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    • 专利摘要:
    一種金氧半場效電晶體包括源極區、汲極區、閘極以及閘介電層。汲極區位於基底中，呈橢圓形螺旋狀，且其起始部分別呈條狀或水滴狀，或其起始部的曲率為0.02至0.0025[1/um]。源極區，位於基底中，環繞於汲極區周緣。閘極位於源極區與汲極區之間的基底上。閘介電層位於閘極與基底之間。
    公开号:TW201304140A
    申请号:TW100124271
    申请日:2011-07-08
    公开日:2013-01-16
    发明作者:Po-An Chen；Chin-Han Pan
    申请人:Nuvoton Technology Corp；
    IPC主号:H01L29-00
    专利说明:
    金氧半場效電晶體
    本發明是有關於半導體元件，且特別是有關於數種金氧半場效電晶體。
    超高壓元件在操作時必須具有高崩潰電壓(breakdown voltage)以及低的開啟電阻(on-state resistance，Ron)，以減少功率損耗失。為能提供較高電流並維持足夠大的崩潰電壓，目前已發展出陣列式的結構。在交流-直流電產品的佈局中，透過陣列結構可以減少佈局面積並且提升元件的效能。目前所發展的一種超高壓元件，其源極區以及汲極區均呈指叉狀。雖然指叉狀的源極端以及汲極端能夠減少佈局的面積，但是，其曲率非常大，特別是在源極端會有非常大的電流聚集，成為崩潰點，導致元件的崩潰電壓下降。
    本發明實施例提供數種金氧半場效電晶體，其可以減少佈局的面積，且可避免源極與汲極端電流聚集，提升元件的崩潰電壓，降低元件的開啟電阻。
    依照本發明一實施例，提出一種金氧半場效電晶體包括源極區、汲極區、閘極以及閘介電層。汲極區位於基底中，呈橢圓形螺旋狀，且其起始部分別呈條狀或水滴狀，或其起始部的曲率為0.02至0.0025[1/um]。源極區，位於基底中，環繞於汲極區周緣。閘極位於源極區與汲極區之間的基底上。閘介電層位於閘極與基底之間。
    為讓本發明之上述特徵和優點能更明顯易懂，下文特舉實施例，並配合所附圖式作詳細說明如下。
    圖1為依照本發明一實施例所繪示之一種汲極起始部呈條狀之橢圓形螺旋狀之金氧半場效電晶體的上視圖。圖1A繪示圖1中的閘極16、閘介電層18以及隔離結構24移除後所呈現之基底中多個摻雜區域的相對位置之示意圖。圖2A係繪示圖1中A-A切線之剖面示意圖。圖2B係繪示圖1中B-B切線之剖面示意圖。
    請參照圖1、1A、2A與2B，本發明一實施例之汲極起始部呈條狀之橢圓形螺旋狀之金氧半場效電晶體100包括閘極16、閘介電層18、汲極區20以及源極區22。汲極區20呈橢圓形螺旋狀(或稱為迴紋針狀)，其起始部20a為條狀；而源極區22則環繞在汲極區20周圍。在另一實施例中，金氧半場效電晶體100還包括第一導電型第一井區(NW1)12、第二導電型第一井區(PW1)14。為清楚顯示各個構件相對應的位置，在圖1、1A、2A與2B中將閘極16、閘介電層18、汲極區20、源極區22、第一導電型第一井區(NW1)12以及第二導電型第一井區(PW1)14均繪示出來。第一導電型可以是P型或N型。第二導電型可以是N型或P型。在本實施例中，係以第一導電型為N型；第二導電型為P型為例來說明之，但，本發明並不此為限。
    請參照圖1、2A與2B，汲極區20位於基底10中。基底10例如是半導體基底10，例如是矽基底。基底10中可以是具有P型摻雜或N型摻雜。P型摻雜可以是IIIA族離子，例如是硼離子。N型摻雜可以是VA族離子例如是砷或是磷。在本發明另一實施例中(圖2C)，基底10亦可以包括半導體基底10a以及位於其上方的磊晶層10b，在此實施例中，半導體基底10a為P型基底，磊晶層10b為P型磊晶層(p-epi)。汲極區20具有第一導電型摻雜，其呈螺旋狀，亦可以稱為迴紋針狀，位於例如第一導電型第一井區(NW1)12中。汲極區20的起始部20a呈條狀，更具體地說，在一實施例中，汲極區20的起始部20a是由弧部20b以及矩形部20c所構成。在另一實施例中，弧部20b除了可為一半圓外，亦可為其他的弧形，例如是四分之一圓、八分之一圓等不同構造，在此不加贅述。前述之半圓、四分之一圓、八分之一圓等弧形的曲率例如可為0.2至0.02[1/μm]。在另一實施例中，起始部20a亦可以為一矩形。在一實施例中，汲極區20的摻雜濃度例如是5x1014~8x1015/cm2。
    請參照圖1、1A、2A與2B，第一導電型第一井區(NW1)12，其位於汲極區20與基底10之間。在一實施例中，第一導電型第一井區(NW1)12可與汲極區20具有大致相同的形狀，例如是呈橢圓形螺旋狀，起始部12a呈條狀。更具體地說，第一導電型第一井區(NW1)12的起始部12a由弧部12b以及矩形部12c所構成。然而，第一導電型第一井區(NW1)12的形狀並不以此為限，其也可以與汲極區20具有不同的形狀，只要可使汲極區20位於此第一導電型第一井區(NW1)12即可，其可能之形狀在此不贅述。第一導電型第一井區(NW1)12的摻雜濃度低於汲極區20的摻雜濃度。在一實施例中，第一導電型第一井區(NW1)12的摻雜濃度例如是5x1011~2x1013/cm2。
    請參照圖1、1A與2A，第二導電型第一井區(PW1)14位於第一導電型第一井區12中，環繞於汲極區20周圍。第二導電型第一井區14之摻雜濃度高於第一導電型第一井區12的摻雜濃度。在一實施中，第二導電型第一井區14之摻雜濃度是第一導電型第一井區12的摻雜濃度的1.0至4倍。在一實施例中，第二導電型第一井區(PW1)14的摻雜濃度例如是1x1012~4x1013/cm2。
    請參照圖1、1A、2A與2B，隔離結構24位於基底10上，其緊鄰汲極區20周圍並且覆蓋第二導電型第一井區14。隔離結構24例如是局部熱氧化隔離結構，其材質為絕緣材料，例如是氧化矽。
    請參照圖1、1A與圖2A，源極區22具有第一導電型摻雜位於基底10中，環繞於汲極區20的周緣。更具體來說，源極區22可完全包圍汲極區20。透過源極區22包圍汲極區20的方式，當此金氧半場效電晶體做為一高壓元件時，施於汲極區20的高電壓(e.g.數十~數百伏)，可有效地被源極區22隔絕，進而降低此高電壓對週邊元件之影響。前述源極區22完全包圍汲極區20的的方式僅為本發明之一實施例，本發明並不以此為限。在一實施例中，源極區22的摻雜濃度例如是5x1014~8x1015/cm2。由另一角度觀之，源極區22位於第一導電型第一井區12周緣。
    此外，在一實施例中，上述金氧半場效電晶體100的源極區22有一部分與閘極16耦合(未繪示)。然而，在另一實施中，請參照圖2A與2B，上述金氧半場效電晶體100的源極區22未與閘極16耦合，而相隔一距離，例如是閘極16側壁具有間隙壁40的製程。源極區22與閘極16之間，例如是在間隙壁40下方的基底10之中，更包括第一導電型淡摻雜區(NLDD)26，其與源極區22電性連接，且與閘極16耦合。第一導電型淡摻雜區(NLDD)26的摻雜濃度低於或等於源極區22的摻雜濃度。在一實施例中，第一導電型淡摻雜區(NLDD)26的摻雜濃度例如是5x1012~1x1014/cm2。
    請參照圖1、1A、2A與圖2B，在一實施例中，當呈橢圓形螺旋狀之第一導電型第一井區12的第一轉彎處12d之源極區22的曲率非常大時，例如是其曲率為0.5至0.05[1/um]時，金氧半場效電晶體100更包括第二導電型第二井區(PW2)28，其位於第二導電型第一井區14中，具體的位置係位於呈橢圓形螺旋狀之第一導電型第一井區12的第一轉彎處12d之源極區22周圍。第二導電型第二井區(PW2)28可以降低第一導電型第一井區12的第一轉彎處12d(源極區22的尖端)的電場效應，提升元件的崩潰電壓。在一實施例中，第二導電型第二井區(PW2)28的形狀例如是馬蹄狀。然而，本發明第二導電型第二井區(PW2)28的形狀並不以此為限，只要能降低第一導電型第一井區12的第一轉彎處12d(源極區22的尖端)的電場效應提升元件的崩潰電壓者。第二導電型第一井區14以及第二導電型第二井區28之摻雜濃度和大於第一導電型第一井區12的摻雜濃度。在一實施例中，第二導電型第一井區14以及第二導電型第二井區28之摻雜濃度和是第一導電型第一井區12的摻雜濃度的1.2至5.0倍。第二導電型第二井區(PW2)28的摻雜濃度例如是5x1011~2x1013/cm2。
    請參照圖1、1A、2A與圖2B，在一實施例中，上述金氧半場效電晶體100更包括第一導電型第二井區(NW2)30以及第二導電型第三井區(PW3)32。第一導電型第二井區(NW2)30，可做為金氧半場效電晶體100的電荷聚積層(charge accumulation layer)，其位於第一導電型第一井區12周圍的基底10中。第二導電型第三井區(PW3)32位於第一導電型第二井區30中，且源極區22位於第二導電型第三井區(PW3)32中。從另一個觀點而言，基底10與源極區22之間以第一導電型第二井區(NW2)30以及第二導電型第三井區(PW3)32相隔。第二導電型第三井區(PW3)32位於源極區22與第一導電型第二井區(NW2)30之間。閘極16下方的第二導電型第三井區(PW3)32的表面為通道區。從圖1A來看，第一導電型第二井區(NW2)30位於第一導電型第一井區(NW1)12的外圍。第二導電型第三井區(PW3)32也同樣是位於第一導電型第一井區(NW1)12的外圍，且係位於第一導電型第二井區30中。第一導電型第二井區(NW2)30的摻雜濃度例如是1x1012~5x1013/cm2。第二導電型第三井區(PW3)32的摻雜濃度例如是1x1012~5x1013/cm2。
    請參照圖1、1A、圖2A與圖2B，在一實施例中，上述金氧半場效電晶體100可做為高壓元件，其更包括第一導電型濃摻雜區(NHDD)34以及36，以降低串聯電阻，提升崩潰電壓。第一導電型濃摻雜區(NHDD)34以及36分別位於第二導電型第三井區(PW3)32中以及第一導電型第一井區12中，且分別使得源極區22以及汲極區20位於這兩個第一導電型濃摻雜區34、36之中。從另一個觀點而言，第一導電型濃摻雜區(NHDD)34位於源極區22與第二導電型第三井區(PW3)32之間；第一導電型濃摻雜區(NHDD)36位於汲極區22與第一導電型第一井區12之間，然而第一導電型濃摻雜區(NHDD)34、36之形狀並不一定需要與源極區22或汲極區20完全相同。此外，請參照圖2A與圖2B，上述金氧半場效電晶體10的第二導電型第三井區(PW3)32中還包括第二導電型摻雜區42，可用以做為基底10的接點。
    請參照圖1、1A、圖2A與圖2B，閘極16位於源極區22與汲極區20之間的基底10之上。更具體地說，在一實施例中，閘極16從源極區22起，延伸覆蓋第一導電型第一井區12以及部分的第二導電型第一井區14。在另一實施例中，閘極16從源極區22起，覆蓋第一導電型濃摻雜區34、第二導電型第三井區32、第一導電型第一井區12、第二導電型第二井區28以及第二導電型第一井區14。在一實施例中，閘極16與第二導電型第一井區14之間以隔離結構(或稱為飄移隔離結構)24相隔。閘極16為一導電材質例如金屬、多晶矽、摻雜多晶矽、多晶矽化金屬或其組合而成之堆疊層。
    請參照圖2A與圖2B，閘介電層18位於閘極16與該基底10之間。閘介電層18可以是由單材料層所構成。單材料層例如是低介電常數材料或是高介電常數材料。低介電常數材料是指介電常數低於4的介電材料，例如是氧化矽或氮氧化矽。高介電常數材料是指介電常數高於4的介電材料，例如是HfAlO、HfO2、Al2O3或Si3N4。閘介電層18的厚度例如是50nm至1500nm。
    請參照圖1、1A，上述金氧半場效電晶體100更包括接觸窗38，其與橢圓形螺旋狀之汲極區20的第一個轉彎處20d電性連接。
    以上圖1實施例之金氧半場效電晶體100，係以汲極20的起始部20a呈條狀來說明，然而，本發明之金氧半場效電晶體的第一導電型第一井區(NW1)12還可以具有各種變化，如圖3至圖10所示。
    圖3係依照本發明另一實施例所繪示之汲極起始部呈水滴狀之單一圈橢圓形螺旋狀之金氧半場效電晶體的上視圖。圖3A繪示圖3中基底中多個摻雜區域的相對位置之示意圖。圖3中A-A切線之剖面與圖1A相同，不再另外繪製。圖4係依照本發明又一實施例所繪示的汲極起始部呈水滴狀之多圈橢圓形螺旋狀之金氧半場效電晶體的第一導電型第一井區、汲極區以及源極區的上視圖。
    請參照圖3、3A、4、圖1與圖1A，此實施例之金氧半場效電晶體200的結構，與圖1、1A之上述金半場效電晶體100的結構非常相似，汲極區20也同樣是呈橢圓螺旋狀。但是，在本實施例中，請參照圖3、3A，汲極區20的起始部20a呈水滴狀。第一導電型第一井區12的第一圈所圍繞的基底10a的形狀也是呈水滴狀。更具體地說，第一導電型第一井區12可與汲極區20具有大致相同的形狀，然並不以此為限。例如第一導電型第一井區12之起始部12a以及終端部12e分別呈弧形，例如是半圓形、四分之一圓形、八分之一圓形等且第一導電型第一井區12之起始部12a的弧形半徑可大於第一導電型第一井區12之終端部12e的弧形半徑，使得第一導電型第一井區12的第一圈所圍繞的基底10的形狀呈水滴狀。然而，第一導電型第一井區(NW1)12的形狀並不以此為限，其也可以與汲極區20具有不同的形狀，只要可使汲極區20位於此第一導電型第一井區(NW1)12即可，其可能之形狀在此不贅述。此外，請參照圖3、3A，在一實施例中，在金氧半場效電晶體200具有第二導電型第三井區(PW3)32，在金氧半場效電晶體200中心處的第二導電型第三井區(PW3)32所圍繞的基底10b呈圓形。另外，值得一提的是，請參照圖3A，由於汲極區20的起始部20a呈弧形，且其曲率例如是0.02至0.0025[1/um]，因此環繞在其周圍的源極區22並無電場過大的問題，並不需要額外形成第二導電型第二井區28來降低尖端電場所造成的效應。此外，接觸窗38與橢圓形螺旋狀之汲極區20的起始部處20a電性連接。
    在一實施例中，上述金氧半場效電晶體200之汲極區20為單一圈橢圓螺旋狀(如圖3、3A所示)。在另一實施例中，汲極區20的起始部20a仍呈水滴狀。但，汲極區20為多圈橢圓螺旋狀(如圖4所示)。
    圖5係依照本發明又一實施例所繪示的U型金氧半場效電晶體的透視圖。亦即圖5係省略了隔離結構，而將隔離結構下方的各摻雜區繪示出來。圖5中A-A切線之剖面與圖2A相同。圖5中B-B切線之剖面與圖2B相同。
    請參照圖5與圖1、1A，此實施例之金氧半場效電晶體300呈U型結構，與圖、1A之金半場效電晶體100的結構非常相似，但是，圖、1A之金半場效電晶體100的汲極區20以及第一導電型第一井區(NW1)12均呈橢圓形螺旋狀，而在本實施例圖5中，汲極區20以及第一導電型第一井區(NW1)12僅擷取圖1第一圈的一部分。亦即，請參照圖5，汲極區20以及第一導電型第一井區(NW1)12均呈U型。第一導電型第一井區12的凹口底部12g的曲率例如是0.02至0.0025[1/um]；環繞在第一導電型第一井區12的凹口底部12g的周圍的源極區22的曲率例如是0.0065至0.001[1/um]。由於第一導電型第一井區12的凹口底部12g有足夠小的曲率，環繞在其周圍的源極區22並無電場過大的問題，因此，並不需要在第二導電型第一井區14中額外形成第二導電型第二井區28來降低尖端電場所造成的效應。此外，接觸窗38係與U型之汲極區20的底部電性連接。
    圖6係依照本發明又一實施例所繪示的W型金氧半場效電晶體的透視圖。亦即圖6係省略了隔離結構，而將隔離結構下方的各摻雜區繪示出來。圖6中A-A切線之剖面與圖2A相同。圖6中B-B切線之剖面與圖2B相同。
    請參照圖6、圖1、圖1A，此實施例之金氧半場效電晶體400的結構，可視為圖1、1A之金半場效電晶體的結構的變形。更具體地說，在本實施例中，汲極區20以及第一導電型第一井區(NW1)12係擷取圖1第一圈呈U型的部分，並且分別將兩個U型重疊成類似W型(或是稱為轉向的E字型，第一導電型第一井區(NW1)12為大W(大的轉向E)，汲極區20為小W(小的轉向E)。汲極區20位於源極區22所圍的區域之中亦即，源極區22環繞於汲極區20周圍，且其延伸至第一導電型第一井區(NW1)12的兩個凹口12f的部分分別呈U型，U型的中心非常窄，因此，其U型非常接近條狀，亦即，在U的底部為尖端處，會有電場過高的問題，因此，需要在兩個凹口底部12g的第二導電型第一井區14中，額外形成第二導電型第二井區28，使得所形成的第二導電型第二井區28位於凹口12f之U型源極區22的底部周圍，來降低尖端電場所造成的效應。兩個第二導電型第二井區28的形狀例如是馬蹄狀。此外，接觸窗38與W型之汲極區20的底部區域電性連接。
    圖7係依照本發明另一實施例所繪示的金氧半場效電晶體的透視圖。亦即圖7係省略了隔離結構，而將隔離結構下方的各摻雜區繪示出來。圖7中A-A切線之剖面與圖2A相同。圖7中B-B切線之剖面與圖2B相同。
    請參照圖7、圖1與圖1A，此實施例之金氧半場效電晶體500的結構，可視為圖6之金半場效電晶體的結構的變形體。更具體地說，在本實施例中，汲極區20以及第一導電型第一井區(NW1)12係擷取圖6呈U型的部分。源極區22環繞於汲極區20周圍，其延伸至第一導電型第一井區(NW1)12的凹口12f分別呈U型，U型的中心非常窄，因此，其U型非常接近條狀，亦即，在U的底部為尖端處，會有電場過高的問題，因此，需要在兩個凹口12f中的U型源極區22的底部周圍的第二導電型第一井區14中，額外形成第二導電型第二井區28來降低尖端電場所造成的效應。第二導電型第二井區28的形狀例如是馬蹄狀。此外，接觸窗38與汲極區20的底部區域電性連接。
    在以上的實施例中，為使本發明實施例更清楚易於瞭解，基底中的多個摻雜區係以井區來說明，然而，在實際上，上述實施例並不以井區為限，也可以是摻雜區。
    圖8係繪示大致相同面積(面積為700um x 500um)的上述金氧半場效電晶體100、200、300、400以及500的電性測試圖。圖8中點100’、200’、300’、400’以及500’分別表示金氧半場效電晶體100、200、300、400以及500的測試結果。由圖8的結果顯示，在相同的崩潰電壓下，電晶體500至電晶體100的開啟電阻Rdson逐漸下降，其下降的幅度達26.8%。
    綜合以上所述，本發明實施例之金氧半場效電晶體之源極區具有足夠小的曲率，避免源極端電流聚集。或者，源極區的尖端曲率過大時，可以透過第二導電型第二井區的形成來避免源極端電流聚集。因此，本發明實施例之金氧半場效電晶體不僅可以應用做為高壓元件，減少佈局的面積，且能夠提升元件的崩潰電壓，降低元件的開啟電阻。
    雖然本發明已以實施例揭露如上，然其並非用以限定本發明，任何所屬技術領域中具有通常知識者，在不脫離本發明之精神和範圍內，當可作些許之更動與潤飾，故本發明之保護範圍當視後附之申請專利範圍所界定者為準。
    10、10a、10b．．．基底
    12．．．第一導電型第一井區
    12a、20a．．．起始部
    12b、20b．．．弧部
    12c、20c．．．矩形部
    12d、20d．．．第一轉彎處
    12e．．．終端部
    12f．．．凹口
    12g．．．底部
    14．．．第二導電型第一井區
    16．．．閘極
    18．．．閘介電層
    20．．．汲極區
    22．．．源極區
    24．．．隔離結構
    26．．．第一導電型淡摻雜區
    28．．．第二導電型第二井區
    30．．．第一導電型第二井區
    32．．．第二導電型第三井區
    34、36．．．第一導電型濃摻雜區
    38．．．接觸窗
    40．．．間隙壁
    42．．．第二導電型摻雜區
    100、200、300、400、500．．．金氧半場效電晶體
    100’、200’、300’、400’以及500’．．．不同的金氧半場效電晶體的測試結果
    圖1為依照本發明一實施例所繪示之一種汲極起始部為條狀之橢圓形螺旋狀之金氧半場效電晶體的上視圖。
    圖1A繪示圖1金氧半場效電晶體之基底中多個摻雜區域的相對位置之示意圖。
    圖2A係繪示圖1、3-7中A-A切線之剖面示意圖。
    圖2B係繪示圖1、6以及7中B-B切線之剖面示意圖。
    圖2C係繪示圖1、3-7之另一實施例之A-A切線之剖面示意圖。
    圖3係依照本發明另一實施例所繪示的汲極起始部呈水滴狀之單一圈橢圓形螺旋狀之金氧半場效電晶體的上視圖。
    圖3A繪示圖3之金氧半場效電晶體之基底中多個摻雜區域的相對位置之示意圖。
    圖4係依照本發明又一實施例所繪示的汲極起始部呈水滴狀之多圈橢圓形螺旋狀之金氧半場效電晶體的第一導電型第一井區、汲極區以及源極區的上視圖。
    圖5係依照本發明再一實施例所繪示的U型金氧半場效電晶體的透視圖。
    圖6係依照本發明又一實施例所繪示的W型金氧半場效電晶體的透視圖。
    圖7係依照本發明另一實施例所繪示的金氧半場效電晶體的透視圖。
    圖8係繪示具有大致相同面積的多個金氧半場效電晶體的電性測試圖。
    10．．．基底
    12．．．第一導電型第一井區(NW1)
    12a．．．起始部
    12b、20b．．．弧部
    12c、20c．．．矩形部
    12d、20d．．．第一轉彎處
    14．．．第二導電型第一井區(PW1)
    20．．．汲極區
    22．．．源極區
    28．．．第二導電型第二井區
    30．．．第一導電型第二井區
    32．．．第二導電型第三井區
    34、36．．．第一導電型濃摻雜區
    38．．．接觸窗
    100．．．金氧半場效電晶體
    权利要求:
    Claims (16)
    [1] 一種金氧半場效電晶體，包括：一汲極區，位於一基底中，該汲極區具有第一導電型，呈橢圓形螺旋狀，其起始部呈條狀或水滴狀，或其起始部的曲率為0.02至0.0025[1/um]；一源極區，具有第一導電型，位於該基底中，環繞於該汲極區周緣；一閘極，位於該源極區與該汲極區之間的該基底上；以及一閘介電層位於該閘極與該基底之間。
    [2] 如申請專利範圍第1項所述之金氧半場效電晶體，其中呈條狀之該汲極區之起始部係由一弧部以及一矩形部所構成。
    [3] 如申請專利範圍第1項所述之金氧半場效電晶體，其中該汲極區為單一圈橢圓螺旋狀。
    [4] 如申請專利範圍第1項所述之金氧半場效電晶體，其中該汲極區為多圈橢圓螺旋狀。
    [5] 如申請專利範圍第1項所述之金氧半場效電晶體，更包括：一第一導電型第一摻雜區，位於該汲極區與該基底之間；以及一第二導電型第一摻雜區，位於該第一導電型第一摻雜區中，環繞於該汲極區周圍。
    [6] 如申請專利範圍第5項所述之金氧半場效電晶體，其中該第二導電型第一摻雜區之摻雜濃度大於該第一導電型第一摻雜區的摻雜濃度。
    [7] 如申請專利範圍第5項所述之金氧半場效電晶體，其中該第一導電型第一摻雜區之第一個轉彎所圍的該基底呈半圓形。
    [8] 如申請專利範圍第5項所述之金氧半場效電晶體，更包括一第二導電型第二摻雜區，位於該第一導電型第一摻雜區的一第一轉彎處之該源極區周圍的該第二導電型第一摻雜區中，其中該第二導電型第一摻雜區以及該第二導電型第二摻雜區之摻雜濃度和大於該第一導電型第一摻雜區的摻雜濃度。
    [9] 如申請專利範圍第5項所述之金氧半場效電晶體，更包括一第一導電型第二摻雜區與一第二導電型第三摻雜區，其中：該第一導電型第二摻雜區，位於該第一導電型第一摻雜區周圍的該基底中；以及該第二導電型第三摻雜區，位於該第一導電型第二摻雜區中，且該源極區位於該第二導電型第三摻雜區中。
    [10] 如申請專利範圍第9項所述之金氧半場效電晶體，其中在該金氧半場效電晶體的中心處之該第二導電型第三摻雜區所圍繞的該基底呈圓形。
    [11] 如申請專利範圍第9項所述之金氧半場效電晶體，更包括二第一導電型濃摻雜區，分別位於該第二導電型第三摻雜區中以及該第一導電型第一摻雜區中，且分別使該源極區以及該汲極區位於該些第一導電型濃摻雜區中。
    [12] 如申請專利範圍第1項所述之金氧半場效電晶體，更包括一第一導電型淡摻雜區，位於該源極區與該閘極之間的該基底中，與該源極區電性連接。
    [13] 如申請專利範圍第1項所述之金氧半場效電晶體，其中更包括一接觸窗，與該汲極區的一第一個轉彎處電性連接。
    [14] 如申請專利範圍第1項所述之金氧半場效電晶體，其中更包括一接觸窗與該汲極區起始部處電性連接。
    [15] 如申請專利範圍第1項所述之金氧半場效電晶體，其中當該第一導電型為N型時，該第二導電型為P型；當該第一導電型為P型時，該第二導電型為N型。
    [16] 如申請專利範圍第1項所述之金氧半場效電晶體，其中該源極區環繞在該汲極區周圍。
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