台湾专利TW201303990A 光元件基板之分割方法

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专利摘要:
本發明提供一種光元件基板之分割方法，係在實施雷射加工溝形成步驟時，不須進行位置修正即能將光元件基板切斷為個別的光元件。在該光元件基板之分割方法中，基板之表面裝設有光元件層，且包含以下之步驟：光元件基板貼附步驟，係將光元件基板貼附於裝設在環狀框架之切割膠帶的表面；區塊形成步驟，係沿著通過光元件基板中央的第1分割預定線及第2分割預定線照射雷射光線，將光元件基板分割為至少4個區塊基板；第1雷射加工溝形成步驟，係藉由沿著形成於各區塊基板的第1分割預定線照射雷射光線，而形成雷射加工溝；以及第2雷射加工溝形成步驟，係藉由沿著形成於各區塊基板的第2分割預定線照射雷射光線，而形成雷射加工溝；又，藉由交互實施第1雷射加工溝形成步驟與第2雷射加工溝形成步驟，將各區塊基板沿著全部的第1分割預定線及第2分割預定線切斷，而分割為個別的光元件。
公开号:TW201303990A
申请号:TW101119306
申请日:2012-05-30
公开日:2013-01-16
发明作者:Yuji Hadano；Hitoshi Hoshino；Ryugo Oba；Osamu Omachi
申请人:Disco Corp；
IPC主号:B23K26-00

专利说明:
光元件基板之分割方法
本發明係有關於一種光元件基板之分割方法，該光元件基板具有基板以及層積於該基板之表面的光元件層，並於該光元件層藉由複數之第1分割預定線與複數之第2分割預定線所區分的各區域，形成有光元件，其中前述第1分割預定線係伸長於第1方向，而前述第2分割預定線係伸長於與該第1分割預定線直交的第2方向，並且將前述光元件基板，沿著第1分割預定線及第2分割預定線進行分割。
在光元件製造步驟中，係在大致呈圓板形狀的藍寶石基板或碳化矽等之磊晶基板的表面，透過緩衝層而層積由n型半導體層及p型半導體層所形成的光元件層，並於藉由複數形成為格子狀的切割道所區分的複數區域，形成發光二極體、雷射二極體等光元件來構成光元件晶圓。然後，藉由將光元件晶圓沿著切割道分割，而製成個別的光元件(例如參照專利文獻1)。
又，以提升光元件之亮度的技術而言，下述的專利文獻2揭示了一種稱為剝離的製造方法：透過金(Au)、鉑(Pt)、鉻(Cr)、銦(In)、鈀(Pd)等接合金屬層，將鉬(Mo)、銅(Cu)、矽(Si)等移設基板接合於光元件層，再藉由從磊晶基板的背面側將雷射光線照射於緩衝層，使磊晶基板剝離，進而將光元件層移換至移設基板，其中該光元件層係由n型半導體層及p型半導體層所形成，並透過緩衝層層積於構成光元件晶圓的藍寶石基板或碳化矽等之磊晶基板的表面。
如上所述，藉由將光元件層移換至移設基板而形成的光元件基板，係沿著形成於光元件層的第1分割預定線及第2分割預定線加以分割，以製造個別的光元件。
習知技術文獻
專利文獻
專利文獻1：日本特開平10-305420號公報
專利文獻2：日本特表2005-516415號公報
將上述光元件基板，沿著形成於光元件層的第1分割預定線及第2分割預定線分割的方法，係沿著第1分割預定線及第2分割預定線照射雷射光線藉此來進行切斷的方法，而上述方法已實用化。
構成上述光元件基板的移設基板的厚度是120μm左右，而欲照射雷射光線加以切斷，必須對1條分割預定線實施4~5次雷射加工溝形成步驟，該雷射加工溝形成步驟係照射雷射光線來形成雷射加工溝。
然而，在第1次的雷射加工溝形成步驟中，藉由沿著全部的分割預定線照射雷射光線，而形成雷射加工溝後，沿著雷射加工溝重覆實施第2次之後的雷射加工溝形成步驟，但光元件基板在照射雷射光線而熔融後，會因為冷卻而收縮。因此，由於分割預定線的間隔會縮小，使雷射光線的照射位置從雷射加工溝偏離，因此若不一直一面修正位置、一面實施雷射加工溝形成步驟的話，將有生產性不良的問題。
本發明係有鑑於上述事實而作成者，其主要技術課題為提供一種光元件基板之分割方法，係在實施雷射加工溝形成步驟時，不須進行位置修正即能將光元件基板切斷為個別的光元件。
為了解決上述主要技術課題，根據本發明，提供一種光元件基板之分割方法，該光元件基板具有基板以及層積於該基板之表面的光元件層，並於該光元件層藉由複數之第1分割預定線與複數之第2分割預定線所區分的各區域，形成有光元件，其中前述第1分割預定線係伸長於第1方向，而前述第2分割預定線係伸長於與該第1分割預定線直交的第2方向，該光元件基板之分割方法之特徵在於包含以下之步驟：光元件基板貼附步驟，係將光元件基板貼附於裝設在環狀框架之切割膠帶的表面；區塊形成步驟，係沿著第1分割預定線及第2分割預定線照射雷射光線，將光元件基板分割為至少四個區塊基板，且前述第1分割預定線及第2分割預定線係通過貼附於切割膠帶表面的光元件基板中央；第1雷射加工溝形成步驟，係藉由沿著形成於各區塊基板的第1分割預定線照射雷射光線，而形成雷射加工溝；以及第2雷射加工溝形成步驟，係藉由沿著形成於各區塊基板的第2分割預定線照射雷射光線，而形成雷射加工溝；又，藉由交互實施該第1雷射加工溝形成步驟與該第2雷射加工溝形成步驟，將各區塊基板沿著全部的第1分割預定線及第2分割預定線切斷，而分割為個別的光元件。

本發明之光元件基板之分割方法，係藉由將光元件基板分割為區塊基板後，再沿著第1分割預定線及第2分割預定線交互實施第1雷射加工溝形成步驟及第2雷射加工溝形成步驟，藉此，能將區塊基板之收縮累積收斂至容許值內，故不須在實施最後的第1雷射加工溝形成步驟及第2雷射加工溝形成步驟前進行位置補正，而能提升生產性。
圖式簡單說明
第1(a)圖、第1(b)圖係用以製造藉由本發明之光元件基板之分割方法進行加工之光元件基板的光元件晶圓的立體圖以及擴大顯示重要部分的剖面圖。
第2(a)圖、第2(b)圖係將移設基板接合於第1圖所示之光元件晶圓表面的移設基板接合步驟的說明圖。
第3(a)圖、第3(b)圖係將構成第1圖所示之光元件晶圓的磊晶基板剝離的基板剝離步驟的說明圖。
第4(a)圖、第4(b)圖係本發明之光元件基板之分割方法的光元件基板貼附步驟的說明圖。
第5圖係雷射加工裝置的重要部分立體圖，該雷射加工裝置係用以實施本發明之光元件基板之分割方法的區塊形成步驟與第1雷射加工溝形成步驟及第2雷射加工溝形成步驟。
第6(a)圖、第6(b)圖、第6(c)圖係本發明之光元件基板之分割方法的區塊形成步驟的說明圖。
第7(a)圖、第7(b)圖、第7(c)圖係本發明之光元件基板之分割方法的區塊形成步驟的說明圖。
第8(a)圖、第8(b)圖、第8(c)圖係本發明之光元件基板之分割方法的第1雷射加工溝形成步驟的說明圖。
第9(a)圖、第9(b)圖、第9(c)圖係本發明之光元件基板之分割方法的第2雷射加工溝形成步驟的說明圖。
以下，將參照添附的圖示，針對本發明之光元件基板之分割方法的較佳實施形態詳細地說明。
第1圖係表示用以製造藉由本發明之光元件基板之分割方法進行加工之光元件基板的光元件晶圓的立體圖以及擴大顯示重要部分的剖面圖。第1圖所示的光元件晶圓2，係藉由磊晶生長法在大致呈圓板形狀的藍寶石基板或碳化矽等之磊晶基板20的表面20a，形成有由n型氮化鎵半導體層211及p型氮化鎵半導體層212所構成的光元件層21。又，藉由磊晶生長法將由n型氮化鎵半導體層211及p型氮化鎵半導體層212所構成的光元件層21層積於磊晶基板20之表面時，磊晶基板20的表面20a與形成光元件層21的n型氮化鎵半導體層211之間，形成有由AlGaN層等所構成的緩衝層22。依此構成之光元件晶圓2在圖示的實施形態中係形成為：磊晶基板20的直徑係50mm、厚度例如係430μm；包含緩衝層22的光元件層21的厚度例如係5μm。又，如第1(a)圖所示，光元件層21係於藉由形成於第1方向之複數之第1分割預定線231、及形成於與該等第1分割預定線231直交方向之複數之第2分割預定線232所區分的複數區域，形成有光元件24。又，在圖示的實施形態中，光元件24的大小為1.2mm×1.2mm，第1分割預定線231及第2分割預定線232的寬度係設定為50μm，而第1分割預定線231及第2分割預定線232的數量分別係設定為41條。
如上所述，為了將光元件晶圓2之磊晶基板20從光元件層21剝離進而移換至移設基板，係實施將移設基板接合於光元件層21之表面21a的移設基板接合步驟。即，如第2(a)圖及第2(b)圖所示，將厚度例如220μm的移設基板3透過接合金屬層4，接合在形成於構成光元件基板晶圓2之磊晶基板20之表面20a的光元件層21之表面21a。又，可採用鉬(Mo)、銅(Cu)、矽(Si)等作為移設基板3，再者，可採用金(Au)、鉑(Pt)、鉻(Cr)、銦(In)、鈀(Pd)等作為形成接合金屬層4的接合金屬。該移設基板接合步驟係將上述接合金屬化學氣相沉積在形成於磊晶基板20之表面20a的光元件基板21之表面21a、或移設基板3的表面3a，而形成厚度為3μm左右的接合金屬層4，再使該接合金屬層4與移設基板3的表面3a或與光元件層21的表面21a相對面，將其壓接，藉此，可將移設基板3的表面3a透過接合金屬層4，接合於構成光元件晶圓2之光元件層21的表面21a。又，移設基板3係設定成直徑為50mm、厚度為220μm。
若實施了上述之移設基板接合步驟，則實施基板剝離步驟，基板剝離步驟係將於光元件層21接合有移設基板3之光元件晶圓2的磊晶基板20，從光元件層21剝離。該基板剝離步驟係例如第3(a)圖所示，在製造上述光元件晶圓2時，對形成於磊晶基板20與光元件層21之間的緩衝層22賦予應力，藉此，如第3(b)圖所示，將磊晶基板20從光元件層21分離。如上述般將磊晶基板與光元件層分離的基板剝離步驟係可根據例如日本特開2000-101139號公報所揭示的方法來實施。如以上，將於光元件層21接合有移設基板3之光元件晶圓2的磊晶基板20，從光元件層21剝離，藉此形成在移設基板3的表面接合了光元件層21之表面的光元件基板30。以下，針對將光元件基板30沿著形成於光元件層21的第1分割預定線231及第2分割預定線232分割的光元件基板之分割方法作說明。
首先，實施光元件基板貼附步驟，該光元件基板貼附步驟係將光元件基板30貼附於裝設在環狀框架之切割膠帶的表面。即，如第4(a)圖及第4(b)圖所示，將構成光元件基板30之移設基板3的背面3b側，貼附於裝設在環狀框架F且由聚烯烴等之合成樹脂薄片所構成之切割膠帶T的表面。因此，貼附於切割膠帶T之表面的光元件基板30係光元件層21在上側。
若實施了上述光元件基板貼附步驟，則實施區塊形成步驟，該區塊形成步驟係沿著第1分割預定線231及第2分割預定線232照射雷射光線，將光元件基板30分割為至少四個區塊基板，且前述第1分割預定線231及前述第2分割預定線232係通過貼附於切割膠帶T表面的光元件基板30中央。該區塊形成步驟在圖示的實施形態中，係利用第5圖所示的雷射加工裝置5來實施。顯示於第5圖的雷射加工裝置5具有：保持被加工物的夾盤台51、對保持於該夾盤台51上的被加工物照射脈衝雷射光線的雷射光線照射機構52、以及對保持於該夾盤台51上的被加工物進行拍攝的拍攝機構53。
上述夾盤台51係構成為將被加工物吸引、保持於其上面(即保持面)，並藉由圖未顯示的加工送進機構，以第5圖中箭頭X表示之方向加工送進，且藉由圖未顯示的分度送進機構，以第5圖中箭頭Y表示之方向分度送進。
上述雷射光線照射機構52包含有實質上水平配置且呈圓筒狀的外殼(casing)521。外殼521內配設有脈衝雷射光線振盪機構，該脈衝雷射光線振盪機構係具有圖未顯示的脈衝雷射光線振盪器或重複頻率設定機構。在上述外殼521的前端部，裝設有用來將從脈衝雷射光線振盪機構振盪出的脈衝雷射光線加以聚光的聚光器522。
又，裝設於構成上述雷射光線照射機構52之外殼521前端部的拍攝機構53，係由顯微鏡或CCD照相機等光學機構所構成，且將所拍攝的圖像訊號輸送至圖未顯示的控制機構。
參照第5圖至第7圖說明利用上述雷射加工裝置5將上述光元件基板30分割為至少4個區塊基板的區塊形成步驟。區塊形成步驟首先係將貼附有光元件基板30之切割膠帶T側，載置於上述第5圖所示之雷射加工裝置的夾盤台51上。接著，藉由使圖未顯示的吸引機構作動，將光元件基板30透過切割膠帶T吸引、保持於夾盤台51上(晶圓保持步驟)。因此，夾盤台51所保持的光元件基板30係光元件層21在上側。又，在第5圖中，係省略裝設切割膠帶T的環狀框架F來表示，環狀框架F其實係保持於配設在夾盤台51之適當的框架保持機構。
如上所述，若將光元件基板30吸引、保持於夾盤台51上，則使圖未顯示的加工送進機構作動，將吸引、保持有光元件基板30的夾盤台51移動至拍攝機構53的正下方。當夾盤台51定位在拍攝機構53的正下方時，則藉由拍攝機構53及圖未顯示的控制機構，執行檢測光元件基板30須進行雷射加工之加工區域的校準作業。即，拍攝機構53及圖未顯示的控制機構係執行：用以進行形成於光元件基板30之預定方向的第1分割預定線231、與沿著第1分割預定線231照射雷射光線之雷射光線照射機構52之聚光器522間的位置調整的圖案匹配(pattern matching)等圖像處理，而實現雷射光線照射位置的校準(校準步驟)。又，在與形成於光元件基板30的第1分割預定線231相交的方向，亦對第2分割預定線232同樣地實現雷射光線照射位置的校準。
若實施了上述之校準步驟，如第6(a)圖所示，則將夾盤台51移動至照射脈衝雷射光線之雷射光線照射機構52的聚光器522所位於的雷射光線照射區域，使複數第1分割預定線231中通過光元件基板30中央的第1分割預定線231定位在聚光器522的正下方。此時，如第6(a)圖所示，光元件基板30係定位成：通過光元件基板30中央的第1分割預定線231其中一端(於第6(a)圖的左端)係位於聚光器522的正下方。然後，如第6(a)圖所示，將由聚光器522所照射的脈衝雷射光線的聚光點P對準於構成光元件基板30的光元件層21的上面附近。接著，一邊從雷射光線照射機構52的聚光器522照射脈衝雷射光線，一邊使圖未顯示的加工送進機構作動而使夾盤台51以預定的加工送進速度移動於第6(a)圖中之箭頭X1所表示的方向(雷射加工溝形成步驟)。然後，第1分割預定線231另一端到達聚光器522的正下方位置時，停止照射脈衝雷射光線，並停止移動夾盤台51。依此，在第1分割預定線231另一端到達聚光器522的正下方位置，即第6(b)圖所示的狀態下，一邊從雷射光照射機構52的聚光器522照射脈衝雷射光線，一邊使圖未顯示的加工送進機構作動而使夾盤台51以預定的加工送進速度移動於第6(b)圖中之箭頭X2所表示的方向(雷射加工溝形成步驟)。然後，當第1分割預定線231其中一端到達聚光器522的正下方位置時，停止照射脈衝雷射光線，且停止移動夾盤台51。藉由重複實施數次該雷射加工溝形成步驟，光元件基板30如第6(c)圖所示，藉由沿著通過中央的第1分割預定線231而形成的雷射加工溝301被分割為二。
又，上述雷射加工溝形成步驟之加工條件，例如以下之設定。
波長：355nm
重複頻率：10kHz
平均輸出：7W
聚光點直徑：φ 10μm)
加工送進速度：100mm/秒
在上述加工條件中，藉由沿著第1分割預定線231照射一次脈衝雷射光線，可形成30μm左右的雷射加工溝。因此，要將光元件基板30完全切斷，只須對一條線照射4次脈衝雷射光線。
如上所述，若沿著通過光元件基板30中央的第1分割預定線231分割為二，則使夾盤台51轉動90度。然後，如第7(a)圖所示，將夾盤台51移動至照射脈衝雷射光線之雷射光線照射機構52的聚光器522所位於的雷射光線照射區域，並使在複數第2分割預定線232中通過光元件基板30中央的第2分割預定線232定位在聚光器522的正下方。此時，如第7(a)圖所示，光元件基板30係定位成：通過光元件基板30中央的第2分割預定線232其中一端(於第7(a)圖的左端)係位於聚光器522的正下方。然後，如第7(a)圖所示，將從聚光器522照射的脈衝雷射光線的聚光點P對準於構成光元件基板30的光元件層21的上面附近。接著，一邊從雷射光線照射機構52的聚光器522照射脈衝雷射光線，一邊使圖未顯示的加工送進機構作動而使夾盤台51以預定的加工送進速度移動於第7(a)圖中之箭頭X1所表示的方向(雷射加工溝形成步驟)。然後，第2分割預定線232另一端到達聚光器522的正下方位置時，停止照射脈衝雷射光線，且停止移動夾盤台51。依此，在第2分割預定線232另一端到達聚光器522的正下方位置，即第7(b)圖所示的狀態下，一邊從雷射光照射機構52的聚光器522照射脈衝雷射光線，一邊使圖未顯示的加工送進機構作動而將夾盤台51以預定的加工送進速度移動於第7(b)圖中之箭頭X2所表示的方向(雷射加工溝形成步驟)。然後，當第2分割預定線232其中一端到達聚光器522的正下方位置時，停止照射脈衝雷射光線，且停止移動夾盤台51。在圖示之實施形態的光元件基板30中，藉由重複實施4次該雷射加工溝形成步驟(對一條線照射4次脈衝雷射光線)，光元件基板30如第7(c)圖所示，藉由沿著通過中央的第2分割預定線232而形成的雷射加工溝302被切斷，分割成4個區塊基板30a、30b、30c、30d。
依上述，若實施了將光元件基板30分割成至少4個區塊基板30a、30b、30c、30d的區塊形成步驟，則實施沿著形成於各區塊基板30a、30b、30c、30d的第1分割預定線231照射雷射光線而形成雷射加工溝的第1雷射加工溝形成步驟，以及沿著形成於各區塊基板30a、30b、30c、30d的第2分割預定線232照射雷射光線而形成雷射加工溝的第2雷射加工溝形成步驟。該第1雷射加工溝形成步驟及該第2雷射加工溝形成步驟係利用上述第5圖所示的雷射加工裝置5來實施。
實施第1雷射加工溝形成步驟，係從實施了上述區塊形成步驟的狀態，使加工送進機構作動，並將透過切割膠帶T而吸引、保持有4分割的區塊基板30a、30b、30c、30d的夾盤台51，移動至拍攝機構53的正下方。當夾盤台51定位在拍攝機構53的正下方時，則藉由拍攝機構53及圖未顯示的控制機構，執行檢測區塊基板30a、30b、30c、30d須進行雷射加工之加工區域的校準作業。即，拍攝機構53及圖未顯示的控制機構係執行：用以進行形成於區塊基板30a、30b、30c、30d之第2分割預定線232、與沿著第2分割預定線232照射雷射光線之雷射光線照射機構52之聚光器522間的位置調整的圖案匹配等之圖像處理，而實現雷射光線照射位置的校準(校準步驟)。又，在與形成於區塊基板30a、30b、30c、30d的第2分割預定線232相交的方向，亦對第1分割預定線231同樣地實現雷射光線照射位置的校準。
若實施了上述之校準步驟，如第8(a)圖所示，則將夾盤台51移動至照射脈衝雷射光線之雷射光線照射機構52的聚光器522所位於的雷射光線照射區域，使預定之第1分割預定線231定位在聚光器522的正下方。此時，如第8(a)圖所示，區塊基板30a、30b、30c、30d係定位成：第1分割預定線231其中一端(於第8(a)圖的左端)係位於聚光器522的正下方。然後，如第8(a)圖所示，將從聚光器522照射的脈衝雷射光線的聚光點P對準於構成區塊基板30a、30b、30c、30d的光元件層21的上面附近。接著，一邊從雷射光線照射機構52的聚光器522照射脈衝雷射光線，一邊使圖未顯示的加工送進機構作動而將夾盤台51以預定的加工送進速度移動於第8(a)圖中之箭頭X1所表示的方向(第1雷射加工溝形成步驟)。然後，如第8(b)圖所示，第1分割預定線231另一端到達聚光器522的正下方位置時，停止照射脈衝雷射光線，並停止移動夾盤台51。又，第1雷射加工溝形成步驟的加工條件係可與上述區塊形成步驟之雷射加工溝形成步驟同一條件。結果，如第8(b)圖所示，在區塊基板30a、30b、30c、30d，沿著第1分割預定線231形成有深度為30μm左右的雷射加工溝303。
沿著形成於區塊基板30a、30b、30c、30d的全部第1分割預定線231，實施上述之第1雷射加工溝形成步驟。結果，在4個區塊基板30a、30b、30c、30d，如第8(c)圖所示，沿著全部的第1雷射加工溝形成步驟從上面形成30μm左右的雷射加工溝303。
接著，使透過切割膠帶而吸引、保持有實施了第1雷射加工溝形成步驟的區塊基板30a、30b、30c、30d的夾盤台51轉動90度。然後，實施第2雷射加工溝形成步驟，係藉由沿著形成於4個區塊基板30a、30b、30c、30d的第2分割預定線232照射雷射光線，來形成雷射加工溝。即，如第9(a)圖所示，將夾盤台51移動至照射脈衝雷射光線之雷射光線照射機構52的聚光器522所位於的雷射光線照射區域，使預定的第2分割預定線232定位在聚光器522的正下方。此時，如第9(a)圖所示，區塊基板30a、30b、30c、30d係定位成：第2分割預定線232其中一端(於第9(a)圖的左端)係位於聚光器522的正下方。然後，如第9(a)圖所示，將從聚光器522照射的脈衝雷射光線的聚光點P對準於構成區塊基板30a、30b、30c、30d的光元件層21的上面附近。接著，一邊從雷射光線照射機構52的聚光器522照射脈衝雷射光線，一邊使圖未顯示的加工送進機構作動而將夾盤台51以預定的加工送進速度移動於第9(a)圖中之箭頭X1所表示的方向(第2雷射加工溝形成步驟)。然後，如第9(b)圖所示，第1分割預定線231另一端到達聚光器522的正下方位置時，停止照射脈衝雷射光線，並停止移動夾盤台51。又，第2雷射加工溝形成步驟的加工條件係可與上述第1雷射加工溝形成步驟、即上述區塊形成步驟之雷射加工溝形成步驟同一條件。結果，如第9(b)圖所示，在區塊基板30a、30b、30c、30d，係沿著第2分割預定線232形成有深度為30μm左右的雷射加工溝304。
藉由交互實施上述之第1雷射加工溝形成步驟及第2雷射加工溝形成步驟，如第9(c)圖所示，4個區塊基板係藉由沿著全部的第1分割預定線231及第2分割預定線232而形成的雷射加工溝303及雷射加工溝304被切斷，而分割為個別的光元件。在圖示的實施形態中，藉由分別實施4次的第1雷射加工溝形成步驟及第2雷射加工溝形成步驟，可將4個區塊基板30a、30b、30c、30d沿著全部的第1分割預定線231及第2分割預定線232切斷，而分割為個別的光元件24。
在此，針對習知之分割方法的實驗結果作說明。以相同於上述第1雷射加工溝形成步驟及第2雷射加工溝形成步驟之加工條件，沿著光元件基板30之全部的第1分割預定線231及第2分割預定線232，實施第1次的雷射加工溝形成步驟，沿著第1分割預定線231及第2分割預定線232，形成了雷射加工溝。然後，測定了光元件基板30之最初的分割預定線至最後的分割預定線的長度，從48000μm收縮至47995μm。接著，沿著因沿著第1分割預定線231及第2分割預定線232而形成之全部的雷射加工溝，實施第2次的雷射加工溝形成步驟，測定了最初的分割預定線至最後的分割預定線的長度，從48000μm收縮至47990μm。更進一步，沿著藉由實施第2次的雷射加工溝形成步驟而形成之全部的雷射加工溝，實施第3次的雷射加工溝形成步驟，測定了最初的分割預定線至最後的分割預定線的長度，從48000μm收縮至47980μm。接著，沿著藉由實施第3次的雷射加工溝形成步驟而形成之全部的雷射加工溝，實施第4次雷射加工溝形成步驟，藉此，將光元件基板30分割為個別的光元件。如上述，在習知之分割方法中，因實施第3次雷射加工溝形成步驟而使收縮累積為20μm，超過容許值的10μm。
接著，針對本發明之上述分割方法的實驗結果作說明。如上述般實施區塊形成步驟，將光元件基板30分割為4個區塊基板30a、30b、30c、30d。沿著被分割為4個的區塊基板30a、30b、30c、30d的全部第1分割預定線231及第2分割預定線232，實施了上述第1雷射加工溝形成步驟及第2雷射加工溝形成步驟。然後，測定了各區塊基板30a、30b、30c、30d之最初分割預定線至最後分割預定線的長度，從24000μm收縮至23997μm。接著，沿著因沿著第1分割預定線231及第2分割預定線232而形成之全部的雷射加工溝，實施第2次雷射加工溝形成步驟，測定了各區塊基板30a、30b、30c、30d之最初分割預定線至最後分割預定線的長度，從24000μm收縮至23995μm。更進一步，沿著由實施第2次的雷射加工溝形成步驟而形成的全部雷射加工溝，實施第3次雷射加工溝形成步驟，測定了從各區塊基板30a、30b、30c、30d之最初的分割預定線至最後分割預定線的長度，從24000μm收縮至23993μm。接著，沿著藉由實施第3次雷射加工溝形成步驟而形成之全部的雷射加工溝，實施第4次雷射加工溝形成步驟，藉此，將各區塊基板30a、30b、30c、30d分割為個別的光元件。如上述，在本發明之上述分割方法中，因實施第3次雷射加工溝形成步驟而使收縮累積為7μm，在容許值的10μm以下。
如以上，在本發明之上述分割方法中，將光元件基板30分割為區塊基板30a、30b、30c、30d後，藉由沿著第1分割預定線231及第2分割預定線232，交互實施第1雷射加工溝形成步驟及第2雷射加工溝形成步驟，可使區塊基板30a、30b、30c、30d之收縮累積收斂至容許值，因此，不須在實施最後的第1雷射加工溝形成步驟及第2雷射加工溝形成步驟前進行位置修正，而能提升生產性。
以上，根據圖示之實施形態說明本發明，而本發明非僅限定於實施形態者，可在本發明之主旨的範圍內作各式各樣的變更。在上述實施形態中，係以使用金屬基板作為裝設光元件層的移設基板的例子來表示，但以Si(矽)、Ge(鍺)、GaAs(砷化鎵)作為移設基板，亦可確認其效果。
2‧‧‧光元件晶圓
3‧‧‧移設基板
3a‧‧‧移設基板的表面
3b‧‧‧移設基板的背面
4‧‧‧接合金屬層
5‧‧‧雷射加工裝置
20‧‧‧磊晶基板
20a‧‧‧磊晶基板的表面
21‧‧‧光元件層
21a‧‧‧光元件層的表面
22‧‧‧緩衝層
24‧‧‧光元件
30‧‧‧光元件基板
30a、30b、30c、30d‧‧‧區塊基板
51‧‧‧夾盤台
52‧‧‧雷射光線照射機構
53‧‧‧拍攝機構
211‧‧‧n型氮化鎵半導體層
212‧‧‧p型氮化鎵半導體層
231‧‧‧第1分割預定線
232‧‧‧第2分割預定線
301、302、303、304‧‧‧雷射加工溝
521‧‧‧外殼
522‧‧‧聚光器
F‧‧‧環狀框架
P‧‧‧聚光點
T‧‧‧切割膠帶
X、X1、X2、Y‧‧‧箭頭
第1(a)圖、第1(b)圖係用以製造藉由本發明之光元件基板之分割方法進行加工之光元件基板的光元件晶圓的立體圖以及擴大顯示重要部分的剖面圖。
第2(a)圖、第2(b)圖係將移設基板接合於第1圖所示之光元件晶圓表面的移設基板接合步驟的說明圖。
第3(a)圖、第3(b)圖係將構成第1圖所示之光元件晶圓的磊晶基板剝離的基板剝離步驟的說明圖。
第4(a)圖、第4(b)圖係本發明之光元件基板之分割方法的光元件基板貼附步驟的說明圖。
第5圖係雷射加工裝置的重要部分立體圖，該雷射加工裝置係用以實施本發明之光元件基板之分割方法的區塊形成步驟與第1雷射加工溝形成步驟及第2雷射加工溝形成步驟。
第6(a)圖、第6(b)圖、第6(c)圖係本發明之光元件基板之分割方法的區塊形成步驟的說明圖。
第7(a)圖、第7(b)圖、第7(c)圖係本發明之光元件基板之分割方法的區塊形成步驟的說明圖。
第8(a)圖、第8(b)圖、第8(c)圖係本發明之光元件基板之分割方法的第1雷射加工溝形成步驟的說明圖。
第9(a)圖、第9(b)圖、第9(c)圖係本發明之光元件基板之分割方法的第2雷射加工溝形成步驟的說明圖。
3‧‧‧移設基板
24‧‧‧個別的光元件
30‧‧‧光元件基板
30a、30b、30c、30d‧‧‧區塊基板
51‧‧‧夾盤台
52‧‧‧雷射光線照射機構
231‧‧‧第1分割預定線
232‧‧‧第2分割預定線
301、302‧‧‧雷射加工溝
522‧‧‧聚光器
P‧‧‧聚光點
T‧‧‧切割膠帶
X1、X2‧‧‧箭頭

权利要求:
Claims (1)
[1] 一種光元件基板之分割方法，該光元件基板具有基板以及層積於該基板之表面的光元件層，並於該光元件層藉由複數之第1分割預定線與複數之第2分割預定線所區分的各區域，形成有光元件，其中前述第1分割預定線係伸長於第1方向，而前述第2分割預定線係伸長於與該第1分割預定線直交的第2方向，該光元件基板之分割方法之特徵在於包含以下之步驟：光元件基板貼附步驟，係將光元件基板貼附於裝設在環狀框架之切割膠帶的表面；區塊形成步驟，係沿著第1分割預定線及第2分割預定線照射雷射光線，將光元件基板分割為至少4個區塊基板，且前述第1分割預定線及第2分割預定線係通過貼附於切割膠帶表面的光元件基板中央；第1雷射加工溝形成步驟，係藉由沿著形成於各區塊基板的第1分割預定線照射雷射光線，而形成雷射加工溝；以及第2雷射加工溝形成步驟，係藉由沿著形成於各區塊基板的第2分割預定線照射雷射光線，而形成雷射加工溝；又，藉由交互實施該第1雷射加工溝形成步驟與該第2雷射加工溝形成步驟，將各區塊基板沿著全部的第1分割預定線及第2分割預定線切斷，而分割為個別的光元件。

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