![]() Procede de connexion de circuits double face
专利摘要:
公开号:WO1984002248A1 申请号:PCT/JP1983/000417 申请日:1983-11-22 公开日:1984-06-07 发明作者:Souhei Tanaka;Kazuhiro Mori;Eiji Itemadani 申请人:Matsushita Electric Ind Co Ltd; IPC主号:H01R12-00
专利说明:
[0001] 明 細 . 書 [0002] 発明の名称 [0003] 両面回路接続方法 [0004] 技術分野 [0005] 本発明は電子回路組立技術分野における両面回路接続方法に 関するものである。 [0006] 背景技術 . [0007] 従来から両面回路接続と.してス ル ーホー ル基板が一般的に知 られてお 、 このス ル ーホー ル基板の一部を第 1 図に示す。 第 [0008] 1 図において、 1 は絶縁性樹脂から形成された基板、 2 a , 2b は基板 1 の両面にそれぞれ所定のパタ —ンで形成された導電性 部材と しての銅箔、 3は基板 1 および銅箔 2 a , 2 bを貫通し て設けられた部品取付用の貫通穴、 4は貫通穴 3の内周壁およ び銅箔 2 a , 2 b上に化学メ ツキあるいは電気メ ツキによ って 形成された銅メ ツキ層で、 銅箔 2 a , 2 b間を導通させている。 [0009] 5はディ ッ プある はフ ロ ー ソ'ルタ-一るどによって形成された 半田層である。 このよ うるス ル ーホー ル基板においては銅メ ッ キ層 4を形成するために高価るものと 従って民生用電子機 器には採用しがた ものであった。 また貫通穴 3の端部におけ る銅メ ツキ層 4の欠除あるいは部品のリ 一 ド線揷入時に銅メ ッ キ層 4を切除することによ つて導通不良を発生する恐れがある ため、 ディ ッブあるいはフ ロ ー ソルタ-一時に図示のよ うに半田 5を上面の銅箔 2 a部に浮上させて導通の信頼性をあげる事が 必要とる ] 、 半田槽の温度および半田付時間を厳格に管理し ければ らるい欠点があった。 この様る欠点を解消するものと [0010] OMPI • してスルー ピン方式による両面プリ ン ト基板があ] 第 2図にそ の一部を示して る。 第 2図において、 6は貫通穴 3に圧入さ れた導通性のピンで、 他の電子部品がプリ ント基板に装着され た後、 ディ ッ ブあるいはフ ロ ー ソ ルダ—によって下面の銅箔 2ίί [0011] 5 に一括半田付けされ、 さらに上面の銅箔 2 aに半田付けされて 銅箔 2 a , 2 b間の導通を行なわせるものである。 しかしる力; ら、 このよ うなプ リ ン ト基板においてはピン 6と銅箔 2 a とを 接続する場合他の電気部品が同一面に存在するため手作業で行 わ ¾ければ らず、 非能率的 ものであった。 また、 銅箔2 a T O に半田付けする場合、 すでに半田付けされた銅箔 2 b側の半田 [0012] 5が一部溶解するために導通不良を発生する要因とるっていた。 発明の開示 [0013] 本発明は、 絶縁性の基板等の両面に印刷配線された銅箔等の 導電性部材を阇辺に備えた貫通穴に半田球を備えた導通用線を 1 5 挿入し、 一方の面の導電性部材と導通用線とをディ ッブある [0014] はフ ロ ー ソ ルダ—等にて半田付'けすることによ 、 半田付け面 で 方の導通用線と導電性部材とを前記半田球を溶融させ、 両面回路接続を行る う ものである。 [0015] 図面の簡単 ¾説明 [0016] 20 第 1 図 ,第 2図は従来の両面回路接続を示す基板の断面図、 第 3図は本発明の一実施例における半田球を有した導通用線の 斜視図、 第 4図 a , bは同導通用線を使用した両面接続方法の 形成過程を示す基板の断面図、 第 5図は本発明の他の実施例に おける半田球を有した導通用線の斜視図、 第 6図 a , ¾>は同導 [0017] 25 通用線を使用した両面接続方法の形成過程を示す基板の断面図 [0018] OMPI 一 — — [0019] • である o [0020] 発明を実施するための最良の形態 [0021] 以下本発明の一実施例について、 図面を参照し ¾がら説明す る。 第 3図は本発明の実施例における導通用線を示すものであ [0022] 5 る。 第 3図において、 ァは熱伝導の良好る導電用線で 8の半田 球がほぼセ ン ターに保持されている。 8の半田球は、 融解点の 低い、 例えば 1 5 O tで融解する半田るどで形成されている。 [0023] このよ う ¾:導電用線 7をまず第 4図 aに示すよ うに、 銅箔 2 a , 2 が形成された基板 1 の貫通穴 3に導電用線7を貫通 i o 穴 3のピッチあわせておりまげ揷入し銅箔 2 D側でかしめる。 [0024] 半田球 8は、 貫通穴3 のピ ッ チセン タ 一に ¾るよ うにする。 第 4図 bに示すよ うに導電用線 7を基板 1 に固定する。 さらに基 板 1 の他の貫通穴 3に電子部品( 図示せず) の端子を揷入保持 し、 溶解された半田に浸し、 通常のディ ッ プあるいはフ ロ ーソ [0025] 1 5 ルダ一によ 半田付けを行 ¾ う。 このときディ ッ プある はフ 口 一 ソルダ一における半田の溶融温度を 2 4 θ〜 2 5 O °C と し て銅箔 2 bを約 3秒間半田槽に浸漬すると、 この溶融半田の熱 が導電用線 7を介して半田球 8伝熱され、 低融解点である半田 球 8を加熱して溶解させることになる。 この溶解された半田は 0 導電用線 7を介して広が!)、 基板 1 を半田槽から引き上げた後、 第 4図 Gに示すよ うに銅箔 2 aに導電用線 7を半田付けするこ とができる。 このよ うに半田球 8を保持した導電用線 7を基板 1 の銅箔 2 a , 2 bに取])付け、 他の電子部品を揷入した後、 ディ ップあるいはフ ロ ー ソ ルダ一等で半田付け処理をするこ と [0026] 25 によって電子部品の半田付けとともに導電用線ァを銅箔 2 a , • 2 bに半田付けすることができ、 両面回路接続の導通を極めて 効率的に行 ¾わせることができる。 また、 上下の銅箔 2 a , 2 b を同時に半田付けするためス ルー ビン方式のプリ ン ト基板のよ う 導通不良を生ずる恐れが少る く、 確実 ¾半田付けが行るわ [0027] 5 7しる o [0028] るお、 上述では半田球 8と したが、 半田球およびその他の変 形についても包含するものである。 又、 導電用線 7は、 半田球 8が等ピッチに保持された連続的 ¾もの、 あるいは、 テーピン グ的るものも包含するものである。 [0029] t o 以下本発明の第 2の実施例について、 図面を参照しるがら説 明する。 第 5図は本発明の実施例における導通用線を示すもの である。 第 5図において、 9は熱伝導の良好 ¾導電用線で 1 O の半田球が保持されている。 1 Oの半田球は、 融解点の低い、 例えば 1 5 O tで融解する半田 ¾どで形成されている。 [0030] 1 5 このよ うに導電甩線 9をまず第 6図 aに示すよ うに、 銅箔 [0031] 2 a , 2 bが形成された基 ¾ 1 'の貫通穴 3に導電用鎳 9を挿入 し銅箔 2 a , 2 Dにかしめる。 半田球 1 oは、 銅箔 2 a上に接 触するよ うにする。 第 6図 bに示すよ うに、 導電用線 9及び半 田球 1 Oを基板 1 に固定する。 さらに基板 1 の他の貫通穴 3に [0032] 20 電子部品 (図示せず)の端子を揷入保持し、 溶解された半田に 浸し、 通常のディ ップあるいはフ ロ ー ソ ルダ—によ 半田付け を行 う。 以後については従来例 1 と同様である。 [0033] 産業上の利用可能性 [0034] 以上説明したよ うに、 本発明の両面回路接続方法は両面に導 [0035] 25 電性部材を有する基板に導電用線を取])付けるとともに導電用 — S― [0036] 線に半田球を保持して構成され、 半田球の保持側と反対側の面 で半田付けする際、 この半田付け熱で半田球を溶解させ、 両面 の導電性部材を同時に半田付けするもので、 作業性 , 信頼性さ らに価格の点で優れた方法である。
权利要求:
Claims • 請 求 の 範 囲 貫通穴を有し、 かっこの貫通穴の周辺部両面に導電性部材を 設けた基板に、 半田球を有した導通用線を揷入し、 前記基板の 少¾く とも一方の面に前記半田球が配置されるよ う位置付ける 5 工程と、 前記半田球を溶融して周辺の導電性部材と導通用線と を導通させる工程と、 前記基板の他方の面で前記導通用線と周 . 辺の導電性部材とを半田付けして導通させる工程とを有した両 面回路接続方法。 0 5 0 5 O PI IPO 一
类似技术:
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同族专利:
公开号 | 公开日 US4592137A|1986-06-03| JPS5998591A|1984-06-06| EP0126164B1|1989-03-29| DE3379531D1|1989-05-03| EP0126164A1|1984-11-28| EP0126164A4|1987-01-29|
引用文献:
公开号 | 申请日 | 公开日 | 申请人 | 专利标题
法律状态:
1984-06-07| AK| Designated states|Designated state(s): US | 1984-06-07| AL| Designated countries for regional patents|Designated state(s): DE FR GB | 1984-07-27| WWE| Wipo information: entry into national phase|Ref document number: 1983903581 Country of ref document: EP | 1984-11-28| WWP| Wipo information: published in national office|Ref document number: 1983903581 Country of ref document: EP | 1989-03-29| WWG| Wipo information: grant in national office|Ref document number: 1983903581 Country of ref document: EP |
优先权:
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申请号 | 申请日 | 专利标题 JP20791482A|JPS5998591A|1982-11-27|1982-11-27|Method of connecting both-side circuit|DE19833379531| DE3379531D1|1982-11-27|1983-11-22|Method of connecting double-sided circuits| 相关专利
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