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    本發明是在提供一種可以抑制水垢的生成，再者也可以極為容易地將所生成的水垢予以除去的用水周邊設備。本發明的解決手段，是利用抑制矽酸的聚合來減少水垢，再者可以極為容易地，例如以輕拭方式，將所生成的水垢予以除去。因此，對於能夠被來自供水源的水所覆蓋的用水周邊設備，其特徵為具有：對附著於該用水周邊設備的表面之作為殘留水的水，添加矽酸聚合抑制劑之手段的用水周邊設備，可以抑制水垢的生成，再者所生成的水垢也可以容易地除去。抑制矽酸的聚合之具體性手段之一為提高水的酸性度，例如將殘留水的pH調整成1.5~5.5。
    公开号:TW201321581A
    申请号:TW101134466
    申请日:2012-09-20
    公开日:2013-06-01
    发明作者:Shinichi Yagi；Tomoyasu Ichiki；Hiroaki Amemori；Ayumu Umemoto；Yo Morotomi；Masahiro Yamamoto
    申请人:Toto Ltd；
    IPC主号:E03D9-00
    专利说明:
    可抑制水垢生成的用水周邊設備
    本發明，是關於可抑制水垢生成的用水周邊設備，更詳細而言，是關於可以抑制水垢的生成，再者也可以極為容易地將所生成的水垢予以除去的用水周邊設備。又，本發明之用水周邊設備，是於其表面具有光觸媒層而能夠容易地除去所生成的水垢。
    洗臉台、廁所、浴室等之用水周邊的設備，由於在表面所殘留之殘餘水的乾燥，因而使水垢生成、附著，弄髒表面，且由於該水垢往往是強固地附著，所以難以去除。為了防止如此之水垢弄髒，有人認為從用水周邊設備所使用的水中，預先把會成為水垢成分的鈣離子或鎂離子予以除去的想法(例如，日本特開2004-270185號公報(專利文獻1))。但是，水垢的生成雖是被抑制住，不過裝置卻因而變得大型化，且由於成本墊高，其可利用性較為有限。還有，由矽酸成分所形成的水垢比鎂或鈣更容易附著固定，要將之去除是更加困難，不過在該專利公報中卻沒有提及矽酸成分。
    於日本特開平7-136660號公報(專利文獻2)中，提案出以酸性水(pH4~6)利用在用水周邊設備的殺菌上。不過，在該專利文獻中並沒有於述及防止水垢。
    又，近年來，在基材上設置光觸媒層，藉由光觸媒的分解活性以及親水化活性來將基材表面清淨化之技術，包含用水周邊設備，已被廣範地使用。例如，於日本特開平9-78665號公報(專利文獻3)中，揭示有含有氧化鈦層所形成的便器。對於該便器，利用光照射而激勵作為光觸媒之氧化鈦的分解作用以及親水化作用，而將表面淨化。
    然而，依據本發明者們所得之知見，由矽酸成分所形成的水垢，在附著於光觸媒層的表面時，不僅是損害其外觀，而且會使光觸媒層的分解作用以及親水化作用消失。 [先前技術文獻1
    [專利文獻1]日本特開2004-270185號公報
    [專利文獻2]日本特開平7-136660號公報
    [專利文獻3]日本特開2004-92278號公報
    [專利文獻4]日本特開平9-78665號公報
    本發明者，此次，認知到：利用抑制矽酸的聚合而可以抑制水垢的生成，再者可以極為容易地除去所生成的水垢，例如能夠以輕拭方式除去。抑制矽酸的聚合之具體的手段之一是提高水的酸性度。又，該抑制水垢以及可以容易地除去所生成之水垢的效果，是可藉由金屬離子的存在而更加被強化。本發明即是依據此等見解所研創的。
    因此，本發明之目的，是在於提供一種可以抑制水垢的生成且亦可以極為容易地除去所生成之水垢的用水周邊設備。
    又本發明之目的，是在於提供一種可以抑制水垢生成在各種構件表面且亦可以極為容易地除去所生成之水垢的方法。
    又，本發明者，此次，認知到：於光觸媒層上利用抑制矽酸的聚合而可以極為容易地除去所生成的水垢，例如能夠以輕拭方式除去。並且，亦認知到：當由矽酸成分所構成的水垢形成在光觸媒層上時，就會使光觸媒活性減少或是消失，不過當該水垢一被除去，減少或是消失的光觸媒活性就會回復。抑制矽酸的聚合之具體的手段之一是提高水的酸性度。再者，該可以容易地除去所生成之水垢的效果，是可藉由金屬離子的存在而更加被強化。本發明即是依據此等見解所研創的。
    因此，本發明之目的，是在於提供一種可以極為容易地除去所生成之水垢並且於其表面具有光觸媒層的用水周邊設備。
    而，本發明藉由之用水周邊設備，供水源從之水於被水可用水周邊設備，該當用水周邊設備之表面於殘留水作為附著之水於矽酸聚合抑制劑添加之手段具備有特徵作為者為。
    本發明之一之形態根據，上述表面於光觸媒包含層設置有。
    本發明之一之形態根據，上述矽酸聚合抑制劑酸性度之較高水溶液體，更具體上酸性度之較高水溶液體上述殘留水的酸性度pH1.5~5.0於調整可水溶液體為。
    本發明之別之形態根據，上述之酸性度之較高水溶液體再者金屬離子包含。
    又，本發明之別之形態根據，該表面於殘留水剩下，該乾燥若時水垢成為可能性之構件表面於水垢抑制之方法提供一種被，該方法，該當構件表面之殘留水於矽酸聚合抑制劑添加至少含特徵作為者為。
    在本專利說明書中，所謂「能夠被來自供水源的水所覆蓋的用水周邊設備」，是指由供水源的水所供給，並利用該水進行預定的作業與動作之後，於其表面會殘留下所供給的水，一直到水乾燥時於其表面會殘留水垢之具備如此可能性的設備。再者，於本發明中，亦指於後述之只要是具備：在作為殘留水所附著之水中添加矽酸聚合抑制劑之手段者，縱使該設備原本的功能並不需要水，而來自供水源的水施於其表面，會使該水殘留下，直到水乾燥時於其表面會殘留水垢之具備如此可能性的設備。作為此等設備之具體例者，可舉出：洗手台、流理台、洗臉化妝台、洗碗機、廁所之陰部洗淨裝置、股胯部洗淨裝置、廁所之洗淨裝置、還有洗臉間或是浴室的內壁、洗臉間或是浴室所使用的鏡子、玻璃構件等。特別是，本發明，是可以理想地被應用在：含有矽酸的水而使得含有該矽酸的水垢殘留在其表面之具有此種可能性的設備。
    於本發明所研創的用水周邊設備之可被水所覆蓋的表面，是由設有含有光觸媒所構成的層(光觸媒層)所形成。該光觸媒層，是藉由光激勵而具有分解作用及/或是親水化作用。具有如此之作用的光觸媒為習知，又於構件上形成光觸媒層之方法為習知。因此，由本發明所研創之用水周邊設備的光觸媒層，意味著是可以依照周知的光觸媒及方法來設置的層，並且是意味著對於今後本業業者而言為所能理解的光觸媒層。再者，在本發明中，亦將為了改善或改良其活性而於光觸媒中另外再添加其他成分之層，稱為光觸媒層。作為形成光觸媒層之習知的方法，可以舉出日本特開平9-78665號公報(專利文獻3)、WO96/29375等。 矽酸聚合之抑制
    本發明，是依據本發明者們所獲得：藉由抑制矽酸的聚合而可以減少水垢，再者即使生成水垢也可以極為容易地除去之認知。當抑制矽酸的聚合時，所生成之水垢的大小變小，且該水垢的附著力變弱。由於水垢的大小變小，會成為用水周邊設備表面之髒污的水垢變得不顯眼，因而有利。再者，在本發明中，亦可獲得由於水垢的附著力也變弱，所以以輕拭就可以除去所生成之水垢的優點。
    本發明之效果，之所以可以取得「可以抑制水垢的生成，亦可以容易地除去所生成的水垢」的理由，吾人認為如以下所說明，不過此為推定，本發明並不受此等說明所限定者。一般認為，殘留水中之水分在蒸發的過程中，當矽酸濃度增加時，矽酸的聚合就會被促進，而產生咖啡斑點(coffee stain)現象(因液滴中之溶媒的蒸發而使得溶質往液滴的外廓流動而堆積成環狀的現象)，因而形成強固的水垢。在此，觀察到當抑制殘留水中之矽酸聚合的進行時，水分在蒸發的過程中即使溶質濃度增加也不會引起咖啡斑點現象，溶媒朝中央方向流動的現象。並且確認到所生成的水垢，由於與基材的貼著力較小，所以是可以容易剝離的。又，對於在水中含有鈣離子或是鎂離子之情形時，亦可以取得抑制水垢，再者亦可以容易地除去所生成之水垢等之由本發明所產生的效果。因此，本發明可以有利地適用在利用一般上水道的用水周邊設備。
    再者，當水垢附著於觸媒層的表面時，不僅有損其外觀，還會使得光觸媒層的分解作用及親水化作用減少或消失。不過，根據本發明，當水垢被除去時便可以回復光觸媒作用。再者，即使因水垢生成而使光觸媒活性減少或消失時，只要除去水垢，光觸媒作用就可以再次地回復。因此，由本發明所研創的用水周邊設備，在長期間下可以容易且清淨地保持其外觀。
    依據本發明之一較佳形態，矽酸聚合之抑制，是可以藉由提高用水周邊設備表面之殘留水的酸性度而理想地實現。依據較佳的形態，是藉由使殘留水的酸性度設定為pH1.5~5.5(較佳為pH2.0~5.0)，來抑制矽酸的聚合，其結果，可以抑制水垢，再者亦可以容易地除去所生成的水垢。對此，吾人認為是溶存在較高酸性度之水中的SiO2，由於主要是以單聚物或是二聚物般之聚合度較低的狀態存在，所以即使水分蒸發亦使聚合受到抑制。
    因此，在本發明中，是藉由將矽酸聚合抑制劑添加於作為殘留水而附著在用水周邊設備表面的水中，來實現水垢的抑制或是可容易除去。對作為殘留水而附著在用水周邊設備表面的水中所添加之矽酸聚合抑制劑的具體例，為酸性度較高的水溶液，更具體而言是能夠將殘留水的酸性度調整於pH2.0~5.0的水溶液。在本發明中，矽酸聚合抑制劑，可以是預先添加在要供給至用水周邊設備的水中而存在於殘留水之形態，也可以是在用水周邊設備表面形成殘留水之前或是之後被進行供給之任一形態者。
    又，在本發明中，是藉由將矽酸聚合抑制劑添加於作為殘留水而附著在用水周邊設備之光觸媒層表面的水中，來實現水垢可容易除去。對作為殘留水而附著在用水周邊設備之光觸媒層表面的水中所添加之矽酸聚合抑制劑的具體例，為酸性度較高的水溶液，更具體而言是能夠將殘留水的酸性度調整於pH1.5~5.5，較佳為pH2.0~5.0的水溶液，較理想之下限為pH3.0。在本發明中，矽酸聚合抑制劑，可以是預先添加在要供給至用水周邊設備的水中而存在於殘留水之形態，也可以是在用水周邊設備表面形成殘留水之前或是之後被進行供給之任一形態者。
    用以提高殘留水之酸性度的水溶液，只要是能夠控制其酸性度者即可而並無任何限定，酸性水溶液作為其較佳例者，具體上可舉出：硝酸、鹽酸、硫酸、磷酸、硼酸、醋酸、乙醇酸、檸檬酸、草酸、乳酸、甲酸等，其中從不會與鈣離子或鎂離子形成不溶性的鹽、或是不會形成對水之溶解度較低之鹽的觀點而言，較為理想的酸，可舉出硝酸及鹽酸。
    又，作為用以提高殘留水之酸性度之水溶液的另一例者，可舉出藉由電解所生成的酸性水。 金屬離子之添加
    依據本發明之較佳形態，除了矽酸聚合抑制劑，藉由添加金屬離子，可以實現更有效抑制水垢或是更容易將之除去。對於所生成的水垢中，吾人認為金屬離子中介在矽酸(SiO2)分子之間，當藉由洗淨等而供給水時，金屬離子溶出而使得矽酸凝集體更加脆弱化，因而可以容易地除去。特別是，為了回復並維持光觸媒的活性，以添加金屬離子為佳。作為本發明之較理想的金屬離子者，可舉出Al3+、Fe3+、Cu2+、Zn2+等，可以不因pH變動而安定地存在，尤其是可以更良好地回復並維持光觸媒的活性，其中又以在水質基準中沒有特別規定的Al3+為佳。其添加量，是相對於殘留水為0.1ppm左右，較佳為1.0~5.0ppm左右。 用水周邊設備
    使用圖面來說明依本發明之用水周邊設備的具體構成。第1圖，是用水周邊設備的概念圖，例如圖中，設備1是代表便器、洗手台、流理台。圖中符號10為供水手段及添加矽酸聚合抑制劑之手段。上水道的水，是從圖中的A經由閥2而被供給至酸性水生成裝置3，於酸性水生成裝置3調整上水道的酸性度，並以成為殘留水時可抑制矽酸聚合之方式來進行控制，然後被供給至設備1。再者於此圖面的構成中，藉由金屬離子添加裝置4，對已被調整酸性度之上水道的水，添加金屬離子。此等一連串的動作及酸性度的調整，是由控制裝置5所控制。然後上水道的水，藉由塗佈裝置6而被施用在設備1的表面。在此，設備1若為便器時，該塗佈裝置6，可以是股間部洗淨裝置、陰部洗淨裝置、或是另外設置於廁所之兼用洗淨裝置者。此情形時，用來洗淨排泄於便器之尿液或是糞便之上水道的水是另外所供給的。
    第2圖，是本發明之另一形態之用水周邊設備的具體性構成。圖中符號20為供水手段及添加矽酸聚合抑制劑之手段。對於與第1圖共通之構成標示以相同的參照符號。上水道的水是從圖中的A經由閥2而被供給至電解酸性水生成裝置21。在此，上水道的水被電解，而成為酸性水及鹼性水，酸性水是由圖中之B的路徑，鹼性水是由圖中之C的路徑而分別排出。酸性水其次被送至金屬離子添加槽22，被添加金屬離子。此等一連串的動作及酸性度，是藉由控制裝置5所控制。然後上水道的水，由泵浦吸壓手段23所吸上，藉由塗佈裝置6施用於設備1的表面。又，路徑C的鹼性水是於圖中D被排出，可以直接以作為排水而流至下水道、又或是在不阻礙本發明之水垢抑制效果的範圍內來供給於便器後再排水也可以。
    第3圖，是用水周邊設備的概念圖，對於與第1圖共通之構成標示以相同的參照符號。圖中，設備1是代表便器、洗手台、流理台，於其表面形成有光觸媒層11，並設置有用以將該光觸媒層中之光觸媒進行光激勵的光(較佳為紫外線)照射裝置7。
    第4圖是表示本發明之另一形態之用水周邊設備的具體性構成。圖中符號20為供水手段及矽酸聚合抑制劑添加之手段。對於與第1圖~第3圖共通之構成標示以相同的參照符號。
    於第3圖及第4圖的設備1是以便器形態為例，來對本發明之抑制水垢的生成以及光觸媒層之功能的回復進行說明。設備1的光觸媒層11，是藉由該光觸媒活性而使表面呈親水性。使用者在利用便器之前，先不使酸性水生成裝置3或是21、以及金屬離子添加裝置4或是金屬離子添加槽22動作，而由塗佈裝置6噴霧出上水道的水。如此一來，該上水道的水，利用便器的表面為親水性而容易地形成水膜。藉由該水膜使污物不會固定附著於便器表面，藉由便器的洗淨而排出。在此，當上水道的水乾燥時，會使強固地固定附著於便器表面的矽酸成分形成聚合化的水垢，不過附著於便器表面的殘留水在乾燥之前，若從塗佈裝置6，將已調整酸性度，並最好添加有可成為矽酸成分聚合抑制劑之金屬離子的上水道的水，對該殘留水進行噴霧添加時，則可抑制水垢的聚合。聚合被抑制的水垢，在便器的清掃下可以容易地除去。藉此光觸媒層的光觸媒作用得以回復，藉由該光觸媒的作用可維持清淨的表面。
    再者，作為本發明之用水周邊設備的具體性構成，例如也可以改變成日本特開2004-92278號公報所記載之用來吐出機能水的構成後來進行利用。
    依據本發明之一較佳形態，用水周邊設備為具有釉藥層的衛生陶器。於該形態中，用以形成衛生陶器所具有之釉藥層的釉藥，只要是衛生陶器所利用的釉藥就可以利用，並沒有特別的限定。於本發明中，一般而言作為釉藥原料者，定義為矽砂、長石、石灰石等之天然礦物粒子的混合物。又，作為顏料者，例如為，鈷化合物、鐵化合物等，作為乳濁劑者，例如，為矽酸鋯、氧化錫等。作為非晶質釉藥者，是針對於將由上述般之天然礦物粒子等混合物所構成的釉藥原料以高溫熔融之後，急速冷卻而成玻璃化的釉藥而言，例如，可適切地利用玻料釉藥(fritted glaze)。依據本發明之較佳形態，較佳的釉藥組成成分是，例如，長石為10wt%~30wt%、矽砂為15wt%~40wt%、碳酸鈣為10wt%~25wt%、金剛砂、滑石粉、白雲石、氧化鋅，分別為10wt%以下，乳濁劑及顏料合計為15wt%以下者。又，於本發明之該形態中，衛生陶器的陶器生坯，並沒有特別的限定，可以是一般的衛生陶器生坯。衛生陶器之製造，首先，把以矽砂、長石、黏土等為原料所調製成的衛生陶器生坯泥漿，利用吸水性的模具以鑄入成形方式，將陶器生坯成形為適當的形狀。其後，在使其乾燥後的成形體表面，將上述釉藥原料適當地選擇噴霧塗佈、浸漬塗佈、旋轉塗佈、滾筒塗佈等一般的方法進行塗佈。將所取得之已形成有表面釉藥層之前驅層的成形體，以如下方式燒製。燒製溫度，是使陶器生坯燒結，且以使釉藥軟化之1,000℃以上、1,300℃以下的溫度為佳。 水垢抑制方法
    再者，由上述說明可以明白，根據本發明，是提供一種對於在表面殘留有殘留水，當其乾燥時可能成為水垢之用以在構件表面上抑制水垢的方法，其特徵為：至少包含有對該構件表面的殘留水添加矽酸聚合抑制劑。亦即，在此方法中，是當在構件表面殘留有殘留水，具有於其乾燥時會成為水垢之可能性的情形下，對該殘留水添加矽酸聚合抑制劑。於此形態中，於構件表面設有由包含光觸媒所形成的層，更佳為，矽酸聚合抑制劑較理想為酸性度較高的水溶液，更佳為酸性度較高的水溶液是能夠將上述殘留水的酸性度調整成pH2.0~5.0的水溶液。即使於此形態時，上述之酸性度較高的水溶液也能夠更進一步地包含金屬離子。此方法，對於在構件表面殘留有殘留水，具有於其乾燥時會成為水垢之可能性的情形，可以廣泛地適用。因此，依據本發明所研創的方法，於各種的構件表面，可取得能夠抑制水垢的生成，亦可以容易地除去所生成的水垢之優點。因此，由本發明所研創的方法為應用範圍極廣的發明。 [實施例]
    根據以下的實施例來具體說明本發明，不過本發明並非受此等實施例所限定者。
    在以下的實施例中，是使用於表面形成有釉藥層的瓷磚(5cm×5cm)、以及以後述所記載之pH調整水作為測試液，又作為對照是使用酸性電解水來進行評估。又，於以下的實施例中所進行的滑動試驗如下。 pH調整水及酸性電解水
    於一般的自來水中添加硝酸(試藥特級，和光純藥工業株式會社製)，將PH調整至1~6的溶液作為pH調整水。將使用自來水的水質分析結果顯示於第1表。又，後述組成之酸性電解水是以電解水生成裝置(TEK511，TOTO株式會社製)所製作。
    金屬離子添加pH調整水
    將硝酸鋁九水和物、硝酸鐵九水和物、硝酸銅六水和物、或是硝酸亞鉛六水和物(全部為試藥特級和光純藥工業株式會社製)溶解於自來水，將各金屬離子調整為1000ppm的溶液作為金屬離子原液。將該金屬離子原液體，以pH調整水(pH1~6)進行稀釋，以各別調整金屬離子濃度(0.1、0.5、1、5、以及10ppm)以及pH(pH1~6)後的溶液作為添加金屬離子pH調整水。 滑動試驗
    使用滑動摩擦試驗機(Ribbing Tester，太平理化工業株式會社製)，以如下的方式進行。將裁切成2.24cm方塊的不織布海綿(商標名Scotch Brite，SS-72K住友3M株式會社製)，使用雙面膠帶使不織布的部分以抵接於滑動面之方式接著於測試頭後，再以蒸留水潤濕。使用數位顯微鏡(VHX-900，株式會社KEYENCE製)，以倍率100倍對水垢附著部進行觀察。接著，負載250g的配重(荷重條件：4.9kPa)滑動10次後，再以與上述相同條件使用數位顯微鏡進行觀察，來判斷水垢是否被除去。其中，以荷重條件：4.9kPa進行10次的滑動，是相當於一般清除便器的條件。評估結果如以下所示。
    ○：表示在滑動10次以內就可以除去水垢。
    ×：表示即使滑動50次水垢仍殘留。 實施例1
    以以下的方法評估pH調整水的水垢除去性。首先，將pH調整水及酸性電解水20μL滴落於在表面形成有釉藥層的瓷磚(5cm×5cm)之後，在常溫下靜置48小時來使水垢乾燥而附著。然後，進行滑動試驗。其結果如第2表所示。
    實施例2
    除了使用硝酸鋁九水和物所調製之添加鋁離子pH調整水來作為試驗液之外，其餘皆以與實施例1相同的方法來評估水垢除去性。其結果如第3表所示。
    實施例3
    除了使用硝酸鐵九水和物所調製之添加鐵離子pH調整水來作為試驗液之外，其餘皆以與實施例1相同的方法來評估水垢除去性。其結果如第4表所示。
    實施例4
    除了使用硝酸銅六水和物所調製之添加銅離子pH調整水來作為試驗液之外，其餘皆以與實施例1相同的方法來評估水垢除去性。其結果如第5表所示。
    實施例5
    除了使用硝酸鋅六水和物所調製之添加鋅離子pH調整水來作為試驗液之外，其餘皆以與實施例1相同的方法來評估水垢除去性。其結果如第6表所示。
    實施例6
    使用硝酸鋁九水和物、硝酸鐵九水和物、硝酸銅六水和物、以及硝酸亞鉛六水和物(全部為試藥特級，和光純藥工業株式會社製)所調製之各種金屬離子原液，適量添加於以市售之電解水生成裝置(TEK511，TOTO株式會社製)所生成的酸性電解水中，以稀釋成目標之金屬離子濃度(0.1、0.5、1、5、10ppm)的稀釋溶液作為添加金屬離子的酸性電解水。又，所使用之酸性電解水的水質分析結果如第1表所示。除了以添加金屬離子的酸性電解水來作為試驗液之外，其餘皆以與實施例1相同的方法來評估水垢除去性。其結果如第7表所示。
    再者，根據以下的實施例來具體說明本發明，不過本發明並非受此等實施例所限定者。 光觸媒瓷磚
    在以下的實驗例所使用的瓷磚，是以噴霧塗層方式塗佈含有TiO2及ZrO2所組成的塗佈液，在750℃的溫度下燒製所得，並於釉藥層上形成由TiO2/ZrO2為80/20所組成的上層、以及TiO2/ZrO2為75/25所組成的下層之二層構造來構成光觸媒層之瓷磚。 pH調整水及酸性電解水
    於一般的自來水中添加硝酸(試藥特級，和光純藥工業株式會社製)，將pH調整成pH1~6之溶液作為pH調整水。所使用之自來水的水質分析結果如第8表所示。又，該自來水中之溶性矽酸(SiO2)的濃度，以ICP分析之結果為13.26ppm。
    添加金屬離子pH調整水
    將硝酸鋁九水和物(和光純藥工業株式會社製)溶解於自來水，將鋁離子濃度調整為1000ppm的溶液作為鋁離子原液。將該鋁離子原液，以pH調整水進行稀釋，以各別調整鋁離子濃度(0.5、1.0、3.0、以及5.0ppm)以及pH(pH3.5~5)後的溶液作為添加鋁離子pH調整水。 水垢形成試驗
    使用第5圖所示的裝置，進行如下步驟。首先，於瓷磚30的表面，由水源31打開閥32，使噴淋狀的自來水34從洗淨用吐水口33吐水5秒鐘。藉此在瓷磚表面形成水膜。然後經25秒後，打開閥35，將水源31的水導入含有金屬離子的酸性水生成手段36，從噴霧噴嘴37噴霧酸性水5秒鐘。在此，含有金屬離子的酸性水生成手段36，是由電解槽以及形成於其下游側的金屬離子溶出手段所形成。然後放置25分鐘使水垢形成。將此循環重覆預定次數。於此期間，藉由沒有圖示出的紫外線照射手段，一直保持連續將紫外線照射在瓷磚的表面。 滑動試驗
    使用滑動摩擦試驗機(Ribbing Tester，太平理化工業株式會社製)，以如下的方法進行。將瓷磚浸漬於酸性洗劑5分鐘後，然後將裁切成2cm方塊的不織布海綿(商標名Scotch Brite，SS-72K住友3M株式會社製)，使用雙面膠帶使不織布的部分以抵接於滑動面之方式接著於測試頭後，再以蒸留水潤濕。接著，以荷重條件：50g/cm2滑動10次。其中，以上述荷重條件進行10次的滑動，是相當於一般清除便器的條件。 光觸媒活性評估試驗
    是按照JIS R-1703-2「光觸媒材料之自我清淨性能試驗方法一第2部：濕式分解性能」來進行。 實施例7
    對於上述瓷磚，進行了光觸媒活性評估試驗，並調查其對甲基藍分解活性。其次對該瓷磚，使用第5圖所示的試驗裝置進行水垢形成試驗。亦即，使上述添加鋁離子pH調整水，以1日20次，間隔25分鐘之方式附著於瓷磚來使水垢附著。然後，進行上述滑動試驗。滑動試驗後，對瓷磚再次進行光觸媒活性評估試驗。其結果，如第9表所示。
    1‧‧‧設備
    2‧‧‧閥
    3‧‧‧酸性水生成裝置
    4‧‧‧金屬離子添加裝置
    5‧‧‧控制裝置
    6‧‧‧塗佈裝置
    7‧‧‧光照射裝置
    10、20‧‧‧供水手段及矽酸聚合抑制劑添加手段
    11‧‧‧光觸媒層
    21‧‧‧電解酸性水生成裝置
    22‧‧‧金屬離子添加槽
    23‧‧‧泵浦吸壓手段
    第1圖為用水周邊設備的概念圖，是使藉由酸性水生成裝置3調整過酸性度，再藉由金屬離子添加裝置4添加有金屬離子之上水道的水，利用塗佈手段6將該水施用於便器等的設備1上。
    第2圖為用水周邊設備的概念圖，是在藉由電解酸性水生成裝置21所電解而取得的酸性水中，於金屬離子添加槽22中添加金屬離子後，利用塗佈手段6將該酸性水施用於便器等的設備1上。
    第3圖為用水周邊設備的概念圖，是使藉由酸性水生成裝置3調整過酸性度，再藉由金屬離子添加裝置4添加有金屬離子之上水道的水，利用塗佈手段6將該水施用於便器等的設備1上。在此，於設備1的表面形成有光觸媒層11，並設有用以激勵該光觸媒層中之光觸媒的光(較佳為紫外線)照射裝置7。
    第4圖為用水周邊設備的概念圖，是在藉由電解酸性水生成裝置21所電解而取得的酸性水中，於金屬離子添加槽22中添加金屬離子後，利用塗佈手段6將該酸性水施用於便器等的設備1上。在此，於設備1的表面形成有光觸媒層11，並設有用以激勵該光觸媒層中之光觸媒的光(較佳為紫外線)照射裝置7。
    第5圖是在實施例之水垢形成試驗中所使用之裝置的模式圖。
    权利要求:
    Claims (11)
    [1] 一種用水周邊設備，是能夠被來自供水源的水所覆蓋的用水周邊設備，其特徵為：具有：對附著於該用水周邊設備的表面之作為殘留水的水，添加矽酸聚合抑制劑的手段。
    [2] 如申請專利範圍第1項之用水周邊設備，其中，於上述表面設有含有光觸媒所形成的層所構成。
    [3] 如申請專利範圍第1或2項之用水周邊設備，其中，上述矽酸聚合抑制劑，為酸性度較高的水溶液。
    [4] 如申請專利範圍第3項之用水周邊設備，其中，上述酸性度較高的水溶液，是能夠將上述殘留水的酸性度調整成pH1.5~5.5的水溶液。
    [5] 如申請專利範圍第4項之用水周邊設備，其中，上述酸性度較高的水溶液，是由更含有金屬離子所組成。
    [6] 如申請專利範圍第1或2項之用水周邊設備，其中，上述矽酸聚合抑制劑是被預先添加在由供水源所供給的水中。
    [7] 一種抑制水垢的方法，是對於在表面殘留有殘留水，當其乾燥時具有成為水垢之可能性的構件表面上抑制水垢的方法，其特徵為：由至少包含將矽酸聚合抑制劑添加於該構件表面的殘留水所構成。
    [8] 如申請專利範圍第7項之抑制水垢的方法，其中，於上述構件表面設有含有光觸媒所形成的層所構成。
    [9] 如申請專利範圍第7或8項之抑制水垢的方法，其中，上述矽酸聚合抑制劑，為酸性度較高的水溶液。
    [10] 如申請專利範圍第9項之抑制水垢的方法，其中，上述酸性度較高的水溶液，是能夠將上述殘留水的酸性度調整成pH1.5~5.5的水溶液。
    [11] 如申請專利範圍第10項之抑制水垢的方法，其中，上述酸性度之較高水溶液體，是由更含有金屬離子所組成。
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