• 专利附录
  • 专利说明
  • 权利要求
  • 类似技术
  • 同族专利
  • 引用文献
  • 法律状态
  • 优先权
    • 专利摘要:

    公开号:WO1981001699A1
    申请号:PCT/JP1980/000305
    申请日:1980-12-12
    公开日:1981-06-25
    发明作者:H Suzuki；T Hase
    申请人:H Suzuki；T Hase；
    IPC主号:C01B32-00
    专利说明:
    [0001] 明 細
    [0002] ^ 型 炭 化 珪 素 の 製 造 方 法
    [0003] 技 術 分 本発明は 、 以下 の粒径の炭素質粉末 と /
    [0004] s 以下の粒径の シ リ カ 粉末を用 い、 炭素 と シ リ カ の 混合
    [0005] 物 （ 以下単-に 「混合物」 と い う 。 ） の反応で発生 し た
    [0006] 一酸化珪素の反応系外への逸散を 防止 し、 こ れを捕集
    [0007] した上で さ ら に炭素 と 反応さ せ る こ と に よ り 、 / 6 S 0 'C 以下の温度で ^型炭化珪素 を製造す る 方法に 関す る も
    [0008] のであ る 。
    [0009] 技 近年、 ^ 型炭化珪素は、 そ の化学的、 物理的特性が
    [0010] 型炭化珪素 よ り 優れ ている こ と か ら 、 耐火物の -充填
    [0011] 材ゃ結合材、 冶金用 の脱酸材、 琢摩用 の研摩材、 高温
    [0012] 用の顔料及び焼結用 の原料 と し て 、 そ の需要は著 し く
    [0013] 增カ B し つつ あ る。
    [0014] 最近、 号公報 「焼結用炭化 ケ ィ 素粉末お よ びそ の製法」 に 開
    [0015] G:,: I ' ノ、 0
    [0016] Α"Π。ッ 示さ れてい る。 こ の製造法では、 独特な装置 を施し た 気相反応に よ っ て 型炭化珪素を製造す る の であ る 力 気相反応に適する 原料は比較的高価で し か も 空気中で 加水分解さ れ易 く 、 さ ら に気相反応に よ る ^ 型炭化珪 素の収率 は一般に低い の で 、 製品は高価 と な ら ざる を 得ない点において製法上の不利益があ る 。
    [0017] ま た、 ^ 型炭化珪素を安価に且つ多量に製造する 方 法 と し て 、 混合物を 連続的に反応さ せる 製造法が特開 昭 ·2 - / ·2 9 7 号公報 「 ^型炭化珪素の連続製造方 ¾J に開示さ れ ている 。 該公報中に 明示さ れ.てい る よ う に、 こ の製造法では平均粒径が 3〜 ίθ im と い う 比較的大き な粒径 か ら成る シ リ 力 原料を用い る た め 、 以下 では反応速度が極め て遅 く 、 '経済的な製造に は シ リ 力 の融点 （ 約 / 7 / 0で ) 以上の極め て高い温度が必要であ り 、 さ ら に反応に伴っ て発生する 一酸化珪素に よ る 混 合物原料 の粘着を 防止す る た め反応生成物中に未反応 の シ リ 力 と 炭素を故意 に残留させる 操業法を 採 ら ねば な ら ず、 ^ 型炭化珪素 の収率 を 低下させ 、 後に こ れ ら を除去す る た め に余分な 操作を 要す る 。
    [0018] 本発明は上述の欠点を取 り 除 く た めに 、 以下 の粒径 の シ リ 力 を用 レ、 る こ と に よ っ て / 0で 以下とレ、 う 比較的 低い温度で、 大部分の反応を完結さ せ得 る よ う に し 、 且つ反応に伴って生成する ー漦化珪素の反応 系外へ の逸散 （ こ れ は原理的に一応は避け ら れなレ、。） を究極的に 防ぎ、 それ を 未反応の炭素 と 熱間で再接触 さ せる こ と に よっ て十分高い効率で 型炭化珪素 を 生 産す る こ と を 目 的 と し てレ、 る 。 発 明 の 不 本発明の方法の特徵 と そ の効果を 以下の詳細な説明 で更に明確に す る。
    [0019] シ リ 力 （Si02) と 炭素 （ G) と か ら 炭化珪素 （SiG) が 生成さ れ る 反応は一般 に（1)式で 示さ 、 本発明の温度 範囲では 型炭化珪素が生成 さ れ る 。
    [0020] Si02 + 30 = - SiC + 200 (1) し か し な が ら 、 （1)式の 主体を成す反応 は 、 （2)式で示 さ れる 反応に よ っ て ま ず シ リ 力 と 炭素 と の反応か ら 生 成さ れる 一酸化珪素 （ SiO ) が、 （3)式で示さ れる よ う に、 周囲 の炭素 と 反応し て / 型炭化珪素 を生 じ る と い う も のであ る 。 実際上、 （2)及 び ）式を 主反応 と し て ^ 型炭 化珪素が生成さ れる こ と は本発明者 ら の試験で も 確認 さ れてレヽる。
    [0021] Si〇2 + C = SiO + CO (2) SiO + 2C= 一 SiG + CO (3) また 、 （4) と （5)式に示さ れ る よ う な副次的な 反応に よ つ て も 一部 の / 型炭化珪素が生成さ れ る が、 いずれ の反 応も 一酸化珪素が生成反応の主体 と なっ て いる こ と に 変 り は な い。
    [0022] £SiO = S i02 + Si ' (4)
    [0023] S i + C = ^ - S iC (5)
    [0024] (2) と （3)式 の反応は一酸化炭素 （ GO ) を 発生す る の で、 脱 ガス を 促す こ と に よ っ て反応は進み易いが、 同時に 生成さ れ る 一酸化珪素も 蒸気 £の 高い物質で 、 主 に気 体状と なっ て逸散し易いが こ れは珪素源 と し て有用で あ る か ら 逸散を 防止す る こ と に よ っ て（3)〜（5)式の反応 に よ り 型炭化珪素 と し て 固定さ せる 必要が あ る σ し か し従来 の方法では 、 一酸化'珪素は 必ず し も こ れ ら の 反応を完锆す る まで反応物 中に留 ら ず、 そ の結杲、 シ リ 力 の う ち 約；^量は逸散 し て し ま い反応生成物中 に か な り の量 の未反応炭素を残留させ る 原因 と な っ てい b 特開昭 《2 - / 2 4 7 号公報 「 ^型炭化珪素 の連続製造 方法」 に明示さ れてい る よ う に、 炭素を過剰に加え て 逸散す る 一酸化珪素を 型炭化珪素 と し て 固定す る 方 法も 行わ れてい る が、 こ の方法では 反応生成物は一層 過剰量の炭素を含む こ と に な る ので、 反応生成物中 の 炭化珪素含量は結局低下せ ざる を得な か っ た。
    [0025] (3)及 び（5)式に よ る 型炭化珪素の 生成反応は 、 炭素
    [0026] Ί
    [0027] ' く i 粒子の表面を覆 う よ う に し て生成 し た ^ 型炭化珪素が その後の 炭素粒子 と 一酸化珪素あ る いは珪素 と の 接触
    [0028] を妨げる 結果 と な り 、 こ れ も 一酸化珪素を ^ 型炭化珪
    [0029] 素 と し て十分 に 固定で き な い原因 と な る の で 、 効率 よ
    [0030] s く ^型炭化珪素 を製造する に は反応系か ら一'酸化珪素
    [0031] を逸散さ せ ず、 一酸化珪素 と 炭素 と の直接的な 接触を
    [0032] 高め る 手段を 施す必要があ る O
    [0033] 上述の 事情に鑑み、 本発明は o i m 以下の粒径の炭
    [0034] 素質粉末 と Ofi 以下の細かぃ シ リ 力 粉末 を 原料 と し
    [0035] " て用い る こ と に よ っ て / り' C 以下の 温度 にお いて 型
    [0036] 炭化珪素 の製造を可能 に し 、 混合物原料を 連続的に反
    [0037] 応室へ供給す る 方法を採用 し て一酸化珪素を反応混合
    [0038] 物中に J¾集 し て逸散を 防ぎ-、 さ ら に攪拌、 混合、 粉砕
    [0039] す る こ と に よ っ て捕集 し た一酸化珪素 と 炭素 と の反応
    [0040] " を継続さ せ る こ と に よ り 反応効率 の 向上 を効果的に図
    [0041] つた製造方法であ り 、 従来法 と 比べ極め て低い温度で
    [0042] 超微粉の ^ 型炭化珪素を 調製す る 方法を提供する も の
    [0043] し め o 力 る 発明 を 以下に更に詳細に説明する 。
    [0044] 2。 本発明 の原料で あ る シ リ 力粉末は / 0" m 以下の粒径
    [0045] であ る.こ と が肝要で、 こ れ' よ り 粗レ、 と シ リ カ が残留 し
    [0046] 易 く し 、 操業上好ま し く な い。 好ま し く は θβ ΐΆ以下の
    [0047] 粒径の シ リ カ で、 こ れ を用い る こ と に よ っ て未反応残
    [0048] ... ' , c"-
    [0049] ; :ι Ο 、、、
    [0050] 、 つ' i 分の非常に少な い 型炭化珪素を簡単に得る こ と がで き る 。 炭素原料 と し て黒铅粉末を用い る 場合、 黒鉛結 晶構造 の非常に大き な異方性の ため に 、 黒鉛粒子は ^ 型炭化珪素の生成に伴 う 大き な異方的体積増加に よ つ
    [0051] 5 て細粒化 さ れる 効果が反応中生 じ る の で 、 り i m 以下
    [0052] の粒径 の粉末であ れば本発明の反応進行上不都合は な い。 し か し な が ら 、 黒 ^結晶構造が十分に発達 して い なレ、 コ ― ク ス粒子では こ の よ う な効果は顕著に起 ら な い の で 、 ·2σ ί ΐη 以下の粒径 の細かい粉末でな ければなら ない。 炭素原料 と し て 最 も 好ま し い のは 力 一 ボ ン ブ ラ ッ ク で、 反応速度が大き く 、 操業上有利で あ る 。
    [0053] 反応は 見掛上（1)式に従 う の で 、 上記 し た 炭素 と シ リ 力 の原料 を、 CZSi02 モ ル比で J と な る よ う に均一に 混合 し た 混合物を反応に供する のが よ い。 モ ル比が J か ら大き く ずれ る と 未反応残分が含ま れ て来、 型炭 化珪素の 品位が低下する の で好ま し く ない。
    [0054] 工業的に有利な点は 、 本発明に よ れ ば / έ crc 以下の 温度で操業でき る こ と であ る 。 前述 し た よ う に上記混 合物原料 の反応は一酸化炭素 ガ ス を発生す る の で 、 装 置内を減 E状態 に保って こ れ を系外に 除去す る こ と は、 反応を容易に進め る 上で都合が よ い。 従っ て 、 真空排 気し な が ら反応さ せ る こ と が有利で、 こ の 方法を採る こ と に よ っ て 00 ま で反応温度 を 低下 さ せ る こ と が
    [0055] — Ο Π ¾ ΛΤι でき る 。 ! 200。Cよ り 泜温では反応速度が遅過ぎて 目 的 と す る 型炭化珪素を経済的に製造で き な い。 ァ ル ゴ ン 、 ヘ リ ウ ム あ る いは窒素 ガ ス の よ う な不活性雰囲気 内では ！屮 50 〜 I "0。C 間で十分な反応速度が得 ら れ る が、 /^JrCTC よ り 低温では 反応速度が著 し く 低下する 。
    [0056] 好ま しい温度範囲 は 真空排気内で 00 〜 / り O'C 、不活 性雰囲気内で / 0ί？ 〜 /0り 0°C に あ り 、 粒径 の揃っ た 微 細な ^型炭化珪素が高品位で得 ら れ る。 I "0。C の温度 までに本発明の 目 的を 遂げ る こ と がで き る ので、 / 6S0°C よ り 高温で操業す る こ と は有利で ない。 ま た 、 生 じ た
    [0057] 型炭化珪素 の粒子は 、 本発明者 ら の研究 に よれ ば
    [0058] / 0°C よ り 高温では 、 表面拡散係数が急に増大す る た め に著 し く 粗大化 し て来る の で 、 反応温度を 不必要に 高め る こ と は こ の点力 ら も 好ま し く な い。
    [0059] 前に述べた よ う に 、 混合物の反応段階で 生成する 一 酸化珪素 を 、 反応に係っ て いる 物質中か ら 出来る 限 り 逸散さ せ ない方法を採る こ と が本発明の実施に あ た り 必要不可決な要件であ る 。 逸散を 防止す る に は炭素 と の反応がお こ ら な か っ た気体状の一酸化珪素 を一酸化 珪素が凝縮す る 温度領域で反応物中に捕集す る事が必 要であ る 。 こ の こ と は 混合物 を違続的 に加熱反応さ せ る こ と に よ り 達成さ れ る 。 即 ち 、 反応管 中 の温度分布 が、 泜温部、 高温部、 低温部か ら な り、 最高温度が本
    [0060] ' c .: i
    [0061] 、/ V.'lrO
    [0062] ？ λ·ΑΤ' 発明の温度範囲内 と な る よ う に加熱さ れ た反応管中へ 混合物を 充填状態で連続的又 は断続的 に供給 し 、 反応 生成物を 連続的又は断続的に取 出す こ と に よ っ て発生 した一酸化珪素は ほ と ん どが捕集で き る 。 混合物の 反 応段階で生成す る一酸化珪素は気体状で存在 し 、 真空 排気の場合真空排気の方向に沿っ て低温部か ら 高温部 に移 り そ こ で残留炭素 と か な り 反応す る が、 未反応の も の は再び低温部へ流れ泜温部で凝縮す る 挙動を 示 し 不活性雰 囲気内では雰 囲 気 の気流に沿っ て同様な挙動 を示す。 従っ て 、 一酸化珪素の移動方向は真空排気の 方向や雰囲気の気流の方向に よ っ て調節でき る 。 好 ま し く は反応生成物の取 り 出 し方向へ導 く と 効果的で あ る。 具体的な例は、 第 / 図 に示す ス ク リ ユ ー コ ン ベ ア を用い る 方法に よ り 示さ れ る 。 真空排気 口 / よ り 装置 内は真空排気さ れ混合物原料は 、 外側を発熱体 ·2 に よ つて加熱さ れた反応管 J 中に原料供給 口 か ら ス ク リ ユ ー コ ン ベ ア に よ り 連続的 に供給 さ れ る 。 原料 の反 応に よ り 発生 し た気体状の一酸化珪素は 、 ®温部か ら 高温部に移 り そ こ で残留炭素 と 反応 し 、 ^ 型炭化珪素 を生成す る が、 一部反応 し な かった一酸化珪素は、 真 空排気の方向 に移動 し て 、 そ の先方に位置する 泜温部 で凝縮 し 、 反応物中に捕集さ れ 、 生成物回収口 よ り 回収さ れ る 。 混合物が反応管中を通過中に SiO + 2 C の反応が盛ん
    [0063] に 温度範囲内で ス ク リ ュ — コ ン ベ ア に よ り 攪拌、 混合、 粉砕の よ う な操作を加 え 、 生成 し た 型炭化珪 素を 炭素粒子の表面か ら 分離 し 、 炭素粒子 と 一酸化珪 素 と の接触を継続さ せ る こ と に よ っ て一酸化珪素を β 型炭化珪素 と し て 固定でき 、 反応効率 を一層高め る こ と がで き 、 非常 に高品位の ^ 型炭化珪素を得 る こ と が でき る o し か し 、 熱間で攪拌、 混合、 粉砕の よ う な操 作を加え な く て も 、 発生 し た一酸化珪素を逸散さ せ な い よ う に操業す れ ば、 こ れ は完全に 回収出.来 る か ら 、 冷間でそ れ ら を充分混合 し た後に再度連続的に高温度 部を通過 さ せ反応さ せ る こ と を繰返す こ と に よ り 高温 攪抨の場合 と 同様に高品位 の' ^ 型炭化珪素を得 る こ と がで きる o こ う し て生成す る ^ 型炭化珪素や一酸化珪 素は焼結 し てい な い力 ら 常温で簡草 に粉砕す る こ と が ffi来、 上記操作を行 う の に 特 S な 困難 は生 じ な い。 図 面 の 簡 単 な 説 明 第 / 図 は本発明方法を 実施する 装置 の溉略図であ る。
    [0064] OMFI
    [0065] WIPO 、^ 発明を実施するための最良の形態 以下、 本発明を実施例、 比較例につ い て詳細に例証 する 。
    [0066] 実施例 1 — ·
    [0067] 可変雰囲 気電気炉を用い 、 ス ク リ ュ ー コ ン ベ ア を 内 蔵し た 円筒形 の黒鉛質反応管を発熱体の 内側に設置 し、 種々 の粒度の炭素 と シ リ 力 と の混合物 （ GZS iO 2 モ ル比 = 3 ) を 第 / 表に示し た条件下で反応管へ供給し 通過 さ せた
    [0068] 真空排気の場合、 排気方向は 反応生成物の取 ffi し 方 向 と した。 ア ル ゴ ン ガ ス を 流す場合は 混合物の入 □ か ら 出 口側へ流し た。 反応管は縦形で あ っ て も 、 横形で あって も 反応生成物の組成に特に大き な相違は見 ら れ なかった。 試験結果を第 《2 表に示す。 本発明以外の方 法に従っ た場合、 β - S iC の収率 は Jク 以下 と な り 、 本発明の も の よ り 低い事が判る 。 混合物原料を粉末状 態で反応さ せた 場合と 、 ％ 程度の フ ヱ ノ ー ル樹脂を 添加 し て 《2 〜 露 の大き さ の成形体 と し て反応さ せ た 場合 と で 、 反応生成物の 組成に大き な差は 見受け ら れ なかっ た。 し か し 、 成形体の方が粉末の ^散 を 防止で き 、 取扱いが全工程で容易であっ た。 シ リ カ 分は 、 一 酸化珪素を 含ん でい る の で SiOx と 表示 し た。
    [0069] 、EAひ
    [0070] 〇1、:Π ― 原 料 の 粒 度
    [0071] M. pf77 反応温度
    [0072] 分 四 ス
    [0073] C C)
    [0074] 1 40 Am以下 ◦ -3 im以下の力 真空排気 1200
    [0075] ―ボンブラック
    [0076] 2 同 上 同 上 同 上 1350
    [0077] 3 同 上 同 上 同 上 1450
    [0078] 4 同 上
    [0079] 本 同 上 同 上 1600
    [0080] 5 同 上 同 上 同 上 1650
    [0081] 6 80 以下 同 上
    [0082] 明 同 上 1450
    [0083] 7
    [0084] の 150 以下 同 上 同 上 1650
    [0085] 8 同 上 ア ル ゴ ン 1450
    [0086] 方
    [0087] 9
    [0088] 法 8 以下 同 上 同 上 1600
    [0089] 10 同上 同 上 同 上 1650
    [0090] 11 150 im以下 同 上 同 上 1650
    [0091] 12 80 以下 20 以下の
    [0092] コ—クス 同 上 1600
    [0093] 13 150 111以下 同 上 真空排気 1650
    [0094] 14 4:0 以下 60im以下の 了ル ゴ ン 1550
    [0095] 15 8 o i m以下 ο-3 im以下の力 1600
    [0096] -ボンブラック
    [0097] 本 16 1 OAHI以下 同 上 真空排気 1150
    [0098] 明
    [0099] 外 17 10 以下 同 上 ア ル ゴ ン 1350
    [0100] の
    [0101] 方 18 同 上 同 上 同 上 1400
    [0102] c:.: i 4'-,. 。
    [0103] 'Ί 0、 実施例 2
    [0104] 実施例 1 で得 ら れ た反応生成物を ボ — ル ミ ル で再混 合、 粉碎 した後、 同一加熱条件で再度反応管を通過 さ せた。 こ れ ら の操作 を 繰返 し行った 回数 と 回収し た反 応生成物の組成を第 " 2 表に実施例 1 の結果 と 比較 し て 示す。 ^型炭化珪素の 品位は著 し く 向上 し て お り 、 本 発明の方法の効果が顕著に現われている 。
    [0105] ΟΙ. ΈΙ ノ.. V"I 0
    [0106] 7-r. 第 2 表
    [0107] 突 施 例 1 実 施 例 2
    [0108] 2 回 3 回
    [0109] M. (重量％ )
    [0110] 反応生成物の組成 （重量％ ) 反応生成物の組成 （重量％ )
    [0111] 0 SiO j9-S±G π S i Ωχ ド Π k SJ i ΠJ W ·χ" ド
    [0112] 1 rz O f - ft 40-5 13-3 22· 1 64-6 4.7 7.8 87- 5
    [0113] 2 y. o 丄 D · U 74-4 S- 6 4-1 93.3 0- 3 0.5 99.2
    [0114] 3 U - O Q a 84-6 1-0 1.5 97- 5 0.3 0* 5 99.2 本
    [0115] ス 94-7 0.7 1-1 98. Z 0.2 0.5 99.3 発 5 丄- p 96-3 0-5 0- 8 98.7 0.2 0- 5 99.3
    [0116] 6 / *丄 丄丄 - O 81.1 1.2 2-2 96-6 0.3 0.5 99- 3 明 Q ス OR Q
    [0117] 7 丄 J - 75-2 リ · *±■ QO D
    [0118] 8 14.9 24.9 60-2 0 - o 丄 U - υ 丄 * (J 1- 6 n rt A
    [0119] 97 · の
    [0120] 9 12. 21-2 66-1 3-5 6-2 90-3 0-6 1.0 98*4
    [0121] 10 11.6 19- 5 68-9 O ·丄 4 Λ- a
    [0122] Ο no ， η Ο
    [0123] ±· <c u . y f .9 ノ卞 J
    [0124] 11 12-9 3 65-8 3-8 6.1 90.1 0.6 1-1 98.3 法 12 15-8 26.3 57-9 6.6 10.0 83.4 1.5 2.0 96- 5
    [0125] 13 24.5 40-8 34.V 13.8 20.6 65.6 7.2 11.4 81.5
    [0126] 14 22-3 37.2 40- 5 13.3 £2- 1 54.6 4.8 7-8 Θ7-4
    [0127] 15 12-0 20-1 67.9 4.0 6- 6 89.4 0- 6 1-1 98- 3 本外 16 30-1 50-2 19.7 24.3 40-3 35-4 15-8 26-2 42.2 発 2 17 33.4 55-7 10- 9 30-0 50-1 19-9 24.2 40.4 35.4 明！ 18 26-3 43.8 29.9 19-2 31.6 48.8 10-1 16.2 73-7
    [0128] i 実施例 3
    [0129] 実施例 1 で記し た反応管の内側へ、 最高温度位置 と そ こ か ら 原料入 口側に寄っ てそれ よ り 約 /0 C 泜温の 位置 の 《2 個所に約 直径 の小穴を多数有 し た炭化珪
    [0130] 5 素質円板を は め込み、 ス ク リ ユ ー コ ン ベ ア に よ っ て輸
    [0131] 送さ れた 混合物が小穴を通る よ う に し た。 円板の 混合 物入口側には 同質の切羽 を有 し た 回転子を取付け、 ま た小穴を通過後の反応物を ロ ー ラ 一 ミ リ ン グす る た め 同質の 口 — ラ ーが 円板に密着 し て装填さ れ てい る 。 混 合物は反応管中 を ス ク リ ユ ー コ ン ベ ア に よ って輸送さ れ てゆ く が途中 こ の装置 に よ っ て混合 、 粉砕の操作 を 加え ら れ る こ と に な り 、 反応生成物であ る 型炭化珪 素の口 位は著 し く 向上 し た 。 こ の装置 を用レ、 て、 第 / 表の ^ / 〜 と 同一条件で操業 し た試験結果を第 J 表 に ま と め て示す。 こ れ ら の 結果は実施例 2 の結果 と 実 • 質的に差異は ない。 得 ら れた ^型炭化珪素は 、 / りで 附近の反応温度で 0 - 0屮 〜 O. OS- Ήϊ, /600'C 附近で 0. /
    [0132] 〜 り. mの大き さ の粒子が大部分で 、 非常 に微細で化 学的物理的 に活性な も の で あっ た。
    [0133] C! I · - ... ，ハ 第 3
    [0134]
    [0135] — wiro j r 実施例 4
    [0136] 実施例 1 記載の粒度 の原料を用い成形助剤 と し て ·2 〜 ％ の液状 フ ヱ ノ ー ル樹脂を添加 し て混合物を ·2〜 ぶ 龍 の大き さ の 団粒形に成形 し た。 成形助剤に ピッ チ を用いて も 試験結果に相違は ほ と ん ど現われ な かっ た が、 いずれ の場合も こ れ ら成形助剤の炭化率 を予 じ め 測定 し て お き 、 G/S i0。 モ ル比で J と な る よ う に し た。
    [0137] これ ら の 団粒を、 底部に直径釣 /龍 の穴を多数あ けた 黒鉛坩堝 に入れ、 こ う し た黒鉛坩堝を 順次積重ね て、 縦形反応管の下方か ら 上方へ移動 させ 、 下方で坩堝 を / 個挿入 し た際に上方で / 個を反応管外-へ取 ffiす と い う 方法で連続的に混合物 を反応さ せた。 積重ね る 際に 互いの坩堝の底部 と 頂部の側'面に勾配を つけ て組合せ た連続操業下では 、 高温部で一酸化珪素を逸散 し た坩 堝 も 低温部へ移動 し て来た 際に 、 高温部か ら逸散し て き た一酸化珪素蒸気を 受け 、 析出さ せ て捕集でき る の で、 実施例 / 及び 《2 と 同様珪素源は保存 さ れて い た。
    [0138] こ れは 、 坩堝内容物を / 度高温加熱処理 した後 π — ラ 一 ミ ル 、 ボ ー ル ミ ル等で簡単に粉降 し 混合 し さ ら に加 熱反応さ せ る こ と を繰返す こ と に よ っ て高品位の ^型 炭化珪素を得る こ と ができ た こ と か ら 実証さ れた。 試 験結果は実施例 -2 の 結果 と概ね同様で あっ た n
    [0139] Ο ？ I 、ィノ' Vv IPO 産 業 上 の 利 用 可 能 性 本発明方法に よ り 製造さ れた 型炭化珪素は耐火物 の充填材ゃ結合材、 冶金用 の脱酸材、 琢摩用 の研摩材、 高温用 の顔料及び焼結'用 の原料 と し てそ の 需要は広レ、。
    权利要求:
    Claims

    i 請 求 の 範 囲
    1， έ θβ 以下の粒径の炭素質粉末 と oii 以下の粒 径の シ リ カ 粉末を甩レ、 、 該炭素 と 該 シ リ カ と の モ ル 比が J と な る よ う に配合 し た 混合物原料か ら / 型炭 3 化珪素 を製造する 工程に おいて、混合物原料を高温部 と 低温部を有する 反応系中 におい て連続的に加熱す る こ と に よ り 反応系中で SiC と共に 生成す る一酸化 珪素を 反応系中の 低温部で反応物 中 に捕集、 回収 し 反応中 あ る いは反応後の 回収物を攪拌、 混合、 粉砕 する こ と に よ り 未反応物であ る 炭素 と シ リ カ と 該一 酸化珪素を再接触 さ せ た上で、 さ ら に反応さ せ る こ と を反応がほぼ完結す る ま で繰返す こ と を 特徵 と す る 型炭化珪素の製造方法。
    2. 真空排気下、 高温部 の温度が 0 0 〜 / りで で連 続的に加熱す る こ と を特徵 と する 請求 の範囲第 1 項 記載の 型炭化珪素の製造方法。
    3. 不活性雰囲気中高温部 の温度が / り 〜 f で 達続的 に加熱す る こ と を特徵 と す る 請求 の範囲第 1 項記載 の ^ 型炭化珪素 の製造方法。
    ™
    4. 混合物原料を ス ク リ ユ ー コ ン ベ ア を甩い て連続的 に加熱す る こ と を特徵 と す る 請求の範囲第 1 項記載 の ^型炭化珪素の 製造方法。
    类似技术:
    公开号 | 公开日 | 专利标题
    US9463429B2|2016-10-11|Device for producing nanocarbon
    Weimer et al.1994|Rapid process for manufacturing aluminum nitride powder
    CN103209923B|2015-07-29|碳化硅单晶制造用碳化硅粉体及其制造方法
    JP4410847B2|2010-02-03|中純度金属シリコンとその製錬法
    US5589116A|1996-12-31|Process for preparing a silicon carbide sintered body for use in semiconductor equipment
    Guo et al.1995|Induction plasma synthesis of ultrafine SiC powders from silicon and CH 4
    US4500504A|1985-02-19|Process for preparing silicon carbide whiskers
    Khezrabadi et al.2006|The effect of additives on the properties and microstructures of Al 2 O 3-C refractories
    JP5525050B2|2014-06-18|炭化ケイ素粉体製造方法及びシステム
    US3764123A|1973-10-09|Method of and apparatus for reducing iron oxide to metallic iron
    US4752456A|1988-06-21|Process for preparing metal carbides and precursors thereof
    US4162167A|1979-07-24|Process and an apparatus for producing silicon carbide consisting mainly of beta-type crystal
    Khanra2007|Production of boron carbide powder by carbothermal synthesis of gel material
    CA1236853A|1988-05-17|SUBMICRON .beta. SILICON CARBIDE POWDER AND SINTEREDARTICLES OF HIGH DENSITY PREPARED THEREFROM
    US3754076A|1973-08-21|Production of silicon carbide from rice hulls
    Gao et al.2002|SiC nanorods prepared from SiO and activated carbon
    Klein et al.1998|Reduced‐pressure chemical vapor synthesis of nanocrystalline silicon carbide powders
    US20080022806A1|2008-01-31|High-Hardness Conductive Diamond Polycrystalline Body and Method of Producing the Same
    Miller et al.1979|The reduction of silica with carbon and silicon carbide
    EP0414803B1|1997-03-12|Method of producing boron carbide
    Krstic1992|Production of fine, high‐purity beta silicon carbide powders
    Ren et al.2012|Influence of B2O3 on viscosity of high Ti-bearing blast furnace slag
    CN101076494B|2011-07-27|硅的精制方法以及硅
    US5427761A|1995-06-27|Process for the production of metal carbides having a large specific surface under atmospheric pressure inert gas scavenging
    US4529575A|1985-07-16|Process for producing ultrafine silicon carbide powder
    同族专利:
    公开号 | 公开日
    US4368181A|1983-01-11|
    JPS5684310A|1981-07-09|
    DE3050136T0||
    DE3050136C2|1986-12-18|
    GB2076385A|1981-12-02|
    DE3050136A1|1982-03-25|
    GB2076385B|1984-01-25|
    引用文献:
    公开号 | 申请日 | 公开日 | 申请人 | 专利标题
    JPS4822920B1|1968-04-04|1973-07-10|||
    JPS54136600A|1978-04-17|1979-10-23|Showa Denko Kk|Production of silicon carbide|GB2160186A|1984-05-09|1985-12-18|Central Glass Co Ltd|Method of continuously producing powder of silicon compound useful as ceramics material|DE1250797B|||||
    US3368871A|1966-12-05|1968-02-13|Ionics|Fluidized bed process for the preparation of colloidal silicon carbide|
    JPS5075600A|1973-11-08|1975-06-20|||
    CA1084235A|1976-05-24|1980-08-26|Ryo Enomoto|PROCESS AND AN APPARATUS FOR PRODUCING SILICON CARBIDE CONSISTING MAINLY OF .beta.-TYPE CRYSTAL|
    JPS5850929B2|1978-03-10|1983-11-14|Tokyo Shibaura Electric Co||JPH0152325B2|1981-08-14|1989-11-08|Ibiden Co Ltd||
    DE3642285C1|1986-12-11|1988-06-01|Huels Troisdorf|Verfahren zur Aufarbeitung von Rueckstaenden einer Chlorsilan-Destillation|
    US5021230A|1987-04-22|1991-06-04|Krstic Vladimir D|Method of making silicon carbide|
    SU1706963A1|1988-04-28|1992-01-23|Институт структурной макрокинетики АН СССР|Способ получени @ -карбида кремни|
    FR2638733B1|1988-11-10|1991-12-20|Pechiney Electrometallurgie|Procede de production de carbure de silicium micr onique|
    US5340417A|1989-01-11|1994-08-23|The Dow Chemical Company|Process for preparing silicon carbide by carbothermal reduction|
    WO1990008104A1|1989-01-11|1990-07-26|The Dow Chemical Company|Process for preparing silicon carbide|
    NO306815B1|1994-06-06|1999-12-27|Norton As|Fremgangsmåte ved fremstilling av siliciumkarbid|
    JP3798020B2|1995-03-31|2006-07-19|ハイピリオンカタリシスインターナショナルインコーポレイテッド|炭化物微小フィブリルとその製法|
    US5922300A|1997-01-23|1999-07-13|Oji Paper Co., Ltd.|Process for producing silicon carbide fibers|
    EP1857640A3|2006-05-10|2010-05-05|Silicon Fire AG|Neuartiger kaskadierter Kraftwerksprozess und Verfahren zum Bereitstellen von reversibel einsetzbaren Wasserstoffträgern in einem solchen Kraftwerksprozess|
    法律状态:
    1981-06-25| AK| Designated states|Designated state(s): DE GB US |
    1982-03-25| RET| De translation (de og part 6b)|Ref document number: 3050136 Country of ref document: DE Date of ref document: 19820325 |
    1982-03-25| WWE| Wipo information: entry into national phase|Ref document number: 3050136 Country of ref document: DE |
    优先权:
    申请号 | 申请日 | 专利标题
    JP79/161641||1979-12-14||
    JP16164179A|JPS5684310A|1979-12-14|1979-12-14|Manufacture of betaatype silicon carbide|DE19803050136| DE3050136C2|1979-12-14|1980-12-12|Methode zur Herstellung von beta-Siliziumkarbid|
    [返回顶部]