WIPO专利WO1984003171A1 Composition of porcelain for voltage-dependent, non-linear resistor

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公开号:WO1984003171A1
申请号:PCT/JP1984/000035
申请日:1984-02-09
公开日:1984-08-16
发明作者:Keiichi Noi；Akihiro Takami；Kazuhide Ebine；Kimiko Kumazawa
申请人:Matsushita Electric Ind Co Ltd；
IPC主号:H01C7-00

专利说明:
[0001] 明細書
[0002] 発明の名称
[0003] 電圧依存性非直線抵抗体磁器組成物
[0004] 技術分野
[0005] 本発明は各種電気機器，電子機器において異常電圧吸収及びノィズ除去などに使用される電圧依存性非直線抵抗体磁器組成物に関するものである。
[0006] 冃示術 - .
[0007] 従来各種電気機器，電子機器において異常高電圧の吸収，雑音の除去，火花消去 ¾どのために電圧依存性非直線抵抗特性を有する SiCバリスタゃ ZnO系バリスクどが使用されている。
[0008] このようなバリスタの電圧一電流特性は近似的に次式のように表わすことができる。
[0009] I = ( /C )^a
[0010] ここで Iは電流， Vは電圧， Cはバリスタ固有の定数であ j 、 «は電圧非直線指数である。- '
[0011] S.iCバリスタの a は 2 〜 7程度， ZnO系バリスタでは 5 Oにもおよぶものがある。このようるバリスタはサージと呼ばれる比較的高い電圧の吸収には優れた特性を有しているが、誘電率が低く固有の静電容量が小さいためバリスタ電圧以下の低い電圧（例えばノイズるどの吸収）に対してはほとんど効果を示さず、また誘電損失角 tan S も 5〜 1 0 % と大きい。
[0012] —方これら低電圧のノイズ，静電気 ¾どの除去には組成や焼成条件を適当に選択することによ ]9見かけの誘電率が
[0013] 5X10⁴〜 6·Χ10⁴ 程度で tan dが 1 前後の半導体磁器コンデ
[0014] O PI ンサが利用されている。 ·
[0015] しかし、これらの半導体磁器コンデンサはサージるどの異常高電圧が印加され、ある限度以上の電流が素子に印加されると、破壌した ] コンデンサとしての機能を果たさなくなった!)する。
[0016] このよう ¾理由から電気機器，電子機器においては、高電圧 - のサージ吸収と低電圧のノィズ除去の両方を目的としてパリスタとコンデンサ及び他の部品（例えばコイルなど）とを組み合わせて使用され、例えばノイズフィルタはこのような構成に ¾ つている。
[0017] 第 1 図は一般的 ¾ノィズフィルタ回路を示し、第 2図はバリスタ，コンデンサ及びコイルを組み合わせて構成された従来のノイズフィルタ回路を示してお]？、 ¹ はコイル、 2はコンデンサ、 3はバリスタである。
[0018] これらの回路に第 5図に示すようなノイズ入力 Aを印加したところ、第 ¹ 図の一般的なノィズフィルタ回路からの出力特性は第 5図の Cのようであ 1)、十分にノイズが除去されていい。
[0019] また第 2図に示すバリスタを含む従来のノィズフィルタ回路からの出力特性は第⁵図の Bのようであ、ノイズが除去されているが、このよう構成では機器内部における部品点数が多く ¾る上に機器の小形化動向に相反するという欠点を有していた。
[0020] 従って異常高電圧を吸収し、ノイズるどの低電圧を除去でき、しかも部品点数が少く小形化可能 ¾電子部品が要求されてい
[0021] o
[0022] 発明の開示
[0023] そこで本明では、 S rTiO_s を S 0 . 000〜99 . 9 90モルと、
[0024] OMPI —― 3 ~~*
[0025] • 半導体化促進用金属酸化物として07₂0₃を0.005〜¹0.000
[0026] モルあるいは上記 Dyつ〇ゥ及び Nb₂0₅を 0.001 ~0.200 モル ^ とを含み、粒界に偏析して粒界を高抵抗化する Na, ,Ca,Cd, In ,Ba ,Pb ,Ag ,Ce , La , Sc ,Y,Cs ,Au,Mg , Z r , S n , S b , W , B i , N i , Fe , Ga,P t , T 1 , A 1 , S i , B e , L i , Eu,Gd ,Tb , Tm , Lu , Th , I r ,Os ,Hf及び Ru からなる群から選択された少なくとも 1 種類以上の元素を酸化物の形にして O . OOS 〜
[0027] 1 O.OOOモル含有することを特徵とする電圧依存性非直線抵抗体磁器組成物を提供しようとするもの.である。
[0028] さらに、本発明では SrTiO。を 80 .000〜99.990モルと、半導体化促進用金属酸化物として T a₂O_sを O。 005〜1 O . OOOモルあるいは上記 Ta₂0₅及び Nb₂0₅を 0.001〜0。200モルとを含粒偏析して粒界を高抵抗化する N_a，K，C_a,Cd，In，B_a，Pb，Mg，Z_r , Sn , Sb，W，Bi , Eu ,Gd , Tb , Tm , Lu,Th , I r ,Os ,Hf ,Ru ,S Ga , Pt , T 1 , La , S c ,Y，Cs ,及び Ailから ¾る群から選択され
[0029] た少なくとも 1 種類以上の元^を酸化物の形にして 0.005 〜
[0030] 1 O.OOOモル含有することを特徴とする電圧依存性非直線抵抗体磁器組成物を提供しょうとするものである。
[0031] 図面の簡単 ¾説明
[0032] 第 1 図は一般的ノイズフィルタ回路図、第²図は従来のバリスタとコンデンサを使用したノイズフィルタ回路図、第³図は本発明による電圧依存性非直線抵抗体磁器組成物を用いた素子の断面図、第 4図は本発明による電圧依存性非直線抵抗体磁器組成物を用いたノイズフィルタ回路図、第 5図は本発明と従
[0033] S 来のノイズフィルタ回路による入力ノイズと出力状況を示す特
[0034] ( OMPI 性図である。
[0035] 発明を実施するための最良の形態
[0036] 発明者らは種々の実験を積み重ねた結果、チタン酸ストロンチウム（SrTi0₃) を主体とし、半導体化促進剤として Dy₂0₃ 及び Ta₂0₅のいずれか一方を添加し、さらに必要に応じて適量の添加物を加えることによ ] 、従来の組成物とは異なる系での電圧依存性非直線抵抗体磁器組成物を提案するものであ、以下に実施例に基づき本発明を説明する。
[0037] ぐ実施例 1 >
[0038] SrTi0₃と Dy₂0₃ と BaO を下記の第 1 表に示した組成比に ¾ るように秤量した後、ボールミルなどによ j 湿式で 6時間混合し、乾燥させた後、空気中で 1 000〜1 250 、 1 〜 5時間仮焼する。その後、ボールミルどによ D湿式で 4時間粉净レ乾燥させた後、有機バインダ— （例えばポリビニールアルコールなど ) を 8 wt 加え造粒した後、 8.0(籠)0ズ1 .0(靈）セの形状にプレス圧 1 .0t ! で加圧成型した。この成型体を還元雰囲気（例えば N₂:H₂= 10 : 1 ) にて 1 300~1 で 1 〜 6時間焼成した。こうして得られた焼成体の比抵抗は 0。¹〜0.8 cm で、平均粒径は 2 O 〜ち O であった。次に、この焼成体'を空気中で 1 000〜1 300 で 0.5〜5時間焼成し、第 3図の焼結体 4を得た。さらに、上記焼結体 4の両平面を SiCなどの研磨剤で研磨し、 Ag などの導電性金属を用いて電極⁵ ， 6を形成した。上記電極 5 ， 6の径は 5。0 (丽） ø とした。
[0039] このようにして得られた素子の待性を第 1 表に示す。
[0040] OMPI /0寸 8d/iJD¾
[0041]
[0042] ID O in
[0043] ― ό
[0044] 5 to
[0045] 15
[0046] 20
[0047]
[0048] 25
[0049] OMPI
[0050] /Λ - wrpo IV) IV) Ul U1 O Ul o
[0051]
[0052] * 比較例
[0053] ここで、素子のパリスタとしての特性評価は上述した電圧一電流特性式
[0054] I = ( V/C ) ^α
[0055] ( ただし Iは電流、 Vは電圧、 Cはバリスタ固有の定数、 aは非直線指数）における α と Cによって行うことが可能である。しかし Cの正確な測定が困難であるためミ本発明においては 1 mA のパリスタ電流を流した時の単位厚み当のバリスタ電圧（以下、 V^mAZ観と呼ぶ）の値と
[0056] α = 1 / log ( V_{1 n}mA V ₁ mA )
[0057] (ただしミ ₁₀mAは ¹ O mA のバリスタ電流を流した時のバリスク電圧、 V mAは 1 mA のバリスタ電流を流した時のパリスタ電圧）
[0058] の値によ Dパリスタとしての特性評価を行っている。
[0059] またコンデンサとしての特性評価は測定周波数 1 KH_Z における誘電率 ε ，誘電損失角 taa δで行っている。上記のデータは還元雰囲気における焼成温度、 '時間を 1 4 Ο Ο X： , 2時間、空気中での焼成温度、時間を 1 2 O O 'C , 3時間で行つたものである。
[0060] ぐ実施例 2 >
[0061] SrTi〇₃ と Dy₂0₃と Ce0₂ を下記の第 2表に示した組成比にし、上記実施例 1 と同様の操作で混合，成形，焼成を行い、同様の条件で測定をした結果を第 2表に示す o
[0062] O PI IPO ^ iepw-、 . to t
[0063] UI o Ul o Ul
[0064] 2
[0065]
[0066] tn
[0067] ■/
[0068] /
[0069] 5
[0070] io
[0071] 15
[0072] 20
[0073]
[0074] 25
[0075] ？ I PI O ぐ実施例 3〉
[0076] S rT iOg と Dy₂〇₃ と ^{L a}2⁰3 を下記の第 3表に示した組成比にし、上記実施例 1 と同様の操作で混合，成形，焼成を行い、同様の条件で測定をした結果を第 3表に示す。
[0077] 以下余白
[0078] 0MPI IV) 8 υι o υι
[0079] 3 組成比 ( モル^ ) 特性値
[0080] 試料
[0081] SrTiO oz "^y 2 5 V,mA( V Am) d $ 、 tan δ (¾1
[0082] 1* 9 7 0 '· 97 97 n u n n π Λ Λ Λ
[0083] 1 1 1 1 n u 4 H. n U v A, 11 n U ^ A
[0084] 2 * 9 / 9 Λ ft Ω Π n n n n 1 9 7 1 A 4 nへ 1 n
[0085] 3氺 o 9 n π n n 1 n π Ω 7 1 7 o 7, π y 11 n ^ . 1
[0086] 4氺 · o o n n n n 1 n n n n 4 0 s 乂 1 n ^ I J
[0087] 5氺 o 9 o o K n n n ^ n · X o
[0088] " 7 ο· u 八 u
[0089] 6 o 7 9 f* o 7 o 7 n n n n n n π ^ 7 n R n y 11 n u ^
[0090] 7 9 7 97» 7/ 97 n U. n U n U R J n n n ft 1 1 I Π U.4 H 1 1. U n yS 11 n u ^
[0091] 8 98 9 95 0.00 5 1 n n 0 7 1 1 78 1· 5 «J X■、 11 D⁴ 2.2
[0092] 9 89.9 9 5 0, 0 0 5 1 0.0 0 0 80 1 9, 1 1.8 X 1 Q⁴ 2.0
[0093] 10* 8 4, 9 9 5 0.0 0 5 1 5.0 0 0 88 1 8.5 2.1 X 1 0⁴ 5.7
[0094] 11* 99.8 00 0.2 00 0 1 6 5.1 8.0 X 1 0³ 1
[0095] 12 99.7 95 0.2 0 0 0.0 0 5 87 1 1.0 1.1 X 1 0⁴ 2.2
[0096] 15 99.6 0 0 , 0.2 0 0 0.2 0 0 6 5 1 7.2 1. ό X 1 0⁴ 2.1
[0097] 14 8.80 0 0.2 0 0 1.0 0 0 58 1 8.2 2.0 X 1 0⁴ 1.
[0098] 15 89.800 0.20 0 1 0.0 0 0 5 1 2 0.3 2.7 X 1 0⁴ 2.3
[0099]
[0100] 25 <実施例 ₄ >
[0101] SrT iO_s と D_y20₃と了2〇3を下記の第⁴表に示した組成比にし、上記実施例 1 と同様の操作で混合，成形，焼成を行い、同様の条件で測定をした結果を第⁴表に示す。
[0102] 以下余白
[0103] O PI
[0104] 、 W》，IPO oil
[0105] IV)
[0106] 8 UI ο UI
[0107] Λ 組成比（モル）特性値
[0108] 試料
[0109] SrTiO oz Dy 0₇
[0110] J o γ λο ό. V_imA(V /腿） a e tan δ m
[0111] 1* 99.995 0 0.0 0 5 91 1.0 4.0 X 1 0⁵ 4 4.3
[0112] ".80 0 0 0.2 0 0 1 1 7 1.7 4.0 X 1 0⁵ 59.8
[0113] 3* 9 9.0 0 0 0 1.0 0 0 1 7 0 2.1 8.0 X 1 0° 50.0
[0114] 4氺 90.0 0 0 0 1 0.0 0 0 1 86 2.5 7.0 X 1 0³ 27.1
[0115] 5* 99.995 0.0 0 5 0 59 5.2 6.0 X 1 0³ 9.6 ό 99.990 0.0 0 5 0.0 0 5 78 6.9 1.0 X 1 0⁴ 5.3
[0116] 7 99.795 0.0 0 5 0.2 0 0 7 1 1 0.5 1.5 X 1 0⁴ 5.0
[0117] 8 9 8.9 9 5 0.0 0 5 1.0 0 0 7 7 1 8.7 1. X 1 Q⁴ 2.9
[0118] 9 8 9. " 5 0.0 0 5 1 0.0 00 86 2 0.1 2.1 X 1 0⁴ 2.7
[0119] 10* 84.9 9 5 0.0 0 5 1 5.0 00 94 1 8.0 2.2 X 1 0⁴ 7.6
[0120] 1 r 9 9.8 0 0 0.2 00 0 1 6 5.1 8.0 X 1 0⁵ 6.1
[0121] 12 9 9.7 9 5 0.2 00 0.0 0 5 67 1 2.4 1.5 X 1 0⁴ 5.2
[0122] 15 9 9.60 0 0.2 0 0 0.2 0 0 52 1 7.9 2.6 X 1 0⁴ 2.4
[0123] 14 ？ 8.80 0 0.2 0 0 1.0 0 0 48 2 0.8 5.0 X 1 0⁴ 2.2
[0124] 15 8 9.80 0 0.2 0 0 1 0.0 0 0 51 24.4 3.2 X 1 0⁴ 2.9 ·
[0125] OS
[0126] SI
[0127] Ol
[0128] ■9 - J 11180/^80Ά <実施例 5 >
[0129] Sr Ti0₃ と Dy₂0₃と Zr0₂ を下記の第 5表に示した組成比にし、上記実施例 1 と同様の操作で混合，成形，焼成を行い、同様の条件で測定をした結果を第 5表に示す。
[0130] 以下余白
[0131] Ο ΡΙ
[0132] ·8μ f/J d
[0133] /wisゝ .
[0134] IV)
[0135] UI O O υι
[0136] 16^ 84.80 0 0.20 0 1 5.0 0 0 8 1 1 .7 3.2 X 1 0⁴ 9.2
[0137] 1 Ί 9 9.0 0 0 1.0 0 0 0 1 3 6.Q 9.0 X 1 0^ό 8.0
[0138] 18 98. " 5 1.0 0 0 • 0.0 0 5 5 9 1 2.4 2.0 X 1 0⁴ 3.7
[0139] 19 98.80 0 1.00 0 0.2 0 0 65 1 9.9 5.1 X 1 0⁴ 5.1
[0140] 20 98.0 0 0 1.0 Q 0 1.0 0 Q 7 7 2 0.9 5.8 X 1 0⁴ 3.2
[0141] 21 89.00 0 1.00 0 1 0.0 0 0 8 δ 22.0 4.4 X 1 0⁴ 5.9
[0142] 22^ψ 84.0 0 0 1.00 0 1 5.0 0 0 1 07 1 4.0 4.5 X 1 0⁴ 9.8
[0143] 、し
[0144] 23^ 9 Q.0 0 Q 1 0.0 Q 0 0 2 1 6.4 5.0 X 1 Ο^ό 9.4
[0145] 24 89.80 0 1 Q.O 0 0 0.0 0 5 90 1 6.9 1.8 X 1 O 4.0
[0146] 25 89.80 0 1 0.00 0 0.2 D 0 9 5 1 9.4 2.6 X 1 O⁴ 5.3
[0147] 26 89.0 0 0 1 Q.Q 0 0 1.0 0 0 98 2 1.9 3.1 X 1 O⁴ 3.0
[0148] 27 80.00 0 1 0.00 0 1 0.0 Q 0 1 40 2 3.3 2.9 X 1 O⁴ 4.7
[0149] 28ネ 7 5.0 0 0 1 0.D 0 0 1 5.0 0 0 1 7 1 2 1.0 2.7 X 1 O⁴ 0.9
[0150] 2 8 5.0 0 0 1 5.0 0 0 0 38 5.3 7.0 X 1 0³ 1 0.7
[0151] 50* 84.99 5 1 5.0 Q 0 0.0 0 5 92 9.4 8.0 X 1 Q³ 8.0
[0152] 31* 84.80 Q 1 5.0 Q 0 0.2 0 0 96 1 1.2 1.0 X 1 Q⁴ 8.0
[0153] 52* 84.00 0 1 5.00 0 1.0 0 0 1 1 7 1 0.8 1.1 X 1 Q⁴ 9.7
[0154] 55^ 7 5.00 0 1 5.00 0 1 0-0 0 0 1 69 9.5 7.0 X 1 0^J 1 2.4
[0155] 54* 7 0.00 0 1 5.0 Q Q 1 5.0 0 0 1 2 9.0 4.0 X 1 0° 2 3.3
[0156] * 比較例
[0157] ぐ実施例 6 >
[0158] S rTi0₃と Dy₂03と ^Ni0 を下記の第 6表に示した組成比にし、上記実施例 1 と同様の操作で混合，成，焼成を行い、同様の条件で測定をした結果を第 6表に示す。
[0159] 以下余白
[0160]
[0161] 25
[0162] OMPI 10
[0163] U1 Ul o
[0164] 20
[0165] 氺比較例
[0166] ぐ実施例ァ〉
[0167] SrTi〇₃と Dy₂〇₃と Ga₂0₃ を下記の第 7表に示した組成比にし、上記実施例 1 と同様の操作で混合，成形，焼成を行い、同様の条件で測定をした結果を第ァ表に示す。
[0168] 以下余白
[0169] OMPI
[0170] ■tz— /! J UT20 0Ά S
[0171]
[0172] -S3—
[0173] d I 80Ά ぐ実施例 8〉
[0174] S rTi0₃ と Dy₂0₃と S i〇₂ を下記の第 S表に示した組成比にし、上記実施例 1 と同様の操作で混合，成形，焼成を行い、同様の条件で測定をした結果を第 8表に示す。
[0175] 以下余白
[0176] 0 P1
[0177]
[0178] —a— /XDJ nborn Ά 10
[0179] UI 0 Ul
[0180] Mo
[0181] 氺比較例
[0182] ぐ実施例 9 >
[0183] SrTi0₃と Dy₂〇₃と Gd₂0₃を下記の第 9表に示した組成比にし、上記実施例 1 と同様の操作で混合，成形，焼成を行い、同様の条件で測定をした結果を第 9表に示す。
[0184] 以下余白
[0185]
[0186]
[0187] 6
[0188] If) O in 8
[0189] t 8 Ul o Ul
[0190]
[0191] * 比較例
[0192] • 実施例 1 〜 9に示したように、 Dy₂0₃添加量が、 0.005〜
[0193] 1 O.OOOモルの範囲では還元焼成体の比抵抗を下げるのに寄与し、空気中で再焼成することによパリスタ特性を示す o これは還元焼成によつて得られた焼成体の結晶粒子及び粒界 5 が低抵抗であ、空気中で再焼成することによ！）結晶粒界のみが高抵抗と ¾ 電気的障壁が形成されることによるものである。
[0194] しかし Dy₂0₃ だけを添加した場合には粒界に形成される電気的障壁が小さく、バリスタ特性は比較的小さい。
[0195] そこで B a〇， Ce0₂， L a 0₃. Y O3 , Z r.O^， N i O ,Ga₂O_s, ,Ο S i0₂ , Gd₂O_s などの添加物を添加すると、還元焼成時に結晶粒界にこれらの添加物が偏析し、空気中で再焼成することによこれらの添加物が結晶粒界に大き ¾電気的障壁を形成し、バリスタ特性が大きくなる。
[0196] また結晶粒界だけが高抵抗化されることによ！）、結晶粒子一
[0197] 15 結晶粒界一結晶粒子の間にコンデンサ特性が現われる。
[0198] このようにして S r T iOゥに' Dyゥ〇つ及び BaO， Ce〇，
[0199] Laつ 0₃ , Y O3 , Zr0₂，NiO ,Ga₂C , S i 0 , Gd 0₃ , ¾ どの添加物を加えることによ、バリスタ特性とコンデンサ特性を複合した特性を持つことができる。
[0200] 20 このような効果が現われるのは、が⁰.005 〜
[0201] 1 O.OOOモル％， BaO , Ce0₂ , L a 0₃， Y₂C , Z r0₂,NiO,
[0202] Gaつ〇₃ ， S iOつ， Gd₂O_s力 5〜 1 O.OOOモノレ^ の範囲でまた実沲例 1 〜 9では、添加物をそれぞれ単独で用いる場合 25 につて説明したが、これらに代えて Na ,K， Ca， Cd， I n ,
[0203] _ O PI —53-
[0204] Pb ,Ag , La ,Sc ,Cs ,Au ,Mg , Sn , Sb ,W,Bi , Fe , Pt, T 1 , A 1 , Be , L i ,Eu , Tb ,Tm, Lu ,Th , I r，Os , H f ,Ru , の酸化物をそれぞれ単独で上記所定量の範囲で用いても同様の効果が得られることを確認した。
[0205] またこれら 3 , ，03，0< , 1 11， 83，？1) , 9， 6，1₁3，
[0206] S σ , Υ , Cs , Au ,Mg , Z r , S n , S b , W , B i , N i , F e , Ga ,Pt, ΤΙ,ΑΙ , S i ,ΒΘ, L i , Eu , Gd , Tb , Tm, Lu , Th , I r ,Os ,Hf , および Rxi の酸化物を 2種類以上、合計での添加量が上記所定量の範囲になるようにして用いても同様の効果が得られることを確認した。
[0207] <実施例 1 o>
[0208] SrTi0₃ と原料中に初期から存在する極微量の Nb₂〇₅(本実施例で用いた原料中の Nb₂〇₅含有量は（ 0.050モル ) と半導体化促進用金属酸化物としての Dy₂Q₃ と非直線性を向上させる元素としての CaO を下記の第 1 O表に示した組成比にるるように秤量した後、ボ一ノミルるどによ湿式で 6時間混合粉碎し、乾燥させた後、空気中で 1 OOO lC、 4時間仮焼し 7to その後、ボールミル ¾どによ湿式で 4時間粉砕し、乾燥させた後、有機バインダー（例えばポリビニルアルコール ¾ど-) を 8 wt 加え造粒した後、 8.0 0 (舰） 1 .0 1: (丽）の円板状に成形圧約 ¹. O t で加圧成型した。この成型体を還元雰囲気
[0209] (例えば Ν₂ ： Η₂ = 1 : 1 ，流量 1.0 靈）にて 1 350 で 4時間焼成した。こうして得られた焼成体の比抵抗は平均して 0.3ί! ·α であり、平均粒子径は 3 O umであった。
[0210] 次に、上記焼成体を空気中で^{1 3} oox:、 2時間焼成し、第³ 図の焼結体 4を得た。さらに、上記焼結体 4の両平面を S iC ¾どの研磨剤を用いて研磨し、研磨面に Ag などの導電性金属を用いて電極 5 ， 6を形成した。上記電極 5 , 6の形状は 5. (観）の円形とした。
[0211] 5 このようにして得られた素子の特性を第 1 O表に示す。
[0212] 以下余白
[0213] ίθ
[0214] 15
[0215] 20
[0216] 25 IV)
[0217] υι 01 ο U1
[0218] 1 ο 組成比（モル％ ) 特性値
[0219] 試料
[0220] SrTiO o. Nb₉Op- CaO V mA/n»n(V) a ε tan δ {%)
[0221] 1氺
[0222] 9 9.？ 4 5 20 0.0 50 Q 0.0 0 5 1 0 0 1. o 4.0 X 1 0^J 4 1.6 ο 9 9.7 5 Q 0.0 50 0 0.20 0 88 1.2 4.0 X 1 Q³ 35.7
[0223] 3* 9 & 9 50 0.0 50 0 1.00 0 84 1.4 5.0 X 1 0³ 5 1.
[0224] ₄氺 8 9.9 50 0.0 50 0 1 0.00 0 7 5 1.7 9.0 X 1 0³ 27.4
[0225] 5* 9 9.9 4 5 0.0 50 0.0 Q 5 0 4 1 3.2 6.0 X 1 Q³ 9.8
[0226] 6 9 9.94 0 0.0 50 0.00 5 0.00 5 7 0 6.4 1.0 X 1 0⁴ 5.5
[0227] 7 9 9.7 4 5 Q.0 50 0,00 5 0.20 0 6 1 9.0 1.8 X 1 0⁴ 5.3
[0228] 8 98.94 5 0.0 50 0.0 0 5 1.0 Q 0 4 8 1 1.7 2.1 X 1 Q⁴ 2.7
[0229] 9 8 9.94 5 0.0 50 0.0 0 5 1 0.00 0 4 3 1 2.0 2.5 X 1 0⁴ 5.9
[0230] 10* 84.94 5 0.0 50 0.0 0 5 1 5.00 0 4 0 1 1.5 2.5 X 1 0⁴ a4
[0231] 11* 99.7 50 0.0 50 0.200 0 5 6 5.1 7.0 X 1 0³ 6.7
[0232] 12 99.7 4 5 0.0 50 0.20 0 0.00 5 68 7.7 1.1 X 1 0⁴ 2.4
[0233] 15 9 9.550 0.0 5 Q 0.20 0 0.20 0 6 5 1 0.2 1.7 X 1 0⁴ 2,3
[0234] 14 98.7 5 0 0.0 50 0.200 1.00 0 6 1 1 1.5 2.4 X 1 0⁴ 2.5
[0235] 15 89.7 50 0.0 50 0.2 Q 0 1 0.00 0 6 1 1 2.4 2.9 X 1 0⁴ 2.6
[0236] 10
[0237] (Π (Π ο UI
[0238] 16* 84.7 50 0.0 50 0.2 0 0 1 5.00 0 60 1 1.5 2.6 X 1 0⁴ 8.7
[0239] 17* 8.9 50 0.0 50 1.00 0 0 δ 5 6.0 8.0 X 1 0⁵ 8.0.
[0240] 18 98.94 5 0.0 50 1.00 0 0.00 5 65 8.2 1.0 X 1 0⁴ 2.8
[0241] 19 8.7 50 2ο 0.0 5 0 1.00 0 0.20 0 57 1 0.8 1.0 X 1 Q⁴ 2.4
[0242] 20 7, 50 0.0 50 1.0 0 0 1.00 0 49 1 1.2 2.1 X 1 0⁴ 2.6
[0243] 21 88.950 0.0 50 1.0 0 0 1 0,00 0 4 5 1 2.1 2.8 X 1 Q⁴ 5.5
[0244] 22* 85. 50 0.0 50 1.000 1 5.00 0 54 1 1.6 2.4 X 1 0⁴ 1 0.4
[0245] 23* 8 .950 0.0 50 1 0, 000 0 42 6.4 5.0 X 1 0⁵ 9.4
[0246] 24 8 9. 4 5 0.0 5 0 1 0.00 Q 0.00 5 64 8.5 1.0 X 1 0⁴ 3.0
[0247] 25 8 9.7 50 0.0 50 1 0.00 0 0.20 0 59 9. 1.7 X 1 0⁴ 2.4
[0248] 20 88-950 0.0 5 0 1 0.00 0 1.00 0 48 1 1.0 2.0 X 1 0⁴ 2.7
[0249] 27 7 9.9 50 0.0 5 0 1 0.00 0 1 0.00 0 60 1 2.4 2.9 X 1 0⁴ 5.9
[0250] 28* 7 4.9 50 0.0 5 0 1 0.0 0 0 1 5.00 0 64 1 0.2 2,7 X 1 0⁴ 1 0.7
[0251] 29* 8 4.9 50 0.0 5 0 1 5.0 0 0 0 85 5.0 7.0 X 1 0⁵ 1 0.5
[0252] 30* 84.94 5 0.0 5 0 1 5.00 0 0.00 5 83 8.6 8.0 X 1 0³ 8.2
[0253] 51* 85.7 50 0.0 50 1 5.00 0 0.20 0 7 7 1 0.8 9.0 X 1 0⁵ 9.9
[0254] 52* 85. 50 0.0 50 1 5.0 0 0 1.00 0 7 9 9.8 9.0 X 1 0³ 1 0.3
[0255] 33* 7 4. 50 0.0 5 0 1 5.00 0 1 0.00 0 94 8.1 8.0 X 1 Ο³ 1 5.
[0256] 34* • 6 9.9 50 0.0 50 1 5.00 0 1 5.00 0 1 28 5.4 5.0 X 1 0³ 1 9,1 氺比較例
[0257]
[0258] —57—
[0259] <実施例 1 1 〉
[0260] S rT i0₃ と原料中に初期から存在する極微量の Nb₂〇₅
[0261] (本実施例で用いた原料中の Nb₂C>5 含有量は O.OSO モルと半導体化促進用金属酸化物としての Dy₂0₃ と非直線性を向上させる元素としての Ce0₂を上記実施例 1 Oと同様の操作によ ] 成形，還元焼成，酸化を行った。このようにして得られた素子の特性を上記と同様の条件で測定して得た結果を第 ίί表に示す ₀ '
[0262] 以下余白
[0263] OMPI
[0264] ノン
[0265] 、 o ノ υι 8 Ul o Ul
[0266] 1 1 組成比 ( モル^ ) 特性値試料^
[0267] SrT i0₅ Nb tan d
[0268] 2O_c Dy
[0269] 5 0₂ Ce0₂ ， e
[0270] 101 * 9 9.？ 4 5 Q,0 50 0 0.0 0 5 98 1.0 4.0 X 1 0⁵ 4 o.1
[0271] 102* 99.7 50 0,0 50 0 0.20 0 1 1, 2 4.0 X 1 0³ 37.3
[0272] 103* 98, 9 50 0.0 50 0 1.0 0 0 82 1.2 5.0 X 1 0³ 3 1.5
[0273] 104* 8 99 50 0.0 5 o o 1 0.0 0 0 7 7 1.8 7.0 X 1 0 ^ 30.9
[0274] 105* 9 9.94 5 0.0 50 0,0 0 5 0 4 1 5.2 6.0 X 1 0 ^J 9.8
[0275] 106 9.940 0.0 50 0,0 0 5 0,0 0 5 7 2 ό.6 1, 0 X 1 0⁴ 4.5
[0276] 107 99.7 4 5 0.0 50 0,0 0 5 0.2 0 0 59 9.1 1.5 X 1 0⁴ 5.1
[0277] 108 98.94 5 0.0 50 0.0 0 5 1,0 0 0 54 1 0.4 1.9 X 1 0， 2.5
[0278] 109 8 9.94 5 0.0 50 0.0 0 5 1 0.00 0 4 2 1 2.9 2.1 X 1 0⁴ 3.3
[0279] 110* 84.94 5 0.0 50 0.0 0 5 1 5.0 0 0 δ 5 1 2.1 2.3 X 1 0** 9.2
[0280] 111* 9 9.7 50 0.0 50 0.20 0 0 56 5.1 7.0 X 1 0³ 6,7
[0281] 112 ".7 4 5 0.0 50 0.20 0 0.0 0 5 82 8.5 1.2 X 1 0⁴ 2.5
[0282] 113 9.550 0.0 50 0.2 0 0 0.2 0 0 6 9 1 0.2 1.6 X 1 0⁴ 2.3
[0283] 114 8.7 50 0.0 50 0.2 0 0 1.00 0 56 1 1.3 1.9 X 1 0⁴ 2.7
[0284] 115 8 9.7 50 0.0 50 0.20 0 1 0.00 0 5 5 1 2.5 2.4 X 1 0⁴ 9.0
[0285]
[0286]
[0287] in o in o I
[0288] ぐ実施例 1 2〉 ' S rT iO_s と原料中に初期から存在する極微量の Nb₂0₅(本実施例で用いた原料中の Nb₂0₅含有量は 0.050 モル％ ) と半導体化促進用金属酸化物としての Dy₂0₃ と非直線性を向上
[0289] 5' させる元素としての z _ro₂を上記実施例 1 Oと同様の操作によ D成形，還元焼成，酸化を行った。このようにして得られた素子の特性を上記と同様の条件で測定して得た結果を第¹ 2表に示す o ,
[0290] 以下余白
[0291] ιο
[0292] 15
[0293] 20
[0294] 25
[0295] O PI 10 8 αι o υι
[0296] 2
[0297]
[0298] IV)
[0299] Ul 8 υι o υι
[0300]
[0301] * 比較例
[0302]
[0303] <実施例 1 3〉
[0304] S rT iO_s と原料中に初期から存在する極微量の Nb₂0₅(本実施例で用いた原料中の Nb2〇5含有量は O . OSO モル ) と半導体化促進用金属酸化物としての Dy₂ ⁰3 と非直線性を向上させる元素としての NiOを上記実施例 ¹ Oと同様の操作によ j 成形，還元焼成，酸化を行った。このようにして得られた素子の特性を上記と同様の条件で測定して得た結果を第 ^{1 3}表に示す。
[0305] 以下余白
[0306] O PI
[0307] 、 IPO
[0308]
[0309] OMPI WIPO IV} IV)
[0310] o UI o UI
[0311]
[0312] 氺比較例
[0313] く実施例 1 4〉
[0314] SrTiO_s と原料中に初期から存在する極微量の Nb₂0₅(本実施例で用いた原料中の Nb₂0₅含有量は 0.050 モル）と半導体化促進用金属酸化物としての Dy₂0₃ と非直線性を向上させる元素としての La₂0₃ を上記実施例 1 Oと同様の操作によ成形，還元焼成，酸化を行った。このようにして得られた素子の特性を上記と同様の条件で測定して得た結果を第 1 4表に示す。
[0315] O PI 10
[0316] UI 8 o Ul
[0317] 1 4 組成比（モル ) 特性値試料
[0318] SrTiOz Nb₉0,- Dy₂0₃ Laり Oz V inA /調 (V) a ε tan δ
[0319] 1* 99.9 45 0.0 50 Q 0.005 1 1 2 1. o 4.0 1 0⁵ 5 6.4 * 99.750 0.0 50 0 0.200 1 27 1.2 4.0 X 1 0⁵ 29.8
[0320] 3* 98.9 50 0.0 50 0 1.000 1 9 6 1.4 7.0 X 1 0⁵ 25.1
[0321] 4* 89.9 50 0.0 50 0 1 0.00 Q 2 4 5 1.9 9.0 X 1 0⁵ 9.8
[0322] 5* 99.9 45 0.050 0. Q 05 0 4 1 5.2 ό.0 X 1 0³ 4.4
[0323] 6 99.940 0.0 50 a 00 5 0.005 9 5 7. 1 8.0 X 1 0⁵ 3.0
[0324] 7 99.7 45 0.050 0.005 0.200 83 9.4 1.0 X 1 0⁴ 2.5
[0325] 8 98.9 45 Q.050 0.00 5 1.000 7 4 10.8 1.4 X 1 0⁴ 2.5
[0326] 9 89.9 45 0. Q 5 0 0.0 05 1 0.00 Q 82 1 1. 1 1.5 X 1 0⁴ 5.9
[0327] 10* 84.945 0.050 Q.0 05 1 5.000 9 0 10.5 1.8 1 0⁴ 6.7
[0328] 11* 99.7 50 0.05 0 Q.2 00 0 5 ό 5.1 7.0 X 1 0⁵ 2.8
[0329] 12 99.7 45 0.050 0.2 00 0.005 1 07 8.0 1.0 X 1 0⁴ 2.6
[0330] 13 99.550 0.0 50 0.200 0.200 85 10.2 1.5 X 1 0⁴ 2.5
[0331] 14 98.750 0.05 Q 0.20 0 1.000 7 8 1 1.5 1.8 X 1 0⁴ 2.7
[0332] 15 89.7 50 0.0 50 0.2 0 0 1 0.00 0 7 1 12.7 2.1 X 1 0⁴ 3.9
[0333] //e!Ddoo smo
[0334] 9 Ό £ S 0 t X 0 · S K S Z 00'9 I 000 "S I 090 Ό 0 S 6 ¾
[0335] L Z S 0 I X 0 Z Z'9 66 I 00Ό I 000 '9 t 090 Ό 096'P ί
[0336] 0 "S I S 0 t X 0 ¾ 9 'L 98 00 't 000 "S I 0 S 0 0 S 6 ' 8
[0337] s ¾ 50 I X 0 '8 L' Z i 02Ό 000 "S t 0 S 0 Ό s
[0338] Z '8 SO I- X 0 '8 2*8 9 i i S OD 000 "S 1 090 9 f 6 9
[0339] 90 (■ ςθ I- X 0 Z O'S S 8 0 000 "S I 0 S 0 Ό 0 S 6 9 *62
[0340] 8Ό 1· 0 !· X 0 0·8 8 V 0 O'S 1» 000 Ό I 0 S 0 Ό 096'P ί *8 Z
[0341] 6 '†7 0 1. X 2 '2 i I [ 9 I 00 Ό I 000 1- 090 "0 D S 6 ¾ Z LZ
[0342] 0 '？ t 0 1· Xに Z i Ί I 6 1- ί 00 Ί 0.00 Ό I 090 0 S 6 "88 9Z
[0343] CO
[0344] s 0 I- X 6 "l SO I L I I- 02Ό 000 Ό I 0 S 0Ό 0 S Z ¾ 8 93
[0345] 9 '2 0 1· X 9 ¾ 60 1· S 0 Ό 000 Ό I 0 S 0 9 t76 ¾ 8 Z
[0346] "6 S 0 1- X O'S τ 0 00 o 'c 0 S 0 096-68
[0347] 6 ¾ M 0 1 X6 % SO I S 1· o o'g i. 000 Ί o g o 096 ' 8 *2 Z
[0348] 70 I X l'Z 5 "t t t7 0 ox 000 "t 0 S 0 Ό 056 -88 i Z g "z 0 1- X 0 "2 0 "1 t 00 I- 00 "t 000 Ί 0 S 0 Ό 0 S 6 Z 6 02
[0349] 9 *2 I X i 'i l ·01. 88 02Ό 000 Ί 090 Ό 09 ^ '86 61,
[0350] 8 '2 1· X 0 'L 5 ¾ 68 g o Ό 000 'I- 0 S 0 S " '86 8 I ς 0 I. X 0 "8 0'9 S 5 0 000 "t 090 Ό 0 S 6 "86 * I.
[0351] 0 '8 t.0 Ι ΧΌ'Ζ し 8 00* 1 002'0 090 Ό 0 S *178 *9 I- in o in
[0352] ON ぐ実施例 1 5 >
[0353] SrTiO_s と原料中に初期から存在する極微量の Nb₂〇₅(本実施例で用いた原料中の Nb₂0₅含有量は 0.050 モル ) と半導体化促進用金属酸化物としての Dy₂0₃ と非直性を向上させる元素としての Y₂0₃を上記実施例 1 Οと同様の操作によ成形，還元焼成，酸化を行った。このようにして得られた素子の特性を上記と向様の条件で測定して得た結果を第 1 5表に示す。
[0354] 以下余白
[0355] ΟΜΡΙ
[0356] WIPO 10
[0357] UI UI o UI
[0358] 1 5 組成比（モル^ ) 特性値試料
[0359] SrTi0₇ Nb 0₅ Y₂°5 V₁mA/«_m(V) a e tan
[0360] 1* 9 9.9 45 20 Q.0 50 0 0.0 Q 5 9 5 1.0 4.0 1 0³ 44.3
[0361] 2* 9 9.7 5 Q 0. Q 50 0 0.2 00 1 2 1 1.1 4.0 X 1 0³ 39.8
[0362] 3* 98.9 50 0.050 0 1.00 Q 1 74 1.7 7.0 X 1 0⁵ 30.1
[0363] 4* 89.9 50 0.0 50 Q 1 0.0 00 1 9 0 2.0 8.0 X 1 0³ 29.0
[0364] 5氺 9 9.94 5 0. Q 50 0.0 0 5 0 4 1 3.2 6.0 X 1 0⁵ 9.8
[0365] 6 99.9 40 0.050 0.0 05 0.005 8 Q 0,9 1.0 X 1 0 5.5
[0366] 7 99.7 4 5 0.0 5 0 0. Q 05 0.2 00 7 5 1 0.5 1.5 X 1 0⁴ 5.0
[0367] 8 98.9 4 5 Q.05 Q 0.0 05 1.0 00 7 9 1 1.7 1.9 X 1 0⁴ 2.9
[0368] 9 89.94 5 0.050 0.0 05 1 0.00 0 88 1 2.1 2,0 X 1 0⁴ 3.4
[0369] 10* 84.9 4 5 0.0 50 0.00 5 1 5.00 0 9 6 1 1.0 2.1 X 1 0⁴ 7.6
[0370] 11* 99.7 5 0 0.05 Q 0.20 0 Q 3 ό 5.1 7.0 1 0³ 6.7
[0371] 12 9 9.7 4 5 Q.0 50 0.20 0 0.0 05 8 7 ス 4 1.4 X 1 0⁴ 5.5
[0372] 13 99.550 0.05 0 0.200 0.20 0 72 1 0.9 2.0 X 1 0⁴ 2.8
[0373] 14 98.7 50 0.05 D 0.2 0 0 1.00 0 68 1 1.4 2.δ X 1 0⁴ 2.5
[0374] 15 89.7 50 0.0 50 0.200 1 0.0 00 7 1 1 2.8 2.5 X 1 0⁴ 2.9
[0375] 10
[0376] Ul 8 Ul o Ul
[0377] 氺比較例
[0378]
[0379] <実施例 1 6〉
[0380] SrTiO_s と原料中に初期から存在する極微量の Nb₂0₅(本実施例で用いた原料中の Nb₂0₅含有量は 0 ·050 モル）と半導体化促進用金属酸化物としての Dy₂0₃ と非直線性を向上させる元素としての <3_¾20₃ を上記実施例 1 Οと同様の操作によ ] 成形，還元焼成，酸化を行った。このようにして得られた素子の特性を上記と同様の条件で測定して得た結果を第 1 6表に示す。
[0381] 以下余白
[0382] Ο ΡΙ
[0383] v、 WIPO ν 10 10
[0384] UI o o ut
[0385] 16 組成比（モル）特性値試料
[0386] oil l ^ Dy₂ 〜
[0387] 。₅ ^Ga 2°5 m A/mm( ΛVΑj ε tan o ΐ)
[0388] ^Nb2°5
[0389] 1* Q Q η c π n n r r a
[0390] y 7.945 U. U 5 n U U U. U U 0 95 i 0 4.0 X 1 0 O 6. / * o o / 0 c n U n U. n U c n U n U π U. / π u n U o y 1. 1 4. U X 1 U o z o V.6
[0391] 3* y o. y o u U. U 0 U n U 1. n U π U n U O 9 Ί. o /. U X 1 U 40.0
[0392] 4* o Q o y. o o c n u n U. Ω U 0 K Π U n U 41 n u. π u π u π u 6 o I.4 o y. n U v Λ 4 n U ^ 4 4. n U
[0393] 5* Q y Q v. O y 4 Λ o C. n u. n u o R n u Π u. Π u Π U 0 R n u 4 Λ Λ
[0394] 1 0.ム 6. u I u o O o ό o 7 o o >i n U n u. n u o c: n u n n n c n u. n u n u 0 R o
[0395] 6 0 O. Ί I 7. U I u 7
[0396] 7 Q 974 ^ n U. n U n U n n n n n n / 國 11· 1， 1瞧 Π U ^
[0397] 8 98945 n n s n n n n 5 1 000 7 7 π u n u 1 s 1 n ⁴
[0398] 9 89.945 0.050 0.005 10.00 Q 85 9.8 1.7 X 1 0⁴ 5.1
[0399] 10* 84.945 0.050 0.005 15.000 94 9.0 1.2 X 1 0⁴ 4.2
[0400] 11 99.750 0.050 0.200 0 56 5.1 1.0 X 10⁵ 6.7
[0401] 12 99.745 0.050 0.200 0.005 59 8.8 1.0 X 1 0⁴ 3.9
[0402] 13 99.550 0.050 0.200 0.200 52 9, 4 1.2 X 1 0⁴ 2.8
[0403] 14 98.750 0.050 0.200 1.000 47 0.2 15X 1 0⁴ 2.4
[0404] 15 89.750 0.050 0.200 1 0. o o o 55 0.3 1.8 X 1 0⁴ 2.5
[0405] in o in
[0406] 8
[0407] <実施例 1 ァ〉
[0408] SrTi0₃ と原料中に初期から存在する極微量の Nb₂0₅(本実施例で用いた原料中の Nb₂0₅ 含有量は 0.050 モル ) と半導体化促進用金属酸化物としての Dy₂0₃ と非直線性を向上させる元素としての Gd₂0₃ を上記実施例 1 Oと同様の操作によ！？成形，還元焼成，酸化を行った。このようにして得られた素子の特性を上記と同様の条件で測定して得た結果を第 1 ァ表に示す。
[0409] 以下余白
[0410] OMPI
[0411] 、ノ
[0412] — 9S
[0413] f/XDJ i born 0丛 0-9 0 I X O 'V 9'9 I· 9 Z 0 0 0 9 I 0 0 0 9 1· 0 S 0Ό 0 S 6 6 9
[0414] I Ζ 0 1 X 0-9 0 8 0 I Z 0 0 0 Ό I 0 0 O S 1 0 S 0Ό 0 6 -p ί.
[0415] 8 !■ 8 6 S 1· 0 0 OH 0 0 O S I 0 9 0Ό 0 6-2 8 *
[0416] 2 D i _s 0 I X 0 '6 Z Q 6 Z i 0 0 0 0 O S 1· 0 9 0Ό 0 9 Z -fr 8 *
[0417] 9 ·ό 0 1· X 0 ·8 0'6 V Z S 0 0Ό 0 0 O S i 0 9 0-0
[0418] 9Ό 1· 0 1 X 0 Z 0 9 9 8 0 0 0 0 9 1 0 S 0Ό 0 S 6 f 8
[0419] 9Ό 1. _fr0 1· X S Z ·ζ L 0 0 0 9 1· o o o-o 1· 0 9 0Ό 0 9 I 氺 ⁸
[0420] 8 _fr0 i X Z Z Ζ ^ ？ I 0 0 0Ό I· 0 0 0Ό 1· 0 5 0-0 0 9 6 6 Z L Z
[0421] O S 6 'Ό t L 0 0 0 0 0Ό 1 0 S O'O 0 S 6 8 8 93 f2 Q 1 X 9 1· frO !■ £ I I. 0 0 o o n o L 0 9 0-0 0 S " 8 9 τ
[0422] 9 0 1 X 9 1 8'6 0 I- t g o o o 0 0 0 0 I· 0 9.0 "0 9 6 '6 8 Z
[0423] 5 o i x o-g ' 9 τ 0 0 0 0Ό I- o g o o 0 9 6 6 8
[0424] 06 0 1· X に 1· 0 Z I Z ？ 1· 0 0 0'9 I. 0 0 0 1 0 S 0 0 0 9 6 8 *² °
[0425] O S _fr 0 I. 9 1- t ？ I. 1· 0 0 0Ό 1· 0 0 O'l- 0 0-0 0 9 6 8 8 12 S _fr 0 1 X 0 2 Λ I I 6 0 0 0"l 0 0 O'l 0 S 0 0 0 5 6 Z 6 03
[0426] 0 1· X 8 1· 2-0 1· 2 8 0 0 0 0 O'l 0 S 0 0 0 S Z 8 6 61. 卜 9·2 0 1 X 1 -i S 8 L 8 9 0 0Ό 0 0 0 l 0 9 0 0 9 6 8 6 81.
[0427] 08 0 1 X 08 0·9 2 2 0 0 0 0 -i. 0 S 0 0 0 9 6 8 6 木"
[0428] 8 0 1· X に Z !■ S 9 0 0 0 9 1· 0 0 2Ό o g OO 0 9 Z -fr 8
[0429] Ο in o ID O
[0430] CM
[0431] • 実施例 1 O〜 1マに示したように、 Dy₂ ⁰3 の添加量が
[0432] O .OOS 〜 1 O .000 モル？ ί及び微量の Nb₂0₅ を含有する場合には、還元焼成体の比抵抗を下げるのに寄与し、空気中で再酸化することによ ]9パリスタ特性を示す。
[0433] 5" ¾お Nb₂0₅ の量は出発原料の T i0₂中に天然に含まれる不純物であ！）、分析の結果 0.001 〜 O .200 モル％の範囲であづ o
[0434] SrT iO。の半導体化には Dy₂0₃が有効であるが、 Nb₂〇₅ を同時に含む場合でも 0ァ₂0₃の効果は損われない。従って ίθ 半導体化促進剤として Dy₂ ⁰3 と Nb₂0₅を同時に用いてもバリスタ特性を出すことができる。，
[0435] しかし、 D_y20₃ と Nb₂0₅だけを添加した場合には粒界に形成される電気的障壁は低く、バリスタ特性は比較的小さい。
[0436] そこで CaO， Ce0₂ ， Z r0₂ ， NiO， La₂O_a, Y 0₀， Ga₂0₃，
[0437] 15 Gd₂0₃ どの添加物を添加すると、還元焼成時に結晶粒界-にこれら添加物が僞析し、空気中'で再焼成することによこれら添加物が結晶粒界の高抵抗化に寄与し、バリスタ特性が大きく。
[0438] また結晶粒界だけが高抵抗化されることによ ]3結晶粒子-結 20 晶粒界一結晶粒子の間 ^コンデンサ特性が現われる。
[0439] このようにして SrT iO_s に Dy₂Oo , b₂0_K 及び CaO， Ce0₂ ， ZrO〜 NiO , Laゥ 0〜 Y₂O_s , Ga^O^ , Gd^O^ るどの添加物を加えることによ ] 、バリスタ特性とコンデンサ特性を複合した特性を持つことができる。このよう ¾効果が現 25 われるのは、 Dy₂0« O . OOS 〜 1 O · OOO モノレ^ , Nb^Og
[0440] O PI • 0.001 〜 0 · 200モル， CaO , Ce〇₂， Z r0₂ , NiO
[0441] La 0₃ ， Yゥ〇《， Ga₂0₃ , Gd₂0₃ O .005〜 1 O · OOO モルの範囲である。
[0442] また実施例 1 o〜 ^{1 7}では添加物をそれぞれ単独で用いる場 · 合について説明したが、これらに代えて Na ， K， Cd ， In , Ba, Pb ， Ag , S σ , Cs , A , Mg , Sn , Sb ， W， B i ， Fe , Pt , T 1 , A 1 , S i , B e , L i , Eu , Tb ， Tm , L u , T h , I r，Os, Hf 及び Ru の酸化物をそれぞれ単独で上記所定量の範囲で用いても同様の効果が得られることを確認した。
[0443] またこれら Na , , Ca , Cd , In , Ba , Pb ， Ag， Ce , L a , S σ , Y , Cs , Au , Mg , Zr , Sn , Sb _t W, B i , Ni ， Fe , Ga , P t ， T 1 ， A1 ， S i , Be , L i ， Eu , Gd , Tb, Tm， Lu , Th , I r , Os , Hf 及び Rtiの酸化物を 2種類以上、合計での添加量が上記所定量の範囲になるようにして用いても同5 様の効果が得られることを確認した。
[0444] 上記のようにして得られた焼'結体に Ag ¾どの導電性材料によ！）電極を設けた素子ァとコイル 8とを用いて、第 4図に示したノイズフィルタを構成し、第 5図に示したノイズ入力 Aを印加したところ、ノイズ出力 Bを得た。
[0445] 0 これによ明らかなようにノイズは十分に除去され、しかも素子単体とコィルの組合せによ部品点数が少ぐな小形化が可能とる。
[0446] ぐ実施例 1 8 >
[0447] S rT i0₃ と T_{a 2}0₅ と CdOを下記の第 1 S表に示した組成5 比にるるように秤量した後、ボールミルなどによ ] 湿式で 6時間混合し、乾燥させた後、空気中で 1 000〜1 250 Ό、 1 〜 5時間仮焼する。その後、ボールミルるどによ ]3湿式で 4時間粉砕し、乾燥させた後、有機バインダー（例えばボリビ-ルァルコール ¾ど）を 8 w t を加え造粒した後、 8。0 (漏）《5 X
[0448] 1 .O (籠） tの形状にブレス圧 1 ·0 tZc ^ で加圧成型した。この成型体を還元雰囲気（例えば N₂： H₂ = 1 O： 1 ) にて 1 300 〜 1 450 °Cで 1 〜 6時間焼成した。こうして得られた焼成体の比抵抗は 0.1〜 0.8 β · cmで、平均粒径は 2 0〜 5 0 mであった。次に、この焼成体を空気中で 1 000〜1 300 で 0·⁵〜 5時間焼成し、第³図の焼結体 4を得た。さらに、上記焼結体 4の両平面を SiC どの研磨剤で研磨し、 Ag ¾どの導電性金属を用いて電極 5 ， 6を形成した。上記電極 5 ， 6の径は 5.0 (籠）とした。
[0449] このようにして得られた素子の特性を第 1 8表に示す。
[0450] 得られたパリスタ素子の特性評価については、実施例 1 と同じ条件で行った。 '
[0451] 以下余白
[0452] OMPI OS
[0453] 3¾ S I
[0454] 00
[0455] ¾1 OI s ーレ 9一
[0456] /IDJ Ii,T 80/^8 OA
[0457] ■29—
[0458] SSO00/^8Jf/lDd ぐ実施例 1 9〉
[0459] SrTiO_s と Ta₂〇₅ と BaO を下記の第 1 9表に示した組成比にし、上記実施例 1 8 と同様の操作で混合，成形，焼成を行い、同様の条件で測定をした結果を第 1 9表に示す。
[0460] 以下余白
[0461] ΟΜΡΙ WIPO 10
[0462] υι 8 01 o αι
[0463] 1 9 組成比（モル）特性嗨
[0464] 試料
[0465] S r T i Ta O_K BaO V_imA(V/卿） a e tan δ { )
[0466] 1* 9 9.9 9 5 0 0,0 0 5 7 9 1.0 4.0 X 1 0 ^s1 δ 4.4
[0467] ？ 9.80 0 0 0.2 0 0 8 δ 1.5 4.0 X 1 0⁵ 5 5.4
[0468] 5* 9 9.0 00 0 1, 0 0 0 1 0 0 1.7 5.0 X 1 0⁵ 4 1.5
[0469] 4氺 90.0 00 0 1 0.0 0 0 1 6 5 2.1 7, 0 X 1 0⁵ 4 6.3
[0470] 5氺 9 9.99 5 0.0 0 5 0 7 8 5.5 5.0 X 1 0⁵ 8.6 ό 99.99 Q 0.0 0 5 0.0 0 5 ό 0 8.6 7.0 X 1 0³ 6,3
[0471] 7 99.7 9 5 0.0 0 5 0.2 0 0 4 9 9.7 1.5 X 1 0⁴ 5.1
[0472] 8 98.99 5 0.0 0 5 1.0 0 0 55 1 0.6 1.7 X 1 0⁴ 5.8
[0473] 9 8 9.99 5 0.00 5 1 0.0 0 0 58 1 2.9 2.0 X 1 0⁴ 4.9
[0474] 10* 84.9？ 5 0.0 0 5 1 5.Q 0 0 72 1 2.5 1.4 X 1 0⁴ 9.2
[0475] 11* ".80 0 0.2 0 0 0 72 4,5 7.0 X 1 0³ 5.1
[0476] 12 9 9.7 9 5 0.2 0 0 0.0 0 5 53 9.5 1.6X 1 0⁴ 2.7
[0477] 1 δ ".00 0 0.2 0 0 0.20 0 37 1 0.3 2.4 X 1 0⁴ 2.5
[0478] 14 ？ 8.80 0 0.2 0 0 1.0 0 0 4 δ 1 5.3 2.5 X 1 0⁴ 2.0
[0479] 15 89.800 0.2 Q 0 1 0.0 00 51 1 4.1 2.0 X 1 0⁴ 5.2
[0480]
[0481] -99- J lilS0/^8 OAi ぐ実施例 2 0〉
[0482] SrTi0₃ と Τ 3₂0₅ と Z _r0₂を下記の第 2 O表に示した組成比にし、上記実施例 1 s と同様の操作で混合，成形，焼成を行い、同様の条件で測定した結果を第 2 O表に示す。
[0483] 以下余白
[0484] OMPI
[0485] 、に WIPO uno
[0486] OS
[0487] SI
[0488] 2 o Ol
[0489] 9
[0490] -19- /X3J sz
[0491]
[0492] —99—
[0493] εέοοο細 i/iDd ぐ実施例 2 1 >
[0494] S rT iO_s と Ta₂0₅ と La₂0₃ を下記の第 2 1表に示した組成比にし、上記実施例 1 8と同様の操作で混合，成形，焼成を行い、同様の条件で測定した結果を第 2 ¹ 表に示す。
[0495] 以下余白
[0496]
[0497] OMPI
[0498]
[0499] m o in o
[0500] (M
[0501] ぐ実施例 2 2 >
[0502] S r T i O 3 と Ta₂0₅ と Y₂0₃を下記の第 2 2表に示した組成比にし、上記実施例 1 8と同様の操作で混合，成形，焼成を行い、同様の条件で測定をした結果を第 2 2表に示す。
[0503] 以下余白
[0504] O PI .
[0505] 92
[0506] OS
[0507] 91
[0508] 9 /IDJ M
[0509] 01 ϋΐ ο ϋΐ
[0510] 20
[0511]
[0512] * 比較例
[0513]
[0514] く実施例 2 3〉
[0515] SrTiOg と Ta₂〇₅ と Gd₂0₃ を下記の第 2 3表に示した組成比にし、上記実施例 1 8 と同様の操作で混合，成形，焼成を行い、同様の条件で測定をした結果を第 2 3表に示す。
[0516] 以下余白
[0517] ΟΜΡΙ IPO ^ .
[0518] —91— IDd Iム面^ 8 0Ά u ^ '…- *
[0519]
[0520] in ο in ο
[0521] (M
[0522] ぐ実施例 2 4〉
[0523] SrTiO_s と Ta₂ ⁰5 と ^{G a} 2〇3 を下記の第 2 4表に示した組成比にし、上記実施例 1 8と同様の操作で混合，成形，焼成を行い、同様の条件で測定をした結果を第 2 4表に示す。 - 以下余白
[0524] υι 8 Ul o Ul
[0525] 24 組成比（モル％ ) 特性値
[0526] 試料 S r T i 0₇ Ga ₂0₅
[0527] ^{T a} 2°5 ν_ι∞Α(ν/翻） a ε tan
[0528] 9 9.9 9 5 0 0.0 0 5 80 1.1 4.0 x 1 0⁵ 3 6.6
[0529] 2* 9 9.8 0 D 0 0.2 0 0 8 4 1.7 4.0 X 1 O⁵ 57.5
[0530] 5* 9 9.0 0 0 0 1.0 0 0 9 8 2.0 5. Q x 1 O³ 4 0.5
[0531] 4* 9 0.0 0 0 0 1 0.0 Q 0 1 6 0 2.2 8.0 1 O³ 45.5
[0532] 5* 9 9.9 9 5 0.00 5 0 7 8 5.3 5.0 1 O³ 8.6
[0533] 6 9 9.9 9 0 0.0 0 5 0.0 0 5 ό 2 8.0 8.0 1 O³ 6.4
[0534] 7 9 9.7 9 5 0.0 0 5' 0.2 0 0 5 1 9.1 1.7 1 O⁴ 2.6
[0535] 8 9 8.9 9 5 0:0 0 5 1.0 00 59 1 0.8 1.8 1 O⁴ 3.7
[0536] 9 8 9.9 9 5 0. Q 0 5 1 0.0 0 0 6 5 1 3.3 1. 1 0⁴ 4.1
[0537] 10* 8 4.9 95 0.0 0 5 1 5.D 0 0 82 1 4.4 1.5 1 0⁴ 8.4
[0538] 11* 9 9.8 0 0 0.2 00 0 7 2 4.3 7.0 x 1 Ο^δ 5.1
[0539] 12 9 9.7 9 5 0.20 0 0.0 05 60 9.8 1.8X 1 0⁴ 2.9
[0540] 15 9 9.6 0 0 0.20 0 0.2 0 0 4 7 1 0.8 2.8 1 O⁴ 2.4
[0541] 14 98.8 0 0 0.2 0 0 1.0 0 0 5 3 1 2.9 2.5 x 1 O⁴ 2.7
[0542] 15 8 9.8 Q 0 0.2 0 0 1 0.0 0 0 6 1 1 3.2 2.1 x 1 0⁴ 5.1
[0543] IV)
[0544] ϋΐ 8 Ul ο υι
[0545] 氺比較例
[0546]
[0547] • 実施例 1 8〜 2 4に示したように Ta₂ ⁰ ₅添加量が O .005 〜'¹ 〇 .000 モルの範囲では還元焼成体の比抵抗を下げるのに寄与し、空気中で再焼成することによパリスタ特性を示す。
[0548] これは還元焼成によつて得られた焼成体の結晶粒子及び粒界が低抵抗であ、空気中で再焼成することによ結晶粒界のみが高抵抗と電気的障壁が形成されることによるものである。
[0549] しかし Ta^Os だけを添加した場合には粒界に形成される電気的障壁が低く、バリスタ特性は比較的小さい。
[0550] そこで Cd〇， B aO， Z r0₀ , La^O^ ， Y^Og ,Gd₂0_¾ , Ga^Og どの添加物を添加すると還元焼成時に結晶粒界にこれらの添加物が偏析し、空気中で再焼成することによ ] これら添加物が結晶粒界の高抵抗化に寄与し、バリスタ特性が大きくなる。
[0551] また結晶粒界だけが高抵抗化されることによ！）結晶粒子一結晶粒界一結晶粒子の間にコンデンサ特性が現われる。
[0552] このようにして S r T i〇3 に Ta₂ 及び CdO, BaO，ZrOつ， La₂0₃ , Y₂0₃ , Gd₂0₃ , 3a₂0₃などの添加物を加えることによ ])、パリスタ特性とコンデンサ特性を複合した特性を持つことができる。
[0553] このよう効果が現われるのは Ta₂0₅ O ·005〜1 Ο . ΟΟΟ モル， CdO , B aO , Z rO^ , La 0₃. Y₂〇， Gd₂0 ， Ga₂0^
[0554] O .005〜1 O . OOO モルの範囲である。
[0555] また実施例 1 8〜 2 4では添加物をそれぞれ単独で用いる場合について説明したが、これに代えて Na ,K ,Ca , In ,Pb,Sc, Cs ， Au ，Mg， Sn ， Sb ,W， B i , P t , Ί £ ， Eu , T b , Tm , Lu , Th, 1 1：，0₃ ，11£及び1111 の酸化物をそれぞれ単独で上記所定量の
[0556] ΟΜΡΙ 範囲で用いても同様の効果が得られることを確認した。
[0557] またこれらNa，K，Ca，Cci， I Il ，B_a ，Pb，L_a ,Sc，Y，Cs， Au ,Mg , Z r ,Sn，Sb，W,Bi ,Ga , Ρ t ， Τ 1 , Eu , Gd , Tb , m, Lu ,ΤΗ , I r ,Os ,Hf 及び Ru の酸化物を 2種類以上、合計での添加量が上記所定量の範囲になるようにして用いても同様の効果が得られることを確認した。
[0558] <実施例 2 5 >
[0559] SrTi0₃ と原料中に初期から存在する極微量の Nb₂〇₅
[0560] (本実施例で用いた原料中の Nb₂〇₅含有量は 0.050 モル^ と半導体化促進用金属酸化物としての Ta₂0₅ と非直線性を向上させる元素としての CdO を下記の第 2 5表に示す組成比にるように秤量した後、ボ—ルミル ¾どによ .り湿式で 6時間混合粉碎し、乾燥させた後、空気中で 1 O O o TC ， 4時間仮焼する。その後、ボールミルどによ湿式で 4時間粉砕し、乾燥させた後、有機バインダ - (例えばポリビュルアルコールなど）を 8 wt 加え造粒した後、 S .O0 (翻） X1 .O t (丽）の円板状に成形圧約 1 .Ot _C^ で加圧成型した。この成型体を還元雰囲気 (例えば N₂ :H₂ = 1 : 1 ，流量 1 .Q£/mn ) にて 1 3 5 O Όで 4時間焼成した。こうして得られた焼成体の比抵抗は平均して 0.³ Ω 'cm であ ] 、平均粒子径は 3 O m であった。
[0561] 次に、上記焼成体を空気中で 1 300 Ό ， 2時間焼成し、第 3 図の焼結体 4を得た。さらに、上記焼結体⁴の両平面を S iCなどの研磨剤を用いて研磨し、研磨面に Agなどの導電性金属を用いて電極 5 ， 6を形成した。上記電極 5 , 6の形状は 5.00 (靈)の円形とした _{ このようにして得られた素子の特性を第 2 5表に示す。
[0562] O PI
[0563] oo
[0564] 卜
[0565]
[0566]
[0567] in o in i
[0568] OS ーャ 8-
[0569] SSO00細 f/JDd TLl 0m OA <実施例 2 6〉
[0570] SrTi0₃ と原料中に初期から存在する極微量の Nb₂〇₅
[0571] (本実施例で用いた原料中の Nb₂0₅含有量は 0 .050 モル^ ) と半導体化促進用金属酸化物としての Ta₂0₅ と非直線性を向上させる元素としての BaO を前記実施例 2 ⁵と同様の操作によ成形，還元焼成，酸化を行った。このようにして得られた素子の特性を下記の第 2 6表に示す。
[0572] 以下余白
[0573] OMPI く Ul 8 Ul o Ul
[0574] 26 組成比（モル）特性値
[0575] SrTi0₇ Nb₂0_R Ta₂。₅ a ε tan d
[0576] 1 * 99.94 5 0.0 5 0 0 0.0 0 5 84 1.0 4.0 1 0³ 35.4
[0577] 2* 99.7 50 0.0 50 0 0.20 0 88 1.4 4.0 X 1 0³ 56.4
[0578] ₅氺 98.9 50 0.0 50 0 1.0 0 0 1 0 5 1.5 4.0 1 0³ 42.5
[0579] 4 * 8 9.950 0,0 5 0 0 1 0.0 Q 0 1 70 1.7 5.Q X 1 O³ 47.0
[0580] 5* 9 .94 5 0.050 0.00 5 0 80 3,0 5.0 1 0³ 8.0
[0581] 6 ",940 0.0 50 0.00 5 0.0 0 5 62 8.0 7.0 1 Q⁵ 6.3
[0582] 7 9 9.7 4 5 0.0 50 Q.D 0 5 0.2 0 0 51 9.8 .0 X 1 Ο^δ 5.4
[0583] 8 98.94 5 0.0 50 0.0 0 5 1.000 57 1 0.6 1.7 X 1 Q⁴ 5.9
[0584] 9 89.945 0.0 50 0.0 0 5 1 0.d i0 00 0 60 1 1.9 1. 1 0⁴ 4.8
[0585] 10* 84. 45 0.0 5 Q 0.0 0 5 1 5.0 0 0 7 2 1 1,5 1.4 X 1 0⁴ 9.5
[0586] 1 1 99.7 50 0.0 50 0.20 0 Q 7 5 3.4 5 X 1 0³ 5.2
[0587] 12 99.7 4 5 0.0 50 0.2 00 0.0 05 5 ό 9.0 1.4 X 1 0⁴ 2.7
[0588] 15 99.550 0.0 50 0.2 0 D 0.20 0 59 1 0.1 1.6 1 0⁴ 2.5
[0589] 14 98.7 50 0.0 50 0.2 00 1.00 0 45 1 1.1 2,0 X 1 0⁴ 2.1
[0590] 15 8 .7 50 0.050 0.20 Q 1 0.0 00 54 1 2.5 1.8 X 1 0⁴ 5.2
[0591] 10 o 01 o
[0592]
[0593] 氺比較例
[0594]
[0595] ぐ実施例 2 7 >
[0596] S rT i0₃ と原料中に初期から存在する極微量の Nb₂0₅ (本実施例で用いた原料中の Nb₂〇₅含有量は 0.05 モル）と半導体化促進用金属酸化物としての T_a2o₅ と非直線性を向上させる元素としての Z r0₂を前記実施例 2 5と同様の操作によ ])成形，還元焼成，酸化を行った。
[0597] このようにして得られた素子の特性を下記の第 2 7表に示す。
[0598] 以下余白
[0599]
[0600] 25
[0601] OMPI 画
[0602] -06- Jf/XDi i born 0Ά く実施例 2 S〉
[0603] SrT iO_s と原料中に初期から存在する極微量の Nb₂0₅ (本実施例で用いた原料中の Nb₂0₅ 含有量は O .O⁵モル ) と半導体化促進用金属酸化物としての T_{a 2}o₅ と非直線性を向上させる元素としての L a ₂ ⁰3 を前記実施例 2 5と同様の操作によ ] 成形，還元焼成，酸化を行った。
[0604] このようにして得られた素子の特性を下記の第 2 8表に示す。
[0605] 以下余白
[0606] O PI
[0607] wipo 10
[0608] Ul Ul o Ul
[0609] 28
[0610] 組成比（モル）特性値
[0611] 試料/ ¾
[0612] SrTiOj Nb₂O_s Ta₂0₅ ^La2°3 V₁m 'mra( ) a e tan δ( )
[0613] 1* 9 .945 wo 0.05 0 0 0.0 05 9 Q 1.0 4. o x 1 o ³ 55.4
[0614] 2* 99.75 0 0.05 0 0 0.2 00 9 ό 1.2 4.0 X 1 0³ 3 9.0 δ* 98. 5 0 0.05 0 0 1.0 00 1 1 5 1. δ 5.0 X 1 0³ 4 0.5
[0615] 4* 89.95 0 0.05 0 0 1 0.0 00 1 86 1.7 7.0 X 1 0³ 50.8
[0616] 5氺 99.945 0.050 0, 005 0 8 0 5.0 5. Q X 1 0³ 8.0
[0617] 6 99.94 0 0.05 0 0.0 05 0.0 05 72 8.2 7.0 X 1 0⁵ 5,1
[0618] 7 99.745 0.05 0 0.0 05 0.2 00 5 9 8.5 1.0 X 1 0⁴ 5.0
[0619] 8 98. 45 0.05 0 0. Q 05 1.0 0 Q 65 9.8 1,4 X 1 0⁴ 3.1
[0620] 9 89.945 0.05 0 0.0 05 1 0.0 00 7 7 1 0.4 1, 8 X 1 0⁴ 4.2
[0621] 10* 84.945 0.05 0 0.0 D 5 1 5.00 0 81 1 0.5 1.5 1 0⁴ 9,8
[0622] 11 * 99.75 0 0.05 0 0.2 00^l 0 75 3.4 5.0 X 1 0⁵ 5.2
[0623] 12 99.745 0.05 0 0.2 00 0.0 05 65 8.6 1.0 X 1 0⁴ 5.1
[0624] 1 δ 99.55 0 0.05 0 0.2 00 0.2 00 51 1 0.9 1.8 X ί 0⁴ 2.7
[0625] 1 98.75 0 0.05 0 0.2 00 1.0 00 54 1 3.2 2.0 X 1 0⁴ 3.0
[0626] 15 89.75 0 0.050 0.2 00 1 0.0 00 6 9 1 4.5 2.2 1 0⁴ 3.2
[0627] 10 8 ϋΐ ο υι
[0628]
[0629] 氺比較例
[0630] <実施例 2 9 >
[0631] SrTiO_s と原料中に初期から存在する極微量の Nb₂0₅ (本実施例で用いた原料中の Nb₂0₅含有量は 0.05モル ) と半導体化促進用金属酸化物としての Ta₂0₅ と非直線性を向
[0632] 5· 上させる元素としての Y₂ ⁰3を前記実施例^{2 5}と同様の操作によ成形，還元焼成，酸化を行った。
[0633] このようにして得られた素子の特性を下記の第 2 ⁹表に示す。
[0634] 以下余白
[0635] ιο
[0636] 15
[0637] 20
[0638]
[0639]
[0640] — 96- IS0/ 8 OA!L 10
[0641] UI 8 ϋΐ 0 υι
[0642] 叫氺比較例
[0643] <実施例 3 0〉
[0644] SrTi0₃ と原料中に初期から存在する極微量の Nb₂0₅
[0645] (本実施例で用いた原料中の Nb₂〇5含有量は⁰ · ⁰⁵モル ) と半導体化促進用金属酸化物としての Ta₂0₅ と非直線性を向上させる元素としての Ga₂0₃を前記実施例 25と同様の操作によ）成形，還元焼成，酸化を行った。
[0646] このようにして得られた素子の特性を下記の第 3 O表に示す。
[0647] 以下余白
[0648] OMPI
[0649] —86— f/IDd
[0650] —66 OtL く実施例 3 1 〉
[0651] SrTi0₃ と原料中に初期から存在する極微量の Nb₂〇₅ (本実施例で用いた原料中の Nb₂0₅ 含有量は O .OSモル？ δ ) と半導体化促進用金属酸化物としての Ta₂0₅ と非直線性を向上させる元素としての Gd₂0₃ を前記実施例²5と同様の操作によ！）成形，還元焼成，酸化を行った。
[0652] このようにして得られた素子の特性を下記の第 3 1 表に示す。
[0653] 以下余白
[0654]
[0655] 3 1 試料組成比（モル％ ) 特性値
[0656] SrTiO_s Nb₂O_s Ta₂0₅
[0657] ^Cd2°5 , o- 6 tan d(%)
[0658] 1 * 9 9.94 5 0.0 5 0 Q 0.0 0 5 1 0 5 1.0 4.0 X 1 0³ 4 5.6 ゥ氺 9 9.7 5 Q 0.0 5 0 Q 0.2 0 0 1 1 0 1.1 4.0 X 1 0° 40.1
[0659] 3* 9 8.9 5 0 0.0 5 0 0 1. 0 0 0 1 7 8 1.2 5.0 X 1 0³ 5 2.5
[0660] 4* 8 9.9 5 0 0.0 5 0 0 1 0.0 0 0 2 1 8 1. ό 8.0 X 1 0 ^J 2 9.6
[0661] 5* 9 .94 5 0.0 5 0 0.0 0 5 0 8 0 5.0 5.0 X 1 Q ³ 8.6 ό 9 9.9 4 0 0.0 5 0 Q. Q Q 5 0.0 0 5 8 4 6.0 7.0 X 1 0³ 4.5
[0662] 7 9 9.7 4 5 0.0 5 0 Q.0 0 5 0.2 0 0 8 2 9.7 9.0 X 1 0° 3.0
[0663] 8 9 8.9 4 5 0.0 5 0 0.0 0 5 1. 0 0 0 8 9 1 0.0 1.5 X 1 0⁴ 2.6
[0664] 9 8 9.9 4 5 0.0 5 0 0.2 0 5 1 0.0 0 0 1 0 o. 1 2.7 1.7 1 0⁴ 3.2
[0665] 10* 8 4.9 4 5 0.0 5 0 0.2 0 5 1 5.0 0 0 1 2 1 1 2.9 1.9 X 1 0⁴ 6.9
[0666] 1 1 * 9 9.7 5 0 0.0 5 0 0.2 0 0 0 7 5 5.4 5.0 X 1 0⁵ 5.2
[0667] 12 9 9.7 4 5 0.0 5 0 0.2 0 0 0.0 0 5 8 5 7.0 1.1 X 1 0⁴ 5.0
[0668] 15 9 .5 5 Q 0.0 5 0 0.2 0 0 0.2 0 0 7 5 9.0 1. ό X 1 0⁴ 2.5
[0669] 14 9 8.7 5 0 0.0 5 0 0.2 0 0 1. 0 0 0 8 5 1 0.ό 2.0 X 1 0⁴ 2.5
[0670] 1 5 8 9.7 5 0 0.0 5 0 1.0 0 0 1 0. 0 0 0 9 2 1 1.2 2.4 X 1 0⁴ 2.7
[0671]
[0672] -ZDl- d ——
[0673] • 実施例 2 5〜 3 1 に示したように、 Ta₂ ⁰5 の添加量を
[0674] 0.005〜1 O.OOOモル、及び微量の Nb₂0₅ を含有する場合には、還元焼成体の比抵抗を下げるのに寄与し、空気中で再酸化することによパリスタ特性を示す。
[0675] なお、 Nb₂〇₅ の量は出発原料の Ti0₂中に天然に含まれる不純物であ、分析の結果 O .001〜0 .200モルの範囲であつた。
[0676] SrTiO_s の半導体化には Nb₂〇₅ よ Ta₂0₅ の方が効果的であるが、 Nb₂〇₅ を同時に含む場合でも Ta₂ ⁰5 の効果は損るわれ ¾い。従って半導体化促進剤として Ta₂0₅ と Nb₂O_s を同時に用いてもパリスタ特性を出すことができる。
[0677] し力し Ta₂0₅ と Nb₂0₅ だけを添加した場合には粒界に形成される電気的障壁が小さく、パリスタ特性は比較的小さい。
[0678] そこで0<10，830， 210«，1₁320 _¾ ， Y₂°s，Gaゥ 0₃ ， Gd 0₃ ¾どの添加物を添加すると、還元焼成時に結晶粒界にこれらの添加物が偏祈し、空気中で再焼成することによ ] これら添加物が結晶粒界の高抵抗化に寄与し、バリスタ特性が大きくる。
[0679] また結晶粒界だけが高抵抗化されることによ結晶粒子一結晶粒界一結晶粒子の間にコンデンサ特性が現われる。
[0680] このようにして SrT i0₃ に Ta 0₅ ，Nbク 0₅及び CdO ,
[0681] BaO， Zr0₂ ， L a₂O_s， Yク。₃ , Ga₂0 , Gd₂0 ¾どの添加物を加えることによ！？、パリスタ特性とコンデンサ特性を複合した特性を持つことができる。このよう効果が現われるのは T a ₂O_s O .005〜1 O . OOOモル， Nb₂0_F O . OO"！〜 0.200 モル？ 5 ， CdO， BaO , Z r0₂ ， L a ₂0₃ ， Y₂0₃ ， Ga₂0₃ ,
[0682] Gd₂0₃ O .005〜1 O . OOOモルの範囲である。
[0683] また実施例 2 5〜 3 ¹ では添加物をそれぞれ単独で用いる場合について説明したが、これらに代えて Na，K，Ca， In，Pb, So , G s , Au ,Mg , Sn , Sb ,W, B i ， P t . T 1 , Eu , Tb . Tm ,
[0684] 1^ ， 111， 11 ，0₃ ，11£及び11 1 の酸化物をそれぞれ単独で上記 - 所定量の範囲で用いても同様の効果が得られることを碴認した。
[0685] またこれら 3 ，，（ 3 ， 01， 111 , 83 ，？1>， 1^ ， 30 ，， 03，
[0686] Au , Mg , Z r ，Sn， Sb，W，Bi , Ga , P t , T 1 ，Eu，Gd ,Tb， Tm, Lu , Th , I r ,Os ,Hf 及び Ru の酸化物を 2種類以上、合計での添加量が上記所定量の範囲に ¾るようにして用いても同様の効果が得られることを確認した。
[0687] 上記のようにして得られた素子に Ag どの導電性材料によ )電極を設け、第図に示したノイズフィルタを構成し、第 5 図に示したノィズ入力 Aを印加したところノイズ出力 Bと同じ特性の出力が得られた。
[0688] これよ D明らかなようにノイズは十分に除去され、しかも素子単体とコィルの組合せによ D部品点数が少¾ < ¾ 小形化が可能となる。
[0689] 産業上の利用可能性
[0690] 以上説明したように本発明の電圧依存性非直線抵抗体磁器組成物によれば、電気機器，電子機器に加わる異常高電圧吸収及びノィズ除去が単一素子で行なえ、多機能を有しかつ小形化可能であ ]3、電気機器及び電子機器の半導体製品の保護にくてはるら ¾いものであ）、実用上の利用価値は極めて大きい。
[0691] O PI

权利要求:
Claims
請求の範囲
1 . S r T i 0₃ を SO .000〜99 .990 モルと、 Dy₂<D₃ を O .005〜1 O . OOO モルと、 Na，K,Ca，Cd， In，Ba， Pb， Ag ,Ce , La , Sc ,Y ,Cs , Au ,Mg , Z r，Sn， Sb，W，Bi ，Ni，
5. Fe ,Ga , P t , T 1 ，A1 ， Si ，Be，Li , E u , Gd , T b , Tm , L u , 1：11， 1 1：，〇₃ ,1^及び111₁ からる群よ選択された少くとも 1 種類以上の元素を酸化物の形にして0.005〜¹0.000 モル含有することを特徴とする電圧依存性非直線抵抗体磁器組成物 o o 2. 請求の範囲第 1 項において、 SrTi0₃ をァ 9 .800〜
99.989 モルと、 Dyつを O · 005〜1 O · OOOモノレ ^と、 Nb^O_s を O .001〜0.200モルと、 Na，K ,Ca，Cd， In， Ba，Pb，Ag，Ce， La， Sc，Y，Cs , Au ,Mg , Z r , S n , S b , W, B i ，Ni , Fe , Ga , P t , T 1 , A 1 , S i ，： Be , Li , Eu , Gd , 5 Tb , Tm , Lu , Tk , I r ,Os ,Hf 及び Ru からなる群よ ] 選択された少なくとも 1 種類以上の元素を酸化物の形にして 0.005 〜 10 .000 モル含有することを特徵とする電圧依存性非直線抵抗体磁器組成物。
3. 請求の範囲第 1 項において、 SrTi0₃ を 80.000〜 0 99 .990 モノレと、 Dy Oゥを 0 · 005〜1 O . OOO モルと、 Ca ,Ba ,Ce , La ,Y,Zr，Ni，63， 31及び0(£ からなる群よ選択された少るくとも 1 種類以上の元素を酸化物の形にして O .005〜1 O .000モル含有することを特徵とする電圧依存性非直線抵抗体磁器組成物。
5 4 . 請求の範囲第 1 項において、 SrTi0₃ を 79 .800〜
OMit —10ό—
• 9Θ .989 モルと、 Dy₂0₃ を Ο .005〜1 Ο ,ΟΟΟモルと、 Nb₂0₅ を Ο .001 〜0.200 モルと、 Ca ,Ba，Ce，La， Y,Zr ,Ni ,Ga , Si 及び（3d からなる群よ ]9選択された少くとも 1種類以上の元素を酸化物の形にして 0 ·005〜
5 0.000 モル含有することを特徵とする電圧依存性非直線抵抗体磁器組成物。 -
5. SrTiOq を 80.000〜99 .990 モル^と、 Ta。Of を O .005〜1 O .OOOモノレ^と、 Na， K , Ca， Cd , I n , B a ， Pb， Mg , Zr , Sn, Sb ,W,Bi ,Eu ,Gd ,Tb ,Tm,Lu ,Tli , I r ,₀ Os ,Hi，Ru，Ga，Pt，Tl，La，Sc，Y，Cs及び Au 力らなる群よ ] 3選択された少くとも 1種類以上の元素を酸化物の形にして Ο · 005〜1 O .OOOモル含有することを特徵とする電圧依存性非直線抵抗体磁器組成物。 -
6. 請求の範囲第 5項におて、 SrTiO_s を 79 · 800〜 5 99 .989 モノレ^と、 T a₂0₅ を O .005〜1 O .OOOモルと、 NboO を Ο .001 〜0.200 ^&ルと、 N a， Κ， Ca， Cd , I η， Ba , Pb ,Mg , Z r， Sn，Sb，W，Bi , La , Sc , Y ,Cs , Au , Eu, <1， 113 ， 1111 , 1₁11 ， ¹111， 1 _]：， 03 ，11 及び1111 から¾る群ょ ]9 選択された少くとも 1 種類以上の元素を酸化物の形にして
0 O .005〜1 O，000モル含有することを特徵とする電圧依存性非直線抵抗体磁器組成物。
T . 請求の範囲第 5項において、 S rT i0₃ を 80.000〜 99 .990モルと、 T a₂0₅ を O . OOS 〜 1 O .OOO モルと、 Cd , Ba , Z r ,Gd ,Ga , La 及び Yから ¾る群から選択された 25 少くとも 1 種類以上の元素を酸化物の形にして 0.005〜
10.000 モル含有することを特徵とする電圧依存性非直線抵抗体磁器組成物。 ·
8. 請求の範囲第 5項において、 SrTiO_s を 79 .800〜
99 .989 モルと、 T a。Ο_κ を O .005〜1 O . OOOモルと、 Nb。0(r を O . ΟΟ·！〜 O .200 モルと、 Cd， B a ， Ce，： L a ， Y，Zr，Ni ，Ga , S i 及び Gd から ¾る群よ ] 選択された少なくとも 1 種類以上の元素を酸化物の形にして 0.005〜
10.000 モル含有することを特徴とする電圧依存性非直線抵抗体磁器組成物。

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引用文献:

公开号 | 申请日 | 公开日 | 申请人 | 专利标题

法律状态:
1984-08-16| AK| Designated states|Designated state(s): US |

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优先权:

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