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    • 专利摘要:
    本發明之多孔質金屬箔係由以金屬纖維構成之二維網眼構造所成。該多孔質金屬箔具有光澤度較高之第一面及位於與第一面相反側之光澤度較低之第二面。依據JIS Z 8741(1997)以60度之入射角及反射角測定之第一面之光澤度GS之相對於第二面之光澤度GM之比GS/GM為1~15。依據本發明，可藉亦適於連續生產之高生產性且便宜地獲得除了源自多孔質金屬箔之優異特性以外，於兩面間之特性差異得以減低之有用性高之複合金屬箔。
    公开号:TW201304264A
    申请号:TW101111879
    申请日:2012-04-03
    公开日:2013-01-16
    发明作者:Tetsuhiro Matsunaga；Hajime Watanabe；Joe Nishikawa
    申请人:Mitsui Mining & Smelting Co；
    IPC主号:H01B1-00
    专利说明:
    多孔質金屬箔及其製造方法 [相關申請案之相互參考]
    本申請案基於2011年4月8日申請之日本專利申請案第2011-86619號主張優先權，其全部揭示內容藉由參考併入本說明書中。
    本發明係關於多孔質金屬箔及其製造方法者。
    近年來，作為行動電話或筆記型電腦等行動電子設備、電動車、及油電混合車用之蓄電裝置之鋰離子蓄電池或鋰離子電容器備受矚目。使用多孔質金屬箔作為此種蓄電裝置之負極集電體或者其用途正被探討。其原因為具有藉由成為多孔質而可減低體積或重量(據此可改善汽車之燃料費)，且藉由活用孔之投錨效果可提高活性物質之密著力，及利用孔而有效地進行鋰離子之預摻雜(例如垂直預摻雜)等之優點。
    至於此種多孔質金屬箔之習知製造方法舉例有(1)於基材表面上預先以所需圖型藉絕緣性被膜予以遮蔽並於其上施以電解鍍敷而透過圖型形成孔之方法，(2)預先於基材表面賦予特有之表面粗糙度或表面性狀，藉由於其上施以電解鍍敷而控制核生成之方法，(3)利用蝕刻或機械加工將無孔質金屬箔穿孔之方法，(4)利用對發泡金屬或不織布鍍敷之方法形成三維網眼構造之方法等。
    尤其，上述(2)之方法由於步驟較簡潔且適於量產，故提案有多種技術。例如，專利文獻1中，揭示藉由對表面粗糙度Rz為0.8μm以下的陰極施以電解鍍敷而製造微細開孔之金屬箔之方法。專利文獻2中，揭示藉由陽極氧化法於由鈦或鈦合金所成之陰極體表面形成氧化被膜，朝陰極體表面電析出銅而形成多孔質銅箔並自陰極體剝離之方法。於專利文獻3中，揭示為了製造鋁合金載體附開孔之金屬箔，而藉由蝕刻鋁形成均一突起部，以該突起部作為電析之核使金屬粒子緩慢成長並成排之方法。
    然而，該等以往製法中，通常由於需要較多之步驟數，故有製造成本變高之傾向，再者，基於藉由沖孔等之機械加工而有發生毛邊、難以藉陽極氧化法控制核發生等之理由，實際上以低成本製造穩定開孔率之箔並不容易。且，難以製造長條狀製品，以陽極氧化法連續剝離時有氧化被膜受到破壞，於多孔質箔之剝離性及開孔率之安定性產生問題。尤其，對於鋰離子蓄電池、鋰離子電容器等之蓄電裝置之負極集電體，要求伴隨著高性能化，可無凹部且孔較小之高開孔率之多孔質金屬箔。
    另一方面，於作為集電體之金屬箔上塗佈底塗而提高電池特性為已知。例如，專利文獻4中，揭示於集電體表面上塗佈含有聚矽酸鋰及依所需之碳質成分之底塗。又，專利文獻5中，揭示於作為集電體基材之如金屬箔或金屬網或沖孔金屬之面狀構件上，使用黏合劑固定碳粉末、碳纖維、導電性聚合物等之一種或兩種以上所成之導電助劑。 [先前技術文獻] [專利文獻]
    [專利文獻1]特開平10-195689號公報
    [專利文獻2]特許第3262558號公報
    [專利文獻3]特開2005-251429號公報
    [專利文獻4]特開2001-527104號公報
    [專利文獻5]WO2009/031555A1
    本發明人等如今發現藉由在已形成裂紋之某種剝離層上進行金屬鍍敷，可藉亦適於連續生產之高生產性便宜地獲得具有優異特性之多孔質金屬箔之見解。而且，獲得藉由使金屬箔之兩面之表面形狀乃至表面粗糙度相近，可獲得兩面間之特性差得以減低之有用性之高多孔質金屬箔之見解。
    因此，本發明之目的可藉亦適於連續生產之高生產性且便宜地獲得除了源自多孔質金屬箔之優異特性以外，於兩面間之特性差亦得以減低之有用性高之多孔質金屬箔。
    亦即，依據本發明之一樣態，係提供一種多孔質金屬箔，其係由以金屬纖維構成之二維網眼構造所成之多孔質金屬箔，前述多孔質金屬箔具有光澤度較高之第一面及位於與第一面相反側之光澤度較低之第二面，依據JIS Z 8741(1997)以60度之入射角及反射角測定之第一面之光澤度GS之相對於第二面之光澤度GM之比GS/GM為1~15。
    且，依據本發明之另一樣態，係提供一種製造方法，其為多孔質金屬箔之製造方法，該方法包含下列步驟：準備具備於表面發生裂紋之剝離層之導電性基材之步驟；於前述剝離層上，鍍敷可優先於前述裂紋中析出之金屬，使金屬沿著前述裂紋析出，藉此形成由以金屬纖維構成之二維網眼構造所成之多孔質金屬箔之步驟；自前述剝離層剝離前述多孔質金屬箔，而獲得因與前述剝離層之接觸面所致之光澤度較高之第一面及位於與前述第一面相反側之光澤度較低之第二面之步驟；及藉由於前述第一面及前述第二面之至少一表面上施以表面處理，而減小上述第一面光澤度之相對於上述第二面光澤度之比之步驟。
    再者，依據本發明之另一樣態，係提供一種製造方法，其為多孔質金屬箔之製造方法，其包含下列步驟：準備具備於表面發生裂紋且被賦予凹凸之剝離層之導電性基材之步驟；於前述剝離層上，鍍敷可優先於前述裂紋中析出之金屬，使金屬沿著前述裂紋析出，藉此形成由以金屬纖維構成之二維網眼構造所成之多孔質金屬箔之步驟；自前述剝離層剝離前述多孔質金屬箔，而獲得位於遠離前述剝離層之側之光澤度較高之第一面及轉印有前述剝離層之凹凸且光澤度較低之第二面，或獲得位於遠離前述剝離層之側之光澤度較低之第二面及轉印有前述剝離層之凹凸且光澤度較高之第一面，藉此減小上述第一面光澤度之相對於上述第二面光澤度之比之步驟。 [多孔質金屬箔]
    圖1顯示本發明之多孔質金屬箔之一例之俯視模式圖。如圖1所示，本發明之多孔質金屬箔10係由以金屬纖維11構成之二維網眼構造所成。多孔質金屬箔10具有光澤度較高之第一面，及位在與前述第一面相反側之光澤度較低之第二面。依據JIS Z 8741(1997)以60度之入射角及反射角測定之第一面之光澤度GS之相對於第二面之光澤度GM之比GS/GM(以下稱為GS/GM比)為1~15。此處，表面稱為第一面時背面則為第二面，背面稱為第一面時表面則為第二面。光澤度為適於反映金屬箔表面形狀及表面粗糙度之指標，例如，光滑且凹凸小之金屬表面有光澤度高之傾向，粗糙且凹凸大之表面有光澤度低之傾向。如本發明人等所了解，由以金屬纖維構成之二維網眼構造所成之多孔質金屬箔中，起因於其製造方法之GS/GM比大概為17~20左右，但依據本發明，可提供使兩面之表面形狀乃至表面粗糙度趨近至GS/GM比為1~15，使兩面間之特性差明顯減低之多孔質金屬箔。
    該種兩面間之特性差獲得減低之多孔質金屬箔為在各種用途中有用性高者。例如，使用多孔質金屬箔(例如銅箔)作為蓄電裝置用集電體時，可獲得(1)不需要隨著塗佈面而改變活性物質漿料之塗佈條件，(2)將多孔質金屬箔組裝於層合型之蓄電裝置中時，並無因電極反應之面所致之差而可提高長期使用之可靠性，(3)對於鋰離子摻雜物或圓筒之朝內捲及朝外捲之配置等具有設計自由度之各種優點。
    多孔質金屬箔10較好具有3~80%，更好5~60%，又更好10~55%，又再更好20~55%之開孔率。此處，開孔率P(%)係使用具有與多孔質金屬箔相同組成及尺寸之無孔質金屬箔之理論重量Wn中所佔之前述多孔質金屬箔之重量Wp之比率Wp/Wn，由下述定義。
    P=100-[(Wp/Wn)×100]
    該理論重量Wn之算出可藉由測定所得多孔質金屬箔之尺寸，由所測定之尺寸算出體積(亦即理論之無孔質金屬箔之體積)，且對所得體積乘以所製作之多孔質金屬箔之材質之密度而進行。
    據此，多孔質金屬箔10即使開孔率高，亦可藉由以二維網眼狀佈滿之無數個金屬纖維11而展現充分強度。因此，不用擔心強度降低，而可使開孔率提高至以往所沒有之程度。例如，多孔質金屬箔10之藉後述測定方法測定之拉伸強度較好為10N/10mm以上，更好為15N/10mm以上，據此可有效防止多孔質金屬箔之斷裂。當然，以對多孔質金屬箔安裝載體之狀態進行處理時，即使比上述範圍更低之拉伸強度也無問題。該情況下，可不用擔心拉伸強度而使開孔率提高至極限。
    多孔質金屬箔10較好具有3~40μm之厚度，更好為3~30μm，又更好為5~25μm，又再更好為10~20μm，最好為10~15μm。在該範圍內時高開孔率與高強度之均衡優異。本發明之多孔質金屬箔由於係由以金屬纖維構成之二維網眼構造所成，故多孔質金屬箔之厚度相當於金屬纖維之最大剖面高度。該厚度較好利用使用比多孔質金屬箔之孔尺寸大之測定子之市售膜厚測定裝置測定。
    金屬纖維11為金屬製纖維，使用之金屬只要依據目的用途適當決定即可，並無特別限制。較佳之金屬包含由銅、鋁、金、銀、鎳、鈷、錫所組成群組選出之至少一種。此處，所謂「包含」意指只要是主要含上述列舉之金屬元素之金屬或合金即可，容許含其他金屬元素或不可避免之雜質作為其餘部分，更好意指金屬乃至合金之50重量%以上係以上述列舉之金屬元素構成，典型例列舉為由上述列舉之金屬元素及無可避免之雜質所成者。該等定義對於與金屬有關之後述同種之表現同樣適用。該等金屬中，適於鋰離子蓄電池、鋰離子電容器等蓄電裝置之負極集電體者為包含由銅、銅合金、鎳、鈷及錫所組成群組選出之至少一種者，更好為銅。尤其，二維網眼構造較好具有起因於基材表面形成之裂紋之不規則形狀。
    金屬纖維11之線徑較好為5~80μm，更好為5~50μm，又更好為8~30μm，最好為10~20μm。又，「線徑」係定義為自正上方觀看多孔質金屬箔時之纖維11之寬(粗細)，可使用光學顯微鏡、場輻射型掃描電子顯微鏡(FE-SEM)、掃描離子顯微鏡(SIM)等測定。在該範圍內時，高開孔率與高強度之均衡性優異。
    依據本發明之較佳樣態，如圖1所示，金屬纖維11為分枝狀纖維，且分枝狀纖維以不規則配置而構成多孔質金屬箔10。纖維11係因沿著後述之剝離層之裂紋進行核生成，藉由無數金屬粒子連結而成所形成者，但為構成金屬纖維，較好藉由粒子成長使鄰接之金屬粒子彼此緊密結合，故構成金屬纖維之金屬粒子亦可不具有已成完全的粒子狀形。且，如圖2所示，構成金屬纖維11之金屬粒子典型上在粒子形成最初，具有含有球狀部11a與底部11b之半球狀之形態，且全部金屬粒子之底部11b位於同一基底面上，全部之金屬粒子之球狀部11a以基底面為基準位於相同側。該情況下，以沿著基底面之底部11b之寬度D作為線徑，球狀部11a之最大剖面高度H相當於多孔質金屬箔之厚度。該基底面及位於其上之底部11b為反映製造時使用之剝離層之平面形狀者，以其他製法製造之情況下並不限於該形狀者。依據本發明人等之經驗，纖維11中，最大剖面高度H相對於線徑D之平均比率並無特別限制，但典型上為0.30~0.70，更典型為0.40~0.60，又更典型為0.45~0.55，最典型約為0.50，該平均比率可藉由適當改變著鍍敷條件等而調整。且，依據本發明人等之經驗，多孔質金屬箔10中之孔的平均面積並無特別限制，但典型上為3~5000μm2，更典型為3~3000 μm2，又更典型為3~2000μm2。再者，依據本發明人等之經驗，多孔質金屬箔10中，孔之全部個數中所佔之具有最大孔面積之1/2以下之面積的孔之個數之比例並無特別限制，但典型上為60%以上，更典型為70%以上，又更典型為80%以上。
    第一面之光澤度GS相對於第二面之光澤度GM之比GS/GM為1~15，較好上限值為14，更好為13，又更好為12，再更好為11。GS/GM比愈接近1則兩面間之特性差愈小，故理論上較好，但該GS/GM比之實現會使多孔質金屬箔之製造步驟(例如表面處理)之負擔增大。因此該GS/GM比只要依據用途及成為必要之性能在上述範圍內適當設定即可。
    典型上，滿足上述範圍之GS/GM比之多孔質金屬箔10中，金屬纖維11之剖面形狀係自圖2所示之半圓狀稍微或顯著變化。其原因為球狀部11a與平面狀之底部11b之間之粗糙乃至凹凸之差反映於光澤度之差(亦即高的GS/GM比)，藉由改變球狀部11a及平面狀之底部11b之至少任一者之形狀，而減低源自球狀部11a之面與源自平面狀之底部11b之面之間之粗糙及凹凸之差。圖3中顯示數個該種金屬纖維剖面之具體例。如圖3之左側之列所示，最初具有半圓狀剖面之金屬纖維11可藉由對該曲面及/或底面附著追加之金屬而喪失半圓狀之原形，成為附加橢圓形、圓形、略長方形、或其他凹凸或消失之剖面形狀。又，如圖3之右側之列所示，最初具有半圓狀之剖面之金屬纖維11亦可利用研磨等自其曲面及/或底面削掉金屬纖維之一部分而喪失半圓狀之原形，成為附加略梯型、橢圓形、圓形、或其他之凹凸或消失之剖面形狀。再者，若可實現特定之GS/GM比，則金屬纖維11之剖面亦可實質維持最初之半圓狀之剖面。例如，即使為以具有如圖2所示之半圓狀剖面之金屬纖維構成之多孔質金屬箔，亦可藉由對箔本身賦予形狀而使GS/GM比落在上述範圍內。 [複合金屬箔]
    依據本發明之較佳樣態，亦可如圖4所示，成為具備多孔質金屬箔10與底塗2之複合金屬箔1。多孔質金屬箔10係由以金屬纖維11構成之二維網眼構造所成，多孔質金屬箔之孔之內部及/或周圍之至少一部份設有底塗2。藉由於該金屬箔之孔之內部及/或周圍之至少一部分設有底塗，一方面可維持或提高源自多孔質金屬箔之優異特性，一方面可賦予金屬箔期望之機能。例如，藉由以底塗埋填孔部，可抑制塗佈液狀之物質時之遺漏或金屬箔之破裂。且，使用金屬箔作為集電體時，藉由將底塗塗佈於集電體上而提高集電體與活性物質層間之密著性且使電性接觸均一化，藉此可實現電力密度安定化及循環壽命之提升。而且，由於即使以底塗埋填多孔質金屬箔之孔部，對離子之透過亦無變化，故對於鋰離子蓄電池或鋰離子電容器之用途中之鋰離子之預摻雜等亦不會帶來不良影響。
    底塗2係設在多孔質金屬箔之孔之內部及/或周圍之至少一部份上。底塗2可使用可預先對多孔質金屬箔賦予各種機能之公知各種底塗劑、前處理劑及其他組成物，但較好為一方面可維持或提高源自多孔質金屬箔之優異特性，一方面可賦予金屬箔期望之機能者。作為此種底塗之例列舉為集電體底塗、防鏽劑、接著劑、導電塗料等。底塗2典型上係如圖4所示以底塗埋填遍及多孔質金屬箔全面之孔，但依據成為必要之用途或性能等，亦可以底塗僅埋填一部分區域之孔，留下其他區域之孔，亦可僅於各個孔之周圍(亦即金屬纖維之表面)塗佈底塗，不埋填孔之內部而留下孔。又，底塗2若為附著於多孔質金屬箔10者，則不僅可為乾燥之固體，亦可為半固體、半流動體、流體之任一形態，亦可未經乾燥者，亦可包含源自底塗液之溶劑。此係因為依據用途進行之後續步驟中，依據需要藉由加熱等適宜處理底塗即已足夠。底塗2之形成方法只要依據使用之底塗之性狀等適當選擇即可，並無特別限制，但可列舉為例如浸漬、模嘴塗佈等各種漿料塗佈、電著塗裝、化學氣相蒸鍍法(CVD)、物理氣相蒸鍍法(PVD)、及網版印刷、凹版印刷、柔版印刷及噴墨印刷等之各種印刷方法。
    基於使多孔質金屬箔適於集電體用途，較佳之底塗為集電體底塗。集電體底塗為設在活性物質層與集電體之間之導電塗料兼接著劑，可使用公知之各種組成者。據此，可提高活性物質層對集電體之密著性或耐久性，在塗佈活性物質之前不需集電體表面處理之步驟，提高耐腐蝕性且保護集電體，且緩和活性物質層與集電體之應力，降低活性物質層與集電體之接觸電阻，使面內電流分布均一化。藉由使用塗佈有集電體底塗之複合電極箔，而於蓄電裝置中，獲得了循環壽命及保存壽命延長，內部電阻降低，實用電容提高，能量損耗減低，輸出特性改善之各種效果。
    典型上，集電體底塗含有導電性材料、黏結劑、及視需要之添加劑以及源自底塗液之溶劑。導電性材料之例列舉為導電性碳粒子、導電性碳纖維、金屬粒子、及導電性聚合物，最好為導電性碳粒子。
    導電性碳粒子較好為石墨、碳黑等粒子。石墨可為鱗片狀、纖維狀及塊狀之任一形態。碳黑之例列舉為乙炔黑、科琴黑及爐黑。導電性碳粒子就使底塗部分之體積電阻率容易降低之觀點而言，較好具有50nm以下之一次粒徑，更好為40nm以下。導電性碳纖維之例列舉為氣相成長碳纖維(VGCF)等。導電性碳纖維就使底塗部分之體積電阻率容易降低之觀點而言，較好為具有50nm以下之直徑者，更好為40nm以下。導電性聚合物之例列舉為聚乙炔(反式型)系聚合物、聚對伸苯系聚合物、聚伸苯基伸乙烯系聚合物、聚吡咯系聚合物、及聚(3-甲基噻吩)系聚合物。導電性聚合物係藉由於高分子中添加電子給予劑作為摻雜劑而導電化，該等摻雜劑列舉為Cl2、Br2、I2等鹵素，PF5、AsF5、SbF5等路易斯酸，Li、Na、Rb等鹼金屬。
    黏結劑只要可將導電性材料固定在多孔質金屬箔上，且對電池之電解液具有耐性者即無特別限制，但較好為可埋入多孔性金屬箔之孔，或著沿著金屬纖維之表面附著並被覆孔之周圍者。黏結劑之較佳例列舉為聚偏氟化乙烯(PVdF)、聚丙烯腈(PAN)、聚氯化乙烯(PVC)、乙烯丙烯二烯共聚物(EPDM)等合成樹脂系黏結劑、氟橡膠(FR)、丁二烯橡膠(BR)、苯乙烯-丁二烯橡膠(SBR)等合成橡膠系黏結劑、殼聚糖或殼聚糖衍生物等天然系黏結劑。導電性材料之添加量相對於導電性材料及黏結劑之合計重量較好為20~70重量%，更好為30~60重量%。
    添加劑之較佳例列舉為羧甲基纖維素(CMC)等之分散劑及增黏劑。溶劑之較佳例列舉為N-甲基吡咯烷酮(NMP)等揮發性溶劑或水。集電體底塗亦可如專利文獻4所記載，為含有聚矽酸鋰者。底塗中所含者只要依據用途適當選擇即可。
    以底塗2構成之部分的厚度可與多孔質金屬箔10之厚度相同。因此，複合金屬箔1較好具有3~40μm之厚度，更好為3~30μm，又更好為5~25μm，再更好為10~20μm，最好為10~15μm。 [製造方法]
    本發明之多孔質金屬箔之製造方法之一例說明如下，但本發明之多孔質金屬箔並不限於以該製造方法製造，亦包含以不同方法製造者。
    圖5中顯示本發明之多孔質金屬箔之製造步驟之流程。本發明之製造方法首先係準備導電性基材12作為用以製造多孔質金屬箔之支撐體。導電性基材只要是具有可鍍敷程度之導電性之基材即可，亦可使用無機材料、有機材料、層合體、及表面為金屬之材料之任一種，但較好為金屬。該種金屬之較佳例列舉為銅、鎳、鈷、鐵、鉻、錫、鋅、銦、銀、金、鋁及鈦等金屬，以及含有該等金屬元素之至少一種之合金，更好為銅、銅合金、鎳、鎳合金、鈦、鈦合金、及不鏽鋼。導電性基材之形態並無限制，可使用箔、板、滾筒等各種樣態之基材。滾筒之情況下，亦可於滾筒本體上捲貼導電性金屬板而使用，該情況下之導電性金屬板之厚度較好為1~20mm。導電性基材係在其加工中，或者在其進一步使用之前支撐所製造之多孔質金屬箔，而提高多孔質金屬箔之操作性。尤其，使用金屬箔作為導電性基材，由於在多孔質金屬箔製造後可直接再利用作為導電性基材之金屬箔，或者可經溶解及製箔而再循環之優點故較佳。該情況下，使金屬箔之厚度成為10μm~1mm，由於在金屬箔之製造步驟及隨後之加工．輸送步驟等中可不產生皺摺等之方式確保強度故而較佳。
    隨著導電性基材之材質或粗糙度而定，剝離層中之裂紋形狀有所不同，因此多孔質金屬箔之開孔率等特性產生變化。另一方面，多孔質金屬箔之形狀當然亦隨著金屬鍍敷之種類或鍍敷條件而變化。只要考慮該等以獲得期望之多孔質金屬箔之方式，視需要適當進行導電性基材之選擇、剝離層之形成條件及/或鍍敷條件之設定即可。
    接著，於導電性基材12上形成剝離層13，此時，於剝離層13上形成裂紋13a。又，在剝離層13形成之前，較好對導電性基材12施以酸洗淨、脫脂等前處理使其表面潔淨。剝離層13係用以使於其上形成之多孔質金屬箔10之剝離變容易之層，係使用具有可發生裂紋13a，且在裂紋13a處容易鍍敷，無裂紋之部分13b處難以鍍敷之性質之材料。亦即，使用可藉由鍍敷而優先在發生之裂紋13a上析出某種金屬之材料作為剝離層13。又，該剝離層亦可形成為多層，該情況下，可為僅在上層形成裂紋者，亦可為不僅在上層亦在其下之層上形成裂紋者。且，剝離層之表面可藉由陽極氧化法等形成氧化被膜，亦可存在有類鑽石碳(DLC)等。裂紋13a較好依據剝離層13之應力自然產生之方式予以控制，並無必要與成膜同時形成，亦可為在隨後之洗淨及乾燥步驟、機械加工等中產生者。裂紋通常為非期望者，但本發明之製造方法之特徵為反而積極活用該等。尤其，裂紋由於有以經分支之線以二維網眼狀佈滿之方式所形成之特性，故藉由沿著該裂紋形成金屬纖維可獲得高的開孔率及高的強度之多孔質金屬箔。又，關於裂紋由於在通常之成膜製程中經常擔心裂紋之發生，故其發生條件為從事成膜之該技藝者經驗上所熟知，可在其經驗及知識範圍內輕易選擇。例如，只要藉由針對鍍敷浴等之組成控制、剝離層之厚度、電流密度之條件、浴溫度、攪拌條件、後熱處理等動腦筋而進行即可。
    剝離層13含有由鉻、鈦、鉭、鈮、鎳及鎢所組成群組選出之至少一種，或較好由有機物(例如樹脂類)所成，就連續剝離性、耐久性及耐腐蝕性之觀點而言，更好為含有由硬度高之鉻、鈦及鎳所組成群組選出之至少一種，就利用不動態之形成而容易剝離方面而言，更好由鉻、鉻合金或鉻氧化物所成。剝離層13之厚度較好為1mm~100μm，更好為0.1~50μm，又更好為1~30μm，最好為2~15μm。藉由成為該種組成及厚度，一方面可發生裂紋，一方面使剝離層對於導電性基材成為高電阻並使於層上形成之多孔質金屬箔10容易成膜及剝離。據此，作為剝離層宜選擇比導電性基材更高電阻之材料。
    剝離層13之形成方法並無特別限制，可採用電解鍍敷、無電解鍍敷、濺鍍法、物理氣相蒸鍍法(PVD)、化學氣相蒸鍍法(CVD)、溶膠凝膠法、離子電鍍法等各種成膜方法。就製造效率之觀點而言，剝離層13亦較好以電解鍍敷形成。剝離層13在不脫離本發明主旨之範圍內，亦可視需要進一步施以熱處理及/或研磨。亦即，研磨在使表面洗淨之程度者為可容許，但當然不應過度進行至使裂紋崩潰之程度。如此獲得之剝離層13較好以水等洗淨並進行乾燥。
    進行鉻電解鍍敷時，較佳之鉻鍍敷液列舉為鉻酸鹽電解浴(Sargent bath)及硬質鉻鍍敷浴，更好為硬質鉻鍍敷浴。市售硬質鉻鍍敷浴之較佳例列舉為MELTEX公司製造之ANCHOR 1127、ATOTECH公司製造之HEEF-25、及日本MacDermid公司製造之Mac．1。該等鉻鍍敷浴之組成及電著條件如下，但只要可獲得期望之多孔質金屬箔則亦可在以下所示之範圍以外。
    又，安定之鉻鍍敷浴典型上存在少量之三價鉻，其量為2~6g/L左右。且，硬質鉻鍍敷浴中亦可添加有機磺酸等觸媒。無水鉻酸之濃度可由波美度(Baumé degree)進行管理。另外，鐵、銅、氯化物離子等雜質由於對鍍敷狀態造成影響，故需注意雜質之溶解量之上限管理。鉻鍍敷所使用之陽極可適當使用於鈦上塗覆氧化鉛或Pb-Sn合金者，該種陽極之代表性市售品列舉為SPF公司之Ti-Pb電極(Sn：5%)或日本CARLIT公司製造之EXCELOD LD。
    接著，於剝離層13上，鍍敷可於裂紋13a上優先析出之金屬，使無數金屬粒子11沿著裂紋13a成長，藉此形成由以金屬纖維構成之二維網眼構造所成之多孔質金屬箔10。如前述，剝離層13中含有具有容易電鍍之性質之裂紋13a、具有不易電鍍之性質之無裂紋之表面部分13b。於裂紋13a變得容易被電鍍，係因為於裂紋13a之某部分，比無該等裂紋之部分13b電流更容易流過，故優先在裂紋13a處引起核生成及其成長之故。可於裂紋13a中優先析出之金屬較好包含由銅、鋁、金、銀、鎳、鈷及錫所組成群組選出之至少一種，更好包含由銅、銀及金所組成群組選出之至少一種，更好為銅。
    多孔質金屬箔10之形成方法只要是可鍍敷即無特別限制，列舉為電解鍍敷、無電解鍍敷，但電解鍍敷由於可使金屬有效析出於裂紋13a上故較佳。鍍敷條件只要依循習知方法進行即無特別限制。例如進行銅鍍敷時，較好以硫酸銅鍍敷浴進行。在進行銅鍍敷時，較佳之鍍敷浴組成及電著條件為硫酸銅五水合物濃度：120~350g/L，硫酸濃度：50~200g/L，陰極電流密度：10~80A/dm2，浴溫：40~60℃，但並不限於該等。
    鍍敷液亦可適當添加添加劑以實現金屬箔特性之提升。例如為銅箔時，該添加劑較佳之例列舉為膠、明膠、氯、硫脲等之含硫化合物、聚乙二醇等之合成系添加劑。藉由使用該等較佳添加劑，可控制金屬箔之力學特性或表面狀態。添加劑之濃度並無限制，但通常為1~300ppm。
    依據本發明之較佳樣態，較好以導電性物質預先包埋裂紋13a內。用以包埋裂紋之導電性物質若為導電性比剝離層上形成之不動體被膜高者，即可使用公知之各種物質、金屬、合金等。而且，使用以導電性物質包埋裂紋13a內之剝離層13進行金屬鍍敷時，鍍敷之裂紋選擇性格外提高，同時不為使成長之粒子連結之數珠粒狀之形狀，而是形成平滑之線狀金屬纖維。如此於裂紋13a內之金屬之填充可藉由事前重複電解銅鍍敷等之電解鍍敷(亦即進行空運轉)而實現，但依據鍍敷液之條件而定，亦有僅空運轉而不包埋裂紋之情況。該傾向在鎳鍍敷時特別明顯。該種情況下，只要以銅、銀、金等之容易進入到裂紋中之金屬預先空運轉，或者藉由塗佈導電性膏，將導電性物質填充於裂紋中，隨後進行鎳鍍敷等之鍍敷即可。依據該樣態，可使相較於銅有較不容易沿著裂紋析出之傾向之鎳等之金屬析出。且，由於以高的裂紋選擇性形成平滑之金屬纖維，故可有效地製造多孔質金屬箔。又，即使剝離多孔質金屬箔，在裂紋13a內之析出金屬亦會不剝離而殘留，故只要一次包埋裂紋13a內，則隨後已不伴隨空運轉而重複使用剝離層13亦可獲得相同效果。
    或者，若預先準備以析出金屬填充裂紋內之貼附剝離層之電極作為多孔質金屬箔製造用之電極，則可使用該電極且不進行空運轉，而立即開始多孔質金屬箔之製造。亦即，依據本發明之一樣態，較好提供具備有旋轉滾筒狀之導電性基材、設於導電性基材上之表面發生裂紋之剝離層、及填充於裂紋內之導電性物質之多孔質金屬箔製造用電極。
    多孔質金屬箔可自具有剝離層之導電性基材剝離，獲得單體之多孔質金屬箔。剝離後，亦可轉印至貼附接著層之薄膜等另一基材上。當然，於利用無底塗之多孔質金屬箔而提供時，該剝離步驟並不需要，亦可為以透過剝離層安裝基材之狀態作為多孔質金屬箔製品進行作業，在使用時才首次剝離之構成，該情況下，不僅提高了多孔質金屬箔之作業性，且由於由基材支撐而不需要求太高之強度，故成為極高之開孔率或極薄之膜厚亦成為可能。
    依據本發明之較佳樣態，亦可使具備剝離層之導電性基材構成旋轉滾筒狀，使接觸步驟、鍍敷步驟、剝離步驟及乾燥步驟利用導電性基材之旋轉依序重複進行。該種旋轉滾筒式製箔裝置之一例的模式剖面圖示於圖6。圖6所示之製箔裝置20具備有表面上具備發生裂紋之剝離層(例如鉻鍍敷層)之導電性基材製之旋轉滾筒21(例如不鏽鋼製滾筒)、使旋轉滾筒21之下方浸漬在鍍敷液中之電解鍍敷槽22、及用以自旋轉滾筒剝離多孔質金屬箔10並輸送之剝離輥25。該製箔裝置20中，使旋轉滾筒21旋轉時，在電解鍍敷槽22內沿著裂紋進行鍍敷，形成多孔質金屬箔10。剝離後之旋轉滾筒21亦可視需要進行水洗或乾燥。製箔裝置20為藉由自然乾燥進行乾燥之構成，但亦可另外設置加熱手段人為進行乾燥。總之，經過乾燥步驟之旋轉滾筒係藉由旋轉再度進行一連串的步驟，持續地進行鍍敷步驟、剝離步驟、及視需要之乾燥步驟。依據該種樣態，使用旋轉滾筒式製箔裝置可極有效率地量產輥狀之經補強多孔質金屬箔。旋轉滾筒21較好以析出金屬預先填充於剝離層表面發生之裂紋內部。
    如上述之自剝離層剝離之多孔質金屬箔典型上具有因與剝離層之接觸面所致之光澤度較高之第一面，及位在與第一面相反側之光澤度較低之第二面。而且，藉由對第一面及前述第二面之至少任一面施以表面處理，可使第一面之光澤度相對於第二面之光澤度之比變小。例如，可使GS/GM比成為1~15，但本發明之方法並不限於該數值範圍者，只要可依據用途實現期望之光澤度比即可。該表面處理之方法，只要是可使第一面之光澤度相對於第二面之光澤度之比變小者，則亦可為習知方法，但，較好為藉由(1)金屬之進一步鍍敷，(2)以防鏽處理、鉻酸鹽處理形成處理皮膜，(3)逆電解等電解研磨、拋光研磨等之物理研磨、CMP等之化學研磨、噴砂等之噴砂處理等進行金屬纖維之研削，或者藉由該等之任意組合進行。上述(1)及(2)之方法為使構成箔之金屬或一般金屬箔中可容許之表面處理劑附著於金屬纖維上者，據此以如圖3之左側之列所例示之方式金屬纖維剖面形狀產生變化。另一方面，上述(3)之方法為部分地研削金屬纖維者，據此以如圖3之右側之列所例示之方式金屬纖維之剖面形狀產生變化。又，若可獲得期望之光澤度比，則亦可不伴隨金屬等之附著或金屬之研削而僅變形。
    依據本發明之另一樣態，藉由使用具備賦予凹凸之剝離層之導電性基材製造多孔質金屬箔，亦可使第一面之光澤度對於第二面之光澤度之比變小。亦即，該方法中，係準備具備賦予凹凸之剝離層之導電性基材。接著，於剝離層上鍍敷可優先於裂紋中析出之金屬，使金屬沿著裂紋析出，據此形成由以金屬纖維構成之二維網眼構造所成之多孔質金屬箔。最後，自剝離層剝離多孔質金屬箔，獲得位於不與剝離層鄰接之側之光澤度較高之第一面，與轉印有剝離層之凹凸且光澤度較低之第二面，或者，獲得位在未與剝離層鄰接之側之光澤度較低之第二面，及轉印有剝離層之凹凸之光澤度較高之第一面，據此獲得第一面之光澤度相對於第二面之光澤度之比變小之多孔質金屬箔。亦即，剝離層為平坦時，使其平坦性轉印於金屬箔之一面，而與另一面之間產生凹凸及粗糙差，如此對通常應為平坦之剝離層預先賦予凹凸，同樣對於通常應成為平坦之金屬箔之單面亦透過轉印賦予凹凸，其結果，可使與具有源自金屬纖維之曲面狀析出面之凹凸及粗糙之另一面之間之光澤度比變小。預先對剝離層賦予凹凸之方法並無特別限制，可藉由適當控制鉻鍍敷等鍍敷條件於剝離層本身上形成凹凸，亦可預先對導電性基材本身賦予凹凸而於其上形成剝離層。
    依據本發明之較佳樣態，亦可以金屬、合金或其他表面處理劑對多孔質金屬箔進行表面處理。該種金屬及合金列舉為鋅、錫、鎳、鉬、鈀、鈷、銅、銀、金、錳等金屬及該等之任意金屬之合金(例如，Ni-Zn、Sn-Zn)。又，其他表面處理劑列舉為鉻酸鹽、防鏽劑、矽烷偶合劑等。
    視需要，亦可在最後將底塗塗佈於經剝離之多孔質金屬箔上，且視需要予以乾燥，獲得複合金屬箔。底塗液可使用可預先對多孔質金屬箔賦予任何機能之習知各種底塗劑、前處理劑及其他組成物，但較好為可一方面維持或提高來自多孔質金屬箔之優異特性，一方面賦予金屬箔期望之機能者。針對該種底塗及其構成成分係如前述，但較好包含可賦予適於塗佈之液狀形態之溶劑。較佳之底塗液為集電體底塗液。
    底塗液之塗佈方法並無特別限制，只要依循公知之各種塗佈方法進行即可，亦可使用縱型塗佈機、橫型塗佈機、及該等之組合之任一種。使用縱型塗佈機之塗佈較好使用縱型浸漬塗佈機、縱型模嘴塗佈機等，藉由兩面同時塗佈而進行，可有效防止橫型塗佈機之情況所引起之底塗液自金屬箔之孔脫落，而實現高的塗佈精度。圖7顯示兩面同時塗佈之模式圖。兩面同時塗佈中，將底塗液塗佈於透過供給輥40所供給之多孔質金屬箔10之兩面上之方式，使兩台連續塗佈機42、42彼此成對向配置。連續塗佈機42、42宜為兩面模嘴塗佈機、兩面浸漬塗佈機等，將底塗液連續塗佈於多孔質金屬箔10之兩面上。於塗佈底塗液之時點，多孔質金屬箔10成為複合金屬箔1，複合金屬箔1通過乾燥機44，且經過排出輥46排出，獲得具備經乾燥之底塗2之複合金屬箔1。另一方面，使用橫型塗佈機塗佈時，較好藉由適當調節多孔質金屬箔10之孔徑、孔形狀及底塗液之黏性，使底塗液不易自孔脫落，但於複合金屬箔1之用途不要求那麼高之塗佈精度時，並不需要此種調整。且，亦可使用縱型塗佈機及橫型塗佈機進行底塗液之二次塗佈，該情況下，較好先使用縱型塗佈機薄薄的塗佈底塗液進行埋孔及乾燥後，再於量產性高之橫型塗佈機中以高的塗佈精度進行底塗液之整飾塗佈。 [用途]
    本發明之多孔質金屬箔之代表性用途列舉為鋰離子蓄電池、鋰離子電容器等之蓄電裝置之負極或正極集電體，除此之外，可使用於微粉分級用或固液分離處理用之篩網裝置、觸媒之擔持體、微生物之保管用容器之氧供給口所使用之網、無塵室用之防塵過濾器、液體抗菌過濾器、液體改質用過濾器、電磁波遮蔽、磁性用材料、導電用材料、裝飾薄片、消音材、去除氟之過濾器、各種遮蔽材料、高頻纜線(例如銅箔線圈型)、作為ITO代替材料之透明電極等各種用途中。例如，藉由在印刷基板之內層中使用複合金屬箔或多孔質金屬箔作為導電性材料等，可使源自樹脂或溶劑等之氣體自孔釋出，藉此可抑制起泡(鼓起)之發生。且，藉由於電路形成中使用複合金屬箔或多孔質金屬箔作為導電性材料等，可藉由金屬使用量之降低實現輕量化。
    作為集電體之用途中，考慮如下之較佳樣態。亦即，(1)藉由以多孔質金屬箔之活性物質容易剝離之側(光澤度較高之平坦側)作為圓筒型集電體之內側，可減低萬一剝離時之短路危險，(2)在箔之孔徑與活性物質之粒徑之間，可作成用以獲得接觸面積成為最大之最適值之關係式(藉此可防止活性物質較大時不進入到孔中之情況)，(3)亦可如前述進行包埋孔之底塗處理後，進行活性物質漿料之兩面塗佈，(4)為以往慣用之金屬箔時在活性物質漿料之塗佈時之塗佈部分之端部會引起漿料擴展蔓延1~2mm左右，但依據本發明之多孔質金屬箔則有防止此之可能性。此外，部分地塗佈撥水性矽烷偶合劑預先使多孔質金屬箔部份具有撥水性更為有效。 [實施例]
    利用下述例更具體說明本發明。 例A1：多孔質金屬箔之製作
    準備厚度35μm之銅箔作為導電性基材。以下述順序在該銅箔上進行鉻鍍敷作為剝離層。首先，在40℃將銅箔浸漬於添加水而調整成120ml/L之印刷配線板用酸性清潔劑(Murata公司製造，PAC-200)中2分鐘。藉由在室溫下使如此洗淨之銅箔浸漬在50ml/L之硫酸中1分鐘，藉此酸活性化。將經酸活性化之銅箔浸漬在溶解180g/L之ECONO CHROM 300(Meltex公司製造)及1g/L之純化濃硫酸之鉻鍍敷浴中，以溫度：45℃、電流密度：20A/dm2之條件進行鉻鍍敷15分鐘。形成鉻鍍敷之銅箔經水洗及乾燥。以XRF(螢光X射線分析)測定所得鉻鍍敷之厚度，結果為約2μm，於鉻鍍敷之表面確認到因鍍敷應力而發生所見之無數條裂紋。
    於發生該裂紋之鉻鍍敷上進行硫酸銅鍍敷。該硫酸銅鍍敷係將施以鉻鍍敷之銅箔浸漬在溶解有250g/L之硫酸銅五水合物(以銅濃度計約64g/L)及硫酸80g/L而成之硫酸銅鍍敷浴中，以電流密度：20A/dm2，電鍍時間：150秒、陽極：DSE(尺寸安定化電極)、浴溫：40℃之條件進行。此時，由於裂紋部分比鉻鍍敷之最表面更容易流過電流，故銅粒子以裂紋作為起點而成長。其結果，於鉻鍍敷上以銅纖維構成之二維網眼構造形成為多孔質金屬箔。最後，自鉻鍍敷物理性剝離多孔質金屬箔，獲得經分離之多孔質金屬箔。 例A2：多孔質金屬箔之觀察
    以場輻射型掃描電子顯微鏡(FE-SEM)，自各種角度觀察例A1中獲得之多孔質金屬箔。首先，自正上方(傾斜角0度)及斜向上方向(傾斜角45度)觀察多孔質金屬箔之未與剝離層鄰接之面(以下稱為成長面)，獲得分別示於圖8及9之圖像。又，將多孔質金屬箔翻過來，自正上方(傾斜角0度)及斜向上方向(傾斜角45度)觀察多孔質金屬箔之與剝離層鄰接之面(以下稱為剝離面)，獲得分別示於圖10及11之圖像。由該等之圖可了解，成長面觀察到起因於金屬粒子之球狀部之數珠粒狀之凹凸，相對地，於剝離面觀察到起因於金屬粒子之底部之平面及沿著裂紋形成之中心線。
    再者，使用集束離子束加工裝置(FIB)加工多孔質金屬箔之金屬纖維之剖面後，使用掃描離子顯微鏡(SIM)觀察，獲得圖12所示之圖像。如該圖所示，金屬纖維之剖面組織係以裂紋作為起點析出成輻射狀，觀察到金屬纖維之剖面形狀為包含球狀部及平面狀底面之半月狀。由該等圖中所示之比例尺算出金屬纖維之線徑(粗細)為30μm。算出金屬纖維剖面中之最大剖面高H相對於線徑D之比率後，約為0.50。且，每單位面積之孔個數約為300個/mm2。又，觀察到之最大孔之面積約為4700μm2，孔之全部個數中所占之具有最大孔面積之1/2以下之面積(亦即約2350μm2以下)之孔個數之比例約為90%。 例A3：開孔率之測定
    藉由重量法如下述般測定例A1中獲得之多孔質金屬箔之開孔率。首先，以數位測長機(DIGIMCRO MH-15M，NIKON公司製造)測定多孔質金屬箔之膜厚為14.7μm。此時，測定標準係使用MS-5C(NIKON公司製造)，測定子係使用DIGIMCRO MH-15M之標準裝備測定子。且，測定100mm×100mm平方之單位重量後，為0.94g。另一方面，以銅密度設為8.92g/cm3計算而求得膜厚14.7μm、100mm×100mm平方之無孔質銅箔之理論重量後，為1.31g。使用該等值如下述般計算多孔質金屬箔之開孔率，算出為28%。
    (開孔率)=100-[(樣品之單位重量)/(無孔質銅箔之理論重量)]×100=100-[(0.94)/(1.31)]×100=28% 例A4：拉伸強度之測定
    利用依據JIS C6511-1992之方法如下述般測定例A1中獲得之多孔質金屬箔之拉伸強度。首先，自多孔質金屬箔切下10mm×100mm之試驗片。如圖13所示，以空出50mm之間隔之方式將該試驗片30之兩端夾在拉伸強度試驗機(Autograph，島津製作所製造)之上下兩個固定治具31、31上經固定後，以50mm/分鐘之拉伸速度拉伸，藉此測定拉伸強度。此時，拉伸強度測定機中使用1kN之荷重元。其結果，拉伸強度為15N/10mm寬。且，此時之試驗片之伸長率為0.8%。由該結果，認為本發明之多孔質金屬箔具有耐實用性上之強度。 例B1：多孔質金屬箔之製作
    準備由SUS304所成之不鏽鋼板作為導電性基材。以下述順序在該不鏽鋼箔上進行厚度2μm之鉻鍍敷作為剝離層。首先，在40℃將不鏽鋼板浸漬在添加水調整成120ml/L之印刷配線板用酸性清潔劑(Murata公司製造，PAC-200)中2分鐘。藉由在室溫下使該洗淨之不鏽鋼板浸漬在50ml/L之硫酸中1分鐘，經酸活性化。將經酸活性化之不鏽鋼板浸漬在市售之硬質鉻鍍敷浴(HEEF-25，ATOTECH公司製造)中，以陰極電流密度：20A/dm2、電解時間：400秒、浴溫：45℃、庫倫(Coulomb)量：8000C/dm2、電極面積：1.2dm2、極間距離：90mm之條件進行鉻鍍敷。形成有鉻鍍敷之不鏽鋼板經水洗及乾燥。以XRF(螢光X射線分析)測定所得鉻鍍敷之厚度後，約為2μm，鉻鍍敷之表面確認到因電鍍應力之發生所見之無數條裂紋。
    於發生該裂紋之鉻鍍敷上進行銀鍍敷。該銀鍍敷係將施以鉻鍍敷之不鏽鋼板浸漬在溶解有氰化鉀25g/L、氰化銀鉀(以Ag計為50g/L)及磷酸鹽等而成之市售銀鍍敷浴(SERENA BRIGHT C，日本高純度化學公司製造)中，以陰極電流密度：1.0A/dm2，電解時間：469秒、浴溫：40℃之條件進行。此時，由於裂紋部分比鉻鍍敷之最表面更容易流過電流，故銀之粒子以裂紋作為起點而成長。其結果，於鉻鍍敷上以銀纖維構成之二維網眼構造形成為多孔質金屬箔。最後，自鉻鍍敷物理性剝離多孔質金屬箔，獲得經分離之多孔質金屬箔。 例B2：多孔質金屬箔之觀察
    以場輻射型掃描電子顯微鏡(FE-SEM)，自各種角度觀察例B1中獲得之多孔質金屬箔。首先，自正上方(傾斜角0度)觀察多孔質金屬箔之未與剝離層鄰接之面(以下稱為成長面)，獲得圖14所示之圖像。且，將多孔質金屬箔翻過來，自正上方(傾斜角0度)觀察多孔質金屬箔之與剝離層鄰接之面(以下稱為剝離面)，獲得圖15所示之圖像。由該等之圖可了解，於成長面觀察到起因於金屬粒子之球狀部之數珠粒狀之凹凸，相對地，於剝離面中觀察到起因於金屬粒子之底部之平面及沿著裂紋形成之中心線。由該等圖中所示之比例尺算出金屬纖維之線徑(粗細)為11μm。算出金屬纖維剖面中之最大剖面高H相對於線徑D之比率後，約為0.50。且，每單位面積之孔個數約為2000個/mm2。且，觀察到之最大孔之面積約為462μm2，孔之全部個數中所占之具有最大孔之面積之1/2以下之面積(亦即約231μm2以下)之孔個數之比例約為97%。 例B3：開孔率之測定
    藉由重量法如下述般測定例B1中獲得之多孔質金屬箔之開孔率。首先，以數位測長機(DIGIMCRO MH-15M，NIKON公司製造)測定多孔質金屬箔之膜厚後，為6.4μm。此時，測定標準係使用MS-5C(NIKON公司製造)，測定子係使用DIGIMCRO MH-15M之標準裝備測定子。又，測定100mm×100mm平方之單位重量後，為0.450g。另一方面，以銀之密度作為10.49g/cm3計算求得膜厚6.4μm、100mm×100mm平方之無孔質銀箔之理論重量後，為0.672g。使用該等值如下述計算多孔質金屬箔之開孔率後，算出為33%。
    (開孔率)=100-[(樣品之單位重量)/(無孔質銀箔之理論重量)]×100=100-[(0.450)/(0.672)]×100=33% 例C1：複合金屬箔之製作
    以下顯示複合金屬箔之製造例。首先，以質量比率50：50將平均一次粒徑20nm之碳黑粉末與聚偏氟化乙烯(PVdF)分散於N-甲基吡咯烷酮(NMP)中，獲得底塗液。平均一次粒徑、質量比率、N-甲基吡咯烷酮量等只要依據多孔質金屬箔之開孔率、塗佈條件等適當調製即可。藉由於例A1中製作之如圖7所示之多孔質金屬箔上以縱型兩面浸漬塗佈器，將該底塗液塗佈於多孔質金屬箔之兩面。接著使塗佈有底塗液之金屬箔乾燥，獲得複合金屬箔。 例D1：減小光澤度比之多孔質銅箔之製作
    基本上與例A1相同地製作多孔質箔膜。依據表2所示之各種條件對該多孔質銅箔進行一次或兩次之利用硫酸銅鍍敷之後電鍍。後電鍍之組成係使用與例A1中使用之硫酸銅鍍敷組成相同之組成(表中，記載成基本組成)，或於該組成中藉由添加鹽酸作為添加劑而添加50ppm之氯化物離子(表中，記載成基本組成+Cl-50ppm)，或者使用溶解有50g/L之硫酸銅五水合物(以銅濃度計約13g/L)及硫酸100g/L而成之硫酸銅鍍敷浴作為粗化鍍敷液(表中記載成粗化鍍敷液)。隨後，利用苯并三唑(BTA)或Ni-Zn對所得銅箔進行防鏽處理，製作減小光澤度之多孔質銅箔試驗片(試驗片2~7)。且，為參考用而製作未進行後電鍍僅進行防鏽處理之試驗片1。針對所得試驗片1~7，測定最初厚度、因後鍍敷而追加之厚度、50mm平方重量、重量開口率、第一面(高光澤度側)之光澤度GS、第二面(低光澤度側)之光澤度GM、及光澤度比GS/GM。又，光澤度係使用光澤度計(製品名：VG-2000，日本電色工業公司製造)，依據JIS Z 8741(1997)以60度之入射角及反射角測定。所得結果示於表2。
    又，以場輻射型掃描電子顯微鏡(FE-SEM)觀察所得之多孔質金屬箔。首先，自斜向上方向(傾斜角45度)觀察多孔質金屬箔之未與剝離層鄰接之面(成長面)，獲得圖16A~22A之A系列所示之圖像。又，將多孔質金屬箔翻過來，自斜向上方向(傾斜角45度)觀察多孔質金屬箔之與剝離層鄰接之面(剝離面)，獲得圖16B~22B之B系列所示之圖像。
    例D2：重量開孔率與厚度之關係
    基本上與例A1相同，製作如表3所示之各種厚度之多孔質銅箔(試驗片8~14)。又，針對試驗片13及14，依循表3所示之各種條件，以硫酸銅鍍敷進行一次後電鍍。後電鍍之組成係使用與例A1中使用之硫酸銅鍍敷組成相同之組成。針對所得試驗片8~14，測定最初厚度、因後電鍍追加之厚度、50mm平方重量、及重量開口率，所得結果示於表3。又，針對試驗片13及14測定光澤度，算出光澤度比GS/GM分別為11.3及9.2。又，光澤度係依據JIS Z 8741(1997)以60度之入射角及反射角測定。
    基於表3所示之數據，對重量開孔率與銅箔之合計厚度之關係作圖並成為如圖23所示。由該結果可知，使用後鍍敷法增加多孔質金屬箔之厚度時，相較於無後鍍敷僅以製箔步驟以相同厚度製造之多孔質金屬箔，開孔率不易下降，亦即孔不易被包埋。 例D3：賦與凹凸之多孔質金屬箔之製作
    準備厚度35μm之銅箔作為導電性基材。以下述順序在該銅箔上進行鉻鍍敷作為剝離層。首先，在40℃下將銅箔浸漬在添加水而調整成120ml/L之印刷配線板用酸性清潔劑(Murata公司製造，PAC-200)中2分鐘。藉由在室溫下使該洗淨之銅箔浸漬在50ml/L之硫酸中1分鐘，經酸活性化。將經酸活性化之銅箔浸漬在溶解有180g/L之ECONA CHROM 300(Meltex公司製造)及1g/L之純化濃硫酸之鉻鍍敷浴中，以溫度：25℃、電流密度：20A/dm2之條件進行鉻鍍敷15分鐘。形成有鉻鍍敷之銅箔經水洗及乾燥。所得鉻鍍敷之表面不僅確認到因電鍍應力而發生所見之無數條裂紋，也確認到無數條山狀之凹凸。
    於發生該裂紋之鉻鍍敷上進行硫酸銅鍍敷。該硫酸銅鍍敷係將施以鉻鍍敷之銅箔浸漬在溶解有250g/L之硫酸銅五水合物(以銅濃度計約64g/L)及硫酸80g/L而成之硫酸銅鍍敷浴中，以電流密度：20A/dm2，鍍敷時間：150秒、陽極：DSE(尺寸安定化電極)、浴溫：40℃之條件進行。此時，由於裂紋部分比鉻鍍敷之最表面更容易流過電流，故銅粒子以裂紋作為起點而成長。其結果，於鉻鍍敷上形成以銅纖維構成之二維網眼構造作為多孔質金屬箔。最後，自鉻鍍敷物理性剝離多孔質金屬箔，獲得經分離之多孔質金屬箔。
    又，以場輻射型掃描電子顯微鏡(FE-SEM)觀察獲得之多孔質金屬箔。首先，自斜上方(傾斜角45度)以各種倍率觀察多孔質金屬箔之未與剝離層鄰接之面(成長面)，獲得圖24A~C所示之圖像。且，將多孔質金屬箔翻過來，自斜上方(傾斜角45度)觀察多孔質金屬箔之與剝離層鄰接之面(剝離面)，獲得圖25A~C所示之圖像。由該等之圖可了解，藉由於形成有無數凹凸之鉻鍍敷剝離層上形成多孔質金屬箔，若剝離層為平坦則可對同樣平坦之與剝離層鄰接之面賦與凹凸。因此，如此獲得之多孔質金屬箔中由於其兩面存在凹凸，故了解為兩面間之光澤度比及特性差獲得減低者。 例E1：裂紋選擇性之比較
    與例A1同樣地，製作具備表面上形成有裂紋之鉻鍍敷之電極。以SEM觀察該剛形成鉻鍍敷之狀態之電極表面，獲得如圖26A所示之圖像。又，利用電子束探針微米分析儀(EPMA)進行Cu映射(mapping)，獲得圖26B所示之映射圖像，確認銅尚未沿著裂紋析出。接著，使用該電極，依據與例A1相同之順序，重複數次之硫酸銅鍍敷及銅箔之剝離作為空運轉。以SEM觀察此時鉻鍍敷表面之裂紋附近之剖面後，獲得圖27所示之圖像，確認到裂紋被析出金屬包埋，由此成長有金屬纖維。自電極表面剝離銅箔且以SEM觀察鉻鍍敷表面後，獲得圖28A所示之圖像。又，以電子束探針微米分析儀(EPMA)進行Cu映射，獲得圖28B所示之映射圖像，確認包埋在裂紋中之金屬為銅。使用具有如此以銅包埋裂紋之鉻鍍敷表面之電極，與例A1同樣地進行多孔質銅箔之製造後，確認到並無成長粒子連結成為數珠狀之形狀，而是形成平滑線狀之金屬纖維。
    1‧‧‧複合金屬箔
    2‧‧‧底塗
    10‧‧‧多孔質金屬箔
    11‧‧‧金屬纖維
    11a‧‧‧球狀部
    11b‧‧‧底部
    12‧‧‧導電性基材
    13‧‧‧剝離層
    13a‧‧‧裂紋
    13b‧‧‧無裂紋之部分
    20‧‧‧製箔裝置
    21‧‧‧旋轉滾筒
    22‧‧‧電解鍍敷槽
    25‧‧‧剝離輥
    30‧‧‧試驗片
    31‧‧‧固定治具
    40‧‧‧供給輥
    42‧‧‧連續塗佈機
    44‧‧‧乾燥機
    46‧‧‧排出輥
    圖1為本發明之多孔質金屬箔之一例之俯視模式圖。
    圖2為顯示構成本發明之多孔質金屬箔之金屬纖維之表面處理前之形狀之模式剖面圖。
    圖3為顯示構成本發明之多孔質金屬箔之金屬纖維之表面處理後之形狀之模式剖面圖。圖中，左側列舉之形狀係關於藉由表面處理使金屬纖維變粗之樣態，右側列舉之形狀係關於藉由表面處理使金屬纖維變細之樣態。
    圖4為本發明之複合金屬箔之一例之模式剖面圖。
    圖5為顯示本發明之多孔質金屬箔之製造步驟流程之圖。
    圖6為顯示用以製造本發明之多孔質金屬箔之旋轉滾筒式製箔裝置之一例之模式剖面圖。
    圖7為顯示本發明之製造方法所用之兩面同時塗佈之模式圖。
    圖8為例A2中，自正上方(傾斜角0度)觀察本發明之多孔質金屬箔之未與剝離層鄰接之面之FE-SEM圖像。
    圖9為例A2中，自斜向上方向(傾斜角45度)觀察本發明之多孔質金屬箔之未與剝離層鄰接之面之FE-SEM圖像。
    圖10為例A2中，自正上方(傾斜角0度)觀察本發明之多孔質金屬箔之與剝離層鄰接之面之FE-SEM圖像。
    圖11為例A2中，自斜向上方向(傾斜角45度)觀察本發明之多孔質金屬箔之與剝離層鄰接之面之FE-SEM圖像。
    圖12為顯示垂直切斷例A2中所得之構成本發明之多孔質金屬箔之金屬纖維之切斷面，以傾斜角60度觀察之SIM圖像。
    圖13為顯示例A4中進行之拉伸強度試驗中之金屬箔樣品固定於固定治具之模式圖。
    圖14為例B2中，自正上方(傾斜角0度)觀察本發明之多孔質金屬箔之未與剝離層鄰接之面之FE-SEM圖像。
    圖15為例B2中，自正上方(傾斜角0度)觀察本發明之多孔質金屬箔之與剝離層鄰接之面之FE-SEM圖像。
    圖16A係觀察例D1所得之試驗片1之未與剝離層鄰接之面之FE-SEM圖像。
    圖16B係觀察例D1所得之試驗片1之與剝離層鄰接之面之FE-SEM圖像。
    圖17A係觀察例D1所得之試驗片2之未與剝離層鄰接之面之FE-SEM圖像。
    圖17B係觀察例D1所得之試驗片2之與剝離層鄰接之面之FE-SEM圖像。
    圖18A係觀察例D1所得之試驗片3之未與剝離層鄰接之面之FE-SEM圖像。
    圖18B係觀察例D1所得之試驗片3之與剝離層鄰接之面之FE-SEM圖像。
    圖19A係觀察例D1所得之試驗片4之未與剝離層鄰接之面之FE-SEM圖像。
    圖19B係觀察例D1所得之試驗片4之與剝離層鄰接之面之FE-SEM圖像。
    圖20A係觀察例D1所得之試驗片5之未與剝離層鄰接之面之FE-SEM圖像。
    圖20B係觀察例D1所得之試驗片5之與剝離層鄰接之面之FE-SEM圖像。
    圖21A係觀察例D1所得之試驗片6之未與剝離層鄰接之面之FE-SEM圖像。
    圖21B係觀察例D1所得之試驗片6之與剝離層鄰接之面之FE-SEM圖像。
    圖22A係觀察例D1所得之試驗片7之未與剝離層鄰接之面之FE-SEM圖像。
    圖22B係觀察例D1所得之試驗片7之與剝離層鄰接之面之FE-SEM圖像。
    圖23為對例D2所得之重量開孔率與多孔質金屬箔厚度之關係作圖之圖。
    圖24A係觀察例D3所得之賦予凹凸之金屬箔之未與剝離層鄰接之面之FE-SEM圖像(倍率100倍)。
    圖24B係觀察例D3所得之賦予凹凸之金屬箔之未與剝離層鄰接之面之FE-SEM圖像(倍率1000倍)。
    圖24C係觀察例D3所得之賦予凹凸之金屬箔之未與剝離層鄰接之面之FE-SEM圖像(倍率3000倍)。
    圖25A係觀察例D3所得之賦予凹凸之金屬箔之與剝離層鄰接之面之FE-SEM圖像(倍率100倍)。
    圖25B係觀察例D3所得之賦予凹凸之金屬箔之與剝離層鄰接之面之FE-SEM圖像(倍率500倍)。
    圖25C係觀察例D3所得之賦予凹凸之金屬箔之與剝離層鄰接之面之FE-SEM圖像(倍率3000倍)。
    圖26A為以SEM觀察例E1所得之鍍鉻形成之狀態之電極表面之圖像。
    圖26B為以EPMA觀察例E1所得之鍍鉻形成之狀態之電極表面之Cu映射(mapping)圖像。
    圖27為以SEM觀察於例E1所得之鍍鉻之裂紋中填充銅而成之狀態之電極剖面之圖像。
    圖28A為以SEM觀察於例E1所得之鍍鉻之裂紋中填充銅而成之狀態之電極剖面之圖像。
    圖28B為以EPMA觀察於例E1所得之鍍鉻之裂紋中填充銅而成之狀態之電極表面之Cu映射圖像。
    10‧‧‧多孔金屬箔
    11‧‧‧金屬纖維
    权利要求:
    Claims (20)
    [1] 一種多孔質金屬箔，其係由以金屬纖維構成之二維網眼構造所成，前述多孔質金屬箔具有光澤度較高之第一面及位於與前述第一面相反側之光澤度較低之第二面，依據JIS Z 8741(1997)以60度之入射角及反射角測定之前述第一面之光澤度GS之相對於前述第二面之光澤度GM之比GS/GM為1~15。
    [2] 如申請專利範圍第1項之多孔質金屬箔，其中使用具有與前述多孔質金屬箔相同組成及尺寸之無孔質金屬箔之理論重量Wn中所佔之前述多孔質金屬箔之重量Wp之比Wp/Wn，由下述所定義之開孔率P為3~80%，P=100-[(Wp/Wn)×100]。
    [3] 如申請專利範圍第1項之多孔質金屬箔，其中前述金屬纖維具有5~80μm之線徑。
    [4] 如申請專利範圍第1項之多孔質金屬箔，其中前述金屬纖維係不規則地被佈滿。
    [5] 如申請專利範圍第1項之多孔質金屬箔，其中前述金屬纖維為分枝狀纖維，且該分枝狀纖維係不規則地被佈滿。
    [6] 如申請專利範圍第1項之多孔質金屬箔，其具有3~40μm之厚度。
    [7] 如申請專利範圍第1項之多孔質金屬箔，其中前述二維網眼構造具有因基材表面所形成之裂紋所引起之不規則形狀。
    [8] 如申請專利範圍第1項之多孔質金屬箔，其中前述金屬纖維係選自由銅、鋁、金、銀、鎳、鈷、錫所組成群組中選擇之至少一種。
    [9] 如申請專利範圍第1項之多孔質金屬箔，其中前述比GS/GM為1~10。
    [10] 如申請專利範圍第1項之多孔質金屬箔，其中前述第一面及/或前述第二面上進而具備起因於自防銹處理及鉻酸鹽處理所選擇之至少一種所致之處理皮膜。
    [11] 一種多孔質金屬箔之製造方法，其包含下列步驟：準備具備於表面發生裂紋之剝離層之導電性基材之步驟；於前述剝離層上，鍍敷可優先於前述裂紋中析出之金屬，使金屬沿著前述裂紋析出，藉此形成由以金屬纖維構成之二維網眼構造所成之多孔質金屬箔之步驟；自前述剝離層剝離前述多孔質金屬箔，而獲得因與前述剝離層之接觸面所致之光澤度較高之第一面及位於與前述第一面相反側之光澤度較低之第二面之步驟；及藉由於前述第一面及前述第二面之至少一表面上施以表面處理，而減小上述第一面光澤度之相對於上述第二面光澤度之比之步驟。
    [12] 如申請專利範圍第11項之方法，其中前述表面處理係藉由前述金屬之進一步鍍敷而進行。
    [13] 如申請專利範圍第11項之方法，其中前述表面處理係藉由使用自防銹處理、鉻酸鹽處理及矽烷偶合劑處理所選擇之至少一種形成處理皮膜而進行。
    [14] 如申請專利範圍第11項之方法，其中前述表面處理係藉由自電解研磨、物理研磨、化學研磨及噴砂(blast)處理所選擇之至少一種而進行。
    [15] 一種多孔質金屬箔之製造方法，其包含下列步驟：準備具備於表面發生裂紋且被賦予凹凸之剝離層之導電性基材之步驟；於前述剝離層上，鍍敷可優先於前述裂紋中析出之金屬，使金屬沿著前述裂紋析出，藉此形成由以金屬纖維構成之二維網眼構造所成之多孔質金屬箔之步驟；自前述剝離層剝離前述多孔質金屬箔，而獲得位於遠離前述剝離層之側之光澤度較高之第一面及轉印有前述剝離層之凹凸且光澤度較低之第二面，或獲得位於遠離前述剝離層之側之光澤度較低之第二面及轉印有前述剝離層之凹凸且光澤度較高之第一面，藉此減小上述第一面光澤度之相對於上述第二面光澤度之比之步驟。
    [16] 如申請專利範圍第11項之方法，其中前述裂紋係由前述剝離層之應力而發生者。
    [17] 如申請專利範圍第11項之方法，其中前述剝離層包含由鉻、鈦、鉭、鈮、鎳及鎢所組成群組中選擇之至少一種，或由有機物所成。
    [18] 如申請專利範圍第11項之方法，其中前述剝離層係由鉻、鉻合金或鉻氧化物所成。
    [19] 如申請專利範圍第11項之方法，其中可優先於前述裂紋中析出之金屬包含由銅、鋁、金、銀、鎳、鈷及錫所組成群組中選擇之至少一種。
    [20] 如申請專利範圍第11項之方法，其中前述多孔質金屬箔之厚度為3~40μm。
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