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    • 专利摘要:
    本發明之目的在於提供一種即便於溫度條件或濕度條件嚴酷之環境下，亦不易產生褪色或色移，並可藉由熔融製膜法製造之相位差薄膜。本發明之相位差薄膜滿足下述式(A)及(B)之關係。式(A)：0.7＜R1(450)/R1(550)＜1 式(B)：|R2(450)/R2(550)-R1(450)/R1(550)|＜0.020
    公开号:TW201323481A
    申请号:TW101133659
    申请日:2012-09-14
    公开日:2013-06-16
    发明作者:Tomohiko Tanaka；Masashi Yokogi；Nao Murakami；Toshiyuki Iida
    申请人:Mitsubishi Chem Corp；Nitto Denko Corp；
    IPC主号:G02B1-00
    专利说明:
    相位差薄膜、使用其之圓偏光板及影像顯示裝置
    本發明係關於一種即便於溫度條件或濕度條件嚴酷之環境下，亦不易產生褪色或色移，並可藉由熔融製膜法製造之相位差薄膜，使用該相位差薄膜之圓偏光板及影像顯示裝置。
    表現出越為短波長則相位差越小之反波長分散性的相位差薄膜，可於可見光區域之各波長下獲得理想之相位差特性，作為所謂之圓偏光板而對影像顯示裝置之抗外部光反射較為有用。作為具有此種性能之相位差薄膜，揭示有包含以9,9-雙[4-(2-羥基乙氧基)苯基]茀、9,9-雙(4-羥基-3-甲基苯基)茀為原料之聚碳酸酯樹脂的相位差薄膜(例如參照專利文獻1)。
    然而，專利文獻1所記載之聚碳酸酯樹脂之玻璃轉移溫度較高，難以利用熔融製膜法製膜，原片薄膜(延伸處理前之薄膜)係藉由溶液鑄膜法而製膜。溶液鑄膜法如字面所述，必須使用溶劑，對環境之負擔較大，因而謀求改善，不僅如此且有如下問題：製品相位差薄膜中之殘留溶劑發揮可塑劑之作用，由於溫度或濕度等外部環境變化而招致光學特性之變化，因而招致褪色或色移。又，用於溶液鑄膜之溶劑就溶解性、揮發性、不燃性之觀點而言，大多使用二氯甲烷等氯系溶劑，而有加工相位差薄膜時招致設備之腐蝕，或安裝於影像顯示裝置時對其他零件造成不良影響之問題。進而，由專利文獻1所揭示之聚碳酸酯樹脂獲得之原片薄膜非常脆，因此亦有招致延伸時之斷裂等加工性較差之問題。
    作為使用可進行原片薄膜之熔融製膜之樹脂者，揭示有包含以異山梨酯、雙甲酚茀(Biscresolfluorene)及脂肪族二醇、脂環族二醇、螺二醇等為原料之三元共聚合聚碳酸酯樹脂的薄膜(參照專利文獻2)。
    又，揭示有包含9,9-雙[4-(2-羥基乙氧基)苯基]茀或9,9-雙(4-羥基-3-甲基苯基)茀與碳原子數4~20之脂環式二醇或含有雜原子之環狀二羥基化合物之二元系共聚合聚碳酸酯樹脂的薄膜(參照專利文獻3)。
    然而，專利文獻2、3所揭示之聚碳酸酯樹脂並未消除基於其分子構造之薄膜之脆度所引起的原片薄膜之製膜之難度、及進行其後之延伸加工之難度，且關於相位差薄膜之畫質降低或不均、波長分散特性於長期使用時或置於嚴酷之使用環境下之情形時的變化亦未能令人滿意。 [先前技術文獻] [專利文獻]
    專利文獻1：日本專利第3325560號公報
    專利文獻2：國際公開第2006/41190號
    專利文獻3：國際公開第2010/64721號
    如上所述，對於用於近年來正急速擴展之各種影像顯示裝置或移動式機器等之具反波長分散性特性的相位差薄膜之原片薄膜，為改善相位差分佈或厚度不均、減輕對環境之負擔，而強烈期望利用不使用溶劑之熔融製膜法成形。又，由於此種領域中所使用之相位差薄膜有用於與通常之用途不同之各種溫度或濕度條件下的情形，因此要求即便使用時之環境變化，其光學特性變化亦較少，尤其要求抑制長期使用時影像之褪色或色移之畫質降低。其中，關於最近作為下一代影像顯示裝置而備受關注之有機EL(electro luminescence，電致發光)顯示器，原理上顯示器內部之反射層為必須，因此強烈要求抗外部光反射性能之進一步提高、及不受嚴酷環境變化所左右之光學特性之穩定化。
    本發明之目的在於提供一種消除上述習知之課題之相位差薄膜，即，即便於溫度條件或濕度條件嚴酷之環境下亦不易產生褪色或色移，並且可藉由熔融製膜法製造之相位差薄膜。又，本發明之目的在於提供一種使用有此種相位差薄膜之圓偏光板及影像顯示裝置。
    本發明者等人為解決上述問題而進行大量研究，結果發現，滿足特定之相位差比之關係式之相位差薄膜可解決上述課題，從而完成本發明。
    即，本發明之主旨為下述[1]~[13]。
    [1]一種相位差薄膜，其滿足下述式(A)及(B)之關係，式(A)：0.7<R1(450)/R1(550)<1
    式(B)：|R2(450)/R2(550)-R1(450)/R1(550)|<0.020
    (其中，上述R1(450)及R1(550)分別表示於波長450 nm及550 nm之薄膜面內之相位差值，上述R2(450)及R2(550)分別表示於90℃之溫度下放置48小時後於波長450 nm及550 nm之薄膜面內之相位差值)。
    [2]如上述[1]之相位差薄膜，其中，滿足下述式(C)及(D)之關係，式(C)：1<R1(650)/R1(550)<1.2
    式(D)：|R2(650)/R2(550)-R1(650)/R1(550)|<0.010
    (其中，上述R1(650)表示於波長650 nm之薄膜面內之相位差值，上述R2(650)表示於90℃之溫度下放置48小時後於波長650 nm之薄膜面內之相位差值)。
    [3]如上述[1]或上述[2]之相位差薄膜，其中，其係使包含吸收端未滿260 nm且具有正折射率異向性之構造單位(a)及吸收端為260~380 nm且具有負折射率異向性之構造單位(b)的高分子成形而獲得之相位差薄膜。
    [4]如上述[3]之相位差薄膜，其中，上述高分子為聚碳酸酯樹脂及/或聚酯碳酸酯樹脂。
    [5]如上述[4]之相位差薄膜，其中，上述高分子為聚碳酸酯樹脂，上述構造單位(b)係源自下述式(1)所表示之二羥基化合物之構造單位，上述構造單位(a)係源自下述式(2)所表示之二羥基化合物之構造單位，及源自選自由下述式(3)所表示之二羥基化合物、下述式(4)所表示之二羥基化合物、下述式(5)所表示之二羥基化合物及下述式(6)所表示之二羥基化合物所組成之群中的一種以上二羥基化合物之構造單位，
    (於上述式(1)中，R1~R4分別獨立地表示氫原子、經取代或未經取代之碳數1~碳數20之烷基、經取代或未經取代之碳數6~碳數20之環烷基、或經取代或未經取代之碳數6~碳數20之芳基，作為各苯環上之4個取代基之各自，係配置有相同或不同之基；X1及X2分別獨立地表示經取代或未經取代之碳數2~碳數10之伸烷基、經取代或未經取代之碳數6~碳數20之伸環烷基、或經取代或未經取代之碳數6~碳數20之伸芳基；m及n分別獨立為0~5之整數。)
    [化2]
    HO-R5-OH (3)
    (於上述式(3)中，R5表示經取代或未經取代之碳數4~碳數20之伸環烷基。)
    HO-CH2-R6-CH2-OH (4)
    (於上述式(4)中，R6表示經取代或未經取代之碳數4~碳數20之伸環烷基。)
    H-(O-R7)p-OH (5)
    (於上述式(5)中，R7表示經取代或未經取代之碳數2~碳數10之伸烷基，p為2~50之整數。)
    HO-R8-OH (6)
    (於上述式(6)中，R8表示經取代或未經取代之碳數2~碳數20之伸烷基、或下述式(6A)所示之基。)
    [6]如上述[5]之相位差薄膜，其中，於上述高分子中，源自具有縮醛構造之二羥基化合物之構造單位相對於源自所有二羥基化合物之構造單位為10莫耳%以下。
    [7]如上述[5]或上述[6]之相位差薄膜，其中，上述構造單位(b)係源自上述式(1)所表示之二羥基化合物之構造單位，上述構造單位(a)係源自上述式(2)所表示之二羥基化合物之構造單位、及源自上述式(5)所表示之二羥基化合物之構造單位。
    [8]如上述[1]至上述[7]中任一項之相位差薄膜，其中，其係單層之薄膜。
    [9]如上述[3]至上述[8]中任一項之相位差薄膜，其中，上述高分子之光彈性係數為45×10-12 Pa-1以下。
    [10]如上述[1]至上述[9]中任一項之相位差薄膜，其中，玻璃轉移溫度為110℃以上且150℃以下。
    [11]一種圓偏光板，其係由上述[1]至上述[10]中任一項之相位差薄膜及偏光板積層而構成者。
    [12]一種影像顯示裝置，其包含上述[11]之圓偏光板。
    [13]如上述[12]之影像顯示裝置，其中，上述影像顯示裝置係使用有機EL者。
    本發明之相位差薄膜對環境之負擔較少，可利用經濟性優異之熔融製膜法製膜，且即便於高溫、高濕條件下長期使用，亦不易產生褪色或色移，且畫質之降低較少，因此本發明之相位差薄膜、使用有該相位差薄膜之圓偏光板及影像顯示裝置可較佳地用於例如車載機器用之顯示器之光學補償薄膜或有機EL之用於抗反射之圓偏光板用1/4λ板等。
    以下詳細說明本發明。再者，本發明並不限定於以下說明之實施形態，可於其主旨之範圍內進行各種變形而實施。 [相位差薄膜]
    本發明之相位差薄膜滿足下述式(A)及(B)之關係，較佳為進而滿足下述式(C)及(D)之關係者，較佳為單層之薄膜(1片之薄膜)，且滿足下述式(A)及(B)之關係，較佳為進而滿足下述式(C)及(D)之關係。因由積層薄膜所形成之相位差薄膜之厚度會變大，故而本發明之相位差薄膜較佳為由單層薄膜所形成。
    式(A)：0.7<R1(450)/R1(550)<1
    式(B)：|R2(450)/R2(550)-R1(450)/R1(550)|<0.020
    (其中，上述R1(450)及R1(550)分別表示於波長450 nm及550 nm之薄膜面內之相位差值，上述R2(450)及R2(550)分別表示於90℃之溫度下放置48小時後於波長450 nm及550 nm之薄膜面內之相位差值。)
    式(C)：1<R1(650)/R1(550)<1.2
    式(D)：|R2(650)/R2(550)-R1(650)/R1(550)|<0.010
    (其中，上述R1(650)表示於波長650 nm之薄膜面內之相位差值，上述R2(650)表示於90℃之溫度下放置48小時後於波長650 nm之薄膜面內之相位差值。)
    本發明之相位差薄膜於測定波長550 nm之薄膜面內之相位差值通常為100 nm~180 nm，較佳為120 nm~170 nm，尤佳為135 nm~155 nm，利用下述實施例之項所記載之方法而測定。 [關於式(A)~(D)] <式(A)>
    本發明之相位差薄膜之特徵在於，滿足上述式(A)之關係，R1(450)/R1(550)大於0.7且小於1。
    本發明之相位差薄膜之R1(450)/R1(550)較佳為0.70以上且0.99以下，更佳為0.75以上且0.97以下，進而較佳為0.75以上且0.95以下，尤佳為0.86以上且0.93以下，最佳為0.88以上且0.91以下。
    若R1(450)/R1(550)之值為上述範圍，則越長波長越表現相位差，可於可見光區域之各波長下獲得理想之相位差特性。例如可藉由將具有此種波長相依性的本發明之相位差薄膜作為1/4λ板與偏光板貼合，而製作圓偏光板等，可實現於各種波長下具有抗外部光反射功能且黑色性優異之圓偏光板及影像顯示裝置。另一方面，於R1(450)/R1(550)之值為上述範圍外之情形時，波長所引起之褪色較大，圓偏光板或影像顯示裝置產生著色之問題。 <式(B)>
    本發明之相位差薄膜之特徵在於滿足上述式(B)之關係，|R2(450)/R2(550)-R1(450)/R1(550)|(即，R2(450)/R2(550)與R1(450)/R1(550)之差之絕對值)小於0.020。
    本發明之相位差薄膜之|R2(450)/R2(550)-R1(450)/R1(550)|較佳為大於0且0.018以下，進而較佳為大於0且0.015以下。進而較佳為大於0且0.010以下。
    |R2(450)/R2(550)-R1(450)/R1(550)|小於0.020者，係即便於高溫條件下長期使用相位差之變動亦較小，對溫度之穩定性優異者，故而較佳。又，就使該值與初期之設計值之差較小之觀點而言，越接近0越佳。 <式(C)>
    本發明之相位差薄膜較佳為滿足上述式(C)之關係，R1(650)/R1(550)大於1且小於1.2。
    本發明之相位差薄膜之R1(650)/R1(550)更佳為1.00以上且1.20以下，更佳為1.00以上且1.10以下，進而較佳為1.00以上且1.05以下，尤佳為1.00以上且1.035以下。
    若R1(650)/R1(550)之值為上述範圍，則越長波長越表現相位差，可於可見光區域之各波長下獲得更理想之相位差特性。例如可藉由將具有此種波長相依性的本發明之相位差薄膜作為1/4λ板與偏光板貼合，而製作圓偏光板等，可實現於各種波長下具有抗外部光反射功能且黑色性優異之圓偏光板及影像顯示裝置。另一方面，即便滿足上述式(A)之關係，於R1(650)/R1(550)之值為上述範圍外之情形時，有產生褪色等之情形。 <式(D)>
    本發明之相位差薄膜較佳為滿足上述式(D)之關係，|R2(650)/R2(550)-R1(650)/R1(550)|(即，R2(650)/R2(550)與R1(650)/R1(550)之差之絕對值)小於0.010，更佳為0.008以下，尤佳為0.0075以下。
    |R2(650)/R2(550)-R1(650)/R1(550)|為上述範圍者，係即便於高溫條件下長期使用相位差之變動亦相對較小，對溫度之穩定性更優異者，因此較佳。該值越接近0越佳。
    本發明之相位差薄膜之特徵在於，其原片薄膜可熔融製膜，並且即便使用時之環境變化，其光學特性變化亦較少；為使該等並存，構成相位差薄膜之聚合物之玻璃轉移溫度之控制較為重要。
    用於本發明之相位差薄膜之高分子的玻璃轉移溫度之下限較佳為110℃以上，更佳為120℃以上，進而較佳為125℃以上，尤佳為130℃以上，其中最佳為140℃以上。若玻璃轉移溫度過低，則有耐熱性變差之傾向，有可能於高溫下或高濕下引起光學特性之變化。另一方面，上限較佳為180℃以下，更佳為160℃以下，進而較佳為150℃以下。若玻璃轉移溫度過高，則有必須提高原片之製膜溫度或延伸時之溫度，招致聚合物之分子量降低或著色等之劣化，或招致氣體之產生所引起的薄膜之缺陷之情況。進而有可能難以獲得均勻之厚度之薄膜，使相位差之表現產生不均。
    本發明之玻璃轉移溫度之測定法係於實施例之項中記述。 [其他物性] <厚度>
    本發明之光學薄膜之厚度通常較佳為150 μm以下，進而較佳為100 μm以下，更佳為60 μm以下。若相位差薄膜之厚度過厚，則有製造相同面積之薄膜需要更多之製膜材料而不效率，或使用該薄膜之製品之厚度變厚之可能性，並且有均勻性之控制困難，無法用於要求精密性、薄型、均質性之機器中之情形。作為本發明之相位差薄膜之厚度之下限，較佳為5 μm以上，更佳為10 μm以上。若相位差薄膜之厚度過薄，則有薄膜之操作困難，或於製造中產生褶皺，或難以與保護薄膜等其他薄膜或片材等貼合之情況。 <霧度>
    本發明之相位差薄膜之內部霧度較佳為3%以下，更佳為1.5%以下。若相位差薄膜之內部霧度大於上述上限值，則會引起光之散射，例如與偏光片積層時，會導致產生偏光消除。內部霧度之下限值並無特別限定，通常為0.2%以上。
    再者，光學薄膜之內部霧度例如係使用霧度計(村上色彩技術研究所股份有限公司製造之「HM-150」)，於23℃下測定。測定樣本係將事先進行有霧度測定之帶黏著劑之透明薄膜貼合於試樣薄膜之兩面上，製成去除外部霧度之影響之狀態者而使用，測定值係使用帶黏著劑之透明薄膜之霧度值之差量。 <b＊值>
    本發明之相位差薄膜之b＊值較佳為3以下。若相位差薄膜之b＊值過大，則會產生著色等問題。本發明之相位差薄膜之b＊值更佳為2以下，尤佳為1以下。
    再者，相位差薄膜之b＊值例如係使用分光光度計(村上色彩技術研究所股份有限公司製造之「DOT-3」)，於23℃下利用波長550 nm之光而測定。 <全光線穿透率>
    本發明之相位差薄膜不論厚度，該相位差薄膜自身之全光線穿透率較佳為80%以上，該穿透率進而較佳為90%以上。若穿透率為上述下限以上，則可獲得著色較少之相位差薄膜，與偏光板貼合時，可形成偏光度或穿透率較高之圓偏光板，用於影像顯示裝置時，可實現較高之顯示品質。再者，本發明之相位差薄膜之全光線穿透率之上限並無特別限制，通常為99%以下。 <折射率>
    本發明之相位差薄膜於鈉d線(589 nm)下之折射率較佳為1.57~1.62。於該折射率未滿1.57之情形時，有雙折射過小之虞。另一方面，於折射率超過1.62之情形時，有反射率變大，光穿透性降低之虞。 <雙折射>
    本發明之相位差薄膜之雙折射較佳為0.001以上。由於將使用下述本發明之樹脂組合物而成形之薄膜之厚度設計成非常薄，故而較佳為雙折射較高，因此雙折射尤佳為0.0015以上，最佳為0.002以上。於雙折射未滿0.001之情形時，必須使薄膜之厚度過度增大，因此使製膜材料之使用量增加，就厚度、透明性、相位差方面而言均質性之控制變得困難。因此，於雙折射未滿0.001之情形時，有可能無法用於要求精密性、薄型、均質性之機器。
    雙折射之上限並無特別限制，但若為增大雙折射而過度降低延伸溫度，或過度提高延伸倍率，則會招致延伸時之斷裂或延伸薄膜之不均勻性，因此通常為0.007以下。 <吸水率>
    本發明之相位差薄膜之吸水率較佳為大於1.0重量%。若吸水率大於1.0重量%，則將該相位差薄膜與其他薄膜等相貼合時，可容易地確保接著性。例如，與偏光板貼合時，由於相位差薄膜為親水性，因此與水之接觸角亦較低，容易自由地設計接著劑，可實現較高之接著設計。於吸水率為1.0重量%以下之情形時，則成為疏水性，與水之接觸角亦較高，使得接著性之設計困難。又，使得薄膜容易帶電，而產生異物之捲入等，裝入圓偏光板、影像顯示裝置中時外觀缺點變多之問題。另一方面，若吸水率大於2.0重量%，則於濕度環境下之光學特性之耐久性變差，故而欠佳。本發明之相位差薄膜之吸水率較佳為大於1.0重量%且2.0重量%以下，進而較佳為1.1重量%以上1.5%重量以下。 [相位差薄膜之製作方法]
    製作滿足上述條件之本發明之相位差薄膜的方法並無特別限制，只要是可製作滿足上述條件之相位差薄膜之方法便可，例如可於利用熔融製膜法獲得原片薄膜，根據需要將其延伸而製作相位差薄膜時，採用以下(i)~(iv)之手段之1個或2個以上，藉此製作本發明之相位差薄膜。
    (i)調整用作相位差薄膜之製膜材料之高分子之共聚合組成比。
    (ii)使用含有具有反應性官能基之化合物之樹脂組合物作為相位差薄膜之製膜材料。
    (iii)調整延伸步驟中之條件。
    (iv)於製膜、延伸後使之交聯。
    以下，說明上述(i)~(iv)之達成手段。 {(i)調整高分子之共聚合組成比之方法}
    以下，藉由調整用作製膜材料之高分子之共聚合組成比，而說明製作本發明之相位差薄膜之方法。
    為製作滿足上述式(A)及(B)、較佳為進而滿足上述式(C)及(D)之關係之本發明的相位差薄膜，用作本發明之相位差薄膜之製膜材料之高分子(以下，有稱作「本發明之高分子」之情況)較佳為包含吸收端未滿260 nm且具有正折射率異向性之構造單位(a)及吸收端為260~380 nm且具有負折射率異向性之構造單位(b)。
    此處，吸收端係使用紫外可見分光光度計「V-570」(日本分光公司製造)，對於藉由製造各構造單位之均聚物並熱壓成形而獲得之薄膜，自190 nm至500 nm為止以每2 nm測定而求得穿透率。關於吸收端，係自長波長側起向短波長側觀察穿透率之情形時，將穿透率成為0以下之波長作為吸收端。熱壓成形係使用厚度100 μm之鋁製間隔件，利用聚醯亞胺薄膜夾持而進行。以所獲得之薄膜之厚度成為厚度150 μm±30 μm之方式適當設定壓製溫度及壓製壓力。
    又，關於折射率異向性之測定，係對於製造各構造單位之均聚物並以與上述吸收端之測定所製作者相同條件製作之薄膜，於均聚物之玻璃轉移溫度+20℃之條件下，進行自由端單軸之2倍延伸，並使用阿貝屈折計「DR-4」(Atago公司製造)對所獲得之延伸薄膜測定折射率，若延伸方向之折射率高於與延伸方向正交方向之折射率則設為「正」，若與延伸之折射率相比，與延伸方向正交方向之折射率較高則設為「負」。
    本發明之高分子可僅含有上述構造單位(a)之1種，亦可含有2種以上構造單位(a)。又，關於構造單位(b)，亦可僅含有1種，亦可含有2種以上。
    本發明之高分子並無特別限定，就耐熱性、共聚合之容易性而言，較佳為聚碳酸酯樹脂及/或聚酯碳酸酯樹脂。
    以下，例示本發明之高分子為聚碳酸酯樹脂(以下，有時稱作「本發明之聚碳酸酯樹脂」)之情形，對其構造單位等進行說明，但本發明之高分子並不限定於聚碳酸酯樹脂。 <構造單位(a)>
    作為可較佳地用於本發明之聚碳酸酯樹脂之上述構造單位(a)的化合物，可列舉以下之式(2)~(6)所表示之二羥基化合物。
    HO-R5-OH (3)
    (於上述式(3)中，R5表示經取代或未經取代之碳數4~碳數20之伸環烷基)
    HO-CH2-R6-CH2-OH (4)
    (於上述式(4)中，R6表示經取代或未經取代之碳數4~碳數20之伸環烷基)
    H-(O-R7)p-OH (5)
    (於上述式(5)中，R7表示經取代或未經取代之碳數2~碳數10之伸烷基，p為2~50之整數)
    HO-R8-OH (6)
    (於上述式(6)中，R8表示經取代或未經取代之碳數2~碳數20之伸烷基，或下述式(6A)所示之基)
    再者，於本說明書中，各種基之碳數意指於該基具有取代基之情形時，亦包括其取代基之碳數的合計之碳數。 <式(2)所表示之二羥基化合物>
    作為上述式(2)所表示之二羥基化合物，例如可列舉：立體異構物之關係中之異山梨酯、異二縮甘露醇、異艾杜糖醇。該等可單獨使用1種，亦可組合使用2種以上。該等二羥基化合物中，使由作為資源而豐富地存在並可容易地獲得之各種澱粉所製造的山梨糖醇脫水縮合而獲得之異山梨酯，就獲得及製造之容易度、光學特性、成形性方面而言最佳。 <式(3)所表示之二羥基化合物>
    上述式(3)所表示之二羥基化合物係於R5上具有經取代或未經取代之碳數4~碳數20、較佳為碳數4~碳數18之伸環烷基之脂環式二羥基化合物。此處，於R5具有取代基之情形時，作為該取代基，可列舉碳數1~碳數12之經取代或未經取代之烷基，於該烷基具有取代基之情形時，作為該取代基，可列舉甲氧基、乙氧基、丙氧基等烷氧基，苯基、萘基等芳基等。
    由於該二羥基化合物具有環構造，故而可提高使所獲得之聚碳酸酯樹脂成形時之成形品之韌性，其中亦可提高成形為薄膜時之韌性。
    作為R5之伸環烷基，只要是具有環構造之烴基則並無特別限制，亦可為具有橋頭(bridgehead)碳原子之類的交聯構造。就二羥基化合物之製造容易且可減少雜質量之觀點而言，上述式(3)所表示之二羥基化合物較佳為含有5員環構造或6員環構造之化合物，即R5為經取代或未經取代之伸環戊基或者經取代或未經取代之伸環己基的二羥基化合物。若為此種二羥基化合物，則由於含有5員環構造或6員環構造，而可提高所獲得之聚碳酸酯樹脂之耐熱性。該6員環構造亦可藉由共價鍵而固定成椅子形或者船形。
    其中，於上述式(3)所表示之二羥基化合物中，R6較佳為下述式(7)所示之各種異構物。此處，於式(7)中，R11表示氫原子、或碳數1~碳數12之經取代或未經取代之烷基。於R11為具有取代基之碳數1~碳數12之烷基之情形時，作為該取代基，可列舉甲氧基、乙氧基、丙氧基等烷氧基，苯基、萘基等芳基等。
    [化6]
    作為上述式(3)所表示之二羥基化合物，更具體而言，可列舉四甲基環丁烷二醇、1,2-環戊烷二醇、1,3-環戊烷二醇、1,2-環己烷二醇、1,3-環己烷二醇、1,4-環己烷二醇、2-甲基-1,4-環己烷二醇、三環癸烷二醇類、五環二醇類等，但並不限定於該等。
    該等可單獨使用1種，亦可併用2種以上。 <式(4)所表示之二羥基化合物>
    上述式(4)所表示之二羥基化合物係於R6上具有經取代或未經取代之碳數4~碳數20、較佳為碳數3~碳數18之伸環烷基的脂環式二羥基化合物。此處，於R6具有取代基之情形時，作為該取代基，可列舉經取代或未經取代之碳數1~碳數12之烷基，於該烷基具有取代基之情形時，作為該取代基，可列舉甲氧基、乙氧基、丙氧基等烷氧基，苯基、萘基等芳基等。
    由於該二羥基化合物具有環構造，故而可提高使所獲得之聚碳酸酯樹脂成形時之成形品之韌性，其中亦可提高成形為薄膜時之韌性。
    作為R6之伸環烷基，只要是具有環構造之烴基則並無特別限制，亦可為具有橋頭碳原子之類的交聯構造。就二羥基化合物之製造容易且可減少雜質量之觀點而言，上述式(4)所表示之二羥基化合物較佳為含有5員環構造或6員環構造之化合物，即R6為經取代或未經取代之伸環戊基或者經取代或未經取代之伸環己基的二羥基化合物。若為此種二羥基化合物，則由於含有5員環構造或6員環構造，故而可提高所獲得之聚碳酸酯樹脂之耐熱性。該6員環構造亦可藉由共價鍵而固定成椅子形或者船形。於上述式(4)所表示之二羥基化合物之中，R6較佳為上述式(7)所示之各種異構物。
    作為上述式(4)所表示之二羥基化合物，更具體而言，可列舉1,2-環己烷二甲醇、1,3-環己烷二甲醇、1,4-環己烷二甲醇、3,8-雙(羥甲基)三環[5.2.1.02.6]癸烷、4,9-雙(羥甲基)三環[5.2.1.02.6]癸烷、4,8-雙(羥甲基)三環[5.2.1.02.6]癸烷、4,9-雙(羥甲基)三環[5.2.1.02.6]癸烷、8-羥基-3-羥甲基三環[5.2.1.02.6]癸烷、9-羥基-3-羥甲基三環[5.2.1.02.6]癸烷、8-羥基-4-羥甲基三環[5.2.1.02.6]癸烷、9-羥基-4-羥甲基三環[5.2.1.02.6]癸烷等，但並不限定於該等。
    該等可單獨使用一種，亦可併用2種以上。即，該等二羥基化合物由於製造上之原因而有作為異構物之混合物而獲得之情形，此時可直接作為異構物混合物而使用。例如，可使用3,8-雙(羥甲基)三環[5.2.1.02.6]癸烷、3,9-雙(羥甲基)三環[5.2.1.02.6]癸烷、4,8-雙(羥甲基)三環[5.2.1.02.6]癸烷及4,9-雙(羥甲基)三環[5.2.1.02.6]癸烷之混合物。
    於上述式(4)所表示之二羥基化合物之具體例中，尤佳為環己烷二甲醇類，就獲得之容易度、操作之容易度之觀點而言，較佳為1.4-環己烷二甲醇、1,3-環己烷二甲醇、1,2-環己烷二甲醇，尤佳為韌性賦予之效果較大之1,4-環己烷二甲醇。 <式(5)所表示之二羥基化合物>
    上述式(5)所表示之二羥基化合物係於R7上具有經取代或未經取代之碳數2~碳數10、較佳為碳數2~碳數5之伸烷基之化合物。p為2~50之整數，較佳為2~30之整數。
    作為上述式(5)所表示之二羥基化合物，可列舉二乙二醇、三乙二醇、聚乙二醇、二丙二醇、三丙二醇、聚丙二醇、聚醚雙醇等，其中，較佳為二乙二醇、三乙二醇、數量平均分子量150~4000之聚乙二醇，其中較佳為數量平均分子量為300~2500、尤其是600~1500之聚乙二醇。
    該等可單獨使用1種，亦可併用2種以上。 <式(6)所表示之二羥基化合物>
    上述式(6)所表示之二羥基化合物係於R8具有經取代或未經取代之碳數2~碳數20、較佳為碳數2~碳數10之伸烷基、或下述式(6A)所示之基的二羥基化合物。於R8之伸烷基具有取代基之情形時，作為該取代基，可列舉碳數1~5之烷基。
    [化7]
    於上述式(6)所表示之二羥基化合物中，作為R8為經取代或未經取代之碳數2~碳數20之伸烷基之二羥基化合物，具體而言可列舉乙二醇、1,2-丙二醇、1,3-丙二醇、1,2-丁二醇、1,4-丁二醇、1,6-己二醇、新戊二醇等，就獲得之容易度、操作之容易度、聚合時之反應性之高低、所獲得之聚合物的色相之觀點而言，較佳為1,3-丙二醇、1,6-己二醇。該等可根據所獲得之聚碳酸酯樹脂之要求性能而單獨使用，亦可組合使用2種以上。
    又，作為R8為上述式(6A)所示之縮醛環基之二羥基化合物，可列舉螺二醇等，但具有縮醛構造之二羥基化合物容易於聚合反應中成為交聯點而引起交聯反應，而有招致聚合反應中之困擾，產生凝膠異物而導致相位差薄膜製造時之延伸斷裂，或成為薄膜缺陷之情況，因此於本發明之聚碳酸酯樹脂中，源自具有縮醛構造之二羥基化合物之構造單位相對於源自所有二羥基化合物之構造單位，較佳為10莫耳%以下，進而較佳為5莫耳%以下，進而較佳為2莫耳%以下，其中最佳為0莫耳%。
    本發明之聚碳酸酯樹脂基於，有時可將聚碳酸酯樹脂之熔融黏度等各種物性容易地調節成適合成形為薄膜者，或可更容易地調節光學特性這一理由，於源自上述式(2)~(6)所表示之二羥基化合物之構造單位中，較佳為含有源自上述式(2)所表示之二羥基化合物之構造單位、及源自自上述式(3)所表示之二羥基化合物、上述式(4)所表示之二羥基化合物、上述式(5)所表示之二羥基化合物及上述式(6)所表示之二羥基化合物所組成之群選擇的一種以上二羥基化合物之構造單位作為構造單位(a)。
    又，於源自上述式(3)所表示之二羥基化合物之構造單位、源自上述式(4)所表示之二羥基化合物之構造單位、源自上述式(5)所表示之二羥基化合物之構造單位及源自上述式(6)所表示之二羥基化合物之構造單位中，較佳為含有源自上述式(4)所表示之二羥基化合物之構造單位及/或源自上述式(5)所表示之二羥基化合物之構造單位，更佳為含有源自上述式(5)所表示之二羥基化合物之構造單位。 <構造單位(b)>
    作為可較佳地用於本發明之聚碳酸酯樹脂之上述構造單位(b)之化合物，可列舉以下式(1)所表示之二羥基化合物。
    (於上述式(1)中，R1~R4分別獨立地表示氫原子、經取代或未經取代之碳數1~碳數20之烷基、經取代或未經取代之碳數6~碳數20之環烷基、或經取代或未經取代之碳數6~碳數20之芳基，分別配置有相同或不同之基作為各苯環上之4個取代基。X1及X2分別獨立地表示經取代或未經取代之碳數2~碳數10之伸烷基、經取代或未經取代之碳數6~碳數20之伸環烷基、或經取代或未經取代之碳數6~碳數20之伸芳基。m及n分別獨立為0~5之整數。)
    此處，作為R1~R4及X1、X2亦可具有之取代基，可列舉：甲氧基、乙氧基、丙氧基等烷氧基，苯基、萘基等芳基等。
    R1~R4分別獨立地較佳為氫原子、經取代或未經取代之碳數1~碳數10之烷基、經取代或未經取代之碳數6~碳數15之芳基，於R1~R4中，較佳為R1及R2為未經取代之烷基，或R1~R4均為氫原子。於R1~R4為氫原子以外之取代基之情形時，對於苯環於茀環上之鍵結位置，較佳為鍵結於3位或5位上，作為未經取代之烷基，較佳為甲基或乙基。
    X1、X2分別獨立地較佳為碳數1~碳數4之伸烷基，其中較佳為未經取代之亞甲基、未經取代之伸乙基、未經取代之伸丙基，X1與X2較佳為相同。
    m及n分別獨立為0~5之整數，但由於可調節聚碳酸酯樹脂之聚合度，或將聚碳酸酯樹脂之玻璃轉移溫度調節成適合熔融成形之溫度，或提高所獲得之薄膜之韌性，故而較佳為1以上。又，m與n較佳為相同之整數。
    尤其是，上述式(1)所表示之二羥基化合物較佳為以茀環之對稱軸為對稱軸之左右對稱構造。
    作為上述式(1)所表示之二羥基化合物，具體而言，可列舉9,9-雙(4-羥基苯基)茀、9,9-雙(4-羥基-3-甲基苯基)茀、9,9-雙(4-羥基-3-甲基苯基)茀、9,9-雙(4-羥基-3-正丙基苯基)茀、9,9-雙(4-羥基-3-異丙基苯基)茀、9,9-雙(4-羥基-3-正丁基苯基)茀、9,9-雙(4-羥基-3-第二丁基苯基)茀、9,9-雙(4-羥基-3-第三丙基苯基)茀、9,9-雙(4-羥基-3-環己基苯基)茀、9,9-雙(4-羥基-3-苯基苯基)茀、9,9-雙(4-(2-羥基乙氧基)苯基)茀、9,9-雙(4-(2-羥基乙氧基)-3-甲基苯基)茀、9,9-雙(4-(2-羥基乙氧基)-3-異丙基苯基)茀、9,9-雙(4-(2-羥基乙氧基)-3-異丁基苯基)茀、9,9-雙(4-(2-羥基乙氧基)-3-第三丁基苯基)茀、9,9-雙(4-(2-羥基乙氧基)-3-環己基苯基)茀、9,9-雙(4-(2-羥基乙氧基)-3-苯基苯基)茀、9,9-雙(4-(2-羥基乙氧基)-3,5-二甲基苯基)茀、9,9-雙(4-(2-羥基乙氧基)-3-第三丁基-6-甲基苯基)茀、9,9-雙(4-(3-羥基-2,2-二甲基丙氧基)苯基)茀等，就光學特性之賦予之觀點而言，較佳為可列舉9,9-雙(4-羥基-3-甲基苯基)茀、9,9-雙(4-羥基苯基)茀、9,9-雙(4-(2-羥基乙氧基)苯基)茀、9,9-雙(4-(2-羥基乙氧基)-3-甲基苯基)茀，就對薄膜之韌性賦予之觀點而言，尤佳為9,9-雙(4-(2-羥基乙氧基)苯基)茀。
    本發明之聚碳酸酯樹脂可僅含有源自上述式(1)所表示之二羥基化合物的構造單位之1種，亦可含有2種以上。 <其他構造單位>
    於本發明之聚碳酸酯樹脂中，除源自上述式(1)~(6)所表示之二羥基化合物之構造單位以外，亦可進而含有源自其他二羥基化合物之構造單位。
    作為其他二羥基化合物之其他例，可列舉雙酚類。
    作為雙酚類，例如可列舉2,2-雙(4-羥基苯基)丙烷(=雙酚A)、2,2-雙(4-羥基-3,5-二甲基苯基)丙烷、2,2-雙(4-羥基-3,5-二乙基苯基)丙烷、2,2-雙(4-羥基-(3,5-二苯基)苯基)丙烷、2,2-雙(4-羥基-3,5-二溴基苯基)丙烷、2,2-雙(4-羥基苯基)戊烷、2,4'-二羥基-二苯基甲烷、雙(4-羥基苯基)甲烷、雙(4-羥基-5-硝基苯基)甲烷、1,1-雙(4-羥基苯基)乙烷、1,1-雙(4-羥基苯基)-2-乙基己烷、1,1-雙(4-羥基苯基)癸烷、2,2-雙(4-羥基苯基)辛烷、2,2-雙(4-羥基苯基)壬烷、2,2-雙(4-羥基苯基)癸烷、1,3-雙[2-(4-羥基苯基)-2-丙基]苯、3,3-雙(4-羥基苯基)戊烷、1,1-雙(4-羥基苯基)環己烷、雙(4-羥基苯基)碸、2,4'-二羥基二苯基碸、雙(4-羥基苯基)硫化物、4,4'-二羥基二苯基醚、4,4'-二羥基-3,3'-二氯二苯基醚、4,4'-二羥基-2,5-二乙氧基二苯基醚等，其中就操作或獲得之容易度、向適合熔融製膜之玻璃轉移溫度調整之觀點而言，較佳為2,2-雙(4-羥基苯基)丙烷、1,1-雙(4-羥基苯基)-2-乙基己烷、1,1-雙(4-羥基苯基)癸烷，尤佳為2,2-雙(4-羥基苯基)丙烷。
    該等可單獨使用1種，亦可併用2種以上。其中，由於除上述式(1)所表示者以外之於構造內具有芳香族環之二羥基化合物有對光學特性產生不良影響之虞，因此源自此種二羥基化合物之構造單位相對於聚碳酸酯樹脂中源自二羥基化合物之構造單位之合計較佳為使用50莫耳%以下，更佳為20莫耳%以下，進而較佳為使用5莫耳%以下，尤佳為本發明之聚碳酸酯樹脂不含有源自除上述式(1)所表示者以外之於構造內含有芳香族環之二羥基化合物的構造單位。
    又，作為形成本發明之相位差薄膜之高分子，亦可使用上述聚碳酸酯之碳酸酯鍵之一部分經二羧酸構造取代之聚酯碳酸酯。作為形成上述二羧酸構造之二羧氧化合物，可列舉對苯二甲酸、酞酸、間苯二甲酸、4,4'-二苯基二羧酸、4,4'-二苯基醚二羧酸、4,4'-二苯基酮二羧酸、4,4'-二苯氧基乙烷二羧酸、4,4'-二苯基碸二羧酸、2,6-萘二羧酸等芳香族二羧酸，1,2-環己烷二羧酸、1,3-環己烷二羧酸、1,4-環己烷二羧酸等脂環式二羧酸、丙二酸、琥珀酸、戊二酸、己二酸、庚二酸、辛二酸、壬二酸、癸二酸等脂肪族二羧酸等，就所獲得之聚合物之耐熱性或熱穩定性之觀點而言，較佳為芳香族二羧酸，尤其就操作或獲得之容易度而言，較佳為對苯二甲酸、間苯二甲酸，其中較佳為對苯二甲酸。該等二羧酸成分可作為二羧酸本身而成為本發明之高分子之原料，亦可根據製造法，將甲酯體、苯基酯體等二羧酸酯、或二羧酸鹵化物等二羧酸衍生物作為原料。
    於本發明之聚酯碳酸酯中，於將源自所有二羥基化合物及羧氧化合物之構造單位之合計設為100莫耳%之情形時，源自二羧氧化合物之構造單位之含有比率，較佳為45莫耳%以下，進而較佳為40莫耳%以下。若二羧氧化合物之含有比率多於45莫耳%，則使聚合性降低，有聚合無法進行至所期望之分子量之情況。 <各構造單位之含有比例>
    於本發明之聚碳酸酯樹脂係含有源自上述式(1)所表示之二羥基化合物之構造單位作為構造單位(b)，含有源自上述式(2)~(6)所表示之二羥基化合物之構造單位作為構造單位(a)者之情形時，各構造單位之含有比例較佳為如下所述。
    即，相對於本發明之聚碳酸酯樹脂所含有之源自二羥基化合物之構造單位的合計，源自上述式(1)所表示之二羥基化合物之構造單位之含有比例較佳為40重量%以上，更佳為45重量%以上，進而較佳為50重量%以上。若該構造單位之含有比例過少，則有所獲得之相位差薄膜之波長分散特性欠佳之情形。又，若該構造單位之含有比例過多，則有上述式(A)之值過大而使光學特性欠佳之情形，相對於本發明之聚碳酸酯樹脂所含有之源自二羥基化合物之構造單位之合計，較佳為95重量%以下，更佳為90重量%以下，尤佳為85重量%以下，特佳為80重量%以下。
    於本案發明中，所謂以重量%規定之源自二羥基化合物之構造單位的含有比例，係含有碳酸酯鍵之二羥基化合物之重複單位構造相對於聚碳酸酯樹脂總重量的含有比例。
    又，於本發明之聚碳酸酯樹脂含有源自上述式(2)所表示之二羥基化合物之構造單位的情形時，相對於聚碳酸酯樹脂所含有之源自二羥基化合物之構造單位的合計，源自上述式(2)所表示之二羥基化合物之構造單位之含有比例較佳為20重量%以上，更佳為25重量%以上，進而較佳為30重量%以上。若該構造單位之含有比例過少，則有所獲得之相位差薄膜之相位差過小之虞。但，若該構造單位之含有比例過多，則本發明之聚碳酸酯樹脂之玻璃轉移溫度過高而使薄膜成形困難，因此相對於聚碳酸酯樹脂所含有之源自二羥基化合物之構造單位的合計，較佳為50重量%以下，尤佳為45重量%以下。
    又，於本發明之聚碳酸酯樹脂含有源自自上述式(3)所表示之二羥基化合物、上述式(4)所表示之二羥基化合物、上述式(5)所表示之二羥基化合物及上述式(6)所表示之二羥基化合物所組成之群選擇的一種以上二羥基化合物之構造單位之情形時，其含量相對於聚碳酸酯樹脂所含有之源自二羥基化合物之構造單位的合計，較佳為0.1重量%以上且未滿4.5重量%，更佳為0.1重量%以上且4.0重量%以下，進而較佳為0.2重量%以上且3.0重量%以下。藉由於聚碳酸酯樹脂中含有上述下限值以上之源自上述式(3)~(6)所表示之二羥基化合物之構造單位，可於將該聚碳酸酯樹脂熔融製膜時，防止熱引起之異物或氣泡之產生，或防止聚碳酸酯樹脂之著色。但，若該構造單位過多，則有可能由於溫度等環境變化使得相位差薄膜之光學特性產生變化。
    於本發明之聚碳酸酯樹脂中，較佳為玻璃轉移溫度為120℃以上160℃以下者，進而較佳為130℃以上155℃以下者，尤佳為140℃以上150℃以下者。若玻璃轉移溫度過高，則有可能使熔融製膜變得困難，若過低，則有可能因環境變化引起相位差薄膜之光學特性之變化。
    再者，於源自上述式(3)~(6)所表示之二羥基化合物之構造單位中，本發明之聚碳酸酯樹脂可僅含有源自任一種之式所表示之二羥基化合物的構造單位，又，亦可含有源自2種以上之式所表示之二羥基化合物的構造單位，含有源自何種二羥基化合物之構造單位可以滿足與所製造之相位差薄膜之用途相應的特性要求之方式適當決定，尤佳為除源自上述式(1)及(2)所表示之二羥基化合物之構造單位以外，含有至少一種源自上述式(3)~(6)所表示之二羥基化合物之構造單位。該情形時源自上述式(3)~(6)所表示之二羥基化合物之構造單位的含量相對於聚碳酸酯樹脂所含有之源自二羥基化合物之構造單位之合計，較佳為0.1重量%以上且未滿4.5重量%，更佳為0.1重量%以上4.0重量%以下，進而較佳為0.2重量%以上3.0重量%以下。
    其中，除源自上述式(1)及(2)所表示之二羥基化合物的構造單位以外，較佳為具有源自上述式(5)所表示之二羥基化合物之構造單位，進而較佳為含有數量平均分子量150~4000之聚乙二醇，更佳為數量平均分子量300~2000之聚乙二醇，尤佳為數量平均分子量600~1500之聚乙二醇，係相對於聚碳酸酯樹脂中源自二羥基化合物之構造單位之合計0.5重量%以上4重量%以下，較佳為1重量%以上3重量%以下。 <聚碳酸酯樹脂之製造方法>
    本發明之聚碳酸酯樹脂可利用通常使用之聚合方法而製造，該聚合方法可為使用有碳醯氯之界面聚合法，使二羥基化合物與碳酸二酯進行酯交換反應之熔融聚合法之任一種方法，界面量合法必須使用毒性較強之碳醯氯或導致環境破壞之二氯甲烷、氯苯等含氯溶劑，並且若含氯溶劑於聚碳酸酯中即便微量地殘留，亦會於原片製膜或延伸操作時因揮發之含氯成分而招致製膜裝置或延伸裝置之腐蝕或破損，作為相位差板而組裝後亦有可能對其他構件造成不良影響，因此於聚合觸媒之存在下不使用溶劑地使二羥基化合物與碳酸二酯進行反應之熔融聚合法較佳。
    另一方面，本發明之聚酯碳酸酯樹脂亦可利用通常使用之聚合方法而製造，例如可為使二羥基化合物與二羧酸或二羧酸鹵化物與碳醯氯於溶劑之存在下反應的方法，不使用溶劑地使二羥基化合物與二羧酸或者二羧酸酯與碳酸二酯進行酯交換反應之熔融聚合法之任一種方法，基於與上述相同之理由，於聚合觸媒之存在下使二羥基化合物與二羧酸或者二羧酸酯與碳酸二酯反應之熔融聚合法較佳。
    作為該熔融聚合法所使用之碳酸二酯，通常可列舉下述式(10)所表示者。
    (於式(10)中，A1及A2分別獨立為經取代或未經取代之碳數1~碳數18之脂肪族基，或經取代或未經取代之碳數6~碳數18之芳香族基。)
    作為上述式(10)所表示之碳酸二酯，例如可列舉：以碳酸二苯酯、碳酸二甲苯酯、碳酸雙(氯苯基)酯、碳酸間甲苯酯、二萘基碳酸酯、碳酸雙(聯苯基)酯等為代表之碳酸二芳基酯類，以碳酸二甲酯、碳酸二乙酯、碳酸二丁酯、二環己基碳酸酯等為代表之碳酸二烷基酯類。
    其中，可較佳地使用碳酸二芳基酯類，尤其可較佳地使用碳酸二苯酯。
    該等碳酸二酯可單獨使用1種，亦可混合使用2種以上。
    碳酸二酯於獲得聚碳酸酯樹脂之情形時，相對於反應所使用之總二羥基化合物，較佳為以0.90~1.10之莫耳比率而使用，進而較佳為以0.96~1.05、尤佳為以0.98~1.03之莫耳比率而使用。又，於獲得聚酯碳酸酯樹脂之情形時，相對於總二羥基化合物之莫耳數減去總二羧酸之莫耳數而得之二羥基化合物之莫耳數，較佳為以0.90~1.10之莫耳比率使用，進而較佳為以0.96~1.05、尤佳為以0.98~1.03之莫耳比率使用。若該莫耳比率小於0.90，則會使所製造之聚碳酸酯樹脂或聚酯碳酸酯樹脂之末端羥基增加，使熱穩定性變差，或無法獲得所期望之高分子量體。又，若該莫耳比率大於1.10，則會使相同條件下之酯交換反應之速度降低，或使所期望之分子量之聚碳酸酯樹脂或聚酯碳酸酯樹脂之製造變得困難，並且會使該等聚合物中之殘留碳酸二酯量增加，而有可能於原片製膜時或延伸時揮發，招致薄膜之缺陷。
    又，作為熔融聚合中之聚合觸媒(酯交換觸媒)，可使用鹼金屬化合物及/或鹼土類金屬化合物。亦可將鹼性硼化合物、鹼性磷化合物、鹼性銨化合物、胺系化合物等鹼性化合物與鹼金屬化合物及/或鹼土類金屬化合物一同輔助性地併用，但尤佳為僅使用鹼金屬化合物及/或鹼土類金屬化合物。
    作為用作聚合觸媒之鹼金屬化合物，例如可列舉：氫氧化鈉、氫氧化鉀、氫氧化鋰、氫氧化銫、碳酸氫鈉、碳酸氫鉀、碳酸氫鋰、碳酸氫銫、碳酸鈉、碳酸鉀、碳酸鋰、碳酸銫、乙酸鈉、乙酸鉀、乙酸鋰、乙酸銫、硬脂酸鈉、硬脂酸鉀、硬脂酸鋰、硬脂酸銫、氫化硼鈉、氫化硼鉀、氫化硼鋰、氫化硼銫、苯化硼鈉、苯化硼鉀、苯化硼鋰、苯化硼銫、苯甲酸鈉、苯甲酸鉀、苯甲酸鋰、苯甲酸銫、磷酸氫2鈉、磷酸氫2鉀、磷酸氫2鋰、磷酸氫2銫、苯基磷酸2鈉、苯基磷酸2鉀、苯基磷酸2鋰、苯基磷酸2銫，鈉、鉀、鋰、銫之醇化物、酚化物，雙酚A之2鈉鹽、2鉀鹽、2鋰鹽、2銫鹽等。
    又，作為鹼土類金屬化合物，例如可列舉氫氧化鈣、氫氧化鋇、氫氧化鎂、氫氧化鍶、碳酸氫鈣、碳酸氫鋇、碳酸氫鎂、碳酸氫鍶、碳酸鈣、碳酸鋇、碳酸鎂、碳酸鍶、乙酸鈣、乙酸鋇、乙酸鎂、乙酸鍶、硬脂酸鈣、硬脂酸鋇、硬脂酸鎂、硬脂酸鍶等，其中就聚合活性方面而言，較佳為鎂化合物、鈣化合物。
    再者，於本說明書中，「鹼金屬」及「鹼土類金屬」之用語係分別與長週期型週期表(Nomenclature of Inorganic Chemistry IUPAC Recommendations2005)中之「第1族元素」及「第2族元素」作為同義使用。
    該等鹼金屬化合物及/或鹼土類金屬化合物可單獨使用1種，亦可併用2種以上。
    又，作為可與鹼金屬化合物及/或鹼土類金屬化合物併用之鹼性硼化合物之具體例，可列舉：四甲基硼、四乙基硼、四丙基硼、四丁基硼、三甲基乙基硼、三甲基苄基硼、三甲基苯基硼、三乙基甲基硼、三乙基苄基硼、三乙基苯基硼、三丁基苄基硼、三丁基苯基硼、四苯基硼、苄基三苯基硼、甲基三苯基硼、丁基三苯基硼等之鈉鹽、鉀鹽、鋰鹽、鈣鹽、鋇鹽、鎂鹽或者鍶鹽等。
    作為鹼性磷化合物，例如可列舉：三乙基膦、三正丙基膦、三異丙基膦、三正丁基膦、三苯基膦、三丁基膦或者四級鏻鹽等。
    作為鹼性銨化合物，例如可列舉：四甲基氫氧化銨、四乙基氫氧化銨、四丙基氫氧化銨、四丁基氫氧化銨、三甲基乙基氫氧化銨、三甲基苄基氫氧化銨、三甲基苯基氫氧化銨、三乙基甲基氫氧化銨、三乙基苄基氫氧化銨、三乙基苯基氫氧化銨、三丁基苄基氫氧化銨、三丁基苯基氫氧化銨、四苯基氫氧化銨、苄基三苯基氫氧化銨、甲基三苯基氫氧化銨、丁基三苯基氫氧化銨等。
    作為胺系化合物，例如可列舉：4-胺基吡啶、2-胺基吡啶、N,N-二甲基-4-胺基吡啶、4-二乙基胺基吡啶、2-羥基吡啶、2-甲氧基吡啶、4-乙氧基吡啶、2-二甲基胺基咪唑、2-甲氧基咪唑、咪唑、2-巰基咪唑、2-甲基咪唑、胺基喹啉等。
    該等鹼性化合物亦可單獨使用1種，亦可併用2種以上。
    於使用鹼金屬化合物及/或鹼土類金屬化合物之情形時，上述聚合觸媒之使用量相對於反應所使用之總二羥基化合物1 mol，按金屬換算量，通常於0.1 μmol~100 μmol之範圍內使用，較佳為0.5 μmol~50 μmol之範圍內，進而較佳為1 μmol~25 μmol之範圍內。若聚合觸媒之使用量過少，則無法獲得用以製造所期望之分子量之聚碳酸酯樹脂所需的聚合活性，另一方面，若聚合觸媒之使用量過多，則使所獲得之聚碳酸酯樹脂之色相變差，有可能產生副產物而使流動性降低或產生凝膠，難以製造目標品質之聚碳酸酯樹脂。
    又，於獲得聚酯碳酸酯之情形時，亦可將鈦化合物、錫化合物、鍺化合物、銻化合物、鋯化合物、鉛化合物、鋨化合物等酯交換觸媒與上述鹼性化合物併用或非併用地使用。該等酯交換觸媒之使用量相對於反應所使用之總二羥基化合物1 mol，按金屬換算量，通常為10 μmol~1 mmol之範圍內，較佳為20 μmol~800 μmol之範圍內，尤佳為50 μmol~500 μmol之範圍內。
    於製造此種本發明之聚碳酸酯樹脂時，上述式(1)所表示之二羥基化合物可作為固體供給，亦可加熱而作為熔融狀態供給，但於上述式(1)所表示之二羥基化合物之熔點高於150℃之情形時，由於單獨熔融會有著色等之可能性，故而較佳為溶解於碳酸二酯、或熔點低於上述式(1)所表示之二羥基化合物之其他二羥基化合物中而供給。
    進而，關於自上述式(2)所表示之二羥基化合物、上述式(3)所表示之二羥基化合物、上述式(4)所表示之二羥基化合物、上述式(5)所表示之二羥基化合物及上述式(6)所表示之二羥基化合物所組成的群選擇之一種以上之二羥基化合物，分別可作為固體供給，亦可加熱而作為熔融狀態供給，若為可溶於水者，則亦可作為水溶液供給。其他二羥基化合物及二羧氧化合物亦相同。
    作為利用熔融聚合法製造本發明之高分子之方法，係使二羥基化合物、根據需要之二羧氧化合物於聚合觸媒之存在下與碳酸二酯反應。聚合通常以2階段以上之多段步驟而實施，可利用1個聚合反應器並改變條件而實施2階段以上之步驟，亦可使用2個以上反應器並改變各自之條件而實施2階段以上之步驟，就生產效率之觀點而言，係使用2個以上，較佳為3個以上，進而較佳為3~5個，尤佳為4個反應器而實施。聚合反應可為批量式、連續式、或者批量式與連續式之組合之任一種，就生產效率與品質之穩定性之觀點而言，較佳為連續式。
    於本發明中，聚合觸媒可向原料製備槽、原料儲槽中添加，亦可直接添加於聚合槽中，但就供給之穩定性、聚合之控制的觀點而言，較佳為於供給至聚合槽之前之原料線的途中設置觸媒供給線，並製成水溶液或苯酚溶液而供給。
    聚合反應之溫度若過低，則會招致生產性之降低或製品之熱歷程之增大，若過高，則不僅會招致單體之揮散，亦有可能助長本發明之高分子之分解或著色。
    於用以獲得本發明之高分子之熔融聚合反應中，控制溫度及反應系統內之壓力之平衡較為重要。若使溫度、壓力之任一者過快地變化，則有使未反應之單體逸出反應系統外，並使二羥基化合物與碳酸二酯之莫耳比率變化而無法獲得所期望之高分子之情形。
    具體而言，第1階段之反應係，於作為聚合反應器之內溫之最高溫度的130℃~250℃、較佳為140℃~240℃、進而較佳為150℃~230℃之溫度下，於110 kPa~1 kPa、較佳為70 kPa~3 kPa、進而較佳為30 kPa~5 kPa(絕對壓力)之壓力下，一面將所產生之單羥基化合物向反應系統外蒸餾去除一面實施0.1小時~10小時、較佳為0.5小時~3小時。
    第2階段以後，係將反應系統之壓力自第1階段之壓力慢慢降低，一面將繼而產生之單羥基化合物去除至反應系統外，一面最終將反應系統之壓力(絕對壓力)設為5 kPa以下，較佳為3 kPa，而於內溫之最高溫度210℃~270℃、較佳為220℃~250℃下，進行通常0.1小時~10小時，較佳為0.5小時~6小時，尤佳為1小時~3小時。
    尤其是，為抑制本發明之高分子之著色或熱劣化，而獲得色相或耐光性良好之高分子，總反應階段中之內溫之最高溫度較佳為270℃以下，尤佳為260℃以下。又，為抑制聚合反應後半之聚合速度之降低，並將熱歷程引起之劣化抑制為最小限度，較佳為於聚合之最終階段使用塞式流動性與界面更新性優異之橫型反應器。
    本發明之高分子於如上所述般聚縮合後，通常經冷卻固化，並利用旋轉式切割機等而顆粒化。
    顆粒化之方法並無特別限定，可列舉：於熔融狀態下自最終聚合反應器抽出，於股線之形態下冷卻固化並顆粒化之方法，於熔融狀態下自最終聚合反應器向單軸或雙軸之擠出機供給樹脂，進行熔融擠出後，使其冷卻固化並顆粒化之方法，或於熔融狀態下自最終聚合反應器抽出，於股線之形態下冷卻固化並暫時顆粒化後，再次向單軸或雙軸之擠出機供給樹脂，並於熔融擠出後使其冷卻固化而顆粒化之方法等。如下述般，若高分子中含有大量副產之單羥基化合物，則加工成相位差薄膜後，會招致環境變化引起之光學特性變化，因此本發明之高分子較佳為使用擠出機而去除單羥基化合物，尤佳為於熔融狀態下自最終聚合反應器向具有單個或複數個通口之單軸或雙軸之擠出機供給樹脂，將通口減壓而去除單羥基化合物並熔融擠出後，使其冷卻固化而顆粒化之方法。 <本發明之高分子> <對比黏度>
    本發明之聚碳酸酯樹脂等本發明之高分子之分子量可由對比黏度表示。本發明之高分子之對比黏度可如下述實施例之項所記載般，使用二氯甲烷作為溶劑，將高分子濃度精密地調整成0.6 g/dL，於溫度20.0℃±0.1℃下利用烏氏黏度管進行測定。本發明之高分子之對比黏度並無特別限制，較佳為0.30 dL/g以上，更佳為0.35 dL/g以上。對比黏度之上限較佳為1.20 dL/g以下，更佳為1.00 dL/g以下，進而較佳為0.80 dL/g以下，尤佳為0.60 dL/g以下，最佳為0.50 dL/g以下。
    若高分子之對比黏度小於上述下限值，則有可能產生所獲得之相位差薄膜之機械強度變小之問題，另一方面，若對比黏度大於上述上限值，則有可能產生使薄膜成形時之流動性降低而降低生產性之問題，或難以過濾去除高分子中之異物等而難以減少異物，或薄膜成形時混進氣泡，或產生厚度不均而降低薄膜之品質。 <熔融黏度>
    本發明之聚碳酸酯樹脂等本發明之高分子於240℃之溫度、91.2 Sec-1之剪切速度下之熔融黏度較佳為500 Pa．Sec以上且5000 Pa．Sec以下，更佳為1000 Pa．Sec以上且4000 Pa．Sec以下，尤佳為1500 Pa．Sec以上且3000 Pa．Sec以下。
    若高分子之熔融黏度小於上述下限值，則有可能產生所獲得之相位差薄膜之機械強度變小之問題。另一方面，若熔融黏度大於上述上限值，則有可能產生使薄膜成形時之流動性降低而降低生產性之問題，或難以過濾去除高分子中之異物等而難以減少異物，或薄膜成形時引起氣泡混在，或產生厚度不均而降低薄膜之品質。 <光彈性係數>
    本發明之聚碳酸酯樹脂等本發明之高分子中，針對藉由下述實施例之項所記載之方法而壓製成形而獲得之片材，利用下述方法測定之光彈性係數較佳為45×10-12Pa-1以下，尤佳為35×10-12Pa-1以下。若光彈性係數過大，則會產生如下問題：將使該高分子成形而獲得之相位差薄膜貼合於圓偏光板上，進而將該偏光板搭載於影像顯示裝置上時，根據貼合時之應力，視認環境或背光之熱會對相位差薄膜局部地施加應力而產生不均勻之相位差變化，從而引起影像品質之顯著下降。本發明之高分子之光彈性係數就製造上之容易性方面而言，通常為-10×10-12Pa-1以上，較佳為0×10-12Pa-1以上。 <單羥基化合物之含量>
    本發明之高分子藉由如上所述般利用以碳酸二酯為原料之熔融聚合法進行製造，可於完全不使用毒性較強之碳醯氯或成為環境破壞或裝置腐蝕、破損之原因之含氯溶劑之情況下獲得，但由於熔融聚合法之聚合反應中會副產苯酚等單羥基化合物，其有於本發明之高分子中殘留，於薄膜製膜時或延伸時揮發而產生臭氣，或招致薄膜之缺陷之情況。又，於將本發明之高分子加工成相位差薄膜後，有該薄膜中殘留之單羥基化合物使相位差薄膜之光學特性因環境變化而變化之情況，因此本發明之高分子所含有之單羥基化合物之濃度之上限通常為0.3重量%，較佳為0.2重量%，尤佳為0.15重量%。關於下限，雖然為解決上述問題而越少越佳，但熔融聚合法中難以使高分子中殘留之單羥基化合物為零，且為去除而需要過大之勞力，因此通常為0.001重量%，較佳為0.005重量%，進而較佳為0.01重量%。單羥基化合物之含量係可將本發明之高分子溶解於溶劑中，並利用高速液相層析法等公知之方法進行測定。
    為減少本發明之高分子中殘留之單羥基化合物，如上所述利用擠出機對高分子進行脫揮發處理，將最終聚合槽之壓力設為3 kPa以下，較佳為2 kPa以下較為有效果，但於以上述式(1)所表示之二羥基化合物為本發明之高分子之原料的情形時，平衡常數較大，若降低壓力則會使分子量急遽上升而難以獲得均勻之製品，不僅如此且平衡下殘留之單羥基化合物與高分子之末端基濃度之積成正比，故而較佳為將高分子之末端基濃度設為羥基過剩或芳基過剩，使末端基平衡傾斜而進行製造。其中就熱穩定性之觀點而言，較佳為將羥基末端濃度設為30 μeq/g以下，尤佳為設為20 μeq/g以下。羥基末端濃度可利用1H-NMR(1H-nuclear magnetic resonance，氫核磁共振)等而測定。 <與其他樹脂之摻合>
    於本發明之高分子中，可為賦予薄膜成形性、延伸性或柔軟性而摻合1種以上之高分子。作為所摻合之高分子，可列舉包含乙烯、丙烯等α-烯烴、丁二烯、異戊二烯、或由該等之氫化物所構成之脂肪族烴構造之高分子，包含苯乙烯、α-甲基苯乙烯等芳香族烴構造之高分子，由丙烯腈、丙烯酸、丙烯酸酯、甲基丙烯酸、甲基丙烯酸酯等丙烯氧化合物所構成之高分子，或由AS(acrylonitrile-styrene，丙烯腈-苯乙烯)樹脂、ABS(acrylonitrile-butadiene-styrene，丙烯腈-丁二烯-苯乙烯)樹脂、SEBS(Styrene Ethylene Butadiene Styrene，苯乙烯-乙烯-丁烯-苯乙烯嵌段共聚物)樹脂等代表之該等共聚合體，聚碳酸酯樹脂、聚酯碳酸酯樹脂、聚酯樹脂、聚醯胺樹脂、聚苯醚樹脂、聚醯亞胺樹脂等。其中，於本發明之高分子之玻璃轉移溫度為140℃以上之情形時，若摻合玻璃轉移溫度為100℃以下之高分子，則改良薄膜成形性、延伸性或柔軟性，及抑制薄膜之環境變化引起之相位差薄膜之光學特性之變化的效果較大。尤佳為聚苯乙烯樹脂、聚碳酸酯樹脂、聚酯碳酸酯樹脂、聚酯樹脂，於聚酯樹脂之中，較佳為使賦予薄膜成形性、延伸性或柔軟性之效果較大之聚乙二醇或聚丙二醇、聚醚雙醇共聚合而成之聚酯樹脂。
    摻合其他構造之高分子之比率並無特別限制，但若添加量過多，則有可能損害透明性或波長分散性等本發明之高分子所具有之光學性能，或使相位差薄膜之光學特性因環境變化而變化，因此相對於高分子之合計，較佳為10重量%以下，進而較佳為5重量%以下，尤佳為3重量%以下。上述摻合可利用滾筒、V型攪拌機、圓錐螺旋混合機、班伯里混合機、混練輥、擠出機等混合機對上述成分同時或依任意之順序進行混合，其中就提高分散性之觀點而言，較佳為利用擠出機、尤佳為雙軸擠出機進行混練。 {(ii)使用含有具有反應性官能基之化合物之樹脂組合物之方法}
    於本發明中，為抑制相位差薄膜之光學特性因環境變化之變化，添加環氧化合物、異氰酸酯化合物、碳二醯亞胺化合物等具有反應性官能基之化合物亦較為有效。若該等化合物之添加量過多，則會招致凝膠化而導致相位差薄膜之缺陷，或招致光學特性之降低，因此作為其相對於本發明之高分子之混合比率，相對於本發明之高分子100重量份為0.01~5重量份，較佳為0.05~4重量份，更佳為0.1~3重量份。
    作為向本發明之高分子中添加上述具有反應性官能基之化合物之方法，可列舉利用滾筒、V型攪拌機、圓錐螺旋混合機、班伯里混合機、混練輥、擠出機等混合機將上述化合物成分同時或依任意之順序與本發明之高分子混合之方法，其中就提高分散性之觀點而言，較佳為藉由擠出機、尤其是雙軸擠出機進行混練。
    以下，藉由使用添加有碳二醯亞胺化合物之樹脂組合物(以下，有稱作「本發明之樹脂組合物」之情形)，說明製作本發明之相位差薄膜之方法。
    於該情形時，本發明之樹脂組合物至少含有上述本發明之高分子，較佳為本發明之聚碳酸酯樹脂及碳二醯亞胺化合物。 <碳二醯亞胺化合物>
    本發明所使用之碳二醯亞胺化合物(以下有稱作「本發明之碳二醯亞胺化合物」之情形)較佳為於分子中具有1個以上碳二醯亞胺基之者(包括聚碳二醯亞胺化合物)，可使用藉由通常眾所周知之方法合成者。例如，可使用將有機磷系化合物或有機金屬化合物作為觸媒，將各種聚異氰酸酯於約70℃以上之溫度下，不使用溶劑或於惰性溶劑中，以脫碳酸縮合反應之方式合成者。
    於上述碳二醯亞胺化合物中，作為單碳二醯亞胺化合物，可例示二環己基碳二醯亞胺、二異丙基碳二醯亞胺、二甲基碳二醯亞胺、二異丁基碳二醯亞胺、二辛基碳二醯亞胺、第三丁基異丙基碳二醯亞胺、二苯基碳二醯亞胺、二第三丁基碳二醯亞胺、二-β-萘碳二醯亞胺等，該等之中，尤其就工業上容易獲得方面而言，較佳為二環己基碳二醯亞胺或二異丙基碳二醯亞胺。
    又，作為上述碳二醯亞胺化合物所含有之聚碳二醯亞胺化合物，可使用藉由各種方法製造者，基本上可使用藉由習知之聚碳二醯亞胺之製造方法(例如，美國專利第2941956號說明書，日本專利特公昭47-33279號公報，J.Org.Chem.28,2069-2075(1963)、Chemical Review 1981,Vol,8No.4,p619-621)所製造者。
    作為聚碳二醯亞胺化合物之製造中之合成原料的有機二異氰酸酯，例如可列舉芳香族二異氰酸酯、脂肪族二異氰酸酯、脂環族二異氰酸酯或該等之混合物，具體而言，可例示：1,5-萘二異氰酸酯、4,4'-二苯基甲烷二異氰酸酯、4,4'-二苯基二甲基甲烷二異氰酸酯、1,3-苯二異氰酸酯、1,4-苯二異氰酸酯、2,4-甲苯二異氰酸酯，2,4-甲苯二異氰酸酯與2,6-甲苯二異氰酸酯之混合物、六亞甲基二異氰酸酯、環己烷-1,4-二異氰酸酯、苯二亞甲基二異氰酸酯、異佛酮二異氰酸酯、二環己基甲烷-4,4'-二異氰酸酯、甲基環己烷二異氰酸酯、四甲基苯二亞甲基二異氰酸酯、2,6-二異丙基苯基異氰酸酯、1,3,5-三異丙基苯-2,4-二異氰酸酯等。
    作為本發明之碳二醯亞胺化合物之較佳例，可列舉：4,4'-二環己基甲烷碳二醯亞胺(聚合度=2~20)、四亞甲基苯二亞甲基碳二醯亞胺(聚合度=2~20)、N,N-二甲基苯基碳二醯亞胺(聚合度2~20)、N,N'-二-2,6-二異丙基苯基碳二醯亞胺(聚合度=2~20)等。
    該等可單獨使用1種，亦可併用2種以上。
    於本發明之樹脂組合物中，本發明之碳二醯亞胺化合物之含量相對於本發明之聚碳酸酯樹脂等本發明之高分子100重量份為0.01~5重量份，較佳為0.05~4重量份，更佳為0.1~3重量份。若碳二醯亞胺化合物之含量未滿0.01重量份，則將本發明之樹脂組合物製膜而獲得之相位差薄膜用作液晶顯示器用之相位差薄膜等之情形時，若於高溫條件下長期使用則相位差之變動較大，於黑顯示時引起漏光，或引起色移而降低畫質。另一方面，若碳二醯亞胺化合物之含量多於5重量份，則會降低所獲得之相位差薄膜之透明性，於用作相位差薄膜時使畫質降低。 <其他添加劑>
    於本發明之高分子中，可為防止聚合時或成形時等分子量之降低或色相之變差而調配熱穩定劑。
    作為該熱穩定劑，可列舉通常已知之受阻酚系熱穩定劑及/或磷系熱穩定劑。
    作為受阻酚系化合物，具體而言可列舉：2,6-二-第三丁基苯酚、2,4-二-第三丁基苯酚、2-第三丁基-4-甲氧基苯酚、2-第三丁基-4,6-二甲基苯酚、2,6-二-第三丁基-4-甲基苯酚、2,6-二-第三丁基-4-乙基苯酚、2,5-二-第三丁基對苯二酚、正十八烷基-3-(3',5'-二-第三丁基-4'-羥基苯基)丙酸酯、2-第三丁基-6-(3'-第三丁基-5'-甲基-2'-羥基苄基)-4-甲基苯基丙烯酸酯、2,2'-亞甲基-雙-(4-甲基-6-第三丁基苯酚)、2,2'-亞甲基-雙-(6-環己基-4-甲基苯酚)、2,2'-亞乙基-雙-(2,4-二-第三丁基苯酚)、四-[亞甲基-3-(3',5'-二-第三丁基-4'-羥基苯基)丙酸酯]-甲烷、1,3,5-三甲基-2,4,6-三-(3,5-二-第三丁基-4-羥基苄基)苯等。其中，尤可列舉：四-[亞甲基-3-(3',5'-二-第三丁基-4'-羥基苯基)丙酸酯]-甲烷、正十八烷基-3-(3',5'-二-第三丁基-4'-羥基苯基)丙酸酯、1,3,5-三甲基-2,4,6-三-(3,5-二-第三丁基-4-羥基苄基)苯。
    作為磷系化合物，可列舉：亞磷酸、磷酸、亞膦酸、膦酸及該等之酯等，具體而言，亞磷酸三苯酯、亞磷酸三(壬基苯基)酯、亞磷酸三(2,4-二-第三丁基苯)酯、亞磷酸十三烷基酯、亞磷酸三辛酯、亞磷酸三-十八烷基酯、亞磷酸二-癸基單苯酯、亞磷酸二辛基單苯酯、亞磷酸二異丙基單苯酯、亞磷酸單丁基二苯酯、亞磷酸單癸基二苯酯、亞磷酸單辛基二苯酯、雙(2,6-二-第三丁基-4-甲基苯基)季戊四醇二亞磷酸酯、亞磷酸2,2-亞甲基雙(4,6-二-第三丁基苯)酯、雙(壬基苯基)季戊四醇二亞磷酸酯、雙(2,4-二-第三丁基苯基)季戊四醇二亞磷酸酯、二硬脂醯季戊四醇二亞磷酸酯、磷酸三丁酯、磷酸三乙酯、磷酸三甲酯、磷酸三苯酯、磷酸單鄰聯苯基二苯基酯、磷酸二丁酯、磷酸二辛酯、磷酸二異丙酯、4,4'-伸聯苯基二膦酸四(2,4-二-第三丁基苯基)、苯膦酸二甲酯、苯膦酸二乙酯、苯膦酸二丙酯等。
    該等熱穩定劑可單獨使用1種，亦可併用2種以上。
    關於該熱穩定劑，例如可於使用熔融擠出法等之擠出機製造薄膜之情形時，於擠出機中添加上述熱穩定劑等而製膜，亦可預先使用擠出機於樹脂組合物中添加上述熱穩定劑等，亦可於熔融聚合時添加。又，除熔融聚合時添加之添加量以外，亦可利用如上所述之方法進而追加調配。即，若於調配適當量之熱穩定劑並獲得本發明之高分子後，進而調配熱穩定劑，則可避免霧度之上升、著色及耐熱性之降低，可進而調配更多之熱穩定劑，防止色相之變差。
    關於該等熱穩定劑之調配量，於將本發明之聚碳酸酯樹脂等本發明之高分子設為100重量份之情形時，較佳為0.0001重量份~1重量份，更佳為0.0005重量份~0.5重量份，進而較佳為0.001重量份~0.2重量份。
    又，於本發明之樹脂組合物中，亦可為抗氧化而調配通常所知之抗氧化劑。
    作為該抗氧化劑，例如可列舉：季戊四醇四(3-巰基丙酸酯)、季戊四醇四(3-月桂基硫代丙酸酯)、甘油-3-硬脂基硫代丙酸酯、三乙二醇-雙[3-(3-第三丁基-5-甲基-4-羥基苯基)丙酸酯]、1,6-己二醇-雙[3-(3,5-二-第三丁基-4-羥基苯基)丙酸酯]、季戊四醇-四[3-(3,5-二-第三丁基-4-羥基苯基)丙酸酯]、十八烷基-3-(3,5-二-第三丁基-4-羥苯基)丙酸酯、1,3,5-三甲基-2,4,6-三(3,5-二-第三丁基-4-羥基苄基)苯、N,N-六亞甲基雙(3,5-二-第三丁基-4-羥基-苯丙醯胺)、3,5-二-第三丁基-4-羥基-苄基膦酸酯-二乙酯、三(3,5-二-第三丁基-4-羥基苄基)異氰尿酸酯、4,4'-伸聯苯基二膦酸四(2,4-二-第三丁基苯基)、3,9-雙{1,1-二甲基-2-[β-(3-第三丁基-4-羥基-5-甲基苯基)丙醯氧基]乙基}-2,4,8,10-四氧雜螺(5,5)十一烷等之1種或2種以上。
    該等抗氧化劑之調配量於將本發明之聚碳酸酯樹脂等本發明之高分子設為100重量份之情形時，較佳為0.0001重量份~0.5重量份。
    進而，於本發明之樹脂組合物中，於不阻礙本發明之目的之範圍內，亦可含有樹脂組合物中通常使用之成核劑、難燃劑、無機填充劑、衝擊改良劑、發泡劑、染顏料等。 <樹脂組合物之製造方法>
    本發明之樹脂組合物可利用滾筒、V型攪拌機、圓錐螺旋混合機、班伯里混合機、混練輥、擠出機等混合機，與上述成分同時或依任意之順序混合而製造。 {(iii)調整延伸步驟中之條件之方法}
    以下，使用本發明之高分子，藉由熔融製膜法獲得原片薄膜，並調整進行該等延伸處理時之處理條件，藉此說明製作本發明之相位差薄膜之方法。
    作為使用本發明之高分子製造原片薄膜之方法，有溶解於溶劑中並鑄膜後，將溶劑去除之流延法；不適用溶劑而進行熔融製膜之方法，具體而言係使用T字模之熔融擠出法、壓光成形法、熱壓法、共擠出法、共熔融法、多層擠出、膨脹成形法等，並無特別限定，但由於流延法如上所述有殘留溶劑引起之問題，故而較佳為熔融製膜法，其中就後續之延伸處理之容易度而言，較佳為使用T字模之熔融擠出法。
    於利用熔融製膜法形成原片薄膜之情形時，成形溫度較佳為265℃以下，更佳為260℃以下，尤佳為258℃以下。若成形溫度過高，則有可能使所獲得之原片薄膜中之異物或氣泡之產生所引起的缺陷增加，或使原片薄膜著色。但，若成形溫度過低，則有可能使本發明之高分子之黏度過高，使原片薄膜之成形困難，或難以製造厚度均勻之原片薄膜，因此成形溫度之下限通常為200℃以上，較佳為210℃以上，更佳為220℃以上。
    此處，所謂原片薄膜之成形溫度，係熔融製膜法中成形時之溫度，通常係對擠出熔融樹脂之模具出口之溫度測定之值。
    原片薄膜之厚度並無制限，但若過厚則容易產生厚度不均，若過薄則有可能招致延伸時之斷裂，因此通常為50 μm~200 μm，較佳為70 μm~120 μm。又，若原片薄膜上存在厚度不均，則有可能招致相位差薄膜之相位差不均，因此用作相位差薄膜之部分之厚度較佳為設定厚度±3 μm以下，進而較佳為設定厚度+2 μm以下，尤佳為設定厚度±1 μm以下。
    可藉由將以此種方式獲得之原片薄膜朝至少一個方向延伸而形成本發明之相位差薄膜。
    該延伸之方法可將自由端延伸、固定端延伸、自由端收縮、固定端收縮等各種延伸方法單獨使用，亦可同時或者逐次使用。
    又，關於延伸方向，可朝水平方向、垂直方向、厚度方向、對角方向等各種方向或維度進行，並無特別限定。
    可較佳地列舉：橫單軸延伸方法、縱橫同時雙軸延伸方法、縱橫逐次雙軸延伸方法等。
    作為延伸之手段，可使用拉幅延伸機、雙軸延伸機等任意適當之延伸機。
    延伸溫度可根據目的而選擇適宜、適當之值。較佳為，相對於原片薄膜(即，作為原片薄膜之製膜材料之高分子或樹脂組合物)之玻璃轉移溫度(Tg)，於Tg-20℃~Tg+30℃、較佳為Tg-10℃~Tg+20℃、更佳為Tg-5℃~Tg+10℃之範圍進行延伸。藉由選擇此種條件，容易使相位差值變得均勻，且薄膜不易產生白濁。具體而言，上述延伸溫度為90℃~210℃，進而較佳為100℃~200℃，尤佳為100℃~180℃。
    延伸倍率可根據目的而適當選擇，將未延伸之情形時設為1倍，則較佳為1.1倍以上6倍以下，更佳為1.5倍以上4倍以下，進而較佳為1.8倍以上3倍以下，尤佳為2倍以上2.5倍以下。若延伸倍率過大，則有可能招致延伸時之斷裂，並且有可能使對高溫條件下長期使用所引起之光學特性之變動的抑制效果降低，若過低，則有可能無法於所期望之厚度下賦予所意欲之光學特性。
    延伸速度亦可根據目的而適宜選擇，以下述式所表示之變形速度計，通常為50%~2000%，較佳為100%~1500%，更佳為200%~1000%，尤佳為250%~500%。若延伸速度過大，則有可能招致延伸時之斷裂，或使高溫條件下長期使用所引起之光學特性之變動變大。又，若延伸速度過小，則降低生產性，並且有為獲得所期望之相位差而必須使延伸倍率過大之情形。
    變形速度(%/分鐘)={延伸速度(mm/分鐘)/原片薄膜之長度(mm)}×100
    又，延伸後亦可於加熱爐中進行熱固定處理，亦可控制拉幅之寬度，或調整輥周速，或進行緩和步驟。
    作為熱固定處理之溫度，相對於原片薄膜(即，作為原片薄膜之製膜材料之高分子或樹脂組合物)之玻璃轉移溫度(Tg)，於60℃~Tg，較佳為70℃~Tg-5℃之範圍進行。若熱處理溫度過高，則有可能使藉由延伸獲得之分子之配向混亂，自所期望之相位差大幅降低。
    又，於設置緩和步驟之情形時，藉由使因延伸而擴大之薄膜之寬度收縮至95%~100%，可去除延伸薄膜所產生之應力。此時於薄膜上施加之處理溫度與熱固定處理溫度相同。
    藉由進行如上所述之熱固定處理或緩和步驟，可抑制高溫條件下長期使用所引起之光學特性之變動。
    本發明之相位差薄膜可藉由適當選擇、調整此種延伸步驟中之處理條件而製作。 <相位差薄膜中之氯含量>
    相位差薄膜根據高分子之製造法或原片薄膜之製造法而有含氯之情況。尤其是，若採用界面法作為高分子之製造法，或採用流延法作為原片薄膜之製造法，則二氯甲烷或氯苯等有可能會以殘留溶劑之形態包含於高分子或者相位差薄膜中，若含有含氯溶劑，則有原片製膜或延伸操作時揮發之含氯成分會招致製膜裝置或延伸裝置之腐蝕或破損，或作為相位差板而組裝後對其他構件造成不良影響之情形。進而由於相位差薄膜中之殘留溶劑發揮可塑劑性之作用，故有因溫度或濕度等外部環境變化而招致光學特性之變化之情形，因此本發明之相位差薄膜中所含有之氯成分較佳為以氯原子之重量計50 ppm以下，更佳為20 ppm以下，進而較佳為10 ppm以下，尤佳為5 ppm以下。
    所謂含氯溶劑，係分子構造中含有氯之有機溶劑，例如可列舉：二氯甲烷、氯仿、四氯化碳、1,1-二氯乙烷、1,2-二氯乙烷、1,1,1-三氯乙烷、1,1,2-三氯乙烷、1,1,2,2-四氯乙烷、氯苯、二氯苯等氯取代烴化合物。大部分含氯溶劑為法令限制之對象，因此於本發明之相位差薄膜中之含量越少越佳，通常為50重量ppm以下，更佳為20重量ppm以下，進而較佳為10重量ppm以下，尤佳為5 ppm重量以下，最佳為1重量ppm以下。
    作為減少殘留溶劑之方法，除採用熔融聚合法作為高分子之製造法以外，可列舉：使用擠出機將所獲得之高分子脫揮發之方法，利用減壓或熱風、熱氮氣等乾燥所獲得之高分子之方法，利用原片製膜所使用之擠出機脫揮發並製膜之方法等。 <單羥基化合物含量>
    另一方面，若利用熔融聚合法製造本發明之高分子，則有相位差薄膜中含有副產之苯酚等單羥基化合物之情況，單羥基化合物亦與上述氯系溶劑同樣發揮可塑劑性之作用，有因溫度或濕度等外部環境變化而招致光學特性之變化之情形。因此，本發明之相位差薄膜所含有之單羥基化合物之濃度之上限通常為3000重量ppm、較佳為2000重量ppm、進而較佳為1500重量ppm、尤佳為1000重量ppm。關於下限，為解決上述問題而越少越佳，但難以使利用熔融聚合法獲得之高分子中殘留之單羥基化合物為零，並且去除需要過大之勞力，因此通常為1重量ppm、較佳為10重量ppm、進而較佳為100重量ppm。
    為減少本發明之相位差薄膜中殘留之單羥基化合物，可列舉，於製造作為原料之本發明之高分子時將最終聚合槽之壓力設為3 kPa以下，較佳為2 kPa以下，或於熔融狀態下自最終聚合反應器向具有單個或複數個通口之單軸或雙軸之擠出機供給樹脂，將擠出機之通口減壓而去除單羥基化合物，或將原片製膜所使用之擠出機設為具有通口之構造，藉由減壓而脫揮發並進行製膜，或於原片製膜或延伸後於真空下或利用熱風等進行處理之方法等，其中該等之2個以上之操作之組合較為有效。相位差薄膜中之單羥基化合物之含量可藉由將相位差薄膜溶解於溶劑中，並利用高速液相層析法等公知之方法而測定。 {(iv)於製膜、延伸後進行交聯之方法}
    又，於本發明中，可為抑制分子之活動，並抑制高溫條件下長期使用所引起之光學特性之變動，而對原片薄膜製膜後或經延伸之相位差薄膜進行電子束等高能量射線照射而於分子內構成交聯構造。
    此時，可預先於本發明之高分子中調配二乙烯基苯或(甲基)丙烯酸烯丙酯等具有雙鍵之化合物或者該等之聚合體，以使得交聯構造容易構成，其中亦可調配異氰尿酸三烯丙酯、異氰尿酸二烯丙基單環氧丙基酯等分子內具有2個以上雙鍵基之化合物，藉由含有此種化合物，可容易地利用熱或電子束等高能量射線照射而於分子內構成交聯構造，從而抑制分子之活動。
    該等於分子內具有2個以上不飽和雙鍵基之化合物之調配量於將本發明之高分子設為100重量份之情形時，較佳為0.01重量份~5重量份，尤佳為0.05重量份~3重量份。
    於向延伸後之薄膜照射電子束之情形時，電子束的強度較佳為5 kGy以上200 kGy以下，更佳為10 kGy以上100 kGy以下。若電子束之照射強度未滿5 kGy，則對相位差薄膜於高溫條件下長期使用所引起之光學特性之變動抑制效果較小，若照射強度大於200 kGy，則有可能招致分子鏈之斷裂，使相位差薄膜之強度降低，或著色。 [圓偏光板及影像顯示裝置]
    本發明之圓偏光板係將本發明之相位差薄膜積層於偏光板上而成者。
    作為上述偏光板，可採用公知之各種構成者。例如，可使用藉由習知公知之方法，於各種薄膜上吸附碘或二色性染料等二色性物質而染色，並藉由交聯、延伸、乾燥而製備者等。
    本發明之影像顯示裝置係使用此種本發明之圓偏光板者，可發揮即便於溫度條件或濕度條件嚴酷之環境下長期使用，亦無畫質降低問題這一特長，而用於各種液晶用顯示器或移動式機器等中，尤其可較佳地用於作為下一代影像顯示裝置而最近備受關注之有機EL顯示器中。 [實施例]
    以下，結合實施例進而詳細說明本發明，但本發明於不違背其主旨之情況下，並不特別限定於以下實施例。
    以下，聚碳酸酯樹脂、聚碳酸酯樹脂組合物及原片薄膜、相位差薄膜之特性評價係依如下方法進行。再者，特性評價手法並不限定於以下方法，從業者可適當選擇。 [聚碳酸酯樹脂、聚碳酸酯樹脂組合物之評價] (1)光彈性係數 <樣本製作>
    對於80℃下真空乾燥5小時之聚碳酸酯樹脂樣本4.0 g，使用寬度為8 cm、長度為8 cm、厚度為0.5 mm之間隔件，利用熱壓機，於熱壓溫度200~250℃、預熱1~3分鐘、壓力20 MPa之條件下加壓1分鐘後，將整個間隔件取出，利用水管冷卻式壓機以壓力20 MPa加壓冷卻3分鐘而製作片材。自該片材依寬度5 mm、長度20 mm切割出樣本。 <測定>
    使用將包含He-Ne雷射、偏光片、補償板、析光片及光檢測器之雙折射測定裝置與振動型黏彈性測定裝置(Rheology公司製造之「DVE-3」)組合而成之裝置進行測定。(詳情參照日本Rheology學會志Vol.19，P93-97(1991))
    將切割出之樣本固定於黏彈性測定裝置上，於25℃之室溫下以96 Hz之頻率測定貯存模數E1。同時，使出射之雷射光依序通過偏光片、試樣、補償板、析光片，以光檢測器(光二極體)拾取，藉由鎖定放大器針對角頻率ω或2ω之波形，求得相對於其振幅與應力之相位差，並求得應力光學係數O'。此時，係以偏光片與析光片之方向為正交，又分別相對於試樣之伸長方向呈π/4之角度之方式調整。
    光彈性係數C係使用貯存模數E'與應力光學係數O'並藉由下式求得。
    C=O'/E' (2)對比黏度
    聚碳酸酯樹脂之對比黏度係使用森友理化工業公司製造之烏氏型黏度管，使用二氯甲烷作為溶劑，並於20.0℃±0.1℃之溫度下測定。以濃度成為0.6 g/dL之方式精密地調整。
    根據溶劑之通過時間to、溶液之通過時間t，利用下述式：ηrel=t/to求得相對黏度ηrel，根據相對黏度ηrel並利用下述式：ηsp=(η-ηo)/ηo=ηrel-1求得比黏度ηsp。
    以比黏度ηsp除以濃度c(g/dL)，藉由下述式：ηred=ηsp/c求得對比黏度(換算黏度)ηred。
    該數值越大則分子量越大。 (3)高分子之玻璃轉移溫度
    高分子之玻璃轉移溫度係使用示差掃描熱量計(SII NanoTechnology公司製造之DSC220)，對相位差薄膜約10 mg以10℃/min之升溫速度加熱而測定，根據JIS-K7121(1987)，係將低溫側之基線朝高溫側延長之直線與於玻璃轉移之階段狀變化部分之曲線的斜率成為最大之點所畫之切線的交點之溫度，求得外推玻璃轉移開始溫度，將其作為玻璃轉移溫度。 (4)高分子中源自單體單元之構造單位比之測定
    關於高分子中源自各二羥基化合物之構造單位比，係稱取高分子30 mg，並溶解於氘氯仿約0.7 mL中而製成溶液，將其放入內徑5 mm之NMR用管中，使用日本電子公司製造之JNM-AL400(共振頻率400 MHz)，於常溫下測定1H-NMR光譜，根據基於源自各成分之構造單位之訊號強度比而求得。 (5)高分子中之氯含量之測定
    於石英舟上稱量高分子試樣，並利用全有機鹵素測定裝置TOX-100(三菱化學ANALYTECH公司製造)測定。將該測定值作為相位差薄膜之氯含量。 (6)高分子中之二氯甲烷含量
    精準地稱取高分子試樣約10 g，放入加熱爐中加熱至350℃，使氮氣以40 mL/min之流量流入加熱爐內。將因加熱產生之氣體隨著氮氣導入20 mL之放有二烷之吸收管中。將吸收管冷卻至13℃。通氮氣120分鐘後，利用氣相層析法分析吸收液而測定二氯甲烷之含量。將該測定值作為相位差薄膜之二氯甲烷含量。 (7)高分子中之苯酚含量
    精準地稱取高分子試樣約1 g，溶解於二氯甲烷5 mL中而製成溶液後，以總量成為25 mL之方式添加丙酮並進行再沈澱處理。利用0.2 μm圓盤濾片過濾該溶液，並利用液相層析法進行測定。將該測定值作為相位差薄膜之苯酚含量。 [原片薄膜及相位差薄膜之評價] (1)薄膜厚度、厚度不均
    使用尾崎製作所股份有限公司製造之製品名「PEACOCK」之接觸式厚度測定機進行測定。 (2)原片薄膜之熔融製膜性
    為評價熔融製膜性，於聚碳酸酯樹脂或聚碳酸酯樹脂組合物之熔融製膜時進行以下觀察、評價。
    ○：藉由目視觀察薄膜中有無異物、氣泡時無缺陷者。
    ×：藉由目視觀察薄膜中有無異物、氣泡時有缺陷者。 (3)相位差、雙折射
    針對將進行聚碳酸酯樹脂或聚碳酸酯樹脂組合物之熔融製膜、單軸延伸而獲得之薄膜依寬度4 cm、長度4 cm切割出之樣本，使用[Axometrics公司製造之製品名「AxoScan」]，於23℃之室內，測定波長450 nm之相位差R(450)及550 nm之相位差R(550)及波長650 nm之相位差R(650)。並且分別計算相位差R(450)與相位差R(550)之比，相位差R(650)與相位差R(550)之比。
    相位差除對延伸步驟後之相位差薄膜測定相位差R1(450)、相位差R1(550)及相位差R1(650)以外，測定將相位差薄膜於90℃下保持48小時後之相位差R2(450)、相位差R2(550)及相位差R2(650)。
    又，將上述相位差R1(550)除以上述進行單軸延伸而獲得之薄膜之厚度(t)，根據下述式求得於波長550 nm之雙折射。
    雙折射(△n1)=R1(550)/t (4)不均評價
    將實施例及比較例中獲得之相位差薄膜分別與偏光板(日東電工公司製造 商品名NPF TEG1465DUHC，除黏著劑層之厚度為112 μm)以相位差薄膜之慢軸與偏光片之吸收軸呈45℃之方式，介隔丙烯酸系黏著劑(20 μm)貼合，藉此製作圓偏光板。將該圓偏光板介隔相同之丙烯酸系黏著劑(厚度20 μm)貼合於有機EL面板(LG顯示器公司製造 商品名15EL9500)之視認側上而製成顯示面板裝置。再者，評價使用之有機EL面板係預先剝離表面上貼合之抗反射薄膜而使用。評價方法係以如下所示之方式進行。
    將製作之面板於90℃之恆溫烘箱中保管48小時(加熱試驗)後，以目視進行對不均之確認。
    ○：目視觀察下無法確認畫面上之不均，獲得銳利之黑色。
    △：雖然目視觀察下無法確認畫面上之不均，但黑色鮮銳性降低。
    ▲：雖然目視觀察下畫面之黑色鮮銳性未降低，但確認有不均。
    ×：目視觀察下確認畫面上之不均。 (5)玻璃轉移溫度(Tg)
    使用與上述高分子之玻璃轉移溫度相同之方法，測定原片薄膜及相位差薄膜之玻璃轉移溫度。
    於以下合成例中，使用以下之化合物。
    ．ISB：異山梨酯[Roquette Frères公司製造，商品名：POLYSORB]
    ．BHEPF：9,9-雙[4-(2-羥基乙氧基)苯基]茀[Osaka Gas Chemicals股份有限公司製造]
    ．PEG # 1000：聚乙二醇 數量平均分子量1000[三洋化成工業股份有限公司製造]
    ．PEG # 2000：聚乙二醇 數量平均分子量2000[三洋化成工業股份有限公司製造]
    ．DEG：二乙二醇[三菱化學股份有限公司製造]
    ．CHDM：1,4-環己烷二甲醇[新日本理化股份有限公司製造，商品名：SKY CHDM]
    ．SPG：螺二醇[三菱瓦斯化學股份有限公司製造]
    ．DPC：碳酸二苯酯[三菱化學股份有限公司製造] [合成例1]
    將異山梨酯(以下，有時簡記作「ISB」)445.1重量份、9,9-(4-(2-羥基乙氧基)苯基)茀(以下，有時簡記作「BHEPF」)906.2重量份、分子量1000之聚乙二醇(以下，有時簡記作『PEG#1000」)15.4重量份、碳酸二苯酯(以下，有時簡記作「DPC」)1120.4重量份及作為觸媒之碳酸銫(0.2重量%水溶液)6.27重量份分別放入反應器中，於氮氣環境下，作為反應之第1階段之步驟，將反應容器之加熱介質溫度設為150℃，一面根據需要而攪拌，一面使原料溶解(約15分鐘)。繼而，使反應容器內之壓力自常壓成為13.3 kPa，並一面利用1小時使反應容器之加熱介質溫度上升至190℃，一面將所產生之苯酚抽出反應容器外。
    於將反應容器內溫度於190℃保持15分鐘後，作為第2階段之步驟，將反應容器內之壓力設為6.67 kPa，利用15分鐘使反應容器之加熱介質溫度上升至230℃為止，並將產生之苯酚抽出反應容器外。由於攪拌機之攪拌扭矩會上升，故利用8分鐘升溫至250℃為止，進而為去除所產生之苯酚，將反應容器內之壓力減壓至200 Pa以下。達到既定之攪拌扭矩後結束反應，將生成之反應物於水中擠出後進行顆粒化，獲得BHEPF/ISB/PEG # 1000=40.3莫耳%/59.4莫耳%/0.3莫耳%之聚碳酸酯樹脂A。 [合成例2]
    於合成例1中，除將ISB設為489.7重量份，BHEPF設為856重量份，PEG # 1000設為16重量份，DPC設為1162.2重量份，將碳酸銫水溶液設為6.5重量份作為觸媒以外，以與合成例1相同之方式實施，獲得BHEPF/ISB/PEG # 1000=36.7莫耳%/63.0莫耳%/0.3莫耳%之聚碳酸酯樹脂B。 [合成例3]
    於合成例1中，除將ISB設為432重量份，BHEPF設為906.3重量份，PEG # 1000設為30.3重量份，DPC設為1104.1重量份，將碳酸銫水溶液設為6.2重量份作為觸媒以外，以與合成例1相同之方式實施，獲得BHEPF/ISB/PEG # 1000=40.9莫耳%/58.5莫耳%/0.6莫耳%之聚碳酸酯樹脂C。 [合成例4]
    於合成例1中，除將ISB設為444.7重量份，BHEPF設為906.8重量份，PEG # 2000設為15.4重量份，DPC設為1118.5重量份，將碳酸銫水溶液設為6.3重量份作為觸媒以外，以與合成例1相同之方式實施，獲得BHEPF/ISB/PEG # 2000=40.4莫耳%/59.45莫耳%/0.15莫耳%之聚碳酸酯樹脂D。 [合成例5]
    於合成例1中，除將ISB設為432.4重量份，BHEPF設為906.3重量份，PEG # 2000設為30.2重量份，DPC設為1101.4重量份，並將碳酸銫水溶液設為6.2重量份作為觸媒以外，以與合成例1相同之方式實施，獲得BHEPF/ISB/PEG # 2000=41.0莫耳%/58.7莫耳%/0.3莫耳%之聚碳酸酯樹脂E。 [合成例6]
    於合成例1中，除將ISB設為433.4重量份，BHEPF設為934.1重量份，DPC設為1113.5重量份，並將碳酸銫水溶液設為6.2重量份作為觸媒以外，以與合成例1相同之方式實施，獲得BHEPF/ISB=41.8莫耳%/58.2莫耳%之聚碳酸酯樹脂F。該聚碳酸酯樹脂之熔融黏度較高，利用熔融過濾去除樹脂中之異物等需要較長之時間而較為困難。 [合成例7]
    於合成例1中，除將ISB設為357.2重量份，BHEPF設為896.8重量份，二乙二醇(以下，有時簡記作「DEG」)設為103.9重量份，DPC設為1194.8重量份，將碳酸銫水溶液設為6.7重量份作為觸媒以外，以與合成例1同樣之方式實施，獲得BHEPF/ISB/DEG=37.4莫耳%/44.7莫耳%/17.9莫耳%之聚碳酸酯樹脂G。 [合成例8]
    於合成例1中，除將ISB設為390.9重量份，BHEPF設為920.5重量份，PEG # 1000設為62.9重量份，DPC設為1056.8重量份，並將碳酸銫水溶液設為5.9重量份作為觸媒以外，以與合成例1同樣之方式實施，獲得BHEPF/ISB/PEG # 1000=43.4莫耳%/55.3莫耳%/1.3莫耳%之聚碳酸酯樹脂H。 [合成例9]
    將ISB 397.3重量份、BHEPF 960.1重量份、PEG # 1000 14.6重量份、DPC 1065.1重量份、作為觸媒之乙酸鎂四水合物8.45×10-3重量份分別放入反應器中，於氮氣環境下，作為反應之第1階段之步驟，將反應容器之加熱介質溫度設為150℃，一面根據需要而攪拌，一面使原料溶解(約15分鐘)。繼而，使反應器內溫上升至220℃，於達到220℃之同時，利用90分鐘將壓力自常壓減壓至13.3 kPa。其間，使內溫保持於220℃。將產生之苯酚抽出反應容器外。作為第2階段之步驟，於達到13.3 kPa後，利用15分鐘使內溫上升至240℃。其間，使壓力保持為13.3 kPa。於內溫達到240℃後，利用15分鐘將壓力自13.3 kPa減壓至200 Pa以下。於達到既定之攪拌扭矩後，結束反應，將生成之反應物於水中擠出後，進行顆粒化，獲得BHEPF/ISB/PEG # 1000=44.5莫耳%/55.2莫耳%/0.3莫耳%之聚碳酸酯樹脂I。 [合成例10]
    除將ISB設為267.4重量份，BHEPF設為571.1重量份，DEG設為64.3重量份，DPC設為808.7重量份，並將乙酸鎂四水合物設為8.02×10-3重量份作為觸媒以外，以與合成例9相同之方式進行，獲得BHEPF/ISB/DEG=34.8莫耳%/49.0莫耳%/16.2莫耳%之聚碳酸酯樹脂J。 [合成例11]
    除將ISB設為288.1重量份，BHEPF設為604.2重量份，CHDM設為17.5重量份，DPC設為750.9重量份，並將乙酸鎂四水合物設為2.23×10-2重量份作為觸媒以外，以與合成例9相同之方式進行，獲得BHEPF/ISB/CHDM=39.7莫耳%/56.8莫耳%/3.5莫耳%之聚碳酸酯樹脂K。 [合成例12]
    將BHEPF 505.0重量份、SPG 428.4重量份、DPC 559.2重量份、乙酸鈣一水合物9.02×10-2重量份分別放入反應器中，充分進行氮氣置換(氧濃度0.0005~0.001 vol%)。繼而利用加熱介質進行加溫，於內溫成為100℃之時間點開始攪拌。於升溫開始後利用40分鐘使內溫成為220℃，於內溫達到220℃之時間點，以保持該溫度之方式進行控制，同時開始減壓，自達到220℃起利用90分鐘設為13.3 kPa(絕對壓力，以下相同)，一面保持該壓力，一面進而保持30分鐘。將隨聚合反應副產之苯酚蒸氣導入100℃之回流冷卻器中，將苯酚蒸氣中含有若干量之單體成分送回聚合反應器中，將未冷凝之苯酚蒸氣繼而導入45℃之冷凝器中回收。
    使以此種方式寡聚物化之內容物暫時恢復壓力至大氣壓為止後，移至具備攪拌葉及控制為100℃之回流冷卻器之其他聚合反應裝置中，開始升溫及減壓，利用50分鐘設為內溫260℃、壓力200 Pa。其後，利用20分鐘設為壓力133 Pa以下，於達到既定攪拌動力之時間點恢復壓力，於欲以股線之形態抽出內容物(聚碳酸酯樹脂L)時，產生凝膠化，僅抽出內容物之一部分。
    將合成例1~12獲得之聚碳酸酯樹脂A-L之特性之評價結果表示於表1中。
    [實施例1]
    將合成例1所獲得之聚碳酸酯樹脂A於80℃下真空乾燥5小時後，使用具備單軸擠出機(五十鈴化工機公司製造，螺旋徑25 mm，料缸設定溫度：220℃)、T字模(寬度200 mm，設定溫度：220℃)、冷卻輥(設定溫度：120~130℃)及捲取機之薄膜製膜裝置，製作厚度100 μm之原片薄膜。自該原片薄膜切割出寬度為6 cm、長度為6 cm之試樣，測定厚度不均。對於該試樣，使用批量式雙軸延伸裝置(東洋精機公司製造)，一面將延伸溫度調節為127~177℃，一面以R1(550)成為130±20 nm之方式，以720 mm/分鐘(變形速度1200%/分鐘)之延伸速度，進行1×2.0倍之單軸延伸而獲得相位差薄膜。此時，相對於延伸方向之垂直方向係以保持之狀態(延伸倍率1.0)進行延伸。
    對所獲得之相位差薄膜進行評價，將結果表示於表2中。 [實施例2]
    除使用合成例2所獲得之聚碳酸酯樹脂B以外，以與實施例1相同之方式進行而獲得相位差薄膜。
    對所獲得之相位差薄膜進行評價，將結果表示於表2中。 [實施例3]
    除使用合成例3所獲得之聚碳酸酯樹脂C以外，以與實施例1相同之方式進行而獲得相位差薄膜。
    對所獲得之相位差薄膜進行評價，將結果表示於表2中。 [實施例4]
    除使用合成例4所獲得之聚碳酸酯樹脂D以外，以與實施例1相同之方式進行而獲得相位差薄膜，
    對所獲得之相位差薄膜進行評價，將結果表示於表2中。 [實施例5]
    除使用合成例5所獲得之聚碳酸酯樹脂E以外，以與實施例1相同之方式進行而獲得相位差薄膜。
    對所獲得之相位差薄膜進行評價，將結果表示於表2中。 [實施例6]
    將合成例7所獲得之聚碳酸酯樹脂G 99.5重量份及碳二醯亞胺化合物(日清紡績公司製造，商品名：Carbodilite LA-1)0.5重量份，使用日本製鋼公司製造之雙軸擠出機(TEX30HSS-32)，以230℃之樹脂溫度擠出，利用水冷卻固化後，藉由旋轉式切割機顆粒化。
    將所獲得之顆粒以與實施例1相同之方式乾燥後，藉由相同之方法進行製膜、延伸而獲得相位差薄膜。
    對所獲得之相位差薄膜進行評價，將結果表示於表2中。 [實施例7]
    除使用合成例6所獲得之聚碳酸酯樹脂F以外，以與實施例1相同之方式進行而獲得相位差薄膜。
    對所獲得之相位差薄膜進行評價，將結果表示於表2中。 [實施例8]
    將合成例9所獲得之聚碳酸酯樹脂I於80℃下真空乾燥5小時後，使用具備單軸擠出機(五十鈴化工機公司製造，螺旋徑25 mm，料缸設定溫度：220℃)、T字模(寬度200 mm，設定溫度：220℃)、冷卻輥(設定溫度：120~130℃)及捲取機之薄膜製膜裝置，製作厚度95 μm之原片薄膜。自該原片薄膜切割出寬度為12 cm、長度為12 cm之試樣，測定厚度不均。將該試樣於100℃下真空乾燥3天，去除原片薄膜中所含有之苯酚等揮發成分。將以此種方式處理之試樣，使用批量式雙軸延伸裝置(Bruckner公司製造)，一面將延伸溫度調節為127~177℃，一面以R1(550)成為130±20 nm之方式，以360 mm/分鐘(變形速度300%/分鐘)之延伸速度進行1×2.0倍之單軸延伸而獲得相位差薄膜。此時相對於延伸方向之垂直方向係不保持地進行延伸。
    對所獲得之相位差薄膜進行評價，將結果表示於表2中。 [實施例9]
    將合成例9所獲得之聚碳酸酯樹脂I 99重量份及聚苯乙烯樹脂(PS Japan公司製造，商品名：G9504)1重量份，使用具有2個通口之日本製鋼公司製造之雙軸擠出機(TEX30HSS-32)，一面使用真空泵自通口進行脫揮發，一面以230℃之樹脂溫度擠出，利用水冷卻固化後，藉由旋轉式切割機顆粒化。
    將所獲得之顆粒以與實施例8相同之方式乾燥後，利用相同之方法製膜，利用真空處理去除苯酚等並進行延伸而獲得相位差薄膜。對所獲得之相位差薄膜進行評價，將結果表示於表2中。 [實施例10]
    將合成例9所獲得之聚碳酸酯樹脂I 99重量份及以雙酚A為二羥基化合物成分之聚碳酸酯(三菱化學公司製造，商品名：NOVAREX 7022J)1重量份，使用具有2個通口之日本製鋼公司製造之雙軸擠出機(TEX30HSS-32)，一面使用真空泵自通口進行脫揮發，一面以230℃之樹脂溫度擠出，利用水冷卻固化後，藉由旋轉式切割機顆粒化。
    將所獲得之顆粒以與實施例8相同之方式乾燥後，利用相同之方法製膜，利用真空處理去除苯酚等並進行延伸而獲得相位差薄膜。
    對所獲得之相位差薄膜進行評價，將結果表示於表2中。 [實施例11]
    將合成例9所獲得之聚碳酸酯樹脂I 99重量份及以1,4-丁二醇、對苯二甲酸、聚四亞甲基乙二醇為構成成分之聚酯系彈性體(三菱化學股份有限公司製造，商品名：PRIMALLOY CP300H)1重量份，使用具有2個通口之日本製鋼公司製造之雙軸擠出機(TEX30HSS-32)，一面使用真空泵自通口進行脫揮發，一面以230℃之樹脂溫度擠出，利用水冷卻固化後，藉由旋轉式切割機顆粒化。
    將所獲得之顆粒以與實施例8相同之方式乾燥後，利用相同之方法製膜，利用真空處理去除苯酚等並進行延伸而獲得相位差薄膜。
    對所獲得之相位差薄膜進行評價，將結果表示於表3中。 [實施例12]
    將合成例9所獲得之聚碳酸酯樹脂I 99重量份及聚酯系彈性體(EASTMAN Chemical公司製造，商品名：ECDEL9966)1重量份，使用具有2個通口之日本製鋼公司製造之雙軸擠出機(TEX30HSS-32)，一面使用真空泵自通口進行脫揮發，一面以230℃之樹脂溫度擠出，利用水冷卻固化後，藉由旋轉式切割機顆粒化。
    將所獲得之顆粒以與實施例8相同之方式乾燥後，利用相同之方法製膜，利用真空處理去除苯酚等並進行延伸而獲得相位差薄膜。
    對所獲得之相位差薄膜進行評價，將結果表示於表3中。 [實施例13]
    除使用合成例10所獲得之聚碳酸酯樹脂J代替聚碳酸酯樹脂I，獲得厚度103 μm之擠出薄膜以外，以與實施例8相同之方式進行而獲得相位差薄膜。對所獲得之相位差薄膜進行評價，將結果表示於表3中。 [實施例14]
    除使用合成例11所獲得之聚碳酸酯樹脂K代替聚碳酸酯樹脂I以外，以與實施例8相同之方式進行而獲得相位差薄膜。對所獲得之相位差薄膜進行評價，將結果表示於表3中。 [實施例15]
    除使用合成例10所獲得之聚碳酸酯樹脂J，而未進行原片薄膜之藉由真空處理之苯酚去除以外，以與實施例14相同之方式進行而獲得相位差薄膜。對所獲得之相位差薄膜進行評價，將結果表示於表3中。 [實施例16]
    除使用合成例8所獲得之聚碳酸酯樹脂H，獲得厚度92 μm之原片薄膜以外，以與實施例8相同之方式進行而獲得相位差薄膜。對所獲得之相位差薄膜進行熱處理溫度100℃、熱處理時間1分鐘之熱處理。對所獲得之熱處理後之相位差薄膜進行評價，並將結果表示於表3中。 [比較例1]
    除使用合成例7所獲得之聚碳酸酯樹脂G代替聚碳酸酯樹脂A以外，以與實施例1相同之方式進行而獲得相位差薄膜。
    對所獲得之相位差薄膜進行評價，將結果表示於表3中。 [比較例2]
    除使用合成例8所獲得之聚碳酸酯樹脂H代替聚碳酸酯樹脂A以外，以與實施例1相同之方式進行而獲得相位差薄膜。
    對所獲得之相位差薄膜進行評價，將結果表示於表3中。 [比較例3]
    將合成例10所獲得之聚碳酸酯樹脂J溶解於二氯甲烷中而製作15重量%溶液。於不鏽鋼製之板上，使用帶測微計之薄膜塗佈器(TESTER產業公司製造SA-204)進行製膜。連同不鏽鋼板放入熱風乾燥器中，於40℃下乾燥10分鐘，其後於80℃下乾燥20分鐘。自不鏽鋼製之板剝下薄膜而獲得鑄膜薄膜。
    將該鑄膜薄膜於批量式雙軸延伸裝置(Bruckner公司製造)中，一面將延伸溫度調節為127~177℃，一面以R1(550)成為130±20 nm之方式，以360 mm/分鐘(變形速度300%/分鐘)之延伸速度進行1×2.0倍之單軸延伸而獲得相位差薄膜。此時相對於延伸方向之垂直方向係不保持地進行延伸。
    對所獲得之相位差薄膜進行評價，將結果表示於表3中。
    該製品之殘留二氯甲烷與苯酚較多，熱處理後之波長分散性之變化較大，並可見不均或黑色銳利性之降低。

    根據表2、表3，可知本發明所規定之相位差薄膜即便於高溫條件下長期使用，相位差之變動亦較小，對溫度之穩定性優異，影像無不均且可獲得銳利之黑色。
    以上係詳細且參照特定之實施形態說明本發明，但從業者明確可不違背本發明之精神及範圍地施加各種變更或修正。本申請案係基於2011年9月14日提出申請之日本專利申請案(日本專利特願2011-200766)及2012年8月1日提出申請之日本專利申請案(日本專利特願2012-171499)者，其內容係作為參照寫入於此。
    权利要求:
    Claims (13)
    [1] 一種相位差薄膜，其滿足下述式(A)及(B)之關係，式(A)：0.7<R1(450)/R1(550)<1 式(B)：|R2(450)/R2(550)-R1(450)/R1(550)|<0.020(其中，上述R1(450)及R1(550)分別表示於波長450 nm及550 nm之薄膜面內之相位差值，上述R2(450)及R2(550)分別表示於90℃之溫度下放置48小時後於波長450 nm及550 nm之薄膜面內之相位差值)。
    [2] 如申請專利範圍第1項之相位差薄膜，其中，滿足下述式(C)及(D)之關係，式(C)：1<R1(650)/R1(550)<1.2 式(D)：|R2(650)/R2(550)-R1(650)/R1(550)|<0.010(其中，上述R1(650)表示於波長650 nm之薄膜面內之相位差值，上述R2(650)表示於90℃之溫度下放置48小時後於波長650 nm之薄膜面內之相位差值)。
    [3] 如申請專利範圍第1或2項之相位差薄膜，其係形成包含吸收端未滿260 nm且具有正折射率異向性之構造單位(a)、及吸收端為260~380 nm且具有負折射率異向性之構造單位(b)的高分子而獲得之相位差薄膜。
    [4] 如申請專利範圍第3項之相位差薄膜，其中，上述高分子為聚碳酸酯樹脂及/或聚酯碳酸酯樹脂。
    [5] 如申請專利範圍第4項之相位差薄膜，其中，上述高分子為聚碳酸酯樹脂，上述構造單位(b)係源自下述式(1)所表示之二羥基化合物之構造單位，上述構造單位(a)係源自下述式(2)所表示之二羥基化合物之構造單位，源自選自由下述式(3)所表示之二羥基化合物、下述式(4)所表示之二羥基化合物、下述式(5)所表示之二羥基化合物及下述式(6)所表示之二羥基化合物所組成之群中的一種以上二羥基化合物之構造單位， (於上述式(1)中，R1~R4分別獨立地表示氫原子、經取代或未經取代之碳數1~碳數20之烷基、經取代或未經取代之碳數6~碳數20之環烷基、或經取代或未經取代之碳數6~碳數20之芳基，作為各苯環上之4個取代基之各自，係配置有相同或不同之基；X1及X2分別獨立地表示經取代或未經取代之碳數2~碳數10之伸烷基、經取代或未經取代之碳數6~碳數20之伸環烷基、或經取代或未經取代之碳數6~碳數20之伸芳基；m及n分別獨立為0~5之整數；)[化2] HO-R5-OH (3)(於上述式(3)中，R5表示經取代或未經取代之碳數4~碳數20之伸環烷基；)HO-CH2-R6-CH2-OH (4)(於上述式(4)中，R6表示經取代或未經取代之碳數4~碳數20之伸環烷基；)H-(O-R7)p-OH (5)(於上述式(5)中，R7表示經取代或未經取代之碳數2~碳數10之伸烷基，p為2~50之整數；)HO-R8-OH (6)(於上述式(6)中，R8表示經取代或未經取代之碳數2~碳數20之伸烷基、或下述式(6A)所示之基；)
    [6] 如申請專利範圍第5項之相位差薄膜，其中，於上述高分子中，源自具有縮醛構造之二羥基化合物之構造單位，相對於源自所有二羥基化合物之構造單位為10莫耳%以下。
    [7] 如申請專利範圍第5或6項之相位差薄膜，其中，上述構造單位(b)係源自上述式(1)所表示之二羥基化合物之構造單位，上述構造單位(a)係源自上述式(2)所表示之二羥基化合物之構造單位、及源自上述式(5)所表示之二羥基化合物之構造單位。
    [8] 如申請專利範圍第1至7項中任一項之相位差薄膜，其係單層之薄膜。
    [9] 如申請專利範圍第3至8項中任一項之相位差薄膜，其中，上述高分子之光彈性係數為45×10-12 Pa-1以下。
    [10] 如申請專利範圍第1至9項中任一項之相位差薄膜，其中，玻璃轉移溫度為110℃以上且150℃以下。
    [11] 一種圓偏光板，其係由申請專利範圍第1至10項中任一項之相位差薄膜及偏光板積層而構成者。
    [12] 一種影像顯示裝置，其包含申請專利範圍第11項之圓偏光板。
    [13] 如申請專利範圍第12項之影像顯示裝置，其中，上述影像顯示裝置係使用有機EL者。
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    法律状态:
    优先权:
    申请号 | 申请日 | 专利标题
    JP2011200766||2011-09-14||
    JP2012171499A|JP2013076982A|2011-09-14|2012-08-01|位相差フィルム、並びにこれを用いた円偏光板及び画像表示装置|
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