2 を越 え て大 き く な る も の と すれは' 、 て が 、 て 1 , て 2 のい すれを - えたカゝ . よ っ て 、 特 f生線の特定が で き る ので 、 やは り 、 §ϊΐ述の π く し て 、 ® κ刷 i ための ¾ ¾：を、 o 力 ら Τ。 + Τ ま たは Τ。 - Τ へ と 丹設定でき る c こ の よ う に し た ら 、 時「曰 差 て に ι す る 適正 ¾の - ίι " 1 . 了 2 も ， 斩 し い値 再設定す る こ と よ り 、 同様の raij l¾Jの ¾架返 し が ¾ と な る - 本発明 では、 特性裰の経時的変化 を 、 ビ ー ム位置と 、 時間差 と い う 2 つのパ ラ メ ー タ 一で同時に検出 し 、 少 く と も 一方 の パ ラ メ ー タ 一 が、 適正領域の限界値を越え る と きは 、 設定温度の再設定 と 、 各パ ラ メ ー タ 一 の適正領 ' 域の限界値を 再 定 と を行 う 。
    [0128] 以下、 具体的に ！ ¾明す る 。 最前来の！ ¾明 と の関連性 を も たせ る ため、 半導^ レ ー ザ一 10の特性線は、 労 の な い状態 お い て 、 特性線 3 - 1 ( ^ 2 図 . 3 図 ） であ り 、 ^度制 ' の ため の設定 i 度は当 初 。 で、 その と き の発光波長を であ る と す る。
    [0129] ま た 、 ビ ー ム 検出 素 子 04の 光面は、 卓一であ つ て 7 図 の如 き も の と し 、 ビ ー ム 位！： を Y であ ら わす こ と と す る 。 さ ら 、 ビ ー ム IE ft検出 案 子 34と 受光累 子 όό の出 力ク J 時間差を T と す る 。 ビ ー ム m Y , 時間'差 r に す る 当 刀の 7通正領 ^の ^扦 ' i を 、 Υι . Υ 2 , 1 , - 2 と する 。 限界値 ^ , て 1 は、 長 ： ÷ ( 2 - λ - ) で走 ¾す る と き の値 と し 、 ^界 . i¥ Y2 . r 2 は ス： - ( λ - - 1 ) の 波長 で走 ¾す る と き の mであ る と する 。 ま た 、
    [0130] 1
    [0131] Δ τ =一 （ T'」 - TL ) と す る 。
    [0132] 2 さ て 、 8 図 （ 1 ) に お い て 、 本走 ¾ に おけ る ¾ 度 刷 ΐ¾ に つ い て ^明する と 、 比較 ^ 4bQQ に は 、 マ イ ク 。 コ ン ビ ユ ー タ ー 46 ϋο 力 ら F¾定温度が ¾ m に 設定 され て い る 。 保持体 4CJの s ¾はサ ー ミ ス タ 42で検知 され、 比 較器 8DQ に送 ら れ て ^定温度 と 比較 され る 比較器 48QQ か ら は 、 保持体 4[]の温 と ¾定温度 と の差に 応 じ た 信号が 出力 され る。 こ の出 力は制御回路 5aQa と マ イ ク ロ コ ン ピ ュ ー タ 一 4ό 0C1 と に お く ら れ る 。
    [0133] 制御 [11路 5QC1C1 は 、 上記 出力 を 印加 され る と 、 ベ ル チ ェ素 子 44へ の通電を制御 し 、 保持 40の温度が設定温度 に近づ く よ う に 、 保持体 を加熱 し 、 又は；令却す る 。
    [0134] に 、 本発明の 温 ^制， を 、 8 図 （ ]1 ) を参照 し て |¾明す る 。
    [0135] 非本走 g ^ に 、 温度制御方法 を ス タ .ー ト させ る と 、 ' ビ — ム 位 «検出素 子 34, ¾：光累 子 56.か ら の 出力が、 マ イ ク 口 コ ン ピ ュ ー タ ー 4000 に 送 れ る 。 マ イ ク α コ ン ビ ュ — タ 一 40Q0 は 、 入力 され る こ れ ら 信号を処 ¾ し て 、 ビ — ム ffi Μ Υ 、 時間 ^ : を検岀す る 。 こ の と き 、 比較器 4c0G へは ¾；定 s ¾i T A か ¾定 されて い る 。 ¾定 ®度 は 当 初 に お い て T であ る 。 こ こ で も ， ま ず ' T A = τ： の場ち、 ;^ ら ^明 を 始する 3
    [0136] 検出 された Υ , τ は 、 通正 ¾ ¾の 界慨 Υι , Υ 2 ,
    [0137] ~ , :2 と 比較 される 。 そ の 朱、 Yi 〉 Y 〉 Y . て 2 > > r1 であ る と き は 、 発 光波長は 、 の近傍 に あ り 、 ¾定温 ' は変 ¾の 必 かな い。 そ こ で、 設定温 g Λ ， ^界 'ίΐϊ て 1 . r 2 , Υι . Υ2 は、 従前通 り の mと し て 、 副 は終了する 。
    [0138] し 力 る に 、 - < '1 , Y 〉 Υι の一方 も し く は双方力； -筷 出 さ れ と き ^ 、 特性 ^； 、 3 ¾ 〔 I ) の特性 ^ 4 - - 6 -
    [0139] 1 と な っ てい る 。 そ こ で、 こ の と き は、 ま ず、 設定温度 A を、 それ以前の値か ら 低 側へ T だけすら し て、 再設定し 、 それ 7 応 じ て 、 て 1 , て 1 , Υΐ , Υ 2 の値を 、 それぞれ て 1 0 . て 2Q ， Yl 0 . Υ2。 へ変更する 。 こ の結果、 設定温 ΤΑ は 3 図 （ I ) の Τ·! 0 と な る 。 こ の場合、
    [0140] "10 , Yl Q は 、 波長 0 + ( 2 - ス 3 ) で走 ¾を行 う 場 合の直と し 、 r2 (] . Y20 は波長 0 - ( - 1 ) で走 査を行 う 場合の値 ¾定す る 。
    [0141] こ れ に よ り 、 保锊体 40の ^ 度は、 た な ¾定 S Κ Τι 0 で制 ¾ され る こ と に な り 、 マ イ ク ロ コ ン ビ ユ ー タ ー 4ό αα は、 こ の 」 ^が実行 され て保持体 40の 温 sが、 ¾定 度 τ 10 十分近づ い たか否か を 、 比 4δ ΰϋ の 出 力に よ り 知 し 、 その結杲が肯、定的 であ る と きは 、 今一度、 ビ
    [0142] — 厶 S * Υ 、 時 i—曰 1 '差 て を検出する 。 制 I.却が正 し ければ 、 今 S検出 され る 、 Y , 、 i され た . τ2.
    [0143] Yl . Υ 2 に ^ し て 、 Υι 〉 Υ ノ Υ2 . :2 〉 了 ' ：1 と な る の で、 その と き は 、 その ま ま 、 刷：, が終 了 し 、 の 」 Ϊ卸 時 ま で、 ¾ ¾ τΑ . ^& ^ m -1 , て 2 . Υι . Υ2 が固 定 される 。
    [0144] に 、 て 〉 て 2 , Υ く Υ2 の 少 く と も 一方 が検出 され た と き 、 特性 は、 3 図 （ 11 ：). の ¾：性 ^ 4 - 2 と な つ て い る の で、' こ ^ と き は 、 ¾ζ定 S Si TA と し て 、 それ ま での Tc か ら ¾ M 側へ T たけすら し た T20 を 設定 し -、 ^界 111 て 1 . 2 , Yl . Υ 2 の ίίΐを 、 そ れ ぞ れ 3 Q . -'40. Υ30 . Υ40 へ と 変更す る 。 ：30 ， Υ3 0 は、 長 20 + ( Λ 2 - λ υ ) で走 ίす る と き の値 . て 4。 ， Υ4。 は波長
    [0145] 2□ 一 ( - ス 1 ：) で走査す る と き の値 設定す る 。 以 下の プ α セ ス は、 直上でのベた場合 と 同様であ る 。 こ の よ う に す る こ と に よ り 、 特性線の変化を 、 2 つの パ ラ メ — タ ー を通 じ て検岀 でき る ので、 誤動作を防止で き る 。 ( 矛 4 の発明 に係 る 実 沲例 ）
    [0146]
    [0147] を説明す る 。
    [0148] 本実 ¾！列に おい ては 、 非本定 時、 すな わち 、 半導体 レ ーザ 一 が発光 し 、 ホ α ス キ ャ ナ ー が動作 し 、' な おカゝつ、 画像 記録用 の、 ま たは i i豕読 用の 光走 ¾： C 走査と い う ） か行な れ て い な い と き 、 半導 i- レ ー ザ一 を保持す る侏待体の :< ¾：が変化 させら れ、 それと と も に 、 ビ ー ム 位 w 出 素 子に よ り ¾向 レ ー サ ー ビ ー ム の ビ ー ム 位置 が 悮出 され、 问 ^ 、 ビ ー ム iE w検出案 子と ¾光 ¾ 子の 出 力の t r曰] ¾が検出 され る 。
    [0149] こ れ ら ビ ー ム ' Li fc、 時 Γ曰 ΐ t ϊて つ い ては、 それぞれに 对 し 、 予め ^ mが め ら れて い る 。 そ し て ^出 された ビ — ム ： 、 時 ¾の う ちの 、 少 く と も 一方が 、 界鼠を mえ る と き の保—侍体 ¾か検出 され、 こ の と き の t¾持体 is gか ら ， 9† ¾ 'ii Siすら し た is κ 、 W.刚御用 の ¾t定 ϊ¾ Κと し て 設定 され る 。
    [0150] ビ ー ム .iH M検出 素 子であ る か、 こ り ビ ー ム 位 ¾ 出 累 子 と し て 、 釆、 半導 ^ a ft ^出 素 子と し て知ら れ て い る も の 用 い る こ と が でき る 。 ^導体 ' ΰΖ β検出 第 子は . 々 の も のが矢口 られ、 ^えぱ ό図.（ I ) に 示す如 く 、 単一の受光面 5 - を有す る も の や、 0' 図 （ ίΐ ) に 示 す如 く 、 2 つ の受光面 5 - 2 . 5 - 3 を有する も のや、 ό図 （ ϋ ) に示す如 く 、 4 つ の受光面 5 - 4 , 5 - 5. 5 - 0 , 5 - 7 を有す る も の があ る 。 本発明の実沲上, ビ ー ム位置検出 素 子 と し ては、 上記！！ 々 の半導体位 a 出素 子 ¾ 適宜 も ち い る こ と がで き る 。 以下 では 、 ό図 ( I ) に 示す、 単一の受光面 5 - 1 を有す る も の を例 と し て 用 い る 。
    [0151] さ て 、 ^ 7 図 おい て 、 ¾光面 5 - 1 が受光す る 偏向 レ ー ザ 一 ビ ー ム の ス ボ ッ ト SP の強 I は 、 7 図 左方 の図の ¾πく 、 つ り 鍾型の 分布 を有 し 、 こ の ス ボ ッ ト SP が X 方； ¾1 へ 、 光面 ί5 - 1 を ΐ¾切 る と 、 ビ ー ム ΐϊ t 使出 素 子の 力は 、 ス ボ ッ ト SP の 甲心邡が γ を ¾切る 位 ft id、 じ て な る 。 従 つ て ビ ー ム 1ϊ£ 岀 ¾ 子の出 力 よ り 、 ス ボ ッ ト 力' ¾ る Y 上 の E te を知 る こ と が で ぎ る。
    [0152] iijュ し た よ う に 、 半導 '本 レ — ザ 一 の ¾ 允 長が変化す る と 、 叵折 ビ ー ム の i¾折 n か 化す る 。 こ の I 折角の変 化 よ り 、 问 レ ーザ — ビ ー ム は、 副 走 ¾方冋 に 対 ¾す る 万 向 ^^ ビ 一 厶 1E匿 が ¾化する 。
    [0153] そ こ で、 ビ ー ム in m 出 素 子の受光面 5 ― 1 の Y 方冋 を 、 上記 」 走 : ϋ方 向に 对応 させれぱ ，_ ビ ー ム is w- m素 子の岀 カ よ り 、 午導 ^ レ ー ザ — の発光波 の変勤 ' を知 る こ と か でき る 。 ^明を 具体的 にす る た め、 半導体 レ ーザ 一 の特性線が、 疲労の な い状態 で特性 5 - 1 ( 2 図， 矛 5 図 ） 。 ま た 、 特性線 3 - 1 に おい て 、 ' g T。 に おけ る 半導体 レ —ザ 一 の発 光波長を と す る 。
    [0154] そこ で、 例えぱ、 。 + ( λ 2 - ） な る 波長 を考え てみ る 。 ま す、 波長 で光走査を行 う と き の 、 ビ ー ム S: Sを 、 矛 7 図の Y ¾の 0 点 あわせ る 。 つ ぎに 、 波長 + ( 2 - ) で光走 を行 う と き の、 ビ ー ム位 ¾ を矛 7 図 の Y， と し 、 波長が さ ら に 大 き く な る と 、 ビ ー ム 位 ¾は 、 7 図で上方 へすれ、 その Υ 座檫は 、 Υ 〉 Υι と な る も の と す る 。
    [0155] そ こ で、 今、 非 .？：走 ¾時、 ^え ば 、 本走 ¾ と 本走 ¾の
    [0156] Γ曰"] 、 あ る いは ^走 ¾始 の侍期 吞等；て 、 保持体の温 度 を 、 初 k S K Tc C < TL リ カゝ ら 始め て 、 ^矛に 上昇 させ てみ る 。 こ の ϋ度上昇は 、 保持体の ¾ 上昇に 半導体 レ —ザ —の &上昇が iifi実 追 ¾ で き ¾ ¾ ¾の速 さ で行 な う 。 ¾S 上昇 、 運铳 S3に 行 っ て も よ い し 、 ¾小 ·(! &、 例えば CJ . Ί き ざみ で、 | ¾：状 行 っ て も よ い。 . す る と 、 ® ¾： 1：昇に 従 っ て . 半 ^ レ ーザ 一 の発光波 は、 （X矛 に ¾ ϊ反長側へずれ る 。 そ し て 、 ビ ー ム位 Υ は ^ に 入 ざ く な り 、 つ い に は 、 限 11 ^1 を越 え る 。 こ の と き の ¾ ^体 ϋ ¾、 すな わち 、 半導体 レ ー ザ ー の 温
    [0157] ¾ を 兒 る と 、 ^性凝が、 特性 ¾ 5 一 1 , 4 - 1 , - 2 であ る と き に ¾ じ 、 上 c ビ ー ム 'i 置 Y が 界 11 ^ を え る ；:≤ 、 それそれ T ( 特性線 5 - 1 の と き ） 、 To ( 特性 1 の と き ） 、 τ2 〔 特性線 4 - 2 の と き ） と な る れ 、 すれの特性 ¾の場合 も 、 U状部 B の高温側の 段差部の 温度に 対 ¾す る 。 な お、 2 図 に おい て特性 5 - 1 つい て 定め られた棚状部 A . B , C 等は 、 特性 が 時的 に 変化 し て も 、 特性線に付随 し て え る も と す る π· こ の よ .う に 、 上記 ビ ー 厶位 ¾ Y は、 棚状邰 Β の高温 側の ¾ 邰を検出す る ための指 ^ と な っ て い る。 こ の よ う に所定の棚 πϋの，αΓ Μの 邰を検出す る ための指璩 を 、 ^界 Uと ^ぶ。 す る と 上記 Υι は ビ ー ム 12 * 対す る 界値の 1 例 と な っ て い る 。 さ て、 上記の如 く 、 ビ ー 厶 Υ が ； . ": を - え る と き の S K ¾ と す る と 、 こ の 二: - ；; 、 々 に おけ る 、 状邰 3 の高 is ' の ！i¾ 'ノリ (S ？ L る カゝ ら
    [0158] 1
    [0159] の >JS 'ssz. τ-, 力ゝ ら 温 li へ A 一 ( ) だけ ずら し た τ 5 - ^ τ を 、 ® £ 」 i¾jの 定 ^ と し て ¾定 すれば、 苻性 の？ ^変化 拘 ら す、 常 に ¾ :κ ¾t B の 中 央 ^を 基準 と し て 、 半導 ',本 レ ー ザ — の ^ ¾を 制 -fejでき 、 発光 ^を の近傍 に安定 させ る こ と がで き る 。 すな わち、 ¾ iijij miの ¾足 i≤ sは、 えば 性 ^ 3 - 1 では o 、 性 4 - 1 では G 、 特 i¾ 4 - 2 では T20 と な り 、 その と き の ϊ ：¾ 、 それぞれ ， Λ 1 0 . 20 と な る。 特 ίί ^の ；^伏 自 体は 、 時間 5 に は 、 実 ^;的 に 不変で あ る と 考え て よ い。 と こ ろで、 半導 レ ー ザ ー の発光波長が変化す る と 、 回折 ビ ー ム の 回折角が変化 し 、 こ れ 伴い 、 偏向 レ ー ザ 一 ビ ー ム の偏向遠 ¾が 化する 。 従 っ て 、 ビ ー ム位 fc検
    [0160] ' 出素 子 と 受光素 子 と で偏向 レ ー ザ 一 ビ ー ム を順 :欠受光 し、 両者の出 力の時間差 て を検出.す る と 、 こ の時間差 て も ま た 、 発光波長の变動 )z、 じ て変勤す る
    [0161] こ の こ と は 、 間差 て に つい て も 、 ^界 ίιϊを設定 し う る こ と を意床す る 。 長 + ( 2 - ) で走 ¾を行 う と き の時「曰"] 差 て を て 1 と す る と 、 こ の て 1 は 、 ^界値 ι と 向 じ く ， 棚状部 Β の高溫 の 設差部 を検出する 镲と し て機'能す る 。 すな わち 、 ^ は限界 11：の 1 であ ろ 。 な お ， 発光波 が長 く な る と 、 叵折 ビ ー ム の回折 は 文 し 、 偏：'司 レ ーサ ー ビ 一 厶 の偏向速 は大き く な る。 ίτέ つ て 、 力 ： + ( Λ 2 - X r: ) を え て大き く な る と 、 時 ^ 差 て は 、 " 1 を ^ え て小 さ く な る つ 従 っ て 、 て く 了 1 と な る と き の温 ¾は 、 — 記 T 3 であ っ て 、 r く て を τ荧出 し た ら 、 m ¾： m の 定温 ¾：を τ s - τ に 定 τ る こ と が必 ^であ る コ - 以 下、 具 的 に la す る 上述の 明 と の 関連性 を も たせ る た め 、 半導 1$： レ ーザ — 1 ϋの特性 は、 ^ 5 - 1 であ る と し 、 ビ ー ム M夜 子 54 よ り 検出 され る ビ ー ム IS M Y に 对す る 界 Ιίϊを Υ ι ( 波長 ： + ( 2 - え ) での 光走 '：'つ ビ 一 ム ' ¾ κ · ） 、 ビ ー ム m ¾- 検出 S 子 5 4と 受 光累 子 όの 力の時間 ^ て ヌ寸す る 界 ιί!を 了 1 ( 波コ ： + 〔 2 - ） での 光走 ¾時の時 ¾ .
    [0162] 1
    [0163] 差 対 と す る π ま た 、 Τ =— ( Τυ - TL ) と する。
    [0164] , 2 本実拖 列は矛 8 ¾ ( I ) . 矛 9 図 に 示す回 ¾ m成 ¾び手 順で実 ¾す る 。
    [0165] 矛 9 図 おい て 、 非本走 ^時に 、 度制菊を ス タ ー ト させ る と 、 ま す、 マ イ ク ロ コ ン ピ ュ ー タ 一 ΐόθ ϋ は 、 比 較器 48 QU の設定 ¾：を所定の 初期 S度 Τ: に 定す る。 保持体 4Qの ϋ Ε、 従 つ て 半導体 レ — ザ — 1 ϋの s ¾：が Τ。 に 脚 さ ；れ る と 、 マ イ ク ロ コ ン ビ ュ 一 タ 一 4όϋϋ は 、 ビ — ム 泣 ¾ . 出 素 子 34、 受光素 子 56カゝら 印 11 され る l号を 処理 し て ， ビ ー ム 位 - Y 、 を検出す る 。
    [0166] ビ ー ム 直 Y 、 B=j !a]差 ： ；. 、 そ Lて し 、 £¾ ： ； M 1 ， て 1 と 比驟 され る 。 Y く Yl 力'つ 、 7 . τ： で ， ^ と き は、 マ イ ク α コ ン ヒ ユ ー タ ー 4όΰϋ ;ϊ 、 ' ¾E 乂 、 微 ,jヽ 温
    [0167] S d 、 例えば L1 · 1 たけ上 させ る。 こ ； し .： ' つ て 、 1¾持 の 1 が、 上記 ί¾小 ^ 上 -す る と 、 ί寸 - 、 ビ ー ム 1Ζ * Υ 、 ι¾ 差 7 を検出 し 、 ？1 . ：， と ！ ^ し 、 Υ < ι . 〉 '， であ る と き 、 さ ら ¾ · κ を IT だ 上昇 させ る n こ の ァ α セ ス を Γ ！ ¾ し て 、 Υ > Υι . て く て 少 く と も 一万 実 し た ら 、 その と き の ¾t定 ^ 度 T か ら T だけ坻い is!を 、 ^ ΨΧ Έ5 80ϋ ¾定 し て、 m ¾ mij mi を 了 する こ の場合 も 、 特性 ^の ¾時変化 を 、 ビ ー ム ！ ιί と faj と い う 2 つの ノ、。 ラ メ 一 タ ー で検 出す る の で fe ¾泎 を 防止で ぎ る。
    [0168] ( 効 果 ） - - 以上の如 く 本発 明に よ れば、 光走査装置 に おけ る 半導 体 レ 一 ザ一の 、 新規な 温度制饲方法を提供で き る 。 こ の 方法では 、 半導体 レ 一ザ 一 の特性線の経時的変化が考慮 され てい-る の で、 長期間に わ っ て 、 発光波長の安定を 図 る こ と ができ 、 長期間 、 良好な 光走查が可能 と な る 。 産篥上の利用 可能性
    [0169] 以上の よ う に 、 本発明 に係 る 温度釗御方法は 、 ホ Q ス キ ヤ ナ 一 の 光源 と し て 用 い ら れ てい る 半導体 レ ーザ ーの 温 ^制 κ き わめ て有用 であ り 、 又本発明が適用 された 光走 ¾装 * 画傢書込装 ¾ゃ原榻読取装 ¾の溝成要素 と し て 重要 な ίϊΐ mを 占め る も の であ る 。
    权利要求:
    Claims請求の範囲
    1. 半導体 レ ー ザ — を保持す る 保持体の温度を 感温累 子 で検知 し 、 感温累 子出力 応 じ て上記保持体をベ ル チ ェ素 子に よ り 、 加熱 ' 冷却 し て 、 保持体の温度 を所定 の設定温度の近傍に 棚 Wす る こ と に よ り 、 半導体 レ 一 ザ ―の 溫度を間接的に 制 ¾す る よ う に し 、
    偏向 レ ー ザ 一 ビ ー ム に よ る 走： g領域外 に 、 2 1固の受 光素 子を 配備 し て 、 偏冋 レ ーサ ー ビ ー ム が 、 谷偏向の たび に 、 こ れ ら 2 個の 受光素 子に よ り 順 ,Χ受 光 される よ う に し 、
    こ れ ら 2 個の受 光素 子か ら の 出 力 信 差を検 出 し 、 上 記 ^ ¾ 差が所定の f¾ = Ά -¾ゾ と と き 、 'i 度制御 の た め の を所 ¾ ^ だ ，ア し て 、 再 設定す る こ と を特 と す る 、 光 ^宜 ^ . ；ナ る 半導 体 レ ー サ ー の is mi方 。
    2. 半導 1本レ ー ザ 一 を保 f す る ' τ¾ί ί ' JZ ^ I 素 子 で 知 し 、 i¾ ;a素 子の 出力 ί じ て上 c: ·¾ の s を尸T定 の ¾：定温 度の近 I旁に 剃脚す る こ と に よ り 、 半導 体 レ ー ザーの s ¾を r曰 的 1卸す る よ う に し 、
    偏冋 レ ーザ ー ビ ー ム に よ る 定：^ 外 、 2 1回'の受
    ¾素 子を ¾け て ， 上 ¾诵向 レ ー ザー ビ ー ム を «欠受光 す る よ う に し 、
    非本走^ ^ ;て 、 上 記 '床待体の i κ を変化 させつつ、 上記 2 の受光素 子の 力 ^間 - を夜出 し 、 上記時 ΓΒΪ"差が所定の ¾定 m を ¾ え る と き の温度 を検知 し 、 こ の よ う に検知 された ®度か 「つ 、 定の 温 ¾だけずら し
    7 « trm 13Z- を 、 温度刷 mの た めの設定温度 と し て 設定す る こ と を 特滎 と す る 、 半導体 レ 一 ザ 一の 温 度制御方法。
    3. 半導体 レ ーザ 一 を保持す る保持体の温 度 を愁 iJ¾ 柔 子 で検知し 、 感温 素 子出 力 に し _h §匚保持体 ぺ ノレ チ ヱ 素 子に よ り 加熱 • 冷却 し て 、 保侍体の 温 gを所定の . ίαπ .¾の近 ί旁 fflj询す る こ と に よ り 半導体 レ ー ザ 一 の κを Γ曰 ϊ接的 / c ffij，す る よ う に し 、
    偏 f l レ 一 ザ 一 ビ ー 厶 に よ る 走 或外 、 ビ ー ム 位 直 ¾1出 素 子 と 受光素 子 と を配備 し て懷 冋 レ 一 ザ一 ビ ー ム を順 (欠受） する よ う に し
    非 走 S時 、 上記 ビ 一ム 俟出素 子 に よ り 偏向 レ ー ザ — ビ ー ム の 'si置 を 出す る と と も に 、 上 ビ ー ム 位 ¾ ¾ .素 子 の出 力 と 上記受光素 子の 出力 と の時 ι¾1 差を 検出 し 、
    こ の よ う に 検出 された ビ ー ム位直お よ び時 |¾ sの少 く と も 一万が 、 こ れ ら ビ ー ム £ ¾お よ び時间 のそれ そ'れ し て 予め設定 さ れた週 £ m の 界慨を越 え る と き 、 温 制御の た め の ¾定温度を 、 所定 すら し た ¾に 丹 ¾：定 レ 、
    こ の よ う に 再 定 さ れた ¾ © ¾に ¾ じ て 、 上 ¾適 正 , の 界 mを 丹 ¾定す る こ と を特敏 と す る 、 光走 ¾袭 ». おけ る 半導 ^: レ ーザ ー の ^ iflj -M万法。
    4. 半導 ； レ ー ザ ー を保 す る 保待体の ^ E を感 ϋ累 子 で' 知.し 、 s 子出力 応 じ て 上記 '床持体 を ベ ル チ 56 ェ素 子 に よ り 加熱 · f令却 し て 、 保持体の s sを所定の 設定温 ^の近傍に 制 ',卸する こ と に よ り 、 半導体 レ ーザ 一の温度を「曰 1 ¾的に 制脚す る よ う に し 、
    偏向 レ ーザ 一 ビ ー ム に よ る 走 ¾領域外 に 、 ビ ー ム位 置検出 素 子 と 受光素 子 と を配雨 し て偏向 レ ーザ ー ビ ー ム を 順 受光す る よ う に し 、
    非本走査時に 、 上記'！^待体の S Sを変化 させつつ、 上記ビ ー ム位着 γΜ出素 子 よ り 偏：可 レ ーザ 一 ビ ー ム の
    'GI ¾を検出す る と と も 、 上 ビ ー ム 1ϋ宣 1荧出桌 子の 出 力 と 上記受光素 子の 出 力 と の 「曰 1 Sを筷： ϋ し 、
    こ の よ う '; ¾出 された ビ ー ム 位 .お よ ^ 3]差の 少 く と も 一方 が、 こ れ ら ビ ー ム ！ ¾？" よ 、 ;u sのそれ ぞれ に 対 し て 予め お定 された限 ^ ιίϊ を え と さ の ¾ 本 ^ を検出 し 、
    こ の よ う に 出 された抹捋 か ■)■■; siずら し た ' を 、 iffij ' ためノリ ΛΙ 疋 ： J≤ Κ と し て 定す る こ と を特餒 と す る 、 光足：！： ^ 直 .こ おけ る 牛 レ 一 ザ一の s ¾ [fij脚 方 ¾。
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    公开号 | 公开日
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    DE3590327C2|1992-02-13|
    DE3590327T1|1986-06-26|
    US4834477A|1989-05-30|
    引用文献:
    公开号 | 申请日 | 公开日 | 申请人 | 专利标题
    法律状态:
    1986-01-30| AK| Designated states|Designated state(s): DE US |
    1986-06-26| RET| De translation (de og part 6b)|Ref document number: 3590327 Country of ref document: DE Date of ref document: 19860626 |
    1986-06-26| WWE| Wipo information: entry into national phase|Ref document number: 3590327 Country of ref document: DE |
    优先权:
    申请号 | 申请日 | 专利标题
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