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    • 专利摘要:
    本發明的課題是在於謀求處理工程全體的處理時間的縮短。其解決手段係本發明的液處理方法具備：第1處理工程，其係利用第1噴嘴(31A)來將第1處理液供給至晶圓(W)，且從第1排出路(46a)排出第1處理液，而引導至第1氣液分離器(48a)；及第2處理工程，其係利用第2噴嘴(31B)來將第2處理液供給至晶圓(W)，且從第2排出路(46b)排出第2處理液，而引導至第2氣液分離器(48b)。在第2處理工程開始之前，進行從第1噴嘴(31A)往第2噴嘴(31B)的噴嘴切換作業、及使引導杯(44)上下而從第1排出路(46b)切換至第2排出路(46b)的排出機構切換作業。將切換作業所要的時間之中成為最長的時間設為最大準備時間，從離第1處理工程的終了時提早最大準備時間以上的時間開始上述切換作業。
    公开号:TW201321087A
    申请号:TW101137442
    申请日:2012-10-11
    公开日:2013-06-01
    发明作者:Yuuji Takimoto
    申请人:Tokyo Electron Ltd；
    IPC主号:H01L21-00
    专利说明:
    液處理裝置、液處理方法及記憶媒體
    本發明是有關一邊使基板保持於水平狀態的狀態下旋轉，一邊對該基板供給處理液，藉此對基板進行洗淨處理或蝕刻處理等的預定的液處理之液處理裝置，液處理方法及記憶媒體。
    在半導體裝置的製造工程中，在被形成於半導體晶圓等的基板(以下亦簡稱「晶圓」)的處理對象膜上以預定的圖案形成有光阻劑膜，以此光阻劑膜作為遮罩來對處理對象膜實施蝕刻，離子注入等的處理。處理後，不要的光阻劑膜是從晶圓上除去。
    光阻劑膜的除去方法常使用SPM處理。SPM處理是由SPM液噴嘴來對晶圓上的光阻劑膜供給混合加熱後的硫酸與過氧化氫而取得的高溫的SPM(Sulfuric Acid Hydrogen Peroxide Mixture)液，藉此進行。此情況，晶圓是藉由基板保持部來保持，被供給至晶圓的SPM液是從設在基板保持部外周的第1排出路排出。
    SPM處理終了後，由洗滌液噴嘴來對晶圓供給洗滌液。此情況，被供給至晶圓的洗滌液是從與第1排出路不同的第2排出路排出。
    可是，在對晶圓供給SPM液(第1處理液)的處理工程與對晶圓供給洗滌液(第2處理液)的處理工程之間，須要從SPM液噴嘴(第1噴嘴)切換至洗滌液噴嘴(第2噴嘴)的作業，且亦須要使由晶圓排出的液從引導至第1排出路的路徑切換至引導至第2排出路的路徑之作業。
    因此，處理時間是對晶圓的SPM液(第1處理液)的供給時間加上對晶圓的洗滌液(第2處理液)的供給時間及從上述SPM液噴嘴(第1噴嘴)切換至洗滌液噴嘴(第2噴嘴)的切換作業及從第1排出路切換至第2排出路的切換作業的時間。如此，在最近的半導體裝置的處理工程中，會被要求更縮短全體的處理時間。 [先行技術文獻] [專利文獻]
    [專利文獻1]特開2007-35866號公報
    本發明是考慮如此的點而研發者，其目的是在於提供一種在具備對晶圓供給第1處理液的處理工程及之後對晶圓供給第2處理液的處理工程之液處理工程中，可謀求全體的處理時間的縮短之液處理裝置，液處理方法及記憶媒體。
    本發明的液處理裝置的特徵係具備：基板保持部，其係保持基板；第1噴嘴，其係對被保持於基板保持部的基板供給第1處理液；第2噴嘴，其係對被保持於基板保持部的基板供給第2處理液；排出機構，其係可切換第1排出路及第2排出路；及控制部，其係分別控制基板保持部，第1噴嘴，第2噴嘴及排出機構，控制部係具備：第1處理工程，其係從第1噴嘴來對被保持於基板保持部的基板供給第1處理液，且經由排出機構來從第1排出路排出第1處理液；及第2處理工程，其係於第1處理工程後，從第2噴嘴來對被保持於基板保持部的基板供給第2處理液，且經由排出機構來從第2排出路排出第2處理液，在第2處理工程開始之前，進行從第1噴嘴往第2噴嘴的噴嘴切換作業及從第1排出路往第2排出路的排出機構切換作業，在噴嘴切換作業及排出機構切換作業所要的時間中，將最長的時間設定為最大準備時間，從比第1處理工程的終了時還提早此最大準備時間以上的時間點開始噴嘴切換作業及排出機構切換作業。
    本發明係如申請專利範圍第1項之液處理裝置，其中，排出機構係可移動於被連接至第1排出路的第1位置與被連接至第2排出路的第2位置之間。
    本發明更具備：第1排氣機構及第2排氣機構，控制部係在第1處理工程中，更藉由第1排氣機構排除來自第1處理液的排氣，在第2處理工程中，更藉由第2排氣機構排除來自第2處理液的排氣，在第2處理工程開始之前，進行從第1排氣機構往第2排氣機構的排氣機構切換作業，在噴嘴切換作業、排出機構切換作業及排氣機構切換作業所要的時間中，將最長的時間設定為最大準備時間，從比第1處理工程的終了時還提早此最大準備時間以上的時間點開始噴嘴切換作業、排出機構切換作業及排氣機構切換作業。
    本發明的液處理方法的特徵係具備：第1處理工程，其係從第1噴嘴來對被保持於基板保持部的基板供給第1處理液，且經由排出機構來從第1排出路排出第1處理液；第2處理工程，其係於第1處理工程後，從第2噴嘴來對被保持於基板保持部的基板供給第2處理液，且經由排出機構來從第2排出路排出第2處理液，在第2處理工程開始之前，進行從第1噴嘴往第2噴嘴的噴嘴切換作業及從第1排出路往第2排出路的排出機構切換作業，在噴嘴切換作業及排出機構切換作業所要的時間中，將最長的時間設定為最大準備時間，從比第1處理工程的終了時還提早此最大準備時間以上的時間點開始噴嘴切換作業及排出機構切換作業。
    本發明的液處理方法的特徵係具備：第1處理工程，其係從第1噴嘴來對被保持於基板保持部的基板供給第1處理液，經由排出機構來從第1排出路排出第1處理液，且藉由第1排氣機構排除來自第1處理液的排氣；及第2處理工程，其係於第1處理工程後，從第2噴嘴來對被保持於基板保持部的基板供給第2處理液，經由排出機構來從第2排出路排出第2處理液，且藉由第2排氣機構排除來自第2處理液的排氣，在第2處理工程開始之前，進行從第1噴嘴往第2噴嘴的噴嘴切換作業、從第1排出路往第2排出路的排出機構切換作業及從第1排氣機構往第2排氣機構的排氣機構切換作業，在噴嘴切換作業、排出機構切換作業及排氣機構切換作業所要的時間中，將最長的時間設定為最大準備時間，從比第1處理工程的終了時還提早此最大準備時間以上的時間點開始噴嘴切換作業、排出機構切換作業及排氣機構切換作業。
    本發明的液處理方法的特徵為：在第2處理工程之後，更具備使基板乾燥的第3處理工程。
    本發明的液處理方法的特徵為：排出機構係由設在基板保持部外周的引導杯所構成，此引導杯係移動於上下方向來取被連接至第1排出路的第1位置及被連接至第2排出路的第2位置。
    本發明的液處理方法的特徵為：第1噴嘴係設在第1噴嘴支撐臂，第2噴嘴係設在第2噴嘴支撐臂。
    本發明的液處理方法的特徵為：第1噴嘴及第2噴嘴係設在共通的噴嘴支撐臂。
    本發明的液處理方法的特徵為：第1排氣機構及第2排氣機構係可藉由切換閥來切換。
    本發明的記憶媒體，係儲存用以使液處理方法實行於電腦的電腦程式之記憶媒體，其特徵為，此液處理方法係具備：第1處理工程，其係從第1噴嘴來對被保持於基板保持部的基板供給第1處理液，且經由排出機構來從第1排出路排出第1處理液；第2處理工程，其係於第1處理工程後，從第2噴嘴來對被保持於基板保持部的基板供給第2處理液，且經由排出機構來從第2排出路排出第2處理液，在第2處理工程開始之前，進行從第1噴嘴往第2噴嘴的噴嘴切換作業及從第1排出路往第2排出路的排出機構切換作業，在噴嘴切換作業及排出機構切換作業所要的時間中，將最長的時間設定為最大準備時間，從比第1處理工程的終了時還提早此最大準備時間以上的時間點開始噴嘴切換作業及排出機構切換作業。
    本發明的記憶媒體，係儲存用以使液處理方法實行於電腦的電腦程式之記憶媒體，其特徵為，此液處理方法係具備：第1處理工程，其係從第1噴嘴來對被保持於基板保持部的基板供給第1處理液，經由排出機構來從第1排出路排出第1處理液，且藉由第1排氣機構排除來自第1處理液的排氣；第2處理工程，其係於第1處理工程後，從第2噴嘴來對被保持於基板保持部的基板供給第2處理液，經由排出機構來從第2排出路排出第2處理液，且藉由第2排氣機構排除來自第2處理液的排氣，在第2處理工程開始之前，進行從第1噴嘴往第2噴嘴的噴嘴切換作業、從第1排出路往第2排出路的排出機構切換作業及從第1排氣機構往第2排氣機構的排氣機構切換作業，在噴嘴切換作業、排出機構切換作業及排氣機構切換作業所要的時間中，將最長的時間設定為最大準備時間，從比第1處理工程的終了時還提早此最大準備時間以上的時間點開始噴嘴切換作業、排出機構切換作業及排氣機構切換作業。
    若根據本發明，則可大幅度縮短液處理方法全體的處理時間。
    以下，參照圖面來說明有關本發明的實施形態。圖1~圖3是表示本實施形態的液處理裝置的圖。更詳細，圖1是由上方來看包含本實施形態的液處理裝置的液處理系統的上面圖。並且，圖2是表示圖1所示的液處理裝置的基板保持部及位於其周邊的構成要素的縱剖面圖，圖3是表示液處理方法的流程圖。
    首先，利用圖1來說明有關包含本實施形態的液處理裝置之液處理系統。
    如圖1所示般，液處理系統是具備：載置台101，其係用以載置載體，該載體係從外部收容作為被處理基板的半導體晶圓等的基板W(以下亦稱為晶圓W)；搬送臂102，其係用以取出被收容於載體的晶圓W；棚架單元103，其係用以載置藉由搬送臂102所取出的晶圓W；及搬送臂104，其係接受被載置於棚架單元103的晶圓W，將該晶圓W搬送至液處理裝置10內。
    如圖1所示般，在液處理系統設有複數(在圖1所示的態様是4個)的液處理裝置10。
    其次，利用圖2來說明有關本實施形態的液處理裝置10的概略構成。
    如圖2所示般，本實施形態的液處理裝置10是具備：腔室20，其係收容晶圓W，進行此收容的晶圓W的液處理；基板保持部21，其係設於腔室20內，使晶圓W保持於水平狀態而旋轉；及環狀的旋轉杯40，其係被配置於此基板保持部21的周圍。
    其中旋轉杯40是為了接受在進行晶圓W的液處理時被供給至該晶圓W之後的處理液而設。
    並且，如圖2及圖5所示般，液處理裝置10是具備：第1噴嘴31A，其係用以由上方來對被保持於基板保持部21的晶圓W供給藥液(例如SPM液)；及噴嘴支撐臂32A，其係支撐此第1噴嘴31A。
    噴嘴支撐臂32A是藉由轉動軸34A來支撐，此轉動軸34A是藉由驅動部33A來旋轉驅動。
    並且，在噴嘴支撐臂32A內延伸有供給管線35A，此供給管線35A具有開閉閥36a，被連接至過氧化氫供給部(H2O2供給部)36。
    並且，供給管線35A具有加熱器37b及開閉閥37a，被連接至硫酸供給部(H2SO4供給部)37。
    而且，藉由第1噴嘴31A，噴嘴支撐臂32A，轉動軸34A及驅動部33A來構成藥液供給機構30A，藉由驅動部33A來轉動轉動軸34A，使噴嘴支撐臂32A迴旋於水平方向。
    並且，如圖2及圖5所示般，液處理裝置10是具備：第2噴嘴31B，其係用以由上方來對被保持於基板保持部21的晶圓W供給洗滌液(例如純水液)；及噴嘴支撐臂32B，其係支撐此第2噴嘴31B。
    噴嘴支撐臂32B是藉由轉動軸34B來支撐，此轉動軸34B是藉由驅動部33B來旋轉驅動。
    並且，在噴嘴支撐臂32B內延伸有供給管線35B，35C，其中供給管線35B具有開閉閥38a，被連接至純水供給部38。
    並且，供給管線35C具有開閉閥39a，被連接至N2氣體供給部39。
    而且，藉由第2噴嘴31B，噴嘴支撐臂32B，轉動軸34B及驅動部33B來構成洗滌液供給機構30B，藉由驅動部33B來轉動轉動軸34B，使噴嘴支撐臂32B迴旋於水平方向。
    在圖2中，藥液供給機構30A的噴嘴支撐臂32A會搖動，設在噴嘴支撐臂32A前端的第1噴嘴31A會位於晶圓W的中央上部。此時，洗滌液供給機構30B的噴嘴支撐臂32B是從晶圓W退避，設在噴嘴支撐臂32B前端的第2噴嘴31B是在離開晶圓W的位置。
    並且，如圖2所示般，設有用以從上方覆蓋被保持於基板保持部21的晶圓W之氣罩70。N2氣體(氮氣)或淨化空氣等清淨化的氣體會由此氣罩70流至下方向。
    其次，更說明有關液處理裝置10的各構成要素的詳細。
    如圖2所示般，基板保持部21是具備：用以保持晶圓W的圓板形狀的保持板26，及設在保持板26的上方的圓板形狀的昇降銷板22。在昇降銷板22的上面，用以由下方支撐晶圓W的昇降銷23會在周方向以等間隔設置3個。另外，在圖2是僅顯示2個昇降銷23。並且，在昇降銷板22的下方設有活塞機構24，可藉由此活塞機構24來使昇降銷板22昇降。更具體而言，藉由搬送臂104(參照圖1)來將晶圓W載置於昇降銷23上或自昇降銷23上取出晶圓W時，是藉由活塞機構24來使昇降銷板22從圖2所示那樣的位置移動至上方，此昇降銷板22會位於比旋轉杯40更上方。另一方面，在腔室20內進行晶圓W的液處理或乾燥處理等時，是藉由活塞機構24來使昇降銷板22移動至圖2所示那樣的下降位置，旋轉杯40會位於晶圓W的周圍。
    在保持板26，用以由側方來支撐晶圓W的保持構件25會在周方向以等間隔設置3個。另外，在圖2是僅顯示2個的保持構件25。各保持構件25是在昇降銷板22從上昇位置移動至圖2所示那樣的下降位置時，由側方來支撐此昇降銷23上的晶圓W，使此晶圓W稍微離開昇降銷23。
    並且，在昇降銷板22及保持板26的中心部分分別形成有貫通穴，以能夠通過該等貫通穴的方式設置處理液供給管28。此處理液供給管28可對藉由保持板26的各保持構件25所保持的晶圓W的背面供給藥液或純水等各種的處理液。而且，處理液供給管28可與昇降銷板22連動昇降。在處理液供給管28的上端設有被設成堵塞昇降銷板22的貫通穴之頭頂部分28a。並且，如圖2所示般，在處理液供給管28連接處理液供給部29，可藉由此處理液供給部29來對處理液供給管28供給各種的處理液。
    並且，在保持板26如上述般安裝有環狀的旋轉杯40，藉此，旋轉杯40可藉由未圖示的連接部來與保持板26一體旋轉。旋轉杯40是如圖2所示般設成由側方來包圍藉由保持板26的各保持構件25所支撐的晶圓W。因此，旋轉杯40是在進行晶圓W的液處理時，可接受由此晶圓W飛散至側方的處理液。
    並且，在旋轉杯40的周圍分別設有排水杯42及引導杯44。排水杯42及引導杯44是分別形成環狀，在上部具有開口。在此，排水杯42是相對於基板保持部21來固定其位置。另一方面，如圖4(a)(b)所示般，在引導杯44連結昇降汽缸44a，此引導杯44可藉由昇降汽缸44a來使昇降。並且，引導杯44是將處理液引導至排水杯42，且具有作為進行第1排出路46a及第2排出路46b的切換之排出機構的機能。
    如圖2所示般，在排水杯42或引導杯44的下方分別設有第1排出路46a及第2排出路46b。而且，依引導杯44的上下方向的位置，在進行晶圓W的液處理時由此晶圓W飛散至側方的處理液會根據此處理液的種類來選擇性地送至2個排出路46a，46b的其中任一個的排出路。具體而言，當引導杯44位於下降位置時，由晶圓W飛散至側方的預定的處理液，例如後述的洗滌液會被送至第2排出路46b。另一方面，當引導杯44位於上昇位置時，由晶圓W飛散至側方的預定的處理液，例如後述的SPM液會被送至第1排出路46a。並且，如圖2所示般，在第1排出路46a及第2排出路46b分別連接排液泵49a，49b。而且，在第1排出路46a的內側形成有排氣路50，該排氣路50是來自藉由旋轉杯40所引導的處理液的排氣會通過，來自排氣路50的排氣是經由切換閥51來送往具有排氣泵53a的第1排氣機構52a或具有排氣泵53b的第2排氣機構52b的任一方。
    此情況，來自排液泵49a，49b的排液及來自排氣泵53a，53b的排氣皆是被送至工廠內的處理設備來適當處理。
    被噴嘴支撐臂32A所支撐的第1噴嘴31A是形成向下，混合硫酸與過氧化氫而取得的SPM液會由此噴嘴支撐臂32A的第1噴嘴31A來朝晶圓W吐出至下方。如上述般，在第1噴嘴31A連接有轉動軸34A及延伸於噴嘴支撐臂32A內的供給管線35A，並列設置的H2O2供給部36及H2SO4供給部37會分別經由開閉閥36a及開閉閥37a來連接至供給管線35A。並且，設有用以加熱從H2SO4供給部37供給的硫酸之加熱器37b。然後，從H2O2水供給部36及H2SO4供給部37所供給的過氧化氫及硫酸會被混合，混合此硫酸與過氧化氫而取得的SPM液會經由供給管線35A來送至噴嘴支撐臂32A前端的噴嘴31A。並且，藉由加熱器37b來加熱從H2SO4供給部37所供給的硫酸，且藉由硫酸與過氧化氫混合時的化學反應來產生反應熱。藉此，從第1噴嘴31A吐出的SPM液是例如100℃以上，較理想是形成170℃程度的高溫。
    並且，在圖2中，洗滌液供給機構30B的第2噴嘴31B是形成向下。更詳細是在第2噴嘴31B分別連接有轉動軸34B及延伸於噴嘴支撐臂32B內的供給管線35B，35C，其中在供給管線35B連接純水供給部38。然後，從純水供給部38經由供給管線35B而供給的純水會朝晶圓W來供給至下方。
    並且，如圖2所示般，液處理裝置10是具有統括控制其全體的動作之控制器(控制部)200。控制器200是在於控制液處理裝置10的機能零件(例如，活塞機構24，驅動部33A，33B，昇降汽缸44a，排液泵49a，49b，排氣泵53a，53b，切換閥51，開閉閥36a，37a，38a，39a等)的動作。控制器200是可藉由硬體例如泛用電腦及軟體使該電腦動作的程式(裝置控制程式及處理處方等)來實現。軟體是被儲存於電腦所固定設置的硬碟等的記憶媒體，或CD-ROM，DVD，快閃記憶體等裝卸可能地安裝於電腦的記憶媒體。如此的記憶媒體是在圖2中以元件符號201所示。處理器202是因應所需根據來自未圖示的使用者介面的指示等，從記憶媒體201叫出預定的處理處方而使實行，藉此在控制器200的控制下，液處理裝置10的各機能零件會動作而進行預定的處理。控制器200亦可為控制圖1所示的液處理系統全體的系統控制器。
    其次，說明有關由如此的構成所形成的本實施形態的作用。具體而言，利用圖3來說明有關除去在晶圓W的上面不要的光阻劑膜之洗淨處理的一連串的工程。以下所示的洗淨處理的一連串的工程是藉由控制器200控制液處理裝置10的各機能零件的動作來進行。
    首先，在圖2中，將第1噴嘴31A及第2噴嘴31B帶到從晶圓W上退避的退避位置。並且，藉由上昇汽缸44a來使引導杯44上昇，將引導杯44帶往上昇位置(第1位置)(參照圖4(a))。此情況，引導杯44是具有作為切換第1排出路46a及第2排出路46b的排出機構之機能。在如此的狀態下，使基板保持部21的昇降銷板22及處理液供給管28從圖2所示的位置移動至上方，開啟腔室20的開口94(圖1)。然後，從液處理裝置10的外部，晶圓W會藉由搬送臂104經由開口94來搬送至腔室20內，此晶圓W會被載置於昇降銷板22的昇降銷23上，然後，搬送臂104從腔室20退避。並且，淨化空氣等的氣體會經常以向下流的方式從氣罩70送至腔室20內，此氣體會被排氣，藉此進行腔室20內的環境的置換。
    其次，使昇降銷板22及處理液供給管28移動至下方，使該等的昇降銷板22及處理液供給管28位移至圖2所示那樣的下降位置。此時，設在保持板26的各保持構件25會由側方來支撐昇降銷23上的晶圓W，使此晶圓W稍微離開昇降銷23。
    然後，使基板保持部21的保持板26及昇降銷板22旋轉。藉此，藉由保持板26的各保持構件25所支撐的晶圓W也旋轉。
    其次，藉由驅動部33A來使噴嘴支撐臂32A迴旋於水平方向，將第1噴嘴31A帶往晶圓W的中央上部。
    然後，在晶圓W旋轉的狀態下，從位於晶圓W的中央上部的第1噴嘴31A供給SPM液(第1處理液)至晶圓W的上面。在此，被供給至晶圓W的上面的SPM液是形成高溫，具體而言例如100℃以上，較理想170℃程度。如此，在晶圓W的上面供給SPM液，進行晶圓W的SPM液處理(第1處理工程)。
    藉由此液處理工程，晶圓W的表面的光阻劑會藉由SPM液來剝離，與SPM液一起被剝離的光阻劑會藉由旋轉的晶圓W的離心力來送至第1排出路46a而被回收。具體而言，在對晶圓W進行SPM處理時，如上述般，引導杯44會位於上昇位置，藉此，SPM液(含被剝離的光阻劑)會藉由旋轉杯40及引導杯44來送至第1排出路46a而被回收。然後，被送至第1排出路46a的SPM液會從排液泵49a排出至外部。期間，含SPM液的成分的氣體是當作排氣來引導至排氣路50。排氣路50內的排氣是藉由切換閥51來送往第1排氣機構52a，藉由第1排氣機構52a的排氣泵53a來排出至外部。
    之後，如後述般一旦對晶圓W的SPM液處理終了，則進行利用第2噴嘴31B來對晶圓W供給洗滌液(第2處理液)的洗滌液處理(第2處理工程)。
    在此第2處理工程中，須要引導杯(排出機構)44下降而取下降位置(第2位置)，排出流路從第1排出路46a切換至第2排出路46b。並且，須要藉由切換閥51來從第1排氣機構52a切換至第2排氣機構52b，停止第1排氣機構52的排氣泵53a，而驅動第2排氣機構52b的排氣泵53b。
    亦即，在開始對晶圓W的洗滌液處理(第2處理工程)之前，須要從第1噴嘴31A切換至第2噴嘴31B的噴嘴切換作業，藉由昇降汽缸44a來使引導杯(排出機構)44從第1位置下降而帶往第2位置的排出機構切換作業，及藉由切換閥51從第1排氣機構52a切換至第2排氣機構52b的排氣機構切換作業。
    在本發明中是使從上述第1噴嘴31A切換至第2噴嘴31B的噴嘴切換作業、引導杯44的切換作業、及藉由切換閥51從第1排氣機構52a切換至第2排氣機構52b的排氣機構切換作業，在第1處理工程中，具體而言是至第1處理工程的終了時完成，藉此謀求全體處理時間的縮短。
    其次，有關至第1處理工程的終了時進行的各切換作業在以下敘述。 (噴嘴切換作業)
    從第1噴嘴31A切換至第2噴嘴31B時，首先開閉閥36a，37a會關閉，加熱器37b會停止。其次藉由藥液供給機構30A的驅動部33A來轉動轉動軸34A，噴嘴支撐臂32A會迴旋於水平方向，第1噴嘴31A會從晶圓W上退避。
    之後，藉由洗滌液供給機構30B的驅動部33B來轉動轉動軸34B，噴嘴支撐臂32B會迴旋於水平方向，第2噴嘴31B會被配置於晶圓W的中央上部(參照圖5)。
    其次，開閉閥38a，39a會開啟，從第1噴嘴31B來供給洗滌液至晶圓W上。 (排出機構切換作業)
    藉由昇降汽缸44a來使引導杯40降下，引導杯40會從上昇位置(第1位置)取降下位置(第2位置)(參照圖4(b))。藉此進行第1排出路46a往第2排出路46b的切換。 (排氣機構切換作業)
    藉由切換閥51來從具有排氣泵53a的第1排氣機構52a切換至具有排氣泵53b的第2排氣機構52b。
    在本發明中，上述各切換作業所要的時間中，將最長的時間定為最大準備時間。
    具體而言，若噴嘴切換作業須要3秒，排出機構切換作業及排氣機構切換作業須要2秒，則噴嘴切換作業的3秒設為最大準備時間。
    在第1處理工程須要20秒，在第2處理工程須要20秒時，從離第1處理工程的終了時僅提早最大準備時間(3秒)的時間點開始噴嘴切換作業、排出機構切換作業、及排氣機構切換作業。
    藉此，可使噴嘴切換作業、排出機構切換作業及排氣機構切換作業全部至第1處理工程的終了時完成。
    因此，可連續實行第1處理工程及第2處理工程，不必在第1處理工程與第2處理工程之間設置切換作業用的追加時間帶。
    因此全體可謀求處理時間的縮短。
    上述的各切換作業終了後，進行第2處理工程。此第2處理工程是在使晶圓W旋轉的狀態下藉由第2噴嘴31B來對晶圓W供給純水，藉此進行晶圓W的洗滌液處理。
    被供給至晶圓W的洗滌液是經由引導杯44來送往第2排出路46b，來自第2排出路46b的洗滌液是藉由排液泵49b來排出至外方。並且，期間，來自洗滌液的排氣會被引導至排氣路50內，來自排氣路50的排氣是藉由切換閥51來送往第2排氣機構52b，藉由第2排氣機構52b的排氣泵53b來排出至外部。
    第2處理工程終了後，使晶圓W以高速旋轉，將晶圓W的洗滌液吹散，而使晶圓W乾燥。
    如此進行對晶圓W的乾燥處理(第3處理工程)。
    一旦晶圓W的乾燥處理終了，則使基板保持部21的昇降銷板22及處理液供給管28從圖2所示的位置移動至上方，開啟腔室20的開口94。然後，搬送臂104會經由開口94來從液處理裝置10的外部進入至腔室20內，昇降銷板22的昇降銷23上的晶圓W會被移載至搬送臂104。之後，藉由搬送臂104取出的晶圓W會被搬送至液處理裝置10的外部。如此，完成一連串的晶圓W的液處理。
    如以上般若根據本實施形態，則噴嘴切換作業、排出機構切換作業及排氣機構切換作業所要的時間中，將最長時間設定為最大準備時間，從離第1處理工程的終了時僅提早最大準備期間的時間點開始上述所有的切換作業。因此，可使所有的切換作業至第1處理工程的終了時完成。因此，可縮短全體的處理時間。
    並且，上述洗淨處理的一連串的工程是按照預先被作成的處方來實行。此情況，在該處方中是數值化輸入使用哪個噴嘴來將何種處理液供給至晶圓上的哪個場所幾秒，以及將處理液排出至哪個排出路，將排氣送至哪個排氣路。控制器200是從所被作成的處方來辨識在第1處理工程及第2處理工程所必要的切換作業。其中作業所要的時間中，可使所有的切換作業至第1處理工程終了時完成，因此可使上述處方上的設定時間與實際的處理時間成為相同，可正確地掌握液處理裝置全體的處理能力。
    上述實施形態中是顯示在第1處理工程中使用SPM液作為第1處理液，使用洗滌液作為第2處理液的例子，但並非限於此，亦可使用SPM液以外的其他藥液作為第1處理液，使用洗滌液作為第2處理液。
    並且，亦可使用洗滌液作為第1處理液，使用藥液(含SPM液)作為第2處理液。
    哪個情況皆是藥液與洗滌液不反應，所以不會有結晶微粒發生的情形。
    其次，敘述有關本發明的變形例。
    在上述實施形態中是顯示將第1噴嘴31A設在噴嘴支撐臂32A的前端，將第2噴嘴31B設在噴嘴支撐臂32B的前端之例，但並非限於此，亦可使第1噴嘴31A及第2噴嘴31B藉由同一噴嘴支撐臂來支撐。
    此情況，第1噴嘴31A及第2噴嘴31B的噴嘴切換作業是藉由使噴嘴支撐臂迴旋來進行。
    並且，在上述實施形態中是顯示從離第2處理工程的終了時僅提早最大準備時間的時間點進行所有的切換作業之例，但亦可只使具有最大準備時間(3秒)的噴嘴切換作業從離第1處理工程的終了時僅提早最大準備時間的時間點開始，之後經過1秒後進行排出機構切換作業(2秒)及氣液分離器切換作業(2秒)，而使所有的切換作業在第1處理工程的終了時同時完成。
    10‧‧‧液處理裝置
    21‧‧‧基板保持部
    31A‧‧‧第1噴嘴
    31B‧‧‧第2噴嘴
    32A‧‧‧噴嘴支撐臂
    32B‧‧‧噴嘴支撐臂
    40‧‧‧旋轉杯
    44‧‧‧引導杯
    44a‧‧‧昇降汽缸
    46a‧‧‧第1排出路
    46b‧‧‧第2排出路
    49a‧‧‧排液泵
    49b‧‧‧排液泵
    50‧‧‧排氣路
    51‧‧‧切換閥
    52a‧‧‧第1排氣機構
    52b‧‧‧第2排氣機構
    53a‧‧‧排氣泵
    53b‧‧‧排氣泵
    70‧‧‧氣罩
    圖1是由上面來看包含本發明的實施形態的液處理裝置之液處理系統的上面圖。
    圖2是表示液處理裝置的基板保持部及位於其周邊的構成要素的縱剖面圖。
    圖3是表示本發明的液處理方法的流程圖。
    圖4(a)(b)是表示引導杯及昇降汽缸的圖。
    圖5是表示藥液供給機構及洗滌液供給機構的平面圖。
    21‧‧‧基板保持部
    22‧‧‧昇降銷板
    23‧‧‧昇降銷
    24‧‧‧活塞機構
    25‧‧‧保持構件
    26‧‧‧保持板
    28‧‧‧處理液供給管
    28a‧‧‧貫通穴之頭頂部分
    29‧‧‧處理液供給部
    30A‧‧‧藥液供給機構
    30B‧‧‧洗滌液供給機構
    31A‧‧‧第1噴嘴
    31B‧‧‧第2噴嘴
    32A‧‧‧噴嘴支撐臂
    32B‧‧‧噴嘴支撐臂
    33A，33B‧‧‧驅動部
    34A，34B‧‧‧轉動軸
    35A，35B，35C‧‧‧供給管線
    36‧‧‧H2O2水供給部
    36a，37a，38a，39a‧‧‧開閉閥
    37‧‧‧H2SO4供給部
    37b‧‧‧加熱器
    38‧‧‧純水供給部
    39‧‧‧N2氣體供給部
    40‧‧‧旋轉杯
    42‧‧‧排水杯
    44‧‧‧引導杯
    46a‧‧‧第1排出路
    46b‧‧‧第2排出路
    49a‧‧‧排液泵
    49b‧‧‧排液泵
    50‧‧‧排氣路
    51‧‧‧切換閥
    52a‧‧‧第1排氣機構
    52b‧‧‧第2排氣機構
    53a‧‧‧排氣泵
    53b‧‧‧排氣泵
    70‧‧‧氣罩
    200‧‧‧控制器
    201‧‧‧記憶媒體
    202‧‧‧處理器
    W‧‧‧晶圓
    权利要求:
    Claims (12)
    [1] 一種液處理裝置，其特徵係具備：基板保持部，其係於處理空間內保持基板；第1噴嘴，其係對被保持於基板保持部的基板供給第1處理液；第2噴嘴，其係對被保持於基板保持部的基板供給第2處理液；排出機構，其係可切換第1排出路及第2排出路；及控制部，其係分別控制基板保持部，第1噴嘴，第2噴嘴及排出機構，控制部係進行：第1處理工程，其係從第1噴嘴來對被保持於基板保持部的基板供給第1處理液，且經由排出機構來從第1排出路排出第1處理液；第2處理工程，其係於第1處理工程後，從第2噴嘴來對被保持於基板保持部的基板供給第2處理液，且經由排出機構來從第2排出路排出第2處理液；及在第2處理工程開始之前，從第1噴嘴往第2噴嘴的噴嘴切換作業及從第1排出路往第2排出路的排出機構切換作業，在噴嘴切換作業及排出機構切換作業所要的時間中，將最長的時間設定為最大準備時間，從比第1處理工程的終了時還提早此最大準備時間以上的時間點開始噴嘴切換作業及排出機構切換作業。
    [2] 如申請專利範圍第1項之液處理裝置，其中，排出機構係由設在前述基板保持部外周的引導杯所構成，前述引導杯係移動於前述處理空間為被連接至第1排出路的第1位置與被連接至第2排出路的第2位置之間。
    [3] 如申請專利範圍第1或2項之液處理裝置，其中，更具備：第1排氣機構及第2排氣機構，控制部係在第1處理工程中，藉由第1排氣機構排除來自第1處理液的排氣，在第2處理工程中，藉由第2排氣機構排除來自第2處理液的排氣，在第2處理工程開始之前，進行從第1排氣機構往第2排氣機構的排氣機構切換作業，在噴嘴切換作業、排出機構切換作業及排氣機構切換作業所要的時間中，將最長的時間設定為最大準備時間，從比第1處理工程的終了時還提早此最大準備時間以上的時間點開始噴嘴切換作業、排出機構切換作業及排氣機構切換作業。
    [4] 如申請專利範圍第3項之液處理裝置，其中，更具備：切換前述第1排氣機構及前述第2排氣機構的切換閥。
    [5] 一種液處理方法，其特徵係進行：第1處理工程，其係從第1噴嘴來對處理空間內的基板供給第1處理液，且經由排出機構來從第1排出路排出第1處理液；第2處理工程，其係於第1處理工程後，從第2噴嘴來對處理空間內的基板供給第2處理液，且經由排出機構來從第2排出路排出第2處理液；及在第2處理工程開始之前，從第1噴嘴往第2噴嘴的噴嘴切換作業及從第1排出路往第2排出路的排出機構切換作業，在噴嘴切換作業及排出機構切換作業所要的時間中，將最長的時間設定為最大準備時間，從比第1處理工程的終了時還提早此最大準備時間以上的時間點開始噴嘴切換作業及排出機構切換作業。
    [6] 一種液處理方法，其特徵係進行：第1處理工程，其係從第1噴嘴來對處理空間內的基板供給第1處理液，經由排出機構來從第1排出路排出第1處理液，且藉由第1排氣機構排除來自第1處理液的排氣；第2處理工程，其係於第1處理工程後，從第2噴嘴來對處理空間內的基板供給第2處理液，經由排出機構來從第2排出路排出第2處理液，且藉由第2排氣機構排除來自第2處理液的排氣；及在第2處理工程開始之前，從第1噴嘴往第2噴嘴的噴嘴切換作業、從第1排出路往第2排出路的排出機構切換作業及從第1排氣機構往第2排氣機構的排氣機構切換作業，在噴嘴切換作業、排出機構切換作業及排氣機構切換作業所要的時間中，將最長的時間設定為最大準備時間，從比第1處理工程的終了時還提早此最大準備時間以上的時間點開始噴嘴切換作業、排出機構切換作業及排氣機構切換作業。
    [7] 如申請專利範圍第5或6項之液處理方法，其中，在第2處理工程之後，更具備使基板乾燥的第3處理工程。
    [8] 如申請專利範圍第5或6項之液處理方法，其中，前述排出機構切換作業係設在基板保持部外周的引導杯在前述處理空間和第1排出路連接的位置與第2排出路和前述處理空間連接的位置之間移動於上下方向進行。
    [9] 如申請專利範圍第5或6項之液處理方法，其中，第1噴嘴係設在第1噴嘴支撐臂，第2噴嘴係設在第2噴嘴支撐臂，前述噴嘴切換作業係停止來自前述第1噴嘴的第1處理液的供給，使前述第1噴嘴支撐臂從基板上退避，將前述第2噴嘴支撐臂配置於基板上。
    [10] 如申請專利範圍第5或6項之液處理方法，其中，第1噴嘴及第2噴嘴係設在共通的噴嘴支撐臂，前述噴嘴切換作業係停止來自前述第1噴嘴的第1處理液的供給，以前述第2噴嘴能夠位於第2處理液的供給位置的方式移動前述噴嘴支撐臂。
    [11] 一種記憶媒體，係儲存用以使液處理方法實行於電腦的電腦程式之記憶媒體，其特徵為，此液處理方法係進行：第1處理工程，其係從第1噴嘴來對處理空間內的基板供給第1處理液，且經由排出機構來從第1排出路排出第1處理液；第2處理工程，其係於第1處理工程後，從第2噴嘴來對處理空間內的基板供給第2處理液，且經由排出機構來從第2排出路排出第2處理液；及在第2處理工程開始之前，從第1噴嘴往第2噴嘴的噴嘴切換作業及從第1排出路往第2排出路的排出機構切換作業，在噴嘴切換作業及排出機構切換作業所要的時間中，將最長的時間設定為最大準備時間，從比第1處理工程的終了時還提早此最大準備時間以上的時間點開始噴嘴切換作業及排出機構切換作業。
    [12] 一種記憶媒體，係儲存用以使液處理方法實行於電腦的電腦程式之記憶媒體，其特徵為，此液處理方法係進行：第1處理工程，其係從第1噴嘴來對處理空間內的基板供給第1處理液，經由排出機構來從第1排出路排出第1處理液，且藉由第1排氣機構排除來自第1處理液的排氣；第2處理工程，其係於第1處理工程後，從第2噴嘴來對處理空間內的基板供給第2處理液，經由排出機構來從第2排出路排出第2處理液，且藉由第2排氣機構排除來自第2處理液的排氣；及在第2處理工程開始之前，從第1噴嘴往第2噴嘴的噴嘴切換作業、從第1排出路往第2排出路的排出機構切換作業及從第1排氣機構往第2排氣機構的排氣機構切換作業，在噴嘴切換作業、排出機構切換作業及排氣機構切換作業所要的時間中，將最長的時間設定為最大準備時間，從比第1處理工程的終了時還提早此最大準備時間以上的時間點開始噴嘴切換作業、排出機構切換作業及排氣機構切換作業。
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