台湾专利TW201321744A 高適應性熱特性量測系統及其方法

专利PDF首页>>台湾专利

专利附录

专利说明

权利要求

类似技术

同族专利

引用文献

法律状态

优先权

专利摘要:
本發明係關於一種無需實際點亮一待測元件，即可量測出待測元件之各種熱特性量測系統及其量測方法。此量測系統包括：一光源單元、一光源調制模組、一夾持單元、一熱反射單元、一熱影像擷取單元及一控制及運算單元。其中，光源單元提供之光源係先被光源調制模組調制其強度分佈，再照射於待測元件上，使得待測元件被以一特定模式加熱而模擬出其在持續運作狀態下的溫度分佈。此外，控制及運算單元依據熱影像擷取單元所擷取之待測元件的頂表面熱影像及底表面熱影像，運算出各個熱特性數值。
公开号:TW201321744A
申请号:TW101122040
申请日:2012-06-20
公开日:2013-06-01
发明作者:de-yuan Zhong
申请人:Univ Nat Central；
IPC主号:G01R31-00

专利说明:
高適應性熱特性量測系統及其方法
本發明係關於一種高適應性熱特性量測系統及其方法，尤指一種能在無需實際點亮一待測元件或施加任何電源至一待測元件的情況下，迅速量測出一待測元件所具有之各種熱特性數值的高適應性熱特性量測系統及其方法。
請參閱圖1，其係習知之熱特性量測系統的示意圖。其中，習知之待測元件熱特性量測系統係包括：一恆溫控制單元11、一即時訊號擷取單元12、一資料處理單元13以及一光輸出功率擷取器14，以量測一待測元件15之各種熱特性數值。此外，待測元件15(如一發光二極體單元)係被放置於光輸出功率擷取器14內，且光輸出功率擷取器14係與恆溫控制單元11耦合，以維持待測元件15之外殼溫度(Tc)在熱特性量測過程中的恆定。另一方面，為了同步擷取出待測元件15之順向壓降、外殼溫度與光輸出功率，前述之即時訊號擷取單元12包括：一電壓擷取器121、一溫度擷取器122及一同步器123。
然而，當習知之熱特性量測系統進行量測時，待測元件15需被施加一驅動電壓，以藉由實際點亮待測元件(如一發光二極體單元)的方式，讓待測元件15處於持續運作的狀態。此時，在同步擷取出待測元件15在不同外殼溫度的情況下，其順向壓降與光輸出功率的數值。所以，習知之熱特性量測系統不僅需耗費電源在驅動待測元件發光上，且會造成此待測元件之相關電路的劣化，造成此被量測之待測元件的使用壽命折損，而無法在量測完畢之後出貨給客戶。
因此，業界需要一種在無需實際點亮一待測元件或施加任何電源至一待測元件的情況下，迅速量測出一待測元件所具有之各種熱特性數值的高適應性熱特性量測系統及其方法。
本發明之主要目的係在提供一種高適應性熱特性量測系統，俾能在無需實際點亮一待測元件或施加任何電源至一待測元件的情況下，迅速量測出一待測元件所具有之各種熱特性數值。
本發明之另一目的係在提供一種高適應性熱特性量測方法，俾能在無需實際點亮一待測元件或施加任何電源至一待測元件的情況下，迅速量測出一待測元件所具有之各種熱特性數值。
為達成上述目的，本發明之高適應性熱特性量測系統，係用於量測出一待測元件所具有之複數個熱特性數值，且此待測元件包含一頂表面及一底表面，包括：一光源單元，係用於提供一光源；一光源調制模組，係用於對此光源之強度分佈進行調制；一夾持單元，係用於夾持此待測元件；一熱反射單元，係朝向此待測元件設置；一熱影像擷取單元，係用於擷取此待測元件之一頂表面熱影像及一底表面熱影像；以及一控制及運算單元，係分別與此光源單元及此熱影像擷取單元耦合；其中，此光源係自此光源單元發射出，通過此光源調制模組而照射於此待測元件上，以加熱此待測元件，此熱反射單元則將此頂表面熱影像成像於一成像位置；此熱影像擷取單元於此成像位置擷取此頂表面熱影像，且擷取此底表面熱影像，此控制及運算單元則依據此頂表面熱影像及此底表面熱影像運算出此待測元件所具有之此等熱特性數值。
為達成上述目的，本發明之高適應性熱特性量測系統，係用於量測出一待測元件所具有之複數個熱特性數值，且此待測元件包含一頂表面及一底表面，包括：一光源單元，係用於提供一光源；一光源調制模組，係用於對此光源之強度分佈進行調制；一夾持單元，係用於夾持此待測元件；一第一熱影像擷取單元，係朝向此待測元件設置，以擷取此待測元件之一底表面熱影像；一第二熱影像擷取單元，係設置於此夾持單元之相對於此第一熱影像擷取單元的另一側，以擷取此待測元件之一頂表面熱影像；以及一控制及運算單元，係分別與此光源單元、此第一熱影像擷取單元及此第二熱影像擷取單元耦合；其中，此光源係自此光源單元發射出，通過此光源調制模組而照射於此待測元件上，以加熱此待測元件，此控制及運算單元係依據此頂表面熱影像及此底表面熱影像運算出此待測元件所具有之此等熱特性數值。
為達成上述目的，本發明之一種高適應性熱特性量測方法，係用於量測出一待測元件所具有之複數個熱特性數值，且此待測元件包含一頂表面及一底表面，包括下列步驟：提供一高適應性熱特性量測系統，係包含一光源單元、一光源調制模組、一夾持單元、一熱反射單元、一熱影像擷取單元以及一控制及運算單元，且此控制及運算單元係分別與此光源單元及此熱影像擷取單元耦合；將此待測元件夾持於此夾持單元上；控制此光源單元發射出一光源，此光源通過此光源調制模組而照射於此待測元件上，以加熱此待測元件；控制此熱影像擷取單元擷取此待測元件之一頂表面熱影像及一底表面熱影像，且此熱反射單元係將此頂表面熱影像成像於一成像位置，此熱影像擷取單元於此成像位置擷取此頂表面熱影像，且擷取此底表面熱影像；以及依據此頂表面熱影像及此底表面熱影像運算出此待測元件所具有之此等熱特性數值；其中，在此高適應性熱特性量測系統中，此光源調制模組係用於對此光源之強度分佈進行調制，且此熱反射單元係朝向此待測元件設置。
因此，由於本發明之高適應性熱特性量測系統係藉由將一經過調制而具有特定強度分佈之光源照射至待測元件的方式加熱待測元件，以模擬出待測元件在持續運作狀態下的溫度分佈，且透過熱影像擷取單元擷取待測元件之頂表面熱影像及底表面熱影像，故本發明之熱特性量測系統並無需實際點亮待測元件，亦不用施加任何電源至待測元件(如習知之熱特性量測系統所採用之量測方式)，便可迅速量測出一待測元件所具有之各種熱特性數值，如熱阻、熱容量及熱擴散參數等。
另一方面，由於本發明之高適應性熱特性量測方法係首先提供本發明之高適應性熱特性量測系統，再應用本發明之高適應性熱特性量測系統量測一待測元件所具有之各種熱特性數值。因此，本發明之高適應性熱特性量測方法並無需實際點亮待測元件，亦不用施加任何電源至待測元件(如習知之熱特性量測系統所採用之量測方式)，便可迅速量測出一待測元件所具有之各種熱特性數值，如熱阻、熱容量及熱擴散參數等。
請參閱圖2A，其係本發明第一實施例之高適應性熱特性量測系統的示意圖。其中，本發明第一實施例之高適應性熱特性量測系統係包括一光源單元21、一光源調制模組22、一夾持單元23、一熱反射單元24、一熱影像擷取單元25以及一控制及運算單元26。此外，本發明第一實施例之熱特性量測系統係用於量測出一待測元件27所具有之複數個熱特性數值，且待測元件27包含一頂表面271及一底表面272。另一方面，控制及運算單元26係分別與光源單元21及熱影像擷取單元25耦合，以控制光源單元21及熱影像擷取單元25於量測過程中的運作。
在本實施例中，待測元件27可包含但不限定為：一發光二極體模組(LED module)、一發光二極體模組次級基板(sub-mount)、一中央處理單元(CPU)、一雷射二極體(laser diode)、一雷射二極體次級基板、一功率晶體、一太陽能晶片(solar cell chip)、一太陽能板、一散熱鰭片或其它需量測熱特性之物體。此外，光源單元21係為一高功率雷射，如一可提供波長例如但不限定為976 nm之高功率雷射。另一方面，此高功率雷射之輸出功率僅需能造成待測之待測元件產生可量測之溫度變化即可，而未有其他任何限制。除此之外，此高功率雷射之輸出可為連續波輸出(CW,continuous wave)或是脈衝輸出(pulse)，僅需能造成待測之待測元件產生可量測之溫度變化即可。
在本實施例中，光源單元21係用於提供一光源211。此外，光源調制模組22係用於對光源211之強度分佈進行調制，如空間上的調制(spatial modulation)或時間上的調制(temporal modulation)。而如圖2A所示，光源調制模組22係包含一第一光源調制單元221及一第二光源調制單元222，且光源211係先通過第一光源調制單元221，再通過第二光源調制單元222。
另一方面，在本實施例中，第一光源調制單元221係為一光圈(aperture)，如一矩形光圈(square aperture)，第二光源調制單元222則為一振鏡掃描器(galvo scanner)，且與控制及運算單元26耦合，以接受控制及運算單元26的控制，以將光源211反射至待測元件27的各位置上。所以，在本實施例之熱特性量測系統中，光源調制模組22係對光源211之強度的「空間分佈」進行調制。
此外，在本實施例之熱特性量測系統中，夾持單元23係用於夾持待測元件27，且夾持單元23係夾持於待測元件27之異於頂表面271及底表面272的表面，如側邊表面。在本實施例中，夾持單元23係以一般光學機械元件組合構成，且為了避免影響待測元件27之熱相關行為，如散熱行為，夾持單元23與待測元件27相接觸的部分係以具有「絕熱功能」的材質構成，如隔熱泡棉，以避免待測元件27之熱能從夾持單元23流散至外界。另一方面，熱影像擷取單元25係用於擷取待測元件27之一頂表面熱影像及一底表面熱影像，分別如圖2B及圖2C所示。
而如圖2A所示，熱反射單元24係朝向待測元件27設置，以將待測元件27的頂表面熱影像成像於一成像位置241。在本實施例中，熱反射單元24係為一凹面鏡，且此凹面鏡於一反射面鍍有一熱反射膜層242。其中，熱反射膜層242之材質較佳為金或銀，以有效地將待測元件27之頂表面熱影像成像於一成像位置241。如此，熱影像擷取單元25便於成像位置241擷取待測元件27之頂表面熱影像(如圖2B所示)，且同步擷取待測元件27之底表面熱影像(如圖2C所示)。在本實施例中，熱影像擷取單元25係為一熱像儀(thermal camera)、一中紅外線偵測器(MWIR detector,mid-wavelength infrared detector)或一遠紅外線偵測器(LWIR detector,long-wavelength infrared detector)，以擷取待測元件27之頂表面熱影像及底表面熱影像，分別如圖2B及圖2C所示。
當本發明第一實施例之熱特性量測系統運作時，待測之待測元件27係被夾持單元23夾持。接著，控制及運算單元26便控制光源單元21發射出光源211(如前述之高功率雷射)，而光源211便通過作為第一光源調制單元221之光圈，以及作為第二光源調制單元222之振鏡掃描器，而照射於待測元件27。此時，振鏡掃描器接受控制及運算單元26的控制，以將光源211以一事先設定之模式反射至待測元件27之頂表面上的各位置上，如一發光二極體模組次級基板複數個發光二極體模組的位置。意即，光源211係於待測元件27上以一特定模式進行掃瞄(如逐行掃瞄)，使得待測元件27(如發光二極體模組次級基板)可依據一事先設定的加熱模式而被加熱，以模擬待測元件27在持續運作狀態下的溫度分佈，例如一發光二極體模組次級基板之複數個發光二極體模組持續運作一段時間後的狀態。
而當待測元件27之溫度分佈符合一事先預定之溫度分佈後，如前述之複數個發光二極體模組之溫度達到一特定溫度值後，控制及運算單元26便依據熱影像擷取單元25所擷取之待測元件27的頂表面熱影像及底表面熱影像，運算出待測元件27所具有之複數個熱特性數值，例如但不限定為，熱阻(thermal resistance)、熱容量(heat capacity)及熱擴散參數(thermal diffusivity)。而由於這些熱特性數值的運算方式均已廣為本案所屬技術領域之人員所熟悉，故在此便不再贅述。
另一方面，在本實施例之熱特性量測系統中，控制及運算單元26係為一電腦，且此電腦具有一顯示單元261。此外，控制及運算單元26係依據前述之頂表面熱影像(如圖2B所示)所對應之待測元件27之頂表面溫度分佈，以及底表面熱影像(如圖2C所示)所對應之待測元件27之底表面溫度分佈，運算出待測元件27所具有之複數個熱特性數值，如前述之熱阻、熱容量及熱擴散參數。此時，顯示單元261便用於顯示前述之頂表面熱影像、底表面熱影像及這些熱特性數值。
因此，由於本發明第一實施例之熱特性量測系統係藉由將一經過調制而具有特定強度分佈之光源照射至待測元件的方式加熱待測元件，以模擬出待測元件在持續運作狀態下的溫度分佈，且透過熱影像擷取單元擷取待測元件之頂表面熱影像及底表面熱影像，故本發明第一實施例之熱特性量測系統並無需實際點亮待測元件，亦不用施加任何電源至待測元件(如習知之熱特性量測系統所採用之量測方式)，便可迅速量測出一待測元件所具有之各種熱特性數值，如熱阻、熱容量及熱擴散參數等。
請參閱圖3，其係本發明第二實施例之熱特性量測系統的示意圖。其中，本發明第二實施例之熱特性量測系統係包括一光源單元31、一光源調制模組32、一夾持單元33、一熱反射單元34、一熱影像擷取單元35以及一控制及運算單元36。此外，本發明第二實施例之熱特性量測系統係用於量測出一待測元件37所具有之複數個熱特性數值，且待測元件37包含一頂表面371及一底表面372。另一方面，控制及運算單元36係分別與光源單元31及熱影像擷取單元35耦合，以控制光源單元31及熱影像擷取單元35於熱特性數值量測過程中的運作。
在本實施例中，待測元件37可包含但不限定為：一發光二極體模組、一發光二極體模組次級基板、一中央處理單元、一雷射二極體、一雷射二極體次級基板、一功率晶體、一太陽能晶片、一太陽能板、一散熱鰭片或其它需量測熱特性之物體。此外，光源單元31係為一高功率雷射，如一可提供波長例如但不限定為976 nm之高功率雷射。另一方面，此高功率雷射之輸出功率僅需能造成待測之待測元件產生可量測之溫度變化即可，而未有其他任何限制。除此之外，此高功率雷射之輸出可為連續波輸出或是脈衝輸出，僅需能造成待測之待測元件產生可量測之溫度變化即可。
在本實施例中，光源單元31係用於提供一光源311，光源調制模組32則用於對光源311之強度分佈進行調制。此外，光源調制模組32係包含一第一光源調制單元321及一第二光源調制單元322，且光源311係先通過第一光源調制單元321，再通過第二光源調制單元322。其中，第一光源調制單元321係為一光圈，第二光源調制單元322則為一成像透鏡組。另一方面，夾持單元33係用於夾持待測元件37，且夾持單元33係夾持於待測元件37之異於頂表面371及底表面372的表面，如側邊表面。在本實施例中，夾持單元33係以一般光學機械元件組合構成，且為了避免影響待測元件37之熱相關行為，如散熱行為，夾持單元33與待測元件37相接觸的部分係以具有「絕熱功能」的材質構成，如隔熱泡棉，以避免待測元件37之熱能從夾持單元33流散至外界。另一方面，熱影像擷取單元35則用於擷取待測元件37之一頂表面熱影像及一底表面熱影像。
除此之外，熱反射單元34係朝向待測元件37設置，以將待測元件37的頂表面熱影像成像於一成像位置341。在本實施例中，熱反射單元34係為一凹面鏡，且其於一反射面鍍有一熱反射膜層342。在本實施例中，熱反射膜層342之材質較佳為金或銀，以有效地將待測元件37之頂表面熱影像成像於一成像位置341。
而如圖3所示，熱影像擷取單元35便於成像位置341擷取待測元件37之頂表面熱影像，且擷取待測元件37之底表面熱影像。在本實施例中，熱影像擷取單元25係為一熱像儀、一中紅外線偵測器或一遠紅外線偵測器。最後，控制及運算單元36便依據熱影像擷取單元35所擷取之待測元件37的頂表面熱影像及底表面熱影像，運算出待測元件37所具有之複數個熱特性數值，例如但不限定為，熱阻、熱容量及熱擴散參數。
然而，由於與本發明第一實施例之熱特性量測系統相比，本發明第二實施例之熱特性量測系統所具有的不同之處係包含：(a)第二光源調制單元322係為一成像透鏡組，例如但不限定為一凸透鏡，而非一振鏡掃描器；以及(b)待測元件37之頂表面371及底表面372分別鍍有一頂石墨層373及一底石墨層374，以使待測元件37之頂表面熱影像及底表面熱影像更加清晰。
所以，本發明第二實施例之熱特性量測系統之運作方式，事實上仍與本發明第一實施例之熱特性量測系統之運作方式相同。為此，關於本發明第二實施例之熱特性量測系統之運作的詳細敘述，在此便不再贅述。
因此，由於本發明第二實施例之熱特性量測系統係藉由將一經過調制而具有特定強度分佈之光源照射至待測元件的方式加熱待測元件，以模擬出待測元件在持續運作狀態下的溫度分佈，且透過熱影像擷取單元擷取待測元件之頂表面熱影像及底表面熱影像，故本發明第二實施例之熱特性量測系統並無需實際點亮待測元件，亦不用施加任何電源至待測元件(如習知之熱特性量測系統所採用之量測方式)，便可迅速量測出一待測元件所具有之各種熱特性數值，如熱阻、熱容量及熱擴散參數等。
請參閱圖4，其係本發明第三實施例之熱特性量測系統的示意圖。其中，本發明第三實施例之熱特性量測系統係包括一光源單元41、一光源調制模組42、一夾持單元43、一熱反射單元44、一熱影像擷取單元45以及一控制及運算單元46。此外，本發明第三實施例之熱特性量測系統係用於量測出一待測元件47所具有之複數個熱特性數值，且待測元件47包含一頂表面471及一底表面472。另一方面，控制及運算單元46係分別與光源單元41及熱影像擷取單元45耦合，以控制光源單元41及熱影像擷取單元45於熱特性數值量測過程中的運作。
在本實施例中，待測元件47可包含但不限定為：一發光二極體模組、一發光二極體模組次級基板、一中央處理單元、一雷射二極體、一雷射二極體次級基板、一功率晶體、一太陽能晶片、一太陽能板、一散熱鰭片或其它需量測熱特性之物體。另一方面，光源單元41係為一高功率雷射，如一可提供波長例如但不限定為976 nm之高功率雷射。此外，此高功率雷射之輸出功率僅需能造成待測之待測元件產生可量測之溫度變化即可，而未有其他任何限制。除此之外，此高功率雷射之輸出可為連續波輸出或是脈衝輸出，僅需能造成待測之待測元件產生可量測之溫度變化即可。
在本實施例中，光源單元41係用於提供一光源411，光源調制模組42則用於對光源411之強度分佈進行調制。此外，光源調制模組42係包含一第一光源調制單元421及一第二光源調制單元422，且光源411係先通過第一光源調制單元421，再通過第二光源調制單元422。其中，第一光源調制單元421係為一空間光調制器(SLM,spatial light modulator)，第二光源調制單元422則為一振鏡掃描器，且第一光源調制單元421及第二光源調制單元422係分別與控制及運算單元46耦合。另一方面，夾持單元43係用於夾持待測元件47，且夾持單元43係夾持於待測元件47之異於頂表面471及底表面472的表面，如側邊表面。在本實施例中，夾持單元43係以一般光學機械元件組合構成，且為了避免影響待測元件47之熱相關行為，如散熱行為，夾持單元43與待測元件47相接觸的部分係以具有「絕熱功能」的材質構成，如隔熱泡棉，以避免待測元件47之熱能從夾持單元43流散至外界。另一方面，熱影像擷取單元45則用於擷取待測元件47之一頂表面熱影像及一底表面熱影像。
除此之外，熱反射單元44係朝向待測元件47設置，以將待測元件47的頂表面熱影像成像於一成像位置441。在本實施例中，熱反射單元44係為一凹面鏡，且其於一反射面鍍有一熱反射膜層442。在本實施例中，熱反射膜層442之材質較佳為金或銀，以有效地將待測元件47之頂表面熱影像成像於一成像位置441。
而如圖4所示，熱影像擷取單元45便於成像位置441擷取待測元件47之頂表面熱影像，且擷取待測元件47之底表面熱影像。最後，控制及運算單元46便依據熱影像擷取單元45所擷取之待測元件47的頂表面熱影像及底表面熱影像，運算出待測元件47所具有之複數個熱特性數值，例如但不限定為，熱阻、熱容量及熱擴散參數。
然而，由於與本發明第一實施例之熱特性量測系統相比，本發明第三實施例之熱特性量測系統所具有的不同之處僅在於：第一光源調制單元421係為一空間光調制器，而此空間光調制器係為一穿透式空間光調制器，例如但不限定為一TN型液晶片。而此空間光調制器係接受來自控制及運算單元46的控制，使得光源411僅可於某些事先設定之像素位置通過，而到達第二光源調制單元422。
所以，本發明第三實施例之熱特性量測系統之運作方式，事實上仍與本發明第一實施例之熱特性量測系統之運作方式相同。為此，關於本發明第三實施例之熱特性量測系統之運作的詳細敘述，在此便不再贅述。
因此，由於本發明第三實施例之熱特性量測系統係藉由將一經過調制而具有特定強度分佈之光源照射至待測元件的方式加熱待測元件，以模擬出待測元件在持續運作狀態下的溫度分佈，且透過熱影像擷取單元擷取待測元件之頂表面熱影像及底表面熱影像，故本發明第三實施例之熱特性量測系統並無需實際點亮待測元件，亦不用施加任何電源至待測元件(如習知之熱特性量測系統所採用之量測方式)，便可迅速量測出一待測元件所具有之各種熱特性數值，如熱阻、熱容量及熱擴散參數等。
請參閱圖5，其係本發明第四實施例之熱特性量測系統的示意圖。其中，本發明第四實施例之熱特性量測系統係包括一光源單元51、一光源調制模組52、一夾持單元53、一熱反射單元54、一熱影像擷取單元55以及一控制及運算單元56。此外，本發明第四實施例之熱特性量測系統係用於量測出一待測元件57所具有之複數個熱特性數值，且待測元件57包含一頂表面571及一底表面572。另一方面，控制及運算單元56係分別與光源單元51及熱影像擷取單元55耦合，以控制光源單元51及熱影像擷取單元55於熱特性數值量測過程中的運作。
本實施例中，待測元件57可包含但不限定為：一發光二極體模組、一發光二極體模組次級基板、一中央處理單元、一雷射二極體、一雷射二極體次級基板、一功率晶體、一太陽能晶片、一太陽能板、一散熱鰭片或其它需量測熱特性之物體。此外，光源單元51係為一高功率雷射，如一可提供波長例如但不限定為976 nm之高功率雷射。另一方面，此高功率雷射之輸出功率僅需能造成待測之待測元件產生可量測之溫度變化即可，而未有其他任何限制。除此之外，此高功率雷射之輸出可為連續波輸出或是脈衝輸出，僅需能造成待測之待測元件產生可量測之溫度變化即可。
在本實施例中，光源單元51係用於提供一光源511，光源調制模組52則用於對光源511之強度分佈進行調制。此外，光源調制模組52係包含一第一光源調制單元521及一第二光源調制單元522，且光源511係先通過第一光源調制單元521，再通過第二光源調制單元522。其中，第一光源調制單元521係為一空間光調制器，第二光源調制單元522則為一成像透鏡組，且第一光源調制單元521係與控制及運算單元56耦合。另一方面，夾持單元53係用於夾持待測元件57，且夾持單元53係夾持於待測元件57之異於頂表面571及底表面572的表面，如側邊表面。在本實施例中，夾持單元53係以一般光學機械元件組合構成，且為了避免影響待測元件57之熱相關行為，如散熱行為，夾持單元53與待測元件57相接觸的部分係以具有「絕熱功能」的材質構成，如隔熱泡棉，以避免待測元件57之熱能從夾持單元53流散至外界。另一方面，熱影像擷取單元55則用於擷取待測元件57之一頂表面熱影像及一底表面熱影像。
除此之外，熱反射單元54係朝向待測元件57設置，以將待測元件57的頂表面熱影像成像於一成像位置541。在本實施例中，熱反射單元54係為一凹面鏡，且其於一反射面鍍有一熱反射膜層542。在本實施例中，熱反射膜層542之材質較佳為金或銀，以有效地將待測元件57之頂表面熱影像成像於一成像位置541。
而如圖5所示，熱影像擷取單元55便於成像位置541擷取待測元件57之頂表面熱影像，且擷取待測元件57之底表面熱影像。最後，控制及運算單元56便依據熱影像擷取單元55所擷取之待測元件57的頂表面熱影像及底表面熱影像，運算出待測元件57所具有之複數個熱特性數值，例如但不限定為，熱阻、熱容量及熱擴散係數。
然而，由於與本發明第三實施例之熱特性量測系統相比，本發明第四實施例之熱特性量測系統所具有的不同之處僅在於：第二光源調制單元522係為一成像透鏡組，例如但不限定為一凸透鏡。
所以，本發明第四實施例之熱特性量測系統之運作方式，事實上仍與本發明第三實施例之熱特性量測系統之運作方式相同，亦與本發明第一實施例之熱特性量測系統之運作方式相同。為此，關於本發明第四實施例之熱特性量測系統之運作的詳細敘述，在此便不再贅述。
因此，由於本發明第四實施例之熱特性量測系統係藉由將一經過調制而具有特定強度分佈之光源照射至待測元件的方式加熱待測元件，以模擬出待測元件在持續運作狀態下的溫度分佈，且透過熱影像擷取單元擷取待測元件之頂表面熱影像及底表面熱影像，故本發明第四實施例之熱特性量測系統並無需實際點亮待測元件，亦不用施加任何電源至待測元件(如習知之熱特性量測系統所採用之量測方式)，便可迅速量測出一待測元件所具有之各種熱特性數值，如熱阻、熱容量及熱擴散參數等。
請參閱圖6，其係本發明第五實施例之熱特性量測系統的示意圖。其中，本發明第五實施例之熱特性量測系統係包括一光源單元91、一光源調制模組92、一夾持單元93、一熱反射單元94、一熱影像擷取單元95以及一控制及運算單元96。此外，本發明第五實施例之熱特性量測系統係用於量測出一待測元件97所具有之複數個熱特性數值，且待測元件97包含一頂表面971及一底表面972。另一方面，控制及運算單元96係分別與光源單元91及熱影像擷取單元95耦合，以控制光源單元91及熱影像擷取單元95於熱特性數值量測過程中的運作。
本實施例中，待測元件97可包含但不限定為：一發光二極體模組、一發光二極體模組次級基板、一中央處理單元、一雷射二極體、一雷射二極體次級基板、一功率晶體、一太陽能晶片、一太陽能板、一散熱鰭片或其它需量測熱特性之物體。此外，光源單元91係為一高功率雷射，如一可提供波長例如但不限定為976 nm之高功率雷射。另一方面，此高功率雷射之輸出功率僅需能造成待測之待測元件產生可量測之溫度變化即可，而未有其他任何限制。除此之外，此高功率雷射之輸出可為連續波輸出或是脈衝輸出，僅需能造成待測之待測元件產生可量測之溫度變化即可。
在本實施例中，光源單元91係用於提供一光源911，光源調制模組92則用於對光源911之強度分佈進行調制。此外，光源調制模組92係包含一第一光源調制單元921及一第二光源調制單元922，且光源911係先通過第一光源調制單元921，再通過第二光源調制單元922。其中，第一光源調制單元921係為一光纖束(fiber bundle)，第二光源調制單元922則為一成像透鏡組。另一方面，夾持單元93係用於夾持待測元件97，且夾持單元93係夾持於待測元件97之異於頂表面971及底表面972的表面，如側邊表面。在本實施例中，夾持單元93係以一般光學機械元件組合構成，且為了避免影響待測元件97之熱相關行為，如散熱行為，夾持單元93與待測元件97相接觸的部分係以具有「絕熱功能」的材質構成，如隔熱泡棉，以避免待測元件97之熱能從夾持單元93流散至外界。另一方面，熱影像擷取單元95則用於擷取待測元件97之一頂表面熱影像及一底表面熱影像。
除此之外，熱反射單元94係朝向待測元件97設置，以將待測元件97的頂表面熱影像成像於一成像位置941。在本實施例中，熱反射單元94係為一凹面鏡，且其於一反射面鍍有一熱反射膜層942。在本實施例中，熱反射膜層942之材質較佳為金或銀，以有效地將待測元件97之頂表面熱影像成像於一成像位置941。
而如圖5所示，熱影像擷取單元95便於成像位置941擷取待測元件97之頂表面熱影像，且擷取待測元件97之底表面熱影像。最後，控制及運算單元96便依據熱影像擷取單元95所擷取之待測元件97的頂表面熱影像及底表面熱影像，運算出待測元件97所具有之複數個熱特性數值，例如但不限定為，熱阻、熱容量及熱擴散係數。
然而，由於與本發明第四實施例之熱特性量測系統相比，本發明第五實施例之熱特性量測系統所具有的不同之處僅在於：第一光源調制單元922係為一光纖束，用來減少高功率雷射能量之浪費，此外並可依所欲照射到待測元件97頂表面971上之特定位置(例如設有晶片處)，而預先將光纖束預作分佈排列，當透過第二光源調制單元922之成像透鏡組後，便能正確集光照射於待測元件97頂表面971上各個特定位置，故能更具彈性調整集光位置、彈性調整特定強度分佈之優點。
所以，本發明第五實施例之熱特性量測系統之運作方式，事實上仍與本發明第四實施例之熱特性量測系統之運作方式相同，亦與本發明第一實施例之熱特性量測系統之運作方式相同。為此，關於本發明第五實施例之熱特性量測系統之運作的詳細敘述，在此便不再贅述。
因此，由於本發明第五實施例之熱特性量測系統係藉由將一經過彈性調制而具有特定強度分佈之光源照射至待測元件的方式加熱待測元件，以模擬出待測元件在持續運作狀態下的溫度分佈，且透過熱影像擷取單元擷取待測元件之頂表面熱影像及底表面熱影像，故本發明第五實施例之熱特性量測系統並無需實際點亮待測元件，亦不用施加任何電源至待測元件(如習知之熱特性量測系統所採用之量測方式)，便可迅速量測出一待測元件所具有之各種熱特性數值，如熱阻、熱容量及熱擴散參數等。
請參閱圖7，其係本發明第六實施例之熱特性量測系統的示意圖。其中，本發明第六實施例之熱特性量測系統係包括一光源單元101、一光源調制模組102、一夾持單元103、一熱反射單元104、一熱影像擷取單元105以及一控制及運算單元106。此外，本發明第六實施例之熱特性量測系統係用於量測出一待測元件107所具有之複數個熱特性數值，且待測元件107包含一頂表面1071及一底表面1072。另一方面，控制及運算單元106係分別與光源單元101及熱影像擷取單元105耦合，以控制光源單元101及熱影像擷取單元105於熱特性數值量測過程中的運作。
本實施例中，待測元件107可包含但不限定為：一發光二極體模組、一發光二極體模組次級基板、一中央處理單元、一雷射二極體、一雷射二極體次級基板、一功率晶體、一太陽能晶片、一太陽能板、一散熱鰭片或其它需量測熱特性之物體。此外，光源單元101係為一高功率雷射，如一可提供波長例如但不限定為976 nm之高功率雷射。另一方面，此高功率雷射之輸出功率僅需能造成待測之待測元件產生可量測之溫度變化即可，而未有其他任何限制。除此之外，此高功率雷射之輸出可為連續波輸出或是脈衝輸出，僅需能造成待測之待測元件產生可量測之溫度變化即可。
在本實施例中，光源單元101係用於提供一光源1011，光源調制模組102則用於對光源1011之強度分佈進行調制。此外，光源調制模組102係包含一第一光源調制單元1021、一第二光源調制單元1022及一第三光源調制單元1023，且光源1011係先通過第一光源調制單元1021，再依序通過第三光源調制單元1023及第二光源調制單元1022。其中，第一光源調制單元1021係為一光纖束，第二光源調制單元1022係為一成像透鏡組，第三光源調制單元1023則為一空間光調制器，且第三光源調制單元1023係與控制及運算單元106耦合。另一方面，夾持單元103係用於夾持待測元件107，且夾持單元103係夾持於待測元件107之異於頂表面1071及底表面1072的表面，如側邊表面。在本實施例中，夾持單元103係以一般光學機械元件組合構成，且為了避免影響待測元件107之熱相關行為，如散熱行為，夾持單元103與待測元件107相接觸的部分係以具有「絕熱功能」的材質構成，如隔熱泡棉，以避免待測元件107之熱能從夾持單元103流散至外界。另一方面，熱影像擷取單元105則用於擷取待測元件107之一頂表面熱影像及一底表面熱影像。
除此之外，熱反射單元104係朝向待測元件107設置，以將待測元件107的頂表面熱影像成像於一成像位置1041。在本實施例中，熱反射單元104係為一凹面鏡，且其於一反射面鍍有一熱反射膜層1042。在本實施例中，熱反射膜層1042之材質較佳為金或銀，以有效地將待測元件107之頂表面熱影像成像於一成像位置1041。
而如圖7所示，熱影像擷取單元105便於成像位置1041擷取待測元件107之頂表面熱影像，且於夾持單元103擷取待測元件107之底表面熱影像。最後，控制及運算單元106便依據熱影像擷取單元105所擷取之待測元件107的頂表面熱影像及底表面熱影像，運算出待測元件107所具有之複數個熱特性數值，例如但不限定為，熱阻、熱容量及熱擴散參數。
然而，由於與本發明第五實施例之熱特性量測系統相比，本發明第六實施例之熱特性量測系統所具有的不同之處僅在於：光源調制模組102更包含有第三光源調制單元1023，且第三光源調制單元1023係為空間光調制器，而此空間光調制器係為一穿透式空間光調制器，例如但不限定為一TN型液晶片。第六實施例中此空間光調制器係接受來自控制及運算單元106的控制，使得光源1011通過第一光源調制單元1021之光纖束後，可利用此空間光調制器來彈性控制各通過光纖束後之光源，依事先設定之像素位置通過，或是依事先設定之頻率或時間通過，，故能更具彈性調整特定強度、位置、頻率分佈之優點。
所以，本發明第六實施例之熱特性量測系統之運作方式，事實上仍與本發明第五實施例之熱特性量測系統之運作方式相同，亦與本發明第一實施例之熱特性量測系統之運作方式相同。為此，關於本發明第六實施例之熱特性量測系統之運作的詳細敘述，在此便不再贅述。
因此，由於本發明第六實施例之熱特性量測系統係藉由將一經過彈性調制而具有特定強度、位置、頻率分佈之光源照射至待測元件的方式加熱待測元件，以模擬出待測元件在持續運作狀態下的溫度分佈，且透過熱影像擷取單元擷取待測元件之頂表面熱影像及底表面熱影像，故本發明第六實施例之熱特性量測系統並無需實際點亮待測元件，亦不用施加任何電源至待測元件(如習知之熱特性量測系統所採用之量測方式)，便可迅速量測出一待測元件所具有之各種熱特性數值，如熱阻、熱容量及熱擴散參數等。
請參閱圖8，其係本發明第七實施例之熱特性量測系統的示意圖。其中，本發明第七實施例之熱特性量測系統係包括一光源單元61、一光源調制模組62、一夾持單元63、一熱反射單元64、一熱影像擷取單元65以及一控制及運算單元66。此外，本發明第七實施例之熱特性量測系統係用於量測出一待測元件67所具有之複數個熱特性數值，且待測元件67包含一頂表面671及一底表面672。另一方面，控制及運算單元66係分別與光源單元61及熱影像擷取單元65耦合，以控制光源單元61及熱影像擷取單元65於熱特性數值量測過程中的運作。
本實施例中，待測元件67可包含但不限定為：一發光二極體模組、一發光二極體模組次級基板、一中央處理單元、一雷射二極體、一雷射二極體次級基板、一功率晶體、一太陽能晶片、一太陽能板、一散熱鰭片或其它需量測熱特性之物體。此外，光源單元61係為一高功率雷射，如一可提供波長例如但不限定為976 nm之高功率雷射。另一方面，此高功率雷射之輸出功率僅需能造成待測之待測元件產生可量測之溫度變化即可，而未有其他任何限制。除此之外，此高功率雷射之輸出可為連續波輸出或是脈衝輸出，僅需能造成待測之待測元件產生可量測之溫度變化即可。
在本實施例中，光源單元61係用於提供一光源611，光源調制模組62則用於對光源611之強度分佈進行調制。此外，光源調制模組62係包含一第一光源調制單元621、一第二光源調制單元622及一第三光源調制單元623，且光源611係先通過第一光源調制單元621，再依序通過第二光源調制單元622及第三光源調制單元623。其中，第一光源調制單元621係為一空間光調制器，第二光源調制單元622係為一振鏡掃描器，第三光源調制單元623則為一成像透鏡組，且第一光源調制單元621及第二光源調制單元623係分別與控制及運算單元66耦合。另一方面，夾持單元63係用於夾持待測元件67，且夾持單元63係夾持於待測元件67之異於頂表面671及底表面672的表面，如側邊表面。在本實施例中，夾持單元63係以一般光學機械元件組合構成，且為了避免影響待測元件67之熱相關行為，如散熱行為，夾持單元63與待測元件67相接觸的部分係以具有「絕熱功能」的材質構成，如隔熱泡棉，以避免待測元件67之熱能從夾持單元63流散至外界。另一方面，熱影像擷取單元65則用於擷取待測元件67之一頂表面熱影像及一底表面熱影像。
除此之外，熱反射單元64係朝向待測元件67設置，以將待測元件67的頂表面熱影像成像於一成像位置641。在本實施例中，熱反射單元64係為一凹面鏡，且其於一反射面鍍有一熱反射膜層642。在本實施例中，熱反射膜層642之材質較佳為金或銀，以有效地將待測元件67之頂表面熱影像成像於一成像位置641。
而如圖7所示，熱影像擷取單元65便於成像位置641擷取待測元件67之頂表面熱影像，且於夾持單元63擷取待測元件67之底表面熱影像。最後，控制及運算單元66便依據熱影像擷取單元65所擷取之待測元件67的頂表面熱影像及底表面熱影像，運算出待測元件67所具有之複數個熱特性數值，例如但不限定為，熱阻、熱容量及熱擴散參數。
然而，由於與本發明第三實施例之熱特性量測系統相比，本發明第七實施例之熱特性量測系統所具有的不同之處僅在於：光源調制模組62更包含一第三光源調制單元623，且第三光源調制單元623係為一成像透鏡組，例如但不限定為一凸透鏡。
所以，本發明第七實施例之熱特性量測系統之運作方式，事實上仍與本發明第三實施例之熱特性量測系統之運作方式相同，亦與本發明第一實施例之熱特性量測系統之運作方式相同。為此，關於本發明第六實施例之熱特性量測系統之運作的詳細敘述，在此便不再贅述。
因此，由於本發明第七實施例之熱特性量測系統係藉由將一經過調制而具有特定強度分佈之光源照射至待測元件的方式加熱待測元件，以模擬出待測元件在持續運作狀態下的溫度分佈，且透過熱影像擷取單元擷取待測元件之頂表面熱影像及底表面熱影像，故本發明第六實施例之熱特性量測系統並無需實際點亮待測元件，亦不用施加任何電源至待測元件(如習知之熱特性量測系統所採用之量測方式)，便可迅速量測出一待測元件所具有之各種熱特性數值，如熱阻、熱容量及熱擴散參數等。
請參閱圖9，其係本發明第八實施例之熱特性量測系統的示意圖。其中，本發明第八實施例之熱特性量測系統係包括一光源單元71、一光源調制模組72、一夾持單元73、一第一熱影像擷取單元74、一第二熱影像擷取單元75以及一控制及運算單元76。此外，本發明第八實施例之熱特性量測系統係用於量測出一待測元件77所具有之複數個熱特性數值，且待測元件77包含一頂表面771及一底表面772。另一方面，控制及運算單元76係分別與光源單元71、第一熱影像擷取單元74及第二熱影像擷取單元75耦合，以控制光源單元71、第一熱影像擷取單元74及第二熱影像擷取單元75於量測過程中的運作。
本實施例中，待測元件77可包含但不限定為：一發光二極體模組、一發光二極體模組次級基板、一中央處理單元、一雷射二極體、一雷射二極體次級基板、一功率晶體、一太陽能晶片、一太陽能板、一散熱鰭片或其它需量測熱特性之物體。此外，光源單元71係為一高功率雷射，如一可提供波長例如但不限定為976 nm之高功率雷射。另一方面，此高功率雷射之輸出功率僅需能造成待測之待測元件產生可量測之溫度變化即可，而未有其他任何限制。除此之外，此高功率雷射之輸出可為連續波輸出或是脈衝輸出，僅需能造成待測之待測元件產生可量測之溫度變化即可。
在本實施例中，光源單元71係用於提供一光源711。此外，光源調制模組72係用於對光源711之強度分佈進行調制，如空間上的調制或時間上的調制。而如圖7所示，光源調制模組72係包含一第一光源調制單元721及一第二光源調制單元722，且光源711係先通過第一光源調制單元721，再通過第二光源調制單元722。
另一方面，在本實施例中，第一光源調制單元721係為一光圈，如一矩形光圈，第二光源調制單元722則為一成像透鏡組，例如但不限定為一凸透鏡。所以，在本實施例之熱特性量測系統中，光源調制模組72係對光源711之強度的「空間分佈」進行調制。
此外，在本實施例之熱特性量測系統中，夾持單元73係夾持待測元件77，且夾持單元73係夾持於待測元件77之異於頂表面771及底表面772的表面，如側邊表面。在本實施例中，夾持單元73係以一般光學機械元件組合構成，且為了避免影響待測元件77之熱相關行為，如散熱行為，夾持單元73與待測元件77相接觸的部分係以具有「絕熱功能」的材質構成，如隔熱泡棉，以避免待測元件77之熱能從夾持單元73流散至外界。另一方面，第一影像擷取單元74係用於擷取待測元件77之一底表面熱影像，第二熱影像擷取單元75則用於擷取待測元件77之一頂表面熱影像。
而如圖9所示，第一影像擷取單元74係朝向待測元件77設置，第二熱影像擷取單元75則設置於夾持單元73之相對於第一熱影像擷取單元74的另一側。在本實施例中，第一影像擷取單元74及第二熱影像擷取單元75係分別為一熱像儀、一中紅外線偵測器或一遠紅外線偵測器。
當本發明第八實施例之熱特性量測系統運作時，待測之待測元件77係夾持於夾持單元73。接著，控制及運算單元76便控制光源單元71發射出光源711(如前述之高功率雷射)，而光源711便通過作為第一光源調制單元721之光圈，以及作為第二光源調制單元722之成像透鏡組，而照射於待測之待測元件77。如此，光源711係以一特定強度分佈照射至待測元件77，使得待測元件77依據一事先設定的加熱模式而被加熱，進而使待測元件77的整體溫度分佈符合一事先預定之分佈態樣，以模擬待測元件77在持續運作狀態下的溫度分佈，例如一發光二極體模組次級基板之複數個發光二極體模組持續運作一段時間後的狀態。
而當待測元件77之溫度分佈符合一事先預定之溫度分佈後，如前述之複數個發光二極體模組之溫度達到一特定溫度值後，控制及運算單元76便依據第一熱影像擷取單元74及第二熱影像擷取單元75所分別擷取之待測元件77的底表面熱影像及頂表面熱影像，運算出待測元件77所具有之複數個熱特性數值，例如但不限定為，熱阻、熱容量及熱擴散參數。而由於這些熱特性數值的運算方式均已廣為本案所屬技術領域之人員所熟悉，故在此便不再贅述。
另一方面，在本實施例之熱特性量測系統中，控制及運算單元76係為一電腦，且此電腦具有一顯示單元761。此外，控制及運算單元76係依據前述之頂表面熱影像所對應之待測元件77之頂表面溫度分佈，以及底表面熱影像所對應之待測元件77之底表面溫度分佈，運算出待測元件77所具有之複數個熱特性數值，如前述之熱阻、熱容量及熱擴散參數。此時，顯示單元761便用於顯示前述之頂表面熱影像、底表面熱影像及這些熱特性數值。
因此，由於本發明第八實施例之熱特性量測系統係藉由將一經過調制而具有特定強度分佈之光源照射至待測元件的方式加熱待測元件，以模擬出待測元件在持續運作狀態下的溫度分佈，且透過熱影像擷取單元擷取待測元件之頂表面熱影像及底表面熱影像，故本發明第八實施例之熱特性量測系統並無需實際點亮待測元件，亦不用施加任何電源至待測元件(如習知之熱特性量測系統所採用之量測方式)，便可迅速量測出一待測元件所具有之各種熱特性數值，如熱阻、熱容量及熱擴散參數等。
請參閱圖10，其係本發明第九實施例之熱特性量測系統的示意圖。其中，本發明第九實施例之熱特性量測系統係包括一光源單元81、一光源調制模組82、一夾持單元83、一第一熱影像擷取單元84、一第二熱影像擷取單元85以及一控制及運算單元86。此外，本發明第九實施例之熱特性量測系統係用於量測出一待測元件87所具有之複數個熱特性數值，且待測元件87包含一頂表面871及一底表面872。另一方面，控制及運算單元86係分別與光源單元81、第一熱影像擷取單元84及第二熱影像擷取單元85耦合，以控制光源單元81、第一熱影像擷取單元84及第二熱影像擷取單元85於量測過程中的運作。
本實施例中，待測元件87可包含但不限定為：一發光二極體模組、一發光二極體模組次級基板、一中央處理單元、一雷射二極體、一雷射二極體次級基板、一功率晶體、一太陽能晶片、一太陽能板、一散熱鰭片或其它需量測熱特性之物體。此外，光源單元81係為一高功率雷射，如一可提供波長例如但不限定為976 nm之高功率雷射。另一方面，此高功率雷射之輸出功率僅需能造成待測之待測元件產生可量測之溫度變化即可，而未有其他任何限制。除此之外，此高功率雷射之輸出可為連續波輸出或是脈衝輸出，僅需能造成待測之待測元件產生可量測之溫度變化即可。
在本實施例中，光源單元81係用於提供一光源811，光源調制模組82則用於對光源811之強度分佈進行調制。此外，光源調制模組82係包含一第一光源調制單元821及一第二光源調制單元822，且光源811係先通過第一光源調制單元821，再通過第二光源調制單元822。其中，第一光源調制單元821係為一空間光調制器，第二光源調制單元822則為一成像透鏡組，且第一光源調制單元821係與控制及運算單元86耦合。另一方面，夾持單元83係用於夾持待測元件87，且夾持單元83係夾持於待測元件87之異於頂表面871及底表面872的表面，如側邊表面。在本實施例中，夾持單元83係以一般光學機械元件組合構成，且為了避免影響待測元件87之熱相關行為，如散熱行為，夾持單元83與待測元件87相接觸的部分係以具有「絕熱功能」的材質構成，如隔熱泡棉，以避免待測元件87之熱能從夾持單元83流散至外界。另一方面，第一熱影像擷取單元84及第二熱影像擷取單元85係分別用於擷取待測元件87之一底表面熱影像及一頂表面熱影像。
除此之外，第一熱影像擷取單元84係朝向待測元件87設置，第二熱影像擷取單元85則設置於夾持單元83之相對於第一熱影像擷取單元84的另一側。在本實施例中，第一熱影像擷取單元84及第二熱影像擷取單元85係分別為一熱像儀、一中紅外線偵測儀器或一遠紅外線偵測器。
最後，控制及運算單元86便依據第一熱影像擷取單元84及第二熱影像擷取單元85所分別擷取之待測元件87之一底表面熱影像及一頂表面熱影像，運算出待測元件87所具有之複數個熱特性數值，例如但不限定為，熱阻、熱容量及熱擴散參數。
然而，由於與本發明第九實施例之熱特性量測系統相比，本發明第八實施例之熱特性量測系統所具有的不同之處僅在於：第一光源調制單元821係為一空間光調制器，而此空間光調制器係為一反射式空間光調制器，例如但不限定為一微反射鏡陣列。而此空間光調制器係接受來自控制及運算單元86的控制，使得光源811可透過作為第二光源調制單元822之成像透鏡模組，被反射至待測元件87的各位置上。
所以，本發明第九實施例之熱特性量測系統之運作方式，事實上仍與本發明第八實施例之熱特性量測系統之運作方式相同。為此，關於本發明第九實施例之熱特性量測系統之運作的詳細敘述，在此便不再贅述。
因此，由於本發明第九實施例之熱特性量測系統係藉由將一經過調制而具有特定強度分佈之光源照射至待測元件的方式加熱待測元件，以模擬出待測元件在持續運作狀態下的溫度分佈，且透過熱影像擷取單元擷取待測元件之頂表面熱影像及底表面熱影像，故本發明第九實施例之熱特性量測系統並無需實際點亮待測元件，亦不用施加任何電源至待測元件(如習知之熱特性量測系統所採用之量測方式)，便可迅速量測出一待測元件所具有之各種熱特性數值，如熱阻、熱容量及熱擴散參數等。
請參閱圖11，其係本發明第十實施例之高適應性熱特性量測方法的流程示意圖。其中，本實施例之高適應性熱特性量測方法係包括下列步驟：(A)提供一高適應性熱特性量測系統，係包含一光源單元、一光源調制模組、一夾持單元、一熱反射單元、一熱影像擷取單元以及一控制及運算單元，且此控制及運算單元係分別與此光源單元及此熱影像擷取單元耦合；(B)將此待測元件夾持於此夾持單元上；(C)控制此光源單元發射出一光源，此光源通過此光源調制模組而照射於此待測元件上，以加熱此待測元件；(D)控制此熱影像擷取單元擷取此待測元件之一頂表面熱影像及一底表面熱影像，且此熱反射單元係將此頂表面熱影像成像於一成像位置，此熱影像擷取單元於此成像位置擷取此頂表面熱影像，且擷取此底表面熱影像；以及(E)依據此頂表面熱影像及此底表面熱影像運算出此待測元件所具有之此等熱特性數值。
其中，在步驟(A)所提供之熱特性量測系統中，光源調制模組係用於對光源之強度分佈進行調制，且熱反射單元係朝向此待測元件設置。
首先，本發明第十實施例之高適應性熱特性量測方法之步驟(A)所提供的熱特性量測系統，即為本發明第一實施例之熱特性量測系統，如圖2A所示。其中，此高適應性熱特性量測系統包括一光源單元21、一光源調制模組22、一夾持單元23、一熱反射單元24、一熱影像擷取單元25以及一控制及運算單元26。
而如前所述，在本發明第一實施例之高適應性熱特性量測系統中，待測元件27可包含但不限定為：一發光二極體模組、一發光二極體模組次級基板、一中央處理單元、一雷射二極體、一雷射二極體次級基板、一功率晶體、一太陽能晶片、一太陽能板、一散熱鰭片或其它需量測熱特性之物體。此外，光源單元21係為一高功率雷射，如一可提供波長例如但不限定為976 nm之高功率雷射。另一方面，此高功率雷射之輸出功率僅需能造成待測之待測元件產生可量測之溫度變化即可，而未有其他任何限制。除此之外，此高功率雷射之輸出可為連續波輸出或是脈衝輸出，僅需能造成待測之待測元件產生可量測之溫度變化即可。
再如前所述，光源單元21係用於提供一光源211。此外，光源調制模組22係用於對光源211之強度分佈進行調制，而光源調制模組22則包含一第一光源調制單元221及一第二光源調制單元222，且光源211係先通過第一光源調制單元221，再通過第二光源調制單元222。另一方面，第一光源調制單元221係為一光圈，第二光源調制單元222則為一振鏡掃描器，且與控制及運算單元26，以接受控制及運算單元26的控制，以將光源211反射至待測元件27的各位置上。
其次，在步驟(B)中，係將待測之待測元件夾持於夾持單元上。如圖2A所示，待測之待測元件27係夾持於夾持單元23，且夾持單元23係夾持於待測元件27之異於頂表面271及底表面272的表面，如側邊表面。在本實施例中，夾持單元23係以一般光學機械元件組合構成，且為了避免影響待測元件27之熱相關行為，如散熱行為，夾持單元23與待測元件27相接觸的部分係以具有「絕熱功能」的材質構成，如隔熱泡棉，以避免待測元件27之熱能從夾持單元23流散至外界。
需注意的是，為了提升本實施例之待測元件熱特性數值量測方法的精確度，可於執行步驟(B)前，預先量測夾持單元23所具有之複數個熱特性數值，例如但不限定為熱阻、熱容量及熱擴散參數。如此，便可於後續運算出待測元件所具有之此等熱特性數值的步驟中，如步驟(E)，將夾持單元23之本身特性(如材質之熱特性)對於待測元件所具有之這些熱特性數值的影響排除掉。
隨後，在步驟(C)中，控制此光源單元發射出一光源，此光源通過此光源調制模組而照射於此待測元件上，以加熱此待測元件。此時，控制及運算單元26係控制光源單元21發射出一光源211(如前述之高功率雷射)，而光源211便通過作為第一光源調制單元221之光圈，以及作為第二光源調制單元222之振鏡掃描器，而照射於待測元件27。此時，振鏡掃描器接受控制及運算單元26的控制，以將光源211以一事先設定之模式反射至待測元件27之頂表面上的各位置上，如一發光二極體模組次級基板複數個發光二極體模組的位置。意即，光源211係於待測元件27上以一特定模式進行掃瞄(如逐行掃瞄)，使得待測元件27(如發光二極體模組次級基板)可依據一事先設定的加熱模式而被加熱，以模擬待測元件27在持續運作狀態下的溫度分佈，例如一發光二極體模組次級基板之複數個發光二極體模組持續運作一段時間後的狀態。
接著，在步驟(D)中，控制此熱影像擷取單元擷取此待測元件之一頂表面熱影像及一底表面熱影像，且此熱反射單元係將此頂表面熱影像成像於一成像位置，此熱影像擷取單元於此成像位置擷取此頂表面熱影像，且擷取此底表面熱影像。如圖2A所示，熱反射單元24係朝向待測元件27設置，以將待測元件27的頂表面熱影像成像於一成像位置241。在本實施例中，熱反射單元24係為一凹面鏡，且此凹面鏡於一反射面鍍有一熱反射膜層242。其中，熱反射膜層242之材質較佳為金或銀，以有效地將待測元件27之頂表面熱影像成像於一成像位置241。
此時，控制及運算單元26便控制熱影像擷取單元25於成像位置241擷取待測元件27之頂表面熱影像(如圖2B所示)，且於擷取待測元件27之底表面熱影像(如圖2C所示)。在本實施例中，熱影像擷取單元25係為一熱像儀、一中紅外線偵測器或一遠紅外線偵測器，以擷取待測元件27之頂表面熱影像及底表面熱影像，分別如圖2B及圖2C所示。
最後，在步驟(E)中，依據此頂表面熱影像及此底表面熱影像運算出此待測元件所具有之此等熱特性數值。如前所述，控制及運算單元26係為一電腦，且此電腦具有一顯示單元261。此外，控制及運算單元26係依據前述之頂表面熱影像(如圖2B所示)所對應之待測元件27之頂表面溫度分佈，以及底表面熱影像(如圖2C所示)所對應之待測元件27之底表面溫度分佈，運算出待測元件27所具有之複數個熱特性數值，如熱阻、熱容量及熱擴散參數。此時，顯示單元261便用於顯示前述之頂表面熱影像、底表面熱影像及這些熱特性數值。
因此，由於本發明第十實施例之高適應性熱特性量測方法係藉由將一經過調制而具有特定強度分佈之光源照射至待測元件的方式加熱待測元件，以模擬出待測元件在持續運作狀態下的溫度分佈，且透過熱影像擷取單元擷取待測元件之頂表面熱影像及底表面熱影像，故本發明第十實施例之高適應性熱特性量測方法並無需實際點亮待測元件，亦不用施加任何電源至待測元件(如習知之熱特性量測系統所採用之量測方式)，便可迅速量測出一待測元件所具有之各種熱特性數值，如熱阻、熱容量及熱擴散參數等。
上述實施例僅係為了方便說明而舉例而已，本發明所主張之權利範圍自應以申請專利範圍所述為準，而非僅限於上述實施例。
11‧‧‧恆溫控制單元
12‧‧‧即時訊號擷取單元
13‧‧‧資料處理單元
14‧‧‧光輸出功率擷取器
15‧‧‧待測元件
121‧‧‧電壓擷取器
122‧‧‧溫度擷取器
123‧‧‧同步器
21,31,41,51,61,71,81,91,101‧‧‧光源單元
22,32,42,52,62,72,82,92,102‧‧‧光源調制模組
23,33,43,53,63,73,83,93,103‧‧‧夾持單元
24,34,44,54,64,94,104‧‧‧熱反射單元
25,35,45,55,65,95,105‧‧‧熱影像擷取單元
26,36,46,56,66,76,86,96,106‧‧‧控制及運算單元
27,37,47,57,67,77,87,97,107‧‧‧待測元件
211,311,411,511,611,711,811,911,1011‧‧‧光源
221,321,421,521,621,721,821,921,1021‧‧‧第一光源調制單元
222,322,422,522,622,722,822,922,1022‧‧‧第二光源調制單元
241,341,441,541,641,941,1041‧‧‧成像位置
242,342,442,542,642,942,1042‧‧‧熱反射膜層
261,761‧‧‧顯示單元
271,371,471,571,671,771,871,971,1071‧‧‧頂表面
272,372,472,572,672,772,872,972,1072‧‧‧底表面
74,84‧‧‧第一熱影像擷取單元
75,85‧‧‧第二熱影像擷取單元
373‧‧‧頂石墨層
374‧‧‧底石墨層
623,1023‧‧‧第三光源調制單元
圖1係習知之熱特性量測系統的示意圖。
圖2A係本發明第一實施例之高適應性熱特性量測系統的示意圖。
圖2B係本發明第一實施例之高適應性熱特性量測系統之熱影像擷取單元所擷取之待測元件之頂表面熱影像的示意圖。
圖2C本發明第一實施例之高適應性熱特性量測系統之熱影像擷取單元所擷取之待測元件之底表面熱影像的示意圖。
圖3係本發明第二實施例之高適應性熱特性量測系統的示意圖。
圖4係本發明第三實施例之高適應性熱特性量測系統的示意圖。
圖5係本發明第四實施例之高適應性熱特性量測系統的示意圖。
圖6係本發明第五實施例之高適應性熱特性量測系統的示意圖。
圖7係本發明第六實施例之高適應性熱特性量測系統的示意圖。
圖8係本發明第七實施例之高適應性熱特性量測系統的示意圖。
圖9係本發明第八實施例之高適應性熱特性量測系統的示意圖。
圖10係本發明第九實施例之高適應性熱特性量測系統的示意圖。
圖11係本發明第十實施例之高適應性熱特性量測方法的流程示意圖。
21‧‧‧光源單元
22‧‧‧光源調制模組
23‧‧‧夾持單元
24‧‧‧熱反射單元
25‧‧‧熱影像擷取單元
26‧‧‧控制及運算單元
27‧‧‧待測元件
211‧‧‧光源
221‧‧‧第一光源調制單元
222‧‧‧第二光源調制單元
241‧‧‧成像位置
242‧‧‧熱反射膜層
261‧‧‧顯示單元
271‧‧‧頂表面
272‧‧‧底表面

权利要求:
Claims (28)
[1] 一種高適應性熱特性量測系統，係用於量測出一待測元件所具有之複數個熱特性數值，且該待測元件包含一頂表面及一底表面，包括：一光源單元，係用於提供一光源；一光源調制模組，係用於對該光源之強度分佈進行調制；一夾持單元，係用於夾持該待測元件；一熱反射單元，係朝向該待測元件設置；一熱影像擷取單元，係用於擷取該待測元件之一頂表面熱影像及一底表面熱影像；以及一控制及運算單元，係分別與該光源單元及該熱影像擷取單元耦合；其中，該光源係自該光源單元發射出，通過該光源調制模組而照射於該待測元件上，以加熱該待測元件，該熱反射單元則將該頂表面熱影像成像於一成像位置；該熱影像擷取單元於該成像位置擷取該頂表面熱影像，且擷取該底表面熱影像，該控制及運算單元則依據該頂表面熱影像及該底表面熱影像運算出該待測元件所具有之該等熱特性數值。
[2] 如申請專利範圍第1項所述之高適應性熱特性量測系統，其中該光源單元係為一高功率雷射。
[3] 如申請專利範圍第1項所述之高適應性熱特性量測系統，其中該光源調制模組係包含一第一光源調制單元及一第二光源調制單元，且該光源係先通過該第一光源調制單元，再通過該第二光源調制單元。
[4] 如申請專利範圍第3項所述之高適應性熱特性量測系統，其中該第一光源調制單元係為一光圈，該第二光源調制單元則為一振鏡掃描器，且該第二光源調制單元係與該控制及運算單元耦合。
[5] 如申請專利範圍第3項所述之高適應性熱特性量測系統，其中該第一光源調制單元係為一光圈，該第二光源調制單元則為一成像透鏡組。
[6] 如申請專利範圍第3項所述之高適應性熱特性量測系統，其中該第一光源調制單元係為一空間光調制器，該第二光源調制單元則為一振鏡掃描器，且該第一光源調制單元及該第二光源調制單元係分別與該控制及運算單元耦合。
[7] 如申請專利範圍第3項所述之高適應性熱特性量測系統，其中該第一光源調制單元係為一空間光調制器，該第二光源調制單元則為一成像透鏡組，且該第一光源調制單元係與該控制及運算單元耦合。
[8] 如申請專利範圍第3項所述之高適應性熱特性量測系統，其中該第一光源調制單元係為一光纖束，該第二光源調制單元則為一成像透鏡組。
[9] 如申請專利範圍第8項所述之高適應性熱特性量測系統，其中該光源調制模組更包括有一第三光源調制單元，該光源係先通過該第一光源調制單元，再依序通過該第三光源調制單元及該第二光源調制單元，該第三光源調制單元係為一空間光調制器，且該第三光源調制單元係與該控制及運算單元耦合。
[10] 如申請專利範圍第1項所述之高適應性熱特性量測系統，其中該光源調制模組係包含一第一光源調制單元、一第二光源調制單元及一第三光源調制單元，且該光源係先通過該第一光源調制單元，再依序通過該第二光源調制單元及該第三光源調制單元，該第一光源調制單元係為一空間光調制器，該第二光源調制單元係為一振鏡掃描器，該第三光源調制單元則為一成像透鏡組，且該第一光源調制單元及該第二光源調制單元係分別與該控制及運算單元耦合。
[11] 如申請專利範圍第1項所述之高適應性熱特性量測系統，其中該熱反射單元係為一凹面鏡，且該凹面鏡於一反射面鍍有一熱反射膜層。
[12] 如申請專利範圍第1項所述之高適應性熱特性量測系統，其中該熱影像擷取單元係為一熱像儀、一中紅外線偵測器或一遠紅外線偵測器。
[13] 如申請專利範圍第1項所述之高適應性熱特性量測系統，其中該控制及運算單元係為一電腦，且該電腦係具有一顯示單元，該控制及運算單元係依據該頂表面熱影像及該底表面熱影像所分別對應之該待測元件的頂表面溫度分佈及底表面溫度分佈，運算出該待測元件所具有之該等熱特性數值，該顯示單元則用於顯示該頂表面熱影像、該底表面熱影像及該等熱特性數值。
[14] 如申請專利範圍第1項所述之高適應性熱特性量測系統，其中該等熱特性數值係包含熱阻、熱容量及熱擴散參數。
[15] 如申請專利範圍第1項所述之高適應性熱特性量測系統，其中該待測元件之該頂表面及該底表面分別鍍有一石墨層。
[16] 一種高適應性熱特性量測系統，係用於量測出一待測元件所具有之複數個熱特性數值，且該待測元件包含一頂表面及一底表面，包括：一光源單元，係用於提供一光源；一光源調制模組，係用於對該光源之強度分佈進行調制；一夾持單元，係用於夾持該待測元件；一第一熱影像擷取單元，係朝向該待測元件設置，以擷取該待測元件之一底表面熱影像；一第二熱影像擷取單元，係設置於該夾持單元之相對於該第一熱影像擷取單元的另一側，以擷取該待測元件之一頂表面熱影像；以及一控制及運算單元，係分別與該光源單元、該第一熱影像擷取單元及該第二熱影像擷取單元耦合；其中，該光源係自該光源單元發射出，通過該光源調制模組而照射於該待測元件上，以加熱該待測元件，該控制及運算單元係依據該頂表面熱影像及該底表面熱影像運算出該待測元件所具有之該等熱特性數值。
[17] 如申請專利範圍第16項所述之高適應性熱特性量測系統，其中該光源單元係為一高功率雷射。
[18] 如申請專利範圍第16項所述之高適應性熱特性量測系統，其中該光源調制模組係包含一第一光源調制單元及一第二光源調制單元，且該光源係先通過該第一光源調制單元，再通過該第二光源調制單元。
[19] 如申請專利範圍第18項所述之高適應性熱特性量測系統，其中該第一光源調制單元係為一光圈，該第二光源調制單元則為一成像透鏡組。
[20] 如申請專利範圍第18項所述之高適應性熱特性量測系統，其中該第一光源調制單元係為一空間光調制器，該第二光源調制單元則為一成像透鏡組，且該第一光源調制單元係與該控制及運算單元耦合。
[21] 如申請專利範圍第16項所述之高適應性熱特性量測系統，其中該第一熱影像擷取單元及該第二熱影像擷取單元係分別為一熱像儀、一中紅外線偵測器或一遠紅外線偵測器。
[22] 如申請專利範圍第16項所述之高適應性熱特性量測系統，其中該控制及運算單元係為一電腦，且該電腦係具有一顯示單元，該控制及運算單元係依據該頂表面熱影像及該底表面熱影像所分別對應之該待測元件的頂表面溫度分佈及底表面溫度分佈，運算出該待測元件所具有之該等熱特性數值，該顯示單元則用於顯示該頂表面熱影像、該底表面熱影像及該等熱特性數值。
[23] 一種高適應性熱特性量測方法，係用於量測出一待測元件所具有之複數個熱特性數值，且該待測元件包含一頂表面及一底表面，包括下列步驟：提供一熱特性量測系統，係包含一光源單元、一光源調制模組、一夾持單元、一熱反射單元、一熱影像擷取單元以及一控制及運算單元，且該控制及運算單元係分別與該光源單元及該熱影像擷取單元耦合；將該待測元件夾持於該夾持單元上；控制該光源單元發射出一光源，該光源通過該光源調制模組而照射於該待測元件上，以加熱該待測元件；控制該熱影像擷取單元擷取該待測元件之一頂表面熱影像及一底表面熱影像，且該熱反射單元係將該頂表面熱影像成像於一成像位置，該熱影像擷取單元於該成像位置擷取該頂表面熱影像，且擷取該底表面熱影像；以及依據該頂表面熱影像及該底表面熱影像運算出該待測元件所具有之該等熱特性數值；其中，在該熱特性量測系統中，該光源調制模組係用於對該光源之強度分佈進行調制，且該熱反射單元係朝向該待測元件設置。
[24] 如申請專利範圍第23項所述之高適應性熱特性量測方法，其中該光源單元係為一高功率雷射，且該光源調制模組係包含一第一光源調制單元及一第二光源調制單元，該光源並先通過該第一光源調制單元，再通過該第二光源調制單元。
[25] 如申請專利範圍第24項所述之高適應性熱特性量測方法，其中該第一光源調制單元係為一光圈，該第二光源調制單元則為一振鏡掃描器，且該第二光源調制單元係與該控制及運算單元耦合。
[26] 如申請專利範圍第23項所述之高適應性熱特性量測方法，其中該熱反射單元係為一凹面鏡，且該凹面鏡於一反射面鍍有一熱反射膜層，該熱影像擷取單元則為一熱像儀、一中紅外線偵測器或一遠紅外線偵測器。
[27] 如申請專利範圍第23項所述之高適應性熱特性量測方法，其中該控制及運算單元係為一電腦，且該電腦係具有一顯示單元，該控制及運算單元係依據該頂表面熱影像及該底表面熱影像所分別對應之該待測元件的頂表面溫度分佈及底表面溫度分佈，運算出該待測元件所具有之該等熱特性數值，該顯示單元則用於顯示該頂表面熱影像、該底表面熱影像及該等熱特性數值。
[28] 如申請專利範圍第23項所述之高適應性熱特性量測方法，其中該等熱特性數值係包含熱阻、熱容量及熱擴散參數。

类似技术:

公开号 | 公开日 | 专利标题

TWI485396B|2015-05-21|高適應性熱特性量測系統及其方法

US10012520B2|2018-07-03|Automated test systems and methods utilizing images to determine locations of non-functional light-emitting elements in light-emitting arrays

US10488354B2|2019-11-26|Method of examining a substrate and corresponding device

US9589348B1|2017-03-07|Camera calibration system

WO2012176106A4|2013-05-16|Method and apparatus for inspection of light emitting semiconductor devices using photoluminescence imaging

CN109813435B|2020-07-07|静态光反射显微热成像方法、装置及终端设备

WO2007091846A1|2007-08-16|Apparatus and method for detecting defects in wafer using line sensor camera

EP3080568B1|2019-02-20|Apparatus and method for profiling a beam of a light emitting semiconductor device

KR101209082B1|2012-12-06|엘이디 실시간 수명평가 장치

WO2008137848A2|2008-11-13|Optical characterization of photonic integrated circuits

US8303125B2|2012-11-06|Focus apparatus of image measuring system

US10816404B2|2020-10-27|Method for determining a temperature without contact, and infrared measuring system

US20150053869A1|2015-02-26|Inspection apparatus and inspection method

Chen et al.2014|A design for in-situ measurement of optical degradation of high power light-emitting diodes under accelerated life test

US11215509B2|2022-01-04|Method for determining a temperature without contact, and infrared measuring system

KR20190002944A|2019-01-09|수동적 적외선 열화상을 이용한 엘이디 히트싱크 건전성 평가 방법

CN109213231B|2022-01-14|温度控制系统

KR101996023B1|2019-10-01|조명 시스템

US20150029310A1|2015-01-29|Optical system and method for active image acquisition

TW201024690A|2010-07-01|Apparatus and method for measuring optical spectrum distribution

CN106067971B|2018-08-07|图像传感器绝对光谱响应度测试装置及其测试方法

Chen et al.2016|Synchronous laser scanning IR imaging for chip bonding defect inspection

EP3206226B1|2020-01-15|Analysis system and analysis method

RU2755093C1|2021-09-13|Способ градуировки приборов тепловизионных и устройство для его осуществления

US20160033263A1|2016-02-04|Measurement device for the three-dimensional optical measurement of objects with a topometric sensor and use of a multi-laser-chip device

同族专利:

公开号 | 公开日

US9103872B2|2015-08-11|

TWI485396B|2015-05-21|

US20130136151A1|2013-05-30|

引用文献:

公开号 | 申请日 | 公开日 | 申请人 | 专利标题

CN112097951A|2020-08-26|2020-12-18|中国电子科技集团公司第十三研究所|光热反射显微热成像装置及漂移修正方法|US3808430A|1965-10-04|1974-04-30|F Frungel|Arrangement for determining the density of natural fog in the atmosphere|

US4576432A|1983-08-17|1986-03-18|Messerschmitt-Boelkow-Blohm Gesellschaft Mit Beschraenkter Haftung|Aiming or sighting apparatus with synchronously rotating thermal imager and aiming head|

US4854724A|1984-07-09|1989-08-08|Lockheed Corporation|Method of and apparatus for thermographic evaluation of spot welds|

US4823291A|1987-09-10|1989-04-18|Sensor Control, Inc.|Radiometric measurement of wafer temperatures during deposition|

DE3820862A1|1988-06-21|1989-12-28|Soelter Hans Joachim Dipl Phys|Verfahren und vorrichtung zur kontaktlosen untersuchung von oberflaechen und inneren strukturen eines festen pruefkoerpers|

US5219226A|1991-10-25|1993-06-15|Quadtek, Inc.|Imaging and temperature monitoring system|

DE4343076C2|1993-12-16|1997-04-03|Phototherm Dr Petry Gmbh|Vorrichtung zum photothermischen Prüfen einer Oberfläche eines insbesondere bewegten Gegenstandes|

JP2850816B2|1995-12-18|1999-01-27|日本電気株式会社|バンプ接合検査装置及び検査方法|

US20020018510A1|1996-07-31|2002-02-14|Murphy John C.|Thermal-based methods for nondestructive evaluation|

US6074087A|1997-09-04|2000-06-13|National Security Council|Non-contact method for measuring the surface temperature distribution of a melt during growth of ionic crystals|

US6168311B1|1998-10-13|2001-01-02|Checkpoint Technologies Llc|System and method for optically determining the temperature of a test object|

US6146014A|1998-11-04|2000-11-14|Advanced Micro Devices, Inc.|Method for laser scanning flip-chip integrated circuits|

JP2003307458A|2002-04-15|2003-10-31|Akifumi Ito|基材の温度測定方法および温度測定装置|

EP1422518A1|2002-11-20|2004-05-26|Communaute Europeenne|Method and system for measuring the thermal diffusivity|

US7419298B2|2005-05-24|2008-09-02|United Technologies Corporation|Thermal imaging method and apparatus|

US7409313B2|2005-12-16|2008-08-05|General Electric Company|Method and apparatus for nondestructive evaluation of insulative coating|

FR2897687B1|2006-02-17|2008-09-26|Commissariat Energie Atomique|Procede et dispositif de caracterisation, par pyrometrie active, d'un materiau en couche mince dispose sur un substrat|

US20070220784A1|2006-03-22|2007-09-27|Wen-Ching Li|Intelligent steam iron|

US8055054B2|2006-12-15|2011-11-08|General Electric Company|Method and apparatus for thermographic nondestructive evaluation of an object|

US7549789B2|2007-06-20|2009-06-23|General Electric Company|Method and apparatus for thermographic nondestructive evaluation of an object|

US8167483B2|2009-01-15|2012-05-01|Fluke Corporation|Temperature measurement instruments and methods for identifying a selected target area|

JP5461917B2|2009-08-12|2014-04-02|株式会社日立ハイテクサイエンス|軟化点測定装置および熱伝導測定装置|

JP5469653B2|2011-12-12|2014-04-16|本田技研工業株式会社|非破壊検査システム|

US9448119B2|2012-06-22|2016-09-20|Veeco Instruments Inc.|Radiation thermometer using off-focus telecentric optics|

JP5488751B1|2013-08-30|2014-05-14|富士ゼロックス株式会社|温度センサ、定着装置、および画像形成装置|KR101246918B1|2011-09-08|2013-03-25|유덕봉|비접촉식 온도 감시 장치|

CN103472088B|2013-08-13|2015-07-08|杭州远方光电信息股份有限公司|一种热阻分析方法|

WO2016179542A1|2015-05-06|2016-11-10|Dolby Laboratories Licensing Corporation|Thermal compensation in image projection|

DE102020106924B3|2020-03-13|2021-03-18|Edevis Gmbh|Vorrichtung zum Detektieren von Rissen im Bereich der Oberfläche metallischer Prüfobjekte|

DE102020124680B3|2020-09-22|2021-08-12|Edevis Gmbh|Verfahren zum Detektieren von Rissen im Bereich der Oberfläche metallischer Prüfobjekte|

法律状态:
2019-02-21| MM4A| Annulment or lapse of patent due to non-payment of fees|

优先权:

申请号 | 申请日 | 专利标题

TW100143105||2011-11-24||

TW101122040A|TWI485396B|2011-11-24|2012-06-20|高適應性熱特性量測系統及其方法|TW101122040A| TWI485396B|2011-11-24|2012-06-20|高適應性熱特性量測系統及其方法|

[返回顶部]