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    本發明是防止晶圓的翹曲。支撐黏貼著晶圓(11)的支撐體(13)的支撐方法，以和支撐體(13)的黏貼有晶圓(11)的面相反側的被支撐面(13a)的內周圍部的至少三點作為支撐點(14)來抵抗重力加以支撐。
    公开号:TW201304047A
    申请号:TW101105633
    申请日:2012-02-21
    公开日:2013-01-16
    发明作者:Atsushi Kubo；Hirofumi Imai；Koki Tamura；Takahiro Yoshioka
    申请人:Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd；
    IPC主号:H01L21-00
    专利说明:
    支撐方法、使用該支撐方法之高溫處理方法及支撐治具
    本發明是關於黏貼著晶圓的被支撐基板的支撐方法、使用該支撐方法之高溫處理方法及支撐治具。
    近年來，隨著行動電話、數位AV機器及IC卡等的高功能化，對於所搭載的半導體矽晶片的小型化、薄型化及高積體化的要求也隨著提升。
    薄型的晶片是例如將高純度的矽單晶等切片成晶圓之後，在此晶圓的內面形成半導體所製造而成。形成半導體的步驟會在絕緣膜的固化步驟等中因熱處理，而有使得晶圓暴露在超過200℃高溫的場合。
    並在專利文獻1中，針對熱處理時支撐晶圓的方法及支撐晶圓的治具有所記載。專利文獻1所記載的支撐方法是在晶體取向為<110>晶圓的場合，將晶圓的內面，以晶圓的中心點及從其點朝著與晶圓表面平行<100>的方向為基準形成在40°~60°範圍的扇形的晶圓面，及以90°週期旋轉上述扇形的晶圓面並以該晶圓面支撐的方法。 〔先前技術文獻〕 〔專利文獻〕
    〔專利文獻1〕日本國公開專利公報「特開2008-98589號公報(2008年4月24日公開)」
    晶圓是根據對上述晶片的小型化及薄型化的要求，有進行研磨使其薄板化的必要。因此，為了防止晶圓的破損，有藉著黏著劑等將晶圓黏貼於支撐體(以下，也稱「被支撐基板」)成薄板化。該薄板化後的晶圓有在黏貼於支撐體的狀態，進行上述熱處理的場合。
    但是，專利文獻1中，針對黏貼著晶圓之支撐體的支撐方法並未有所記載。
    一般，作為支撐黏貼有晶圓的支撐體的方法可考慮支撐體的外圍的三點或四點的支撐方法。將以此方法支撐著支撐體場合的例表示於第15圖及第16圖。第15圖及第16圖是以習知方法支撐著支撐體的方法之說明用的圖。
    第15圖及第16圖表示的例中，將晶圓111透過黏著層112黏貼於支撐體113的層疊體110，以位在支撐體113外圍的四點的支撐點115支撐著。例如是藉著具備外圍支撐部123的支撐治具120支撐的方法。此外，第15圖是橫向顯示層疊體110的剖視圖，第16圖是從上顯示層疊體110的上視圖。
    但是，藉此方法支撐層疊體110的場合，會因支撐體113及黏著層112的重量產生自重應力，使得層疊體110的中央部份撓曲。
    尤其在使用如超過300mm大口徑晶圓的場合，導致大撓曲的可能性高。在如此的撓曲狀態下，對晶圓進行熱處理之後冷卻時，晶圓會產生大的翹曲。因此在隨後的過程中，會有機械手臂的搬運不良、真空夾緊誤差、曝光時散焦的發生，過程的進行時導致大的阻礙的問題。
    本發明是有鑒於上述習知技術的問題所研創而成，其目的是提供可防止晶圓翹曲產生的支撐方法、高溫處理方法及支撐治具。
    為解決上述的課題，本發明相關的支撐方法為支撐黏貼有晶圓的被支撐基板的支撐方法，其特徵為：以和上述被支撐基板之黏貼有上述晶圓的面相反側的被支撐面的內周圍部的至少三點作為支撐點，抵抗重力加以支撐。
    又，本發明的支撐方法中，上述支撐點中的至少三點是以在圓形的共有上述被支撐面之中心點的一個同心圓的圓周上，以彼此等間隔定位為佳。
    又，本發明的支撐方法為支撐黏貼有晶圓的被支撐基板的支撐方法，以和上述被支撐基板的黏貼有上述晶圓的面相反側之被支撐面的內周圍部的至少一點，及被支撐面的外圍部的至少兩點作為支撐點，抵抗重力加以支撐為佳。
    又，本發明的支撐方法中，上述支撐點之中的一點是以定位在圓形的上述被支撐面的中心點為佳。
    為了解決上述的課題，本發明相關的高溫處理方法，其特徵為：在使用上述其中之一支撐方法支撐上述被支撐基板的狀態下，進行上述晶圓的高溫處理。
    為解決上述的課題，本發明相關的支撐治具是被配置成與被支撐基板的被支撐面相對，藉此支撐該被支撐基板的支撐治具，其特徵為，具備：支撐板，及形成在上述支撐板上，抵抗重力支撐上述被支撐面的內周圍部的至少三個支撐部。
    又，本發明相關的支撐治具中，上述支撐部中的至少三個是以在圓形的共有上述被支撐面之中心點的一個同心圓的圓周上，支撐著以彼此等間隔定位的點為佳。
    又，本發明相關的支撐治具是被配置成與被支撐基板的被支撐面相對，藉此支撐該被支撐基板的支撐治具，以具備：支撐板；形成在上述支撐板上，抵抗重力支撐上述被支撐面的內周圍部的至少一個支撐部；及抵抗重力支撐上述被支撐面的外圍部的至少兩個外圍支撐部為佳。
    又，本發明相關的支撐治具中，上述支撐部中的至少一個是以支撐著圓形的上述被支撐面的中心點為佳。
    又，本發明相關的支撐治具中，上述支撐部的前端是以和上述被支撐面成點接觸的形狀為佳。
    根據本發明，可提供能夠防止晶圓翹曲產生的支撐方法、高溫處理方法及支撐治具。〔第1實施形態〕
    針對本發明相關的支撐方法及支撐治具之一實施形態，進行以下說明。
    (支撐方法的概要)
    首先，針對本發明相關的支撐方法之一實施形態的概要，參閱第1圖說明。第1圖為本發明相關支撐方法之一實施形態說明用的圖。
    本實施形態相關的支撐方法為支撐黏貼著晶圓11的支撐體(被支撐基板)13的方法。並且，第1圖是從橫向表示支撐體13的剖視圖。
    支撐體13例如對晶圓11施以研磨等的加工時，可支撐保護著晶圓11的基板。作為支撐體13只要是具有撓性則不加以限定，該業者使用習知的基板即可。具撓性的基板的材料可舉例如玻璃、矽、氧化鋁、碳化矽、鋁、樹脂、不銹鋼或者鐵-鎳合金等的金屬類等。
    支撐體13的形狀只要是因應晶圓11的形狀適當設計即可。並可在支撐體13形成貫穿孔，也可不形成貫穿孔。再者，本實施形態中，以形成有在支撐體13的兩面分別具有開口面的複數個貫穿孔的場合為例加以說明。如本實施形態，使用形成有貫穿孔的支撐體作為支撐體13的場合，在熔解步驟中從該貫穿孔注入熔解液，可使黏著劑容易地熔解。並且，支撐體13的貫穿孔的形成方法為該業者使用習知的方法即可。
    並使用未形成有貫穿孔的支撐體作為支撐體13的場合，可抑制黏著劑的沉入。並藉雷射等將晶圓從支撐體剝離，所以可縮短黏著劑的熔解時間。
    晶圓11是例如在其表面形成有電路圖案，可使得該電路圖案的形成面與支撐體13黏著。該業者使用可利用的習知的晶圓11作為晶圓11即可，其材料可舉例如石英、矽、藍寶石、GaAs(砷化鎵)等的化合物半導體。
    支撐體13與晶圓11是以黏著劑彼此黏著，構成層疊體10。亦即，在支撐體13與晶圓11的邊界面上塗抹黏著劑，形成黏著層12。
    黏著劑是例如以使用含丙烯酸系樹脂、馬來酸酐縮亞胺系樹脂、烴系樹脂(環烯烴系樹脂、萜烯樹脂、石油系樹脂等)，或漆用酚醛式的酚醛樹脂系材料所成的黏著劑組成物等、對有機溶劑顯示可溶性的黏著劑為佳。並且，也可單獨使用該等，或組合使用。
    支撐體13是使得與黏貼著晶圓11的面相反側的面形成被支撐面13a。
    本實施形態相關的支撐方法是抵抗重力支撐著被支撐面13a的內周圍部13aa。內周圍部13aa是指除了被支撐面13a的外圍附近區域以外的內側的區域。並且，內周圍部13aa在支撐體13的被支撐面13a為圓形的場合，也可以假想成具有相對於被支撐面13a的半徑的95%半徑之同心圓的場合的該同心圓的圓周上及內側部份。
    本實施形態相關的支撐方法為支撐被支撐面13a之內周圍部13aa的方法。因此，即使在使用超過300mm的大尺寸(例如450mm等)的晶圓11的場合，仍可防止因支撐體13重量的自重應力導致中央部份的撓曲。因此，可防止晶圓11翹曲的產生。
    此外，本實施形態是以點支撐著被支撐面13a的內周圍部13aa為佳。藉此，可減小支撐體13的支撐構件與支撐體13的接觸面積，所以在熱處理晶圓11之後的冷卻時，可有效地散熱。
    以下，針對本實施形態相關的支撐方法，進一步詳細說明。
    (詳細的支撐方法)
    本實施形態是以被支撐面13a的內周圍部13aa的至少三點作為支撐點14，抵抗重力支撐著支撐體13。從支撐體13穩定支撐的觀點，作為支撐點14的所有的點是以不存在於一直線上為佳。例如，也可以內周圍部13aa內的任意多角形的各頂點作為支撐點14來加以支撐。如上述，至少以三點作為支撐點14加以支撐，可穩定支撐著支撐體13。
    支撐點14的數量只要是三點以上尤其不加以限定。並且，支撐點14的數量是在晶圓11熱處理之後的冷卻時，從有效散熱的觀點，以十點以下為佳。
    在此，以被支撐面13a為圓形時之支撐點14的點的數量及配置的例複數表示於第2(a)~(e)圖，本發明對此尤其不加以限定。第2(a)~(e)圖是表示本發明相關支撐方法之一實施形態的支撐點的配置例的圖。再者，第2(a)~(e)圖是從被支撐面13a側顯示支撐體13的上視圖，一點虛線是表示內周圍部13aa與外圍部13ab的邊界。
    支撐點14的配置之一例是舉例將支撐點14中的至少三點以彼此等間隔定位在共有被支撐面13a的中心點的一個同心圓之圓周上的構成。再者，作為中心點是例如被支撐面13a只要是圓形即使是其中心點亦可，被支撐面13a為多角形時則可以是其對角線的交點。藉此一構成，可穩定地支撐著支撐體13。
    例如第2(a)圖、第2(b)圖及第2(c)圖表示，也可以彼此等間隔定位於位在被支撐面13a的內周圍部13aa之共有被支撐面13a的中心點的一個同心圓(圖中，以點線表示)的圓周上的三點或四點作為支撐點14。並且，該同心圓也可以是如第2(a)圖及第2(c)圖表示位在內周圍部13aa與外圍部13ab邊界的稍微內側的圓，也可以是如第2(b)圖表示位在接近被支撐面13a的中心點位置的圓。
    又，支撐點配置的其他的例是舉例支撐點14中的一點位在被支撐面13a的中心點的構成。藉此一構成，可有效防止支撐體13在中央部份的撓曲。
    例如第2(d)圖表示，也可以被支撐面13a的中心點，及以彼此等間隔定位在位於被支撐面13a的內周圍部13aa的共有被支撐面13a的中心點之一個同心圓(圖中，以點線表示)的圓周上的三點或四點，作為支撐點14。
    又，例如，也可以共有被支撐面13a的中心點之定位在不同半徑的至少兩個同心圓的各圓周上的點作為支撐點14。作為支撐點14的點是以在各個同心圓的圓周上配置至少兩點以上為佳，該等是以彼此等間隔定位更佳。
    例如第2(e)圖表示，也可以共有被支撐面13a的中心點而以彼此等間隔定位在不同半徑的兩個同心圓(圖中，以點線表示)的各圓周上的各兩點作為支撐點14。第2(e)圖表示的例中，位在相同同心圓的圓周上的兩個支撐點14是位在被支撐面13a的同一直徑上。並且，通過位在一方同心圓的圓周上的兩個支撐點14的直徑，及通過位在另一方同心圓的圓周上的兩個支撐點14的直徑是成正交。藉此一構成，可穩定支撐著支撐體13。
    再者，本發明相關的支撐方法是藉著本發明相關的支撐治具實施獲得。
    (支撐治具)
    接著，針對本發明相關的支撐治具之一實施形態，參閱第3圖及第4圖說明如下。第3圖是表示本發明相關支撐治具之一實施形態的圖。第4圖為說明使用本發明相關之支撐治具支撐著支撐體的方法的圖。並且，第4圖表示從橫向顯示支撐晶圓11與支撐體13之層疊體10的支撐治具20的剖視圖。第4圖的右側的圖為放大表示第4圖的左側圖之主要部的圖。
    本實施形態相關的支撐治具20是與支撐體13的被支撐面13a相對配置，藉此支撐著支撐體13的支撐治具20。
    支撐治具20具備支撐板21與支撐部22。支撐板21為圓形的板狀構件。並且本發明的支撐板不限於圓形，例如也可以是多角形。又，支撐板也可以是與被支撐基板相同的形狀，也可以不同的形狀。且，支撐板的直徑也可以和被支撐基板的直徑大致相同的大小，也可以比被支撐基板的直徑大或小。
    支撐部22是抵抗重力支撐著支撐體13用的構件。支撐部22是形成在支撐板21上。
    支撐板21及支撐部22是以使用抗熱性的材料為佳，例如可使用石英等。此外，支撐部22也可以和支撐板21相同的材料所構成，也可以不同的材料所構成。又，支撐部22也可以是與支撐板21一體構成。支撐部22例如可藉著焊接等形成在支撐板21上。
    支撐部22在其前端接觸於被支撐面13a。支撐部22的前端是以和被支撐面13a成點接觸的形狀為佳。支撐部22的前端與被支撐面13a接觸的面只要是與被支撐面13a成點接觸的構成即可，可不論曲面或平坦面。例如，支撐部22的前端可以如第12圖表示的圓頭形狀。第12圖是表示本發明相關支撐治具之一例的剖視圖。
    支撐部22的前端只要是與被支撐面13a成點接觸的形狀，可以點支撐著支撐體13，在對支撐體13進行高溫處理之後冷卻時，可有效地散熱。
    並且，支撐部22也可由柱形的胴體部份，及連接該胴體部份的前端部份所構成。胴體部份例如也可以是柱形、錐形等，可舉例如圓柱形、角柱形、圓錐形、角錐形等。前端部份只要具有如上述的前端，也可以是圓頭形狀，或朝著前端變尖的斜錐形狀。
    支撐部22是形成支撐著被支撐面13a的內周圍部13aa的構成。即，支撐部22在支撐治具20與被支撐面13a成相對配置時，例如藉著其前端與被支撐面13a的內周圍部13aa接觸而成可支撐著支撐體13的構成。
    本實施形態的支撐治具20可藉上述的構成，支撐被支撐面13a的內周圍部13aa。因此，即使是使用大尺寸的晶圓11的場合，仍可防止因支撐體13的重量的自重應力導致中央部份的撓曲。因此，可防止晶圓11翹曲的產生。
    本實施形態中，支撐部22是在支撐板21上至少形成三個。該等的支撐部22是以支撐體13的被支撐面13a的內周圍部13aa的至少三點抵抗重力加以支撐。從支撐點13穩定支撐的觀點是以各支撐部22支撐的點全部不存在於一直線上為佳。
    例如，支撐部22也可形成分別支撐內周圍部13aa內的任意多角形的各頂點。且支撐部22是以支撐如上述所配置的支撐點14為佳。如此一來，支撐治具20藉著支撐內周圍部13aa的至少三點，可穩定支撐著支撐體13。
    支撐一個支撐體13的支撐部22的數量只要是三個以上尤其不加以限定。此外，支撐部22的數量在晶圓11熱處理之後冷卻時，從有效散熱的觀點，以十個以下為佳。並且，如第3圖及第4圖表示支撐部22為三個的構成。
    支撐治具20是如第4圖表示，也進一步具備水平支撐著支撐板21的豎立板40。
    豎立板40具備支柱41與支撐板支撐部42。豎立板40以使用抗熱性的材料為佳，例如可使用石英等。支柱41是垂直設置在支撐板21的周圍。豎立板40例如也可以具備3支或4支的支柱41。支撐板支撐部42是形成為各支柱41，抵抗重力支撐著支撐板21的外圍部。支撐板支撐部42也可以在各支柱41上朝垂直方向形成複數個。
    藉著豎立板40的使用，如第4圖表示，可在垂直方向複數排列地支撐著層疊體10。
    (支撐部配置的變形例)
    在此，於第5(a)~(e)圖複數表示支撐部22的數量及配置的變形例，但本發明對此尤其不加以限制。第5(a)~(e)圖是表示本發明相關支撐治具之一實施形態的支撐部的配置變形例的圖。並且，第5(a)~(e)圖是從上顯示支撐治具20A~20E的上視圖。
    支撐部22之配置的一例，可舉例在圓形的共有支撐板21的中心點的一個同心圓的圓周上，以彼此等間隔配置支撐部22中的至少三個的構成。該等的支撐部22是在圓形的共有被支撐面13a的中心點的一個同心圓的圓周上，支撐著以彼此等間隔定位的點。藉此一構成，支撐治具20可穩定支撐著支撐體13。
    例如，也可以如第5(a)圖、第5(b)圖及第5(c)圖表示的支撐治具20A、20B、20C，將三個或四個支撐部22以彼此等間隔配置在共有支撐板21的中心點的一個同心圓(圖中，以點線表示)的圓周上。此外，該同心圓也可以例如第5(a)圖及第5(c)圖表示具有相對於支撐板21的半徑50%的半徑，也可以如第5(b)圖表示具有相對於支撐板21的半徑33%(1/3)的半徑。
    又，支撐部22之配置的其他例，可舉例支撐部22的其中之一被配置在支撐板21的中心點的構成。該支撐部22形成支撐圓形的被支撐面13a的中心點。藉此一構成，可有效防止支撐治具20因所支撐的支撐體13在中央部份的撓曲。
    例如，如第5(d)圖表示的支撐治具20D，支撐部22也可以配置在支撐板21的中心點，及以彼此等間隔定位在共有支撐板21的中心點的一個同心圓(圖中，以點線表示)的圓周上的三點或四點。此外，該等支撐部22是形成支撐著被支撐面13a的中心點，及位在被支撐面13a的內周圍部13aa，以彼此等間隔定位在共有被支撐面13a的中心點的一個同心圓的圓周上的三點或四點。
    又，例如支撐部22也可以配置在共有支撐板21的中心點之半徑不同的至少兩個同心圓的各圓周上。該等的支撐部22是在內周圍部13aa內，支撐著共有被支撐面13a的中心部之定位在半徑不同的至少兩個同心圓的各圓周上的點。支撐部22是以分別在同心圓的圓周上配置至少兩個以上為佳，且該等是以彼此等間隔配置更佳。
    例如，如第5(e)圖表示的支撐治具20E，也可在共有支撐板21的中心點之不同半徑的兩個同心圓(圖中，以點線表示)的各圓周上，以彼此等間隔分別配置兩個支撐部22。該等的支撐部22是在內周圍部13aa內，支撐共有被支撐面13a的中心點之彼此以等間隔定位在半徑不同的兩個同心圓的各圓周上的各2點。
    如第5(e)圖表示的例中，配置在相同的同心圓的圓周上的兩個支撐部22是在支撐板21的同一直徑上。並且，通過配置在一方同心圓的圓周上的兩個支撐部22的直徑與通過配置在另一方同心圓的圓周上的兩個支撐部22的直徑是成正交。藉此一構成，支撐治具20E可穩定支撐著支撐體13。 〔第2實施形態〕
    接著，針對本發明相關的支撐方法及支撐治具的其他實施形態，進行以下說明。此外，本實施形態中，具有與上述第1實施形態的構成元件相同功能的構成元件賦予相同的號碼，並省略其說明。在此，主要針對與第1實施形態不同的點說明。
    (支撐方法)
    針對本發明相關的支撐方法的其他實施形態，參閱第6圖及第7(a)~(b)圖進行以下說明。第6圖為說明本發明的其他實施形態用的圖，從橫向顯示支撐體13的剖視圖。又，第7(a)~(b)圖是表示本發明的其他實施形態的支撐點的配置例的圖。此外，第7(a)~(b)圖是從被支撐面13a側顯示支撐體13的上視圖，一點虛線是表示內周圍部13aa與外圍部13ab的邊界。
    本實施形態的支撐方法只有以被支撐面13a的內周圍部13aa的至少一點作為支撐點14加以支撐的點，及以被支撐面13a的外圍部13ab的至少兩點作為支撐點15加以支撐的點，與第1實施形態的支撐方法不同。
    只要是本實施形態，由於支撐著被支撐面13a的內周圍部13aa，因此即使使用大尺寸的晶圓11的場合，仍可防止因支撐體13重量的自重應力導致中央部份的撓曲。因此，可防止晶圓11翹曲的產生。
    內周圍部13aa中作為支撐點14的點也可以在內周圍部13aa的任意處。此外，作為支撐點14的點中的一點從有效防止支撐體13撓曲的觀點是以接近被支撐面13a中央的位置為佳。例如被支撐面13a為圓形的場合，作為支撐點14的點的其中一點是以位在被支撐面13a的中心點為佳。
    內周圍部13aa中作為支撐點14的點數只要是一點以上即可。並且，在晶圓11熱處理之後冷卻時，從有效散熱的觀點是以十點以下為佳。支撐點14的配置也可以是如上述第1實施形態中所例示的配置。
    外圍部13ab是指比內周圍部13aa更外側的部份，即被支撐面13a的外圍附近的區域。此外，外圍部13ab也可以假想成具有相對於支撐體13的被支撐面13a的半徑95%的半徑之同心圓的場合的該同心圓的外側部份。
    外圍部13ab中作為支撐點15的點數只要是兩點以上則不加以限定。作為支撐點15的點為兩點以上時，可一邊防止撓曲，並穩定支撐著支撐體13。再者，作為支撐點15的點數，在晶圓11熱處理之後冷卻時，從有效散熱的觀點是以五點以下為佳。
    由於外圍部13ab的支撐點15是與內周圍部13aa的支撐點14一起被支撐，以配置使其可穩定支撐著支撐體13為佳。從穩定支撐著支撐體13的觀點，外圍部13ab的支撐點15與內周圍部13aa的支撐點14的所有是以不存在於一直線上為佳。例如，外圍部13ab的支撐點15與內周圍部13aa的支撐點14也可以是被支撐面13a內的任意多角形的各頂點。
    在此，被支撐面13a成圓形的場合作為支撐點14、15的點數及配置的例在第7(a)~(b)圖中雖有複數表示，但本發明對此尤其不加以限制。
    例如第7(a)圖表示，可舉例作為支撐點14的點為一點，位於圓形的被支撐面13a的中心點，且作為支撐點15的點為四點。又，例如第7(b)圖表示，可舉例作為支撐點14的點為一點，位於圓形的被支撐面13a的中心點，且作為支撐點15的點為三點。
    作為支撐點15的點是如第7(a)~(b)圖，外圍部13ab也可以成非均等定位。亦即，沿著被支撐面13a的外圍相鄰支撐點15的間隔的其中之一也可以比其他的間隔大。藉此，根據支撐治具的形狀，有容易將支撐體13安裝於支撐治具，或從支撐治具卸下的場合。此外，不限於此，作為支撐點15的點也可以在外圍部13ab彼此均等地定位。
    (支撐治具)
    接著，針對本發明相關的支撐治具的其他實施形態，參閱第8圖及第9圖進行以下說明。第8圖是表示本發明相關支撐治具的其他實施形態的圖。且，第9圖是表示第8圖所示支撐治具的部份圖。再者，第8圖是從橫向顯示支撐晶圓11與支撐體13的層疊體10的支撐治具30的剖視圖。又，第9圖是在支撐治具30之中，僅表示支撐板21與支撐部22的上視圖。
    本實施形態的支撐治具30，尤其在至少具備一個支撐部22的點，及至少具備兩個外圍支撐部23的點是與第1實施形態的支撐治具20不同。即，本實施形態的支撐治具30，具備：支撐板21；至少一個支撐部22；與至少兩個外圍支撐部23。
    又，本實施形態中，支撐治具30具備水平支撐著支撐板21的豎立板50的點也和第1實施形態不同。豎立板50，具備：複數支柱41、支撐板支撐部42及外圍支撐部23。支柱41及支撐板支撐部42的構成是和第1實施形態中說明的構成相同。並在各支柱41交替形成有支撐板支撐部42與外圍支撐部23。
    本實施形態中，支撐部22有至少一個被形成在支撐板21上。支撐部22只要是支撐著被支撐面13a的內周圍部13aa，則可形成在支撐板21上的任意處。
    本實施形態的支撐治具30可藉著支撐部22支撐著被支撐面13a的內周圍部13aa。因此，即使是使用大尺寸晶圓11的場合，仍可防止因支撐體13重量的自重應力導致中央部份的撓曲。因此，可防止晶圓11翹曲的產生。
    此外，支撐部22的其中之一，從有效防止支撐體13撓曲的觀點是以支撐接近被支撐面13a中央的位置為佳。例如被支撐面13a為圓形的場合，支撐部22的其中之一是形成以支撐著被支撐面13a的中心點為佳。
    支撐部22的數量只要是一個以上則不加以限定。並且，支撐部22的數量在晶圓11熱處理之後冷卻時，從有效散熱的觀點，以十個以下為佳。支撐部22的配置可適當運用上述第1實施形態中所例示的配置。
    外圍支撐部23為抵抗重力支撐著支撐體13用的構件。外圍支撐部23是形成支撐著被支撐面13a的外圍部13ab的構成。亦即，外圍支撐部23在與被支撐面13a相對配置有支撐治具30的支撐板21時，藉著與被支撐面13a的外圍部13ab的接觸構成可支撐著支撐體13。
    本實施形態中，外圍支撐部23被形成於支柱41。並且，本發明的外圍支撐部不限於本實施形態的構成，只要構成可支撐被支撐面的外圍面即可，例如也可以直接形成在支撐板上。
    支撐一個支撐體13的外圍支撐部23的數量只要是兩個以上則不加以限定。藉兩個以上的外圍支撐部23，可一邊防止撓曲，並可穩定支撐著支撐體13。再者，外圍支撐部23的數量在晶圓11熱處理之後冷卻時，從有效散熱的觀點，以五個以下為佳。並且，外圍支撐部23是以三個或四個更佳。藉此，可容易製造支撐治具30。並可容易將層疊體10安裝於支撐治具30，或從支撐治具30卸下。
    外圍支撐部23是以藉著與支撐部22一起支撐著支撐體23，配置成可穩定支撐著支撐體13為佳。從穩定支撐著支撐體13的觀點，支撐部22與外圍支撐部23的所有以不存在於一直線上為佳。
    例如，支撐部22與外圍支撐部23也可以支撐著被支撐面13a內的任意多角形的各頂點。或者，支撐部22與外圍支撐部23也可以分別支撐著如上述配置的支撐點14或15為佳。藉該等的構成，支撐治具30可穩定支撐著支撐體13。 〔高溫處理方法〕
    接著，針對本發明相關的高溫處理方法之一實施形態說明。
    本實施形態有關的高溫處理方法是使用上述支撐方法，在支撐黏貼有晶圓11的支撐體13的狀態下，高溫處理晶圓11的方法。此外，所謂「高溫」，在此是指超過黏著劑組成物含有樹脂成份的玻璃臨界點的溫度，具體為70℃以上即可，以120℃以上為佳，以180℃以上更佳，並以200℃以上的溫度最佳。此外，所謂高溫場合的上限並未加以限定，但以400℃以下，並以350℃以下為佳。
    高溫處理的方法，可舉例如將以上述支撐方法所支撐狀態的晶圓11靜置在烘爐等加熱機器內一定時間的方法等。
    藉上述方法支撐晶圓11的狀態下進行高溫處理，可藉此防止晶圓11翹曲的產生。因此，可有效進行隨後的過程。
    本發明不限於上述的各實施形態，可在申請專利範圍記載的範圍內進行種種的變更，對於適當組合不同實施形態所分別記載的技術手段的實施形態仍屬本發明的技術範圍內。 〔實施例〕
    (黏著劑組成物的調製方法)
    樹脂是使用環烯烴系聚合物(「TOPAS」(商品名)8007、Polyplastics公司製)。將此樹脂熔解於p-萜烷形成樹脂固體成份25重量%，並添加氧化防止劑IR1010(BASF公司製)相對於樹脂固體成份為5重量%，調製黏著劑組成物。 〔實施例1〕
    本實施例是使用玻璃基板作為支撐體，使用直徑300mm的矽晶圓作為晶圓。並且，使用藉上述調製方法所調製的黏著劑組成物作為黏著劑組成物。
    此外，本實施例及實施例2中使用的支撐治具的構成是與第1圖表示的支撐治具相同，為方便說明，對具有相同功能的構件賦予相同的號碼加以說明。
    首先，在晶圓11藉旋轉塗佈機塗佈厚度80μm的黏著劑組成物，並以100℃、160℃、220℃烘烤形成黏著層12。隨後，將支撐體13以160℃黏貼於黏著層12之上，製作層疊體10。
    將此層疊體10的晶圓11，藉回磨薄型化成厚度50μm。
    隨後，藉著與第5(a)圖表示支撐治具20A相同構成的支撐治具支撐此層疊體10。亦即，使用具備彼此以等間隔配置在支撐板21中心點的一個同心圓的圓周上的三個支撐部22的支撐治具20A，在支撐體13的被支撐面13a的內周圍部13aa進行三點支撐。
    再者，支撐板21是使用直徑300.5mm、厚度3mm的石英板。配置有支撐部22的同心圓的直徑為150mm(相對於支撐板21的直徑為50%)。支撐部22的高度為9mm。又，支撐部22的胴體部份為圓柱形，剖面為直徑6mm的圓。支撐部22的前端是如第12圖表示的圓頭形狀。
    於此狀態下，在烘爐中以200℃，進行1小時的加熱過程之後，切斷烘爐的開關，在此狀態下冷卻2小時。隨後，測量層疊體10的翹曲量。
    翹曲量是將層疊體10放置在機床工作台上，使用LK-G-30(KEYENCE公司製)藉著測量晶圓11的X、Y面的任意的57點的位移量進行測量。
    將結果表示於表1。此外，表1中的各結果在翹曲量小於700μm的場合以「￮」(翹曲量少、良好)表示，翹曲量為700μm以上的場合則以「×」(翹曲量大、不良)表示。
    如表1所示，本實施例中，獲得翹曲量少的結果。 〔實施例2〕
    本實施例是與實施例1同樣地製作層疊體10，使晶圓11薄型化。隨後，除了配置有支撐部22的同心圓直徑為240mm(相對於支撐板21的直徑為80%)的點以外，藉著與實施例1使用的支撐治具相同構成的支撐治具支撐著該層疊體10。在此狀態下，進行與實施例1相同的加熱過程之後冷卻，測量翹曲量。
    將結果顯示於表1。如表1所示，本實施例中，獲得翹曲量少的結果。 〔實施例3〕
    本實施例是與實施例1同樣地製作層疊體10，使晶圓11薄型化。隨後，除了配置有支撐部22的同心圓直徑為270mm(相對於支撐板21的直徑為90%)的點以外，藉著與實施例1使用的支撐治具相同構成的支撐治具支撐著該層疊體10。在此狀態下，進行與實施例1相同的加熱過程之後冷卻，測量翹曲量。
    將結果顯示於表1。如表1所示，本實施例中，獲得翹曲量少的結果。 〔實施例4〕
    本實施例是與實施例1同樣地製作層疊體10，使晶圓11薄型化。隨後，除了配置有支撐部22的同心圓直徑為285mm(相對於支撐板21的直徑為95%)的點以外，藉著與實施例1使用的支撐治具相同構成的支撐治具支撐著該層疊體10。在此狀態下，進行與實施例1相同的加熱過程之後冷卻，測量翹曲量。
    將結果顯示於表1。如表1所示，本實施例中，獲得翹曲量少的結果。 〔實施例5〕
    本實施例是與實施例1同樣地製作層疊體10，使晶圓11薄型化。隨後，將此層疊體10藉著與第10圖表示支撐治具20F相同構成的支撐治具支撐。第10圖是表示本發明相關支撐治具之一實施例的構成的上視圖。
    該支撐治具20F共有支撐板21的中心點。在半徑不同的兩個同心圓(圖中，以點線表示)的各個圓周上，分別以彼此等間隔配置有四個支撐部22。配置著支撐部22的同心圓的直徑是分別為150mm(相對於支撐板21直徑的50%)及225mm(相對於支撐板21直徑的75%)。
    在此狀態下，與實施例1同樣進行加熱過程後冷卻，測量翹曲量。
    將結果顯示於表1。如表1所示，本實施例中，獲得翹曲量少的結果。 〔實施例6〕
    本實施例是與實施例1同樣地製作層疊體10，使晶圓11薄型化。隨後，將此層疊體10藉著與第11圖表示支撐治具20G相同構成的支撐治具支撐。第11圖是表示本發明相關支撐治具之其他實施例的構成的上視圖。
    該支撐治具20G具備長方形的支撐板21’與三個支撐部22。支撐板21’的縱長21a為200mm、橫長21b為300mm的長方形。三個支撐部22是以彼此等間隔配置在共有支撐板21’之對角線交點的一個同心圓(圖中，以點線表示)的圓周上。配置著支撐部22的同心圓的直徑為150mm(相對於支撐板21直徑的50%)。
    在此狀態下，與實施例1同樣進行加熱過程後冷卻，測量翹曲量。
    將結果顯示於表1。如表1所示，本實施例中，獲得翹曲量少的結果。 〔實施例7〕
    本實施例是與實施例1同樣地製作層疊體10，使晶圓11薄型化。隨後，將此層疊體10藉著與第8圖及第9圖表示支撐治具30相同構成的支撐治具支撐。本實施例使用的支撐治具，具備：配置在支撐板21的中心點的一個支撐部22，及支撐著被支撐面13a的外圍部13ab的四個支撐部23。並使用以石英所構成的板作為豎立板50。
    在此狀態下，與實施例1同樣進行加熱過程後冷卻，測量翹曲量。
    將結果顯示於表1。如表1所示，本實施例中，獲得翹曲量少的結果。 〔比較例1〕
    本比較例是與實施例1同樣地製作層疊體10，使晶圓11薄型化。隨後，以習知的方法支撐該層疊體10。
    將本比較例中使用的支撐治具130的構成表示於第13(a)~(b)圖及第14圖。第13(a)圖是表示習知支撐治具的一例的前視圖，第13(b)圖是表示第13(a)圖所示支撐治具的主要部的圖。並且，第14圖是以模式表示第13(a)圖所示的支撐治具的剖面的圖。
    支撐治具130是以石英所構成的豎立板，具備四根支柱131，及支撐體保持部132。在1根支柱131上形成有十個支撐體保持部132，支撐治具130可保持10片的層疊體10。
    保持有層疊體10的內部區域的水平方向的寬130a為307.5mm，上下相鄰的支撐體保持部132的間隔130b為30mm。並且，構成支撐治具130底面的石英板的厚度130c為10mm。
    另外，支柱131的寬131a為15mm，支撐體保持部132垂直方向的厚度132a為5mm，支撐體保持部132水平方向的長度132b為10mm。
    又，如第14圖表示，在支撐治具130水平方向的剖面中，分別形成在四根支柱131的四個支撐體保持部132是沿著支撐治具130的外圍以非均等配置。四個支撐體保持部132中的兩個位置與支撐治具130的中心點形成的角度為90°。夾持該兩個支撐體保持部132定位的其他兩個支撐體保持部132的位置是相對於支撐治具130的直徑(第14圖中，賦予符號「130a」的直徑)朝著相同方向稍微偏移，該等支撐體保持部132的位置與該直徑的距離130d為20mm。藉此一構成，使得沿著支撐治具130的外圍相鄰的支撐體保持部132的間隔的其中之一大於其他的間隔。
    在使用上述構成的支撐治具130支撐層疊體10的狀態下，與實施例1同樣進行加熱過程後冷卻，測量翹曲量。
    將結果顯示於表1。如表1所示，可確認出產生大的翹曲。 〔產業上的可利用性〕
    本發明可利用在搭載於行動電話、數位AV機器及IC卡等的半導體晶片的製造。
    11‧‧‧晶圓
    13‧‧‧支撐體(被支撐基板)
    13a‧‧‧被支撐面
    13aa‧‧‧內周圍部
    13ab‧‧‧外圍部
    14、15‧‧‧支撐點
    20、20A~H‧‧‧支撐治具
    21、21’‧‧‧支撐板
    22‧‧‧支撐部
    23‧‧‧外圍支撐部
    30‧‧‧支撐治具
    第1圖為本發明相關支撐方法之一實施形態說明用的圖。
    第2(a)~(e)圖是表示本發明相關支撐方法之一實施形態的支撐點的配置例的圖。
    第3圖是表示本發明相關支撐治具之一實施形態的圖。
    第4圖為說明使用本發明相關之支撐治具支撐著支撐體的方法的圖。
    第5(a)~(e)圖是表示本發明相關支撐治具之一實施形態的支撐部的配置變形例的圖。
    第6圖為說明本發明的其他實施形態用的圖。
    第7(a)~(b)圖是表示本發明的其他實施形態的支撐點的配置例的圖。
    第8圖是表示本發明相關支撐治具的其他實施形態的圖。
    第9圖是表示第8圖所示支撐治具的部份圖。
    第10圖是表示本發明相關支撐治具之一實施例的構成的上視圖。
    第11圖是表示本發明相關支撐治具之其他實施例的構成的上視圖。
    第12圖是表示本發明相關支撐治具之一例的剖視圖。
    第13(a)圖是表示習知支撐治具的一例的前視圖，第13(b)圖是表示第13(a)圖所示支撐治具的主要部的圖。
    第14圖是以模式表示第13(a)圖所示的支撐治具的剖面的圖。
    第15圖是說明藉習知方法支撐著支撐體的方法的圖。
    第16圖是說明藉習知方法支撐著支撐體的方法的圖。
    10‧‧‧層疊體
    11‧‧‧晶圓
    12‧‧‧黏著層
    13‧‧‧支撐體(被支撐基板)
    13a‧‧‧被支撐面
    14‧‧‧支撐點
    20‧‧‧支撐治具
    22‧‧‧支撐部
    权利要求:
    Claims (14)
    [1] 一種支撐方法，係支撐黏貼有晶圓的被支撐基板的支撐方法，其特徵為：以和上述被支撐基板之黏貼有上述晶圓的面相反側的被支撐面的內周圍部的至少三點作為支撐點，抵抗重力加以支撐。
    [2] 如申請專利範圍第1項記載的支撐方法，其中，上述支撐點中的至少三點是以彼此等間隔定位在圓形的共有上述被支撐面之中心點的一個同心圓的圓周上。
    [3] 如申請專利範圍第1項或第2項記載的支撐方法，其中，上述支撐點之中的一點是定位在圓形的上述被支撐面的中心點。
    [4] 一種高溫處理方法，其特徵為：使用如申請專利範圍第1項或第2項記載的支撐方法支撐上述被支撐基板的狀態下，進行上述晶圓的高溫處理。
    [5] 一種支撐方法，係支撐黏貼有晶圓的被支撐基板的支撐方法，其特徵為：以和上述被支撐基板之黏貼有上述晶圓的面相反側的被支撐面的內周圍部的至少一點，及被支撐面的外圍部的至少兩點作為支撐點，抵抗重力加以支撐。
    [6] 如申請專利範圍第5項記載的支撐方法，其中，上述支撐點中的一點是定位在圓形的上述被支撐面的中心點。
    [7] 一種高溫處理方法，其特徵為：在使用如申請專利範圍第5項或第6項記載的支撐方法支撐上述被支撐基板的狀態下，進行上述晶圓的高溫處理。
    [8] 一種支撐治具，係被配置成與被支撐基板的被支撐面相對，藉此支撐該被支撐基板的支撐治具，其特徵為，具備：支撐板，及形成在上述支撐板上，抵抗重力支撐上述被支撐面的內周圍部的至少三個支撐部。
    [9] 如申請專利範圍第8項記載的支撐治具，其中，上述支撐部中的至少三個是在圓形的共有上述被支撐面之中心點的一個同心圓的圓周上，支撐著以彼此等間隔定位的點。
    [10] 如申請專利範圍第8項或第9項記載的支撐治具，其中，上述支撐部中的至少一個是支撐著圓形的上述被支撐面的中心點。
    [11] 如申請專利範圍第8項或第9項記載的支撐治具，其中，上述支撐部的前端是與上述被支撐面成點接觸的形狀。
    [12] 一種支撐治具，係被配置成與被支撐基板的被支撐面相對，藉此支撐該被支撐基板的支撐治具，具備：支撐板；形成在上述支撐板上，抵抗重力支撐上述被支撐面的內周圍部的至少一個支撐部；及抵抗重力支撐上述被支撐面的外圍部的至少兩個外圍支撐部。
    [13] 如申請專利範圍第12項記載的支撐治具，其中，上述支撐部中的至少一個是支撐著圓形的上述被支撐面的中心點。
    [14] 如申請專利範圍第12項或第13項記載的支撐治具，其中，上述支撐部的前端是與上述被支撐面成點接觸的形狀。
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    优先权:
    申请号 | 申请日 | 专利标题
    JP2011042954A|JP5654901B2|2011-02-28|2011-02-28|支持方法、これを用いた高温処理方法、及び支持治具|
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