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    • 专利摘要:
    本發明提供一種高純度鈣之製造方法，其進行第一次昇華精製，即將除去氣體成分之純度為4N以下之鈣原料裝入昇華容器坩堝，將其加熱至750℃~800℃使其昇華，使其附著(蒸鍍)於昇華容器內之側壁；接著進行第二次昇華精製，即將第一次昇華精製之鈣回收後，將該鈣再度裝入昇華容器坩堝，加熱至750℃~800℃，同樣地使其附著(蒸鍍)於昇華容器內之側壁以回收純度4N5以上之鈣。其課題為：不僅可使用於高純度鑭的製造，亦可穩定提供用以作為其他稀土類等之還原劑、金屬之脫硫劑或脫氧劑、高真空幫浦用之收氣劑(getter)來使用之高純度化之鈣。
    公开号:TW201323620A
    申请号:TW101143223
    申请日:2012-11-20
    公开日:2013-06-16
    发明作者:Masahiro Takahata
    申请人:Jx Nippon Mining & Metals Corp；
    IPC主号:C22B26-00
    专利说明:
    高純度鈣之製造方法
    本發明係關於一種利用昇華精製之高純度鈣(Ca)之製造方法。
    鈣(Ca)係為鹼土類金屬之一，原子序20，原子量40.08。以矽酸鹽、碳酸鹽、硫酸鹽、氟化物、磷酸鹽的形式廣泛分布。
    藉由氯化鈣作為主成分之熔融鹽電解使純度上升至94~98%，進而藉由真空蒸餾，可精製至純度99.9%。
    經精製之鈣為銀白色柔軟之金屬，常溫下為立方最密構造，250℃以上為六方最密構造，450℃以上為體心立方構造。熔點839℃、沸點1480℃、密度1.55g/cm3(20℃)，常溫下與氧、鹵素直接鍵結，高溫下亦與氫、碳、氮反應。就用途而言，係作為還原劑、金屬之脫硫劑、高真空用收氣劑來使用(參照理化學辭典)。
    近年，正研究開發將鑭(lanthanum，La)作為金屬閘極(metal gate)、高介電材料(high-k)等電子材料，為受到注目之金屬。又，從同樣之觀點出發，鑭以外之稀土金屬亦有研究及開發。以下之說明中，特別說明關於使用鑭時的問題，但其他稀土類元素亦可謂有同樣之傾向。
    鑭金屬於精製時存在有易氧化之問題，故為高純度化困難之材料，而未存在有高純度製品。又，於空氣中放置鑭金屬之情況下，短時間內氧化變色成黑色，因此存在有處理不容易之問題。
    最近，次世代之MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor，金氧半場效電晶體)中之閘極絕緣膜被要求要薄膜化，但至今作為閘極絕緣膜所使用之SiO2中，因穿隧效應(tunnel effect)而增加漏電流，變得難以發揮正常機能。
    因此提案有HfO2、ZrO2、Al2O3、La2O3來取代上述者，該等具有較高之介電係數、較高之熱穩定性、相對於矽中之電洞與電子較高之能障。尤其，有研究報告對於此等材料中La2O3之評價高，且調查其電特性，將其作為次世代之MOSFET之閘極絕緣膜(參照非專利文獻1)。然而，於該非專利文獻1之情況，研究對象為La2O3，未特別提及關於La元素之特性與行為。
    作為精製稀土類金屬之方法，利用鈣或氫化鈣使稀土類金屬之鹵化物還原之技術為約20年前被提出。其中稀土類之例亦記載有鑭，但僅為使用熔渣分離治具(jig)作為熔渣(slag)分離手段的技術，幾乎無揭載關於鑭金屬元素所帶來之問題點及精製方法(參照專利文獻1)。
    如上所述，鑭等稀土類元素受到注目認為是高價值之材料，但另一方面也是難以高純度化之材料。然而，為了活化鑭等稀土類元素之特性，減少碳(石墨)、Al、Fe、Cu等雜質較佳。又，因鹼金屬及鹼土類金屬、過渡金屬元素、高熔點金屬元素、放射性元素亦會影響半導體之特性，故希望其等減少。
    通常於製造高純度鑭之情形時，利用高純度鈣還原除去氣體成分之純度為4N以上之氟化鑭原料而製出純度4N以上之鑭，並電子束熔解該經還原之鑭而除去揮發性物質，藉此除去氣體成分，可製造具有4N5以上之純度的高純度鑭。於進行鑭以外之稀土類元素之高純度化之情形亦採用同樣之步驟。
    但是，於該情形，必須要將還原步驟中使用之鈣高純度化，以減少製造步驟中之雜質。若鈣中之雜質較多，其結果會發生稀土類元素中雜質增加之問題。
    若看先前技術，則下述專利文獻2揭載有以下技術：於630~700℃之預蒸餾(3~16小時)低Mg化後，進行900~920℃之正式蒸餾(12小時)，其中令Mg：60ppm(0.006%)、Al：10ppm(0.001%)、Mn：80ppm(0.008%)Fe：10ppm(0.001%)、Zn<10ppm(0.001%)。
    但是，於該程度之鈣純度不可謂充分。又，雖無Cu之雜質量之規定(記載)，但於液體狀態之鈣之處理中，水冷Cu之使用為不可欠缺，故包含大量Cu之雜質的可能性大。
    於下述專利文獻3，揭載有如下之金屬鈣之製造方法：氧化鈣與鋁等之混合物裝入蒸餾器(retort)中，藉減壓蒸餾製造金屬鈣之方法中，該混合物與鈣蒸氣之冷凝器間配置有氧化鈣粒之填充層。但此作為用以製造特殊鋼之冶鍊劑即釤(samarium)的還原劑(Ca)，為僅減少鈣中之鋁的特殊技術，無記載關於鈣中其它雜質，非綜合的高純度化技術。
    於下述專利文獻4，揭示有以下技術：於CaO之Al還原於蒸餾器中施以溫度分布來捕捉Mg，將Ca高純度化。於此情形，特徵在於蒸餾器的構造，即藉一次還原可得到具有99.9%以上純度之鈣，且分析值亦僅有Mg。非綜合的高純度化技術。
    如上所述，於先前技術中，可謂無揭示有效技術可用以達成綜合之高純度化之鈣的製造方法。
    專利文獻1：日本特開昭63-11628號公報
    專利文獻2：日本特開昭58-141349號公報
    專利文獻3：日本特公昭63-47780號公報
    專利文獻4：日本特開平7-76739號公報
    本發明之課題為提供一種穩定提供高純度化之鈣之技術，該鈣不僅可使用於高純度鑭的製造，亦用以作為其他稀土類等之還原劑、金屬之脫硫劑或脫氧劑、高真空幫浦用之收氣劑來使用。
    本發明係提供，1)一種高純度鈣之製造方法，其進行第一次昇華精製，即將將除去氣體成分之純度為4N以下之鈣原料裝入昇華容器坩堝，加熱至750℃~800℃使其昇華，使其附著(蒸鍍)於昇華容器內之側壁；接著進行第二次昇華精製，即將第一次昇華精製之鈣回收後，將該鈣再度裝入昇華容器坩堝，加熱至750℃~800℃，同樣地使其附著(蒸鍍)於昇華容器內之側壁以回收純度4N5以上之鈣。
    又，本發明，2)如上述1)記載之高純度鈣之製造方法，其鈣之昇華速度設為0.25g/cm2/h~0.75g/cm2/h。
    又，本發明提供，3)如上述1)或2)中之高純度鈣之製造方法，其昇華精製時之昇華容器內之真空度設為1×10-4Pa以上之高真空；及4)如上述1)~3)中任一項之高純度鈣之製造方法，其中自鈣原料之產率為80%以上。
    又，本發明提供，5)如上述1)~4)中任一項之高純度鈣之製造方法，於其回收之高純度鈣中含有之各過渡金屬元素為未滿5ppm；及6)如上述1)~4)中任一項之高純度鈣之製造方法，於其回收之高純度鈣中含有之各過渡金屬元素之含量為未滿1ppm。
    又，本發明提供，7)一種高純度鈣，其純度為4N5以上；及8)如上述7)之高純度鈣，於其高純度鈣中含有之各過渡金屬元素為未滿5ppm；及9)如上述7)之高純度鈣，於其高純度鈣中含有之各過渡金屬元素之含量為未滿1ppm。
    以上之高純度鈣為新穎之物質，且本發明為包含該等者。此般之高純度鈣，於藉鈣還原而精製純度高之鑭金屬等之稀土類元素之情形時可有效地利用。藉此，可作為稀土類元素之還原劑、金屬之脫硫劑或脫氧劑、高真空幫浦用收氣劑來使用。
    本發明係藉由二次之昇華精製而回收純度4N5以上之鈣者，且具有可穩定提供高純度化之鈣之優異效果。
    本發明之高純度鈣之製造方法係進行第一次昇華精製：首先將除去氣體成分之純度為4N以下之鈣原料裝入如圖1所示之昇華容器坩堝。繼而，該原料加熱至750℃~800℃使其昇華，使其附著(蒸鍍)於昇華容器內之側壁。然後，將此第一次昇華精製之鈣冷卻並回收。
    繼而進行第二次昇華精製：該回收之鈣再度裝入昇華容器坩堝。可準備別的昇華容器，或使用同一個昇華容器亦可。其後，再度加熱至750℃~800℃，同樣地使其附著(蒸鍍)於昇華容器內之側壁。藉此可回收純度4N5以上之鈣。
    前述昇華溫度之750~800℃為，較熔點839℃略低之溫度下，調節鈣之昇華速度而進行溫度設定。未滿750℃時，昇華精製之效率變差，又超過800℃時會有雜質之混入，故於上述之溫度範圍中調節。其結果為鈣之昇華速度可設為0.25g/cm2/h~0.75g/cm2/h。此為於鈣之昇華精製之適當的速度。
    昇華容器通常使用耐熱性之不鏽鋼。然後，使昇華精製之鈣附著(蒸鍍)於該昇華容器後回收。
    昇華精製時之昇華容器內之真空度設為1×10-4Pa以上之高真空，促進昇華，且除去鈣內易於氣化之雜質。
    藉本發明之步驟，可達成自鈣原料之產率為80%以上。又，回收之高純度鈣中含有之各過渡金屬元素為未滿5ppm，進而，可為未滿1ppm。
    根據以上方法，可得到鈣之純度為4N5以上之高純度鈣。又，於該高純度鈣含有之各過渡金屬元素未滿5ppm，進而可未滿1ppm。
    實施例
    繼而，說明實施例。另，該實施例為用以容易理解者，並不限定本發明。即，於本發明之技術思想之範圍內，其他之實施例及變形被包含於本發明中。
    (實施例1)
    含有如表1所示之雜質之純度99.9%(3N)之鈣原料3.5kg裝入如圖1所示之縱形之昇華容器底部的坩堝。另，於表1中，亦表示原料之變異。昇華容器內之真空度設為1×10-4 Pa左右。該真空處理利用迴轉式幫浦(rotary pump)預抽吸及低溫幫浦(cryopump)正式抽吸來進行。坩堝之加熱於下述之範圍來調節。

    加熱溫度於恆定狀態下為770℃，通常控制在750℃~800℃。又，昇華速度於恆定狀態下為0.64g/cm2/h，通常控制在0.25 g/cm2/h~0.75 g/cm2/h。於此以下之昇華速度的變異變大而效率較差，若超過此則有純度下降之趨勢。
    如上所述，鈣原料設為3.5kg，但藉該第一次昇華而於昇華容器內之側壁得到3.0kg之附著(蒸鍍)物。該分析值同樣地示於表1。
    第一次之昇華殘渣為0.25kg，且損失為0.25kg。第一次之昇華殘渣之分析值亦示於表1。據此，Mg<0.05wtppm、Fe：64wtppm、Cu：380wtppm，且銅之殘渣為多量。另，第一次之昇華有原料形狀不穩定，且昇華速度亦不穩定之傾向。
    繼而，使用該第一次之蒸鍍鈣原料，將鈣原料3.0kg裝入圖1所示之縱形之昇華容器底部之坩堝。結果回收2.8kg之鈣。其結果得到之產率為，2.8/3.5=0.8，80%之產率。
    同樣地於表1表示第二回之鈣之雜質量。由表1表示之雜質量可了解已得到高純度鈣。
    如表1所示，於原料之鈣中存在之Cu量之變異較大，因此得知必須要2次之昇華精製。再者，於鈣之分析值中，Sr與Ba為較高之值，但該等與鈣之性質相似之故，於作為鈣還原劑等使用之情形時，不會造成特別的問題。
    再者，第一次與第二次之昇華條件設為相同。
    (比較例1)
    使用與實施例1同一種鈣原料，於溫度750℃、昇華速度0.50 g/cm2/h，僅藉一次之昇華而得到於昇華容器內之側壁之蒸鍍物。其他條件則與實施例1相同。該結果為如表2之分析結果所示，與上述實施例相比，整體上雜質量較多，尤其是Fe、Cu之雜質量為多，無法達成本申請發明之目的。
    (比較例2)
    與實施例1使用同一種原料，藉第一次之加熱溫度為850℃、昇華速度(蒸發速度)4.0 g/cm2/h之一次的昇華，得到於昇華容器內之側壁之蒸鍍物。其他條件則與實施例1相同。該結果為如表3左側之分析結果所示，與上述實施例相比，整體上雜質量較多，尤其是Si、Ti、Mn、Fe、Cu、As、Sr、Ba之雜質量變多，無法達成本申請發明之目的。
    (比較例3)
    與實施例1使用同一種原料，藉第一次之加熱溫度為850℃、昇華速度(蒸發速度)4.0 g/cm2/h，第二次之加熱溫度為850℃、昇華速度(蒸發速度)3.7g/cm2/h之二次昇華，得到於昇華容器內之側壁之蒸鍍物。其他條件則與實施例1相同。該結果為如表3右側之分析結果所示，與上述實施例相比，整體上雜質量較多，尤其是Mg、Al、Si、Fe、Cu、Pb之雜質量為多，無法達成本申請發明之目的。
    本發明係為藉二次之昇華精製，回收純度4N5以上之鈣者，且具有穩定提供高純度化之鈣的優異效果。藉此，不僅可使用於利用鈣還原之高純度鑭的製造，且可有效作為其他稀土類等之還原劑、金屬之脫硫劑或脫氧劑、高真空幫浦用之收氣劑來使用。
    圖1係為昇華裝置之概要說明圖。
    权利要求:
    Claims (9)
    [1] 一種高純度鈣之製造方法，其進行第一次昇華精製，即將除去氣體成分之純度為4N以下之鈣原料裝入昇華容器坩堝，將其加熱至750℃~800℃使其昇華，使其附著(蒸鍍)於昇華容器內之側壁；接著進行第二次昇華精製，即將第一次昇華精製之鈣回收後，將該鈣再度裝入昇華容器坩堝，加熱至750℃~800℃，同樣地使其附著(蒸鍍)於昇華容器內之側壁以回收純度4N5以上之鈣。
    [2] 如申請專利範圍第1項記載之高純度鈣之製造方法，其鈣之昇華速度設為0.25g/cm2/h~0.75g/cm2/h。
    [3] 如申請專利範圍第1或2項之高純度鈣之製造方法，其昇華精製時之昇華容器內之真空度設為1×10-4Pa以上之高真空。
    [4] 如申請專利範圍第1~3項中任一項之高純度鈣之製造方法，其中自鈣原料之產率為80%以上。
    [5] 如申請專利範圍第1~4項中任一項之高純度鈣之製造方法，於其回收之高純度鈣中含有之各過渡金屬元素為未滿5ppm。
    [6] 如申請專利範圍第1~4項中任一項之高純度鈣之製造方法，於其回收之高純度鈣中含有之各過渡金屬元素之含量為未滿1ppm。
    [7] 一種高純度鈣，其純度為4N5以上。
    [8] 如申請專利範圍第7項之高純度鈣，於其高純度鈣中含有之各過渡金屬元素為未滿5ppm。
    [9] 如申請專利範圍第7項之高純度鈣，於其高純度鈣中含有之各過渡金屬元素之含量為未滿1ppm。
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