• 专利附录
  • 专利说明
  • 权利要求
  • 类似技术
  • 同族专利
  • 引用文献
  • 法律状态
  • 优先权
    • 专利摘要:
    提供一種內設有具有所欲電容值之電容器之電子零件。積層體(12)，複數個絕緣體層(16)積層而成。焊墊電極(14a,14c)，係設在積層體(12)之底面。內部導體(18l,18m)，分別在積層體(12)內隔著絕緣體層(16i)與焊墊電極(14a,14c)對向，具有較焊墊電極(14a,14c)之面積大之面積且從z軸方向俯視時包含焊墊電極(14a,14c)。電容器導體(19)，係設在較電容器導體(18l,18m)更靠z軸方向之正方向側，且與電容器導體(18l,18m)對向。
    公开号:TW201303934A
    申请号:TW101129333
    申请日:2012-02-10
    公开日:2013-01-16
    发明作者:Hiroyuki Sasaki；Ikuo Tamaru
    申请人:Murata Manufacturing Co；
    IPC主号:H01G4-00
    专利说明:
    電子零件
    本發明係關於一種電子零件，更特定而言，係關於具備複數個絕緣體層積層而成之積層體之電子零件。
    作為習知電子零件，已知有例如專利文獻1揭示之表面構裝零件。圖11係具備專利文獻1揭示之表面構裝零件510之電子裝置500之剖面構造圖。
    圖11之電子裝置500具備表面構裝零件510及母基板523。表面構裝零件510包含模組基板521、焊墊導體522及內部電極526。模組基板521呈導電體與非導電體之積層構造。焊墊導體522係設在模組基板521之底面。內部電極526係設在模組基板521內，隔著非導電體與焊墊導體522對向。母基板523為包含對應電極524且供構裝表面構裝零件510之基板。對應電極524係設在母基板523之上面。在電子裝置500，焊墊導體522與對應電極524係藉由焊料等連接，藉此將表面構裝零件510構裝在母基板523。
    在以上之表面構裝零件510，焊墊導體522與內部電極526對向而構成電容器。因此，模組基板521之內部之電路與母基板523係透過該電容器電氣連接。
    然而，表面構裝零件510，如以下說明，具有在由焊墊導體522及內部電極526構成之電容器不易獲得所欲電容值之問題。更詳細而言，焊墊導體522與內部電極526，在從上側俯視時一致之狀態下對向。因此，若印刷焊墊導體522或內部電極526之位置稍有偏移，則焊墊導體522與內部電極526對向部分之面積變化。其結果，由焊墊導體522及內部電極526構成之電容器之電容值變動。
    專利文獻1：日本特開2003-68569號公報
    因此，本發明之目的在於提供一種內設有具有所欲電容值之電容器之電子零件。
    本發明一形態之電子零件，具備：積層體，複數個絕緣體層積層而成；焊墊電極，係設在該積層體之底面；第1電容器導體，在該積層體內隔著該絕緣體層與該焊墊電極對向，具有較該焊墊電極之面積大之面積且從積層方向俯視時包含該焊墊電極；以及第2電容器導體，係設在較該第1電容器導體更靠積層方向之上側，且與該第1電容器導體對向。
    根據本發明，可獲得內設有即使產生積層時之重疊偏移亦具有所欲電容值之電容器之電子零件。
    以下，參照圖式說明本發明一實施形態之電子零件。
    (第1實施形態)
    (電子零件之構成)
    以下，參照圖式說明本發明第1實施形態之電子零件之構成。圖1係本發明第1實施形態之電子零件10之外觀立體圖。圖2係本發明第1實施形態之電子零件10之分解立體圖。圖3係本發明第1實施形態之電子零件10之等效電路圖。以下，將電子零件10之積層方向定義成z軸方向。又，從z軸方向俯視時，將沿著電子零件10之長邊之方向定義成x軸方向，將沿著電子零件10之短邊之方向定義成y軸方向。
    電子零件10，如圖1及圖2所示，具備積層體12、焊墊電極14(14a~14c)、內部導體18(18a~18m)、接地導體19及通孔導體b(b1~b41)。
    積層體12，如圖2所示，係藉由長方形之複數個絕緣體層16(16a~16i)積層而構成，呈長方體狀。絕緣體層16呈長方形，藉由例如Ba-Al-Si系之陶瓷電介質構成。絕緣體層16a~16i，在z軸方向從正方向側往負方向側依序排列積層。以下，將絕緣體層16之z軸方向之正方向側之主面稱為表面，將絕緣體層16之z軸方向之負方向側之主面稱為背面。
    焊墊電極14a~14c係設在絕緣體層16i之背面(積層體12之底面)，呈在y軸方向延伸之長方形。亦即，電子零件10呈所謂LGA(Land Grid Array)構造。此外，為了容易理解，圖2中，焊墊電極14a~14c係以從絕緣體層16i之背面離開之狀態記載。焊墊電極14a~14c從x軸方向之負方向側往正方向側依序排列。焊墊電極14a係作為輸入端子使用。焊墊電極14b係作為接地端子使用。焊墊電極14c係作為輸出端子使用。
    內部導體18及接地導體19係藉由以Cu為主成分之導電性材料構成，設在絕緣體層16之表面上。通孔導體b係藉由在於z軸方向貫通絕緣體層16之通孔填充以Cu為主成分之導電性材料而構成。焊墊電極14、內部導體18、接地導體19及通孔導體b，如以下說明，構成內設在積層體12之線圈Ls1~Ls3及電容器Cs1~Cs3,Cm1,Cm2,Cp1(參照圖3)。
    線圈Ls1，如圖2及圖3所示，係藉由內部導體18a,18b及通孔導體b1~b3,b8~b13構成。更詳細而言，內部導體18a,18b分別設在絕緣體層16b,16c之表面上，在y軸方向延伸，呈在y軸方向之正方向側之端部往x軸方向之正方向側折曲之L字狀。內部導體18a與內部導體18b呈相同形狀，以從z軸方向俯視時一致之狀態重疊。又，通孔導體b1在z軸方向貫通絕緣體層16b，將內部導體18a之一端與內部導體18d之一端加以連接。通孔導體b8在z軸方向貫通絕緣體層16b，將內部導體18a之另一端與內部導體18d之另一端加以連接。藉此，內部導體18a,18d彼此連接。
    通孔導體b2,b3分別在z軸方向貫通絕緣體層16c,16d。通孔導體b2,b3串聯而構成一條通孔導體。通孔導體b2在z軸方向之正方向側之端部連接於內部導體18d之一端。通孔導體b3在z軸方向之負方向側之端部連接於內部導體18h之一端。
    通孔導體b9~b13在z軸方向貫通絕緣體層16c~16g。通孔導體b9~b13串聯而構成一條通孔導體。通孔導體b9在z軸方向之正方向側之端部連接於內部導體18d之另一端。
    如上述，線圈Ls1，從x軸方向之正方向側俯視時，呈構成字狀之環型線圈。
    內部導體18l係設在絕緣體層16i之表面上，呈在y軸方向延伸之長方形。內部導體18l，在積層體12內隔著絕緣體層16i與焊墊電極14a對向，具有較焊墊電極14a大之面積，且從z軸方向之正方向側(積層方向)觀察時，包含焊墊電極14a。
    電容器Cs1係藉由內部導體18h,18l及接地導體19構成。內部導體18h係設在絕緣體層16e之表面上，呈由在y軸方向延伸部分與在該部分之y軸方向之中央部往x軸方向之正方向側突出部分構成之T字狀。接地導體19係設在絕緣體層16h，呈十字型。接地導體19係設在較內部導體18h更靠z軸方向之負方向側(積層方向之下側)且較內部導體18l更靠z軸方向之正方向側(積層方向之上側)。內部導體18h與接地導體19係隔著絕緣體層16e,16f,16g彼此對向，內部導體18l與接地導體19係隔著絕緣體層16h彼此對向。藉此，在內部導體18h,18l與接地導體19之間形成有電容器Cs1。
    通孔導體b4~b7在z軸方向貫通絕緣體層16e~16h。通孔導體b4~b7串聯而構成一條通孔導體。通孔導體b4在z軸方向之正方向側之端部連接於通孔導體b3在z軸方向之負方向側之端部。通孔導體b7在z軸方向之負方向側之端部連接於內部導體18l。又，通孔導體b13在z軸方向之負方向側之端部連接於接地導體19。藉此，線圈Ls1與電容器Cs1並聯而構成LC並聯諧振器LC1。
    又，通孔導體b14在z軸方向貫通絕緣體層16i。通孔導體b14在z軸方向之正方向側之端部連接於內部導體18l。通孔導體b14在z軸方向之負方向側之端部連接於焊墊電極14a。藉此，由線圈Ls1與電容器Cs1構成之LC並聯諧振器LC1係透過通孔導體b14連接於焊墊電極14a。
    又，通孔導體b15,b16在z軸方向貫通絕緣體層16h,16i。通孔導體b15,b16串聯而構成一條通孔導體。通孔導體b15在z軸方向之正方向側之端部連接於接地導體19。通孔導體b16在z軸方向之負方向側之端部連接於焊墊電極14b。藉此，由線圈Ls1與電容器Cs1構成之LC並聯諧振器LC1係透過通孔導體b15,b16連接於焊墊電極14b。
    線圈Ls2，如圖2及圖3所示，係藉由內部導體18b,18e及通孔導體b31~b34,b36~b41構成。更詳細而言，內部導體18b,18e分別在絕緣體層16b,16c之表面設在內部導體18a,18d在x軸方向之正方向側，呈在y軸方向延伸之長方形。內部導體18b與內部導體18e呈相同形狀，以從z軸方向俯視時一致之狀態重疊。又，通孔導體b31在z軸方向貫通絕緣體層16b，將內部導體18b之一端與內部導體18e之一端加以連接。通孔導體b36在z軸方向貫通絕緣體層16b，將內部導體18b之另一端與內部導體18e之另一端加以連接。藉此，內部導體18b,18e彼此連接。
    通孔導體b32~b34分別在z軸方向貫通絕緣體層16c~16e。通孔導體b32~b34串聯而構成一條通孔導體。通孔導體b32在z軸方向之正方向側之端部連接於內部導體18e之一端。
    通孔導體b37~b41在z軸方向貫通絕緣體層16c~16g。通孔導體b37~b41串聯而構成一條通孔導體。通孔導體b37在z軸方向之正方向側之端部連接於內部導體18e之另一端。
    如上述，線圈Ls2，從x軸方向之正方向側俯視時，呈構成字狀之環型線圈。
    電容器Cs2係藉由內部導體18j,18k及接地導體19構成。內部導體18j,18k分別設在絕緣體層16f,16g之表面上，呈長方形。通孔導體b35在z軸方向貫通絕緣體層16f。通孔導體b35在z軸方向之正方向側之端部連接於內部導體18j。通孔導體b35在z軸方向之負方向側之端部連接於內部導體18k。內部導體18j與接地導體19係隔著絕緣體層16f,16g彼此對向。內部導體18k與接地導體19係隔著絕緣體層16g彼此對向。藉此，在內部導體18j,18k與接地導體19之間形成有電容器Cs2。
    通孔導體b34在z軸方向之負方向側之端部連接於內部導體18j。又，通孔導體b41在z軸方向之負方向側之端部連接於接地導體19。藉此，線圈Ls2與電容器Cs2並聯而構成LC並聯諧振器LC2。又，由線圈Ls2與電容器Cs2構成之LC並聯諧振器LC2係透過通孔導體b15,b16連接於焊墊電極14b。
    線圈Ls3，如圖2及圖3所示，係藉由內部導體18c,18f及通孔導體b17~b19,b24~b29構成。更詳細而言，內部導體18c,18f分別設在絕緣體層16b,16c之表面上，在y軸方向延伸，呈在y軸方向之正方向側之端部往x軸方向之負方向側折曲之L字狀。內部導體18c與內部導體18f呈相同形狀，以從z軸方向俯視時一致之狀態重疊。又，通孔導體b17在z軸方向貫通絕緣體層16b，將內部導體18c之一端與內部導體18f之一端加以連接。通孔導體b24在z軸方向貫通絕緣體層16b，將內部導體18c之另一端與內部導體18f之另一端加以連接。藉此，內部導體18c,18f彼此連接。
    通孔導體b18,b19分別在z軸方向貫通絕緣體層16c,16d。通孔導體b18,b19串聯而構成一條通孔導體。通孔導體b18在z軸方向之正方向側之端部連接於內部導體18f之一端。通孔導體b19在z軸方向之負方向側之端部連接於內部導體18i之一端。
    通孔導體b25~b29在z軸方向貫通絕緣體層16c~16g。通孔導體b25~b29串聯而構成一條通孔導體。通孔導體b25在z軸方向之正方向側之端部連接於內部導體18f之另一端。
    如上述，線圈Ls3，從x軸方向之正方向側俯視時，呈構成字狀之環型線圈。
    內部導體18m係設在絕緣體層16i之表面上，呈在y軸方向延伸之長方形。內部導體18m，在積層體12內隔著絕緣體層16i與焊墊電極14c對向，具有較焊墊電極14c大之面積，且從z軸方向之正方向側(積層方向)觀察時，包含焊墊電極14c。
    電容器Cs3係藉由內部導體18i,18m及接地導體19構成。內部導體18i係設在絕緣體層16e之表面上，呈由在y軸方向延伸部分與在該部分之y軸方向之中央部往x軸方向之負方向側突出部分構成之T字狀。接地導體19係設在較內部導體18i更靠z軸方向之負方向側(積層方向之下側)且較內部導體18m更靠z軸方向之正方向側(積層方向之上側)。內部導體18i與接地導體19係隔著絕緣體層16e,16f,16g彼此對向，內部導體18m與接地導體19係隔著絕緣體層16h彼此對向。藉此，在內部導體18i,18m與接地導體19之間形成有電容器Cs3。
    通孔導體b20~b23在z軸方向貫通絕緣體層16e~16h。通孔導體b20~b23串聯而構成一條通孔導體。通孔導體b20在z軸方向之正方向側之端部連接於通孔導體b19在z軸方向之負方向側之端部。通孔導體b23在z軸方向之負方向側之端部連接於內部導體18m。又，通孔導體b29在z軸方向之負方向側之端部連接於接地導體19。藉此，線圈Ls3與電容器Cs3並聯而構成LC並聯諧振器LC3。
    又，通孔導體b30在z軸方向貫通絕緣體層16i。通孔導體b30在z軸方向之正方向側之端部連接於內部導體18m。通孔導體b30在z軸方向之負方向側之端部連接於焊墊電極14c。藉此，由線圈Ls3與電容器Cs3構成之LC並聯諧振器LC3係透過通孔導體b30連接於焊墊電極14c。又，由線圈Ls3與電容器Cs3構成之LC並聯諧振器LC3係透過通孔導體b15,b16連接於焊墊電極14b。
    電容器Cm1係藉由內部導體18h及內部導體18j構成。內部導體18h及內部導體18j係隔著絕緣體層16e彼此對向。藉此，在內部導體18h,18j間形成有電容器Cm1。
    電容器Cm2係藉由內部導體18i及內部導體18j構成。內部導體18i及內部導體18j係隔著絕緣體層16e彼此對向。藉此，在內部導體18i,18j間形成有電容器Cm2。
    電容器Cp1係藉由內部導體18g及內部導體18h,18i構成。內部導體18g係設在絕緣體層16d之表面上，呈在x軸方向延伸之長方形。內部導體18g及內部導體18h,18i係隔著絕緣體層16d彼此對向。藉此，在內部導體18h,18g間及內部導體18g,18i間形成二個電容器。此等二個電容器串聯而構成電容器Cp1。
    以上述方式構成之電子零件10係作為例如帶通濾波器使用。更詳細而言，LC並聯諧振器LC1~LC3之阻抗在此等之諧振頻率成為最大。因此，LC並聯諧振器LC1~LC3使具有此等之諧振頻率附近之頻率之高頻訊號不通過。亦即，具有LC並聯諧振器LC1~LC3之諧振頻率附近之頻率之高頻訊號不會從外部電極14a流向外部電極14b，而從外部電極14a流向外部電極14c。另一方面，在LC並聯諧振器LC1~LC3之諧振頻率附近之頻率外之頻率，LC並聯諧振器LC1~LC3之阻抗較低。因此，LC並聯諧振器LC1~LC3之諧振頻率附近之頻率外之頻率通過LC並聯諧振器LC1~LC3，透過外部電極14b流向接地。如上述，在電子零件10，作為僅使LC並聯諧振器LC1~LC3之諧振頻率附近之頻率之高頻訊號通過之帶通濾波器作用。
    (效果)
    在上述電子零件10，在具有所欲電容值之電容器Cs1,Cs3可獲得所欲電容值。更詳細而言，內部導體18l,18m分別在積層體12內隔著絕緣體層16i與焊墊電極14a,14c對向，具有較焊墊電極14a,14c大之面積，且從z軸方向之正方向側(積層方向)觀察時包含焊墊電極14a,14c。因此，即使印刷構成電容器Cs1,Cs3之內部導體18l,18m,18h,18i或焊墊電極14a,14c之位置稍微偏移，從z軸方向俯視時，亦維持焊墊電極14a,14c包含在內部導體18l,18m內之狀態。因此，在電子零件10，可抑制焊墊電極14a,14c從內部導體18l,18m露出而與接地電極19對向形成電容。是以，可抑制電容器Cs1,Cs3從所欲電容值偏移。
    又，在電子零件10，即使獲得具有所欲電容值之電容器Cs1,Cs3之情形，亦可維持焊墊電極14a~14c間之絕緣性。更詳細而言，為了獲得所欲電容值而加大焊墊電極14a,14c之面積之情形，焊墊電極14a~14c間之間隔變小。另一方面，焊墊電極14a~14c，在電子零件10構裝在基板時，藉由焊料與基板之焊墊連接。因此，若焊墊電極14a~14c間之間隔變小，則在焊料構裝時，會有焊墊電極14a~14c間因焊料而連接之虞。亦即，無法維持焊墊電極14a~14c間之絕緣性。
    因此，在電子零件10，內部導體18l,18m之面積較焊墊電極14a,14c之面積大。由於內部導體18l,18m內設在電子零件10，因此無法如焊墊電極14a~14c般焊料構裝。因此，在電子零件10往基板構裝時，在內部導體18l,18m間沒有產生短路之虞。因此，內部導體18l,18m間相較於焊墊電極14a~14c容易接近。亦即，內部導體18l,18m相較於焊墊電極14a~14c容易大型化。根據以上說明，在電子零件10，即使獲得具有所欲電容值之電容器Cs1,Cs3之情形，亦可維持焊墊電極14a~14c間之絕緣性。
    (第2實施形態)
    (電子零件之構成)
    以下，參照圖式說明第2實施形態之電子零件10a之構成。圖4係第2實施形態之電子零件10a之分解立體圖。圖5係第2實施形態之電子零件10a之等效電路圖。此外，電子零件10a之外觀立體圖援引圖1。此外，對電子零件10a之構成內、與電子零件10相同之構成賦予相同參照符號。
    電子零件10a，如圖4所示，具備積層體12、焊墊電極14(14a~14c)、內部導體18(18a~18g,18l,18m),38(38a~38h)、接地導體39(39a,39b)及通孔導體b(b51~b97)。
    積層體12，如圖4所示，係藉由長方形之複數個絕緣體層16(16a~16j)積層而構成，呈長方體狀。絕緣體層16呈長方形，藉由例如Ba-Al-Si系之陶瓷電介質構成。絕緣體層16a~16j，在z軸方向從正方向側往負方向側依序排列積層。以下，將絕緣體層16之z軸方向之正方向側之主面稱為表面，將絕緣體層16之z軸方向之負方向側之主面稱為背面。
    焊墊電極14a~14c係設在絕緣體層16j之背面(積層體12之底面)，呈在y軸方向延伸之長方形。亦即，電子零件10a呈所謂LGA(Land Grid Array)構造。此外，為了容易理解，圖4中，焊墊電極14a~14c係以從絕緣體層16j之背面離開之狀態記載。焊墊電極14a~14c從x軸方向之負方向側往正方向側依序排列。焊墊電極14a係作為輸入端子使用。焊墊電極14b係作為接地端子使用。焊墊電極14c係作為輸出端子使用。
    內部導體18,38及接地導體39係藉由以Cu為主成分之導電性材料構成，設在絕緣體層16之表面上。通孔導體b係藉由在於z軸方向貫通絕緣體層16之通孔填充以Cu為主成分之導電性材料而構成。焊墊電極14、內部導體18,38、接地導體39及通孔導體b，如以下說明，構成內設在積層體12之線圈Ls1~Ls3及電容器Cs1~Cs3,Cm1,Cm2,Cp1(參照圖5)。
    線圈Ls1，如圖4及圖5所示，係藉由內部導體18a,18d及通孔導體b51~b53,b57~b61構成。更詳細而言，內部導體18a,18d分別設在絕緣體層16b,16c之表面上，在y軸方向延伸，呈在y軸方向之正方向側之端部往x軸方向之正方向側折曲之L字狀。內部導體18a與內部導體18d呈相同形狀，以從z軸方向俯視時一致之狀態重疊。又，通孔導體b51在z軸方向貫通絕緣體層16b，將內部導體18a之一端與內部導體18d之一端加以連接。通孔導體b57在z軸方向貫通絕緣體層16b，將內部導體18a之另一端與內部導體18d之另一端加以連接。藉此，內部導體18a,18d彼此連接。
    通孔導體b52,b53分別在z軸方向貫通絕緣體層16c,16d。通孔導體b52,b53串聯而構成一條通孔導體。通孔導體b52在z軸方向之正方向側之端部連接於內部導體18d之一端。
    通孔導體b58~b61在z軸方向貫通絕緣體層16c~16f。通孔導體b58~b61串聯而構成一條通孔導體。通孔導體b58在z軸方向之正方向側之端部連接於內部導體18d之另一端。
    如上述，線圈Ls1，從x軸方向之正方向側俯視時，呈構成字狀之環型線圈。
    內部導體18l係設在絕緣體層16j之表面上，呈在y軸方向延伸之長方形。內部導體18l，在積層體12內隔著絕緣體層16j與焊墊電極14a對向，具有較焊墊電極14a大之面積，且從z軸方向之正方向側(積層方向)觀察時，包含焊墊電極14a。在內部導體18l與焊墊電極14a之間未設有導體層。
    電容器Cs1係藉由內部導體18l,38c,38f及接地導體39a,39b構成。內部導體38c,38f係分別設在絕緣體層16f,16h之表面上，呈在y軸方向延伸之長方形。接地導體39a係設在絕緣體層16g之表面上，呈由在x軸方向延伸部分與在該部分之x軸方向之中央部往y軸方向之負方向側突出部分構成之T字狀。接地導體39b係設在絕緣體層16i之表面上，呈長方形。然而，在接地導體39b設有從x軸方向之負方向側之邊(外緣)朝向x軸方向之正方向側凹陷之缺口A1及從x軸方向之正方向側之邊(外緣)朝向x軸方向之負方向側凹陷之缺口A2。
    此處，參照圖式說明電子零件10a之缺口A1,A2之形狀。圖6係積層有絕緣體層16h~16j之圖。其中，為了易於理解，省略內部導體38g。
    缺口A1,A2在x軸方向之深度D1,D2分別較在內部導體18l,18m,38f,38h與缺口A1,A2重疊之部分在x軸方向之寬度D3,D4大。
    再者，接地導體39b係設在較內部導體18l更靠z軸方向之正方向側(積層方向之上側)。又，內部導體38f係設在較接地導體39b更靠z軸方向之正方向側(積層方向之上側)。藉此，內部導體18l與接地導體39b係隔著絕緣體層16i彼此對向。同樣地，內部導體38f與接地導體39b係隔著絕緣體層16h彼此對向。亦即，在內部導體18l,38f與接地導體39b之間分別形成有電容。
    再者，接地導體39a係設在較內部導體38f更靠z軸方向之正方向側(積層方向之上側)。又，內部導體38c係設在較接地導體39a更靠z軸方向之正方向側(積層方向之上側)。藉此，內部導體38f與接地導體39a係隔著絕緣體層16g彼此對向。同樣地，內部導體38c與接地導體39a係隔著絕緣體層16f彼此對向。亦即，在內部導體38c,38f與接地導體39a之間分別形成有電容。
    又，通孔導體b54~b56在z軸方向貫通絕緣體層16e~16g。通孔導體b54~b56串聯而構成一條通孔導體。通孔導體b54在z軸方向之正方向側之端部連接於通孔導體b53在z軸方向之負方向側之端部。通孔導體b54在z軸方向之負方向側之端部連接於內部導體38c。通孔導體b56在z軸方向之負方向側之端部連接於內部導體38f。
    又，通孔導體b64,b65在z軸方向貫通絕緣體層16h,16i。通孔導體b64,b65串聯而構成一條通孔導體，通過缺口A1內。通孔導體b64在z軸方向之正方向側之端部連接於內部導體38f。通孔導體b65在z軸方向之負方向側之端部連接於內部導體18l。亦即，通孔導體b64,b65將內部導體18l與內部導體38f加以連接。
    藉由以上述方式連接內部導體18l,38c,38f，連接由內部導體18l,38c,38f及接地導體39a,39b構成之四個電容器。此外，藉由四個電容器形成有電容器Cs1。
    又，如上述，通孔導體b65在z軸方向之負方向側之端部連接於內部導體18l。再者，通孔導體b62,b63在z軸方向貫通絕緣體層16g,16h。通孔導體b62,b63串聯而構成一條通孔導體。通孔導體b62在z軸方向之正方向側之端部連接於通孔導體b61在z軸方向之負方向側之端部。通孔導體b63在z軸方向之負方向側之端部連接於接地導體39b。藉此，線圈Ls1與電容器Cs1並聯而構成LC並聯諧振器LC1。
    又，通孔導體b66在z軸方向貫通絕緣體層16j。通孔導體b66在z軸方向之正方向側之端部連接於內部導體18l。通孔導體b66在z軸方向之負方向側之端部連接於焊墊電極14a。藉此，由線圈Ls1與電容器Cs1構成之LC並聯諧振器LC1係透過通孔導體b66連接於焊墊電極14a。
    又，通孔導體b67,b68在z軸方向貫通絕緣體層16i,16j。通孔導體b67,b68串聯而構成一條通孔導體。通孔導體b67在z軸方向之正方向側之端部連接於接地導體39b。通孔導體b68在z軸方向之負方向側之端部連接於焊墊電極14b。藉此，由線圈Ls1與電容器Cs1構成之LC並聯諧振器LC1係透過通孔導體b67,b68連接於焊墊電極14b。
    線圈Ls2，如圖4及圖5所示，係藉由內部導體18b,18e及通孔導體b85~b88,b91~b95構成。更詳細而言，內部導體18b,18e分別在絕緣體層16b,16c之表面設在內部導體18a,18d在x軸方向之正方向側，呈在y軸方向延伸之長方形。內部導體18b與內部導體18e呈相同形狀，以從z軸方向俯視時一致之狀態重疊。又，通孔導體b85在z軸方向貫通絕緣體層16b，將內部導體18b之一端與內部導體18e之一端加以連接。通孔導體b91在z軸方向貫通絕緣體層16b，將內部導體18b之另一端與內部導體18e之另一端加以連接。藉此，內部導體18b,18e並聯。
    通孔導體b86~b88分別在z軸方向貫通絕緣體層16c~16e。通孔導體b86~b88串聯而構成一條通孔導體。通孔導體b86在z軸方向之正方向側之端部連接於內部導體18e之一端。
    通孔導體b92~b95在z軸方向貫通絕緣體層16c~16f。通孔導體b92~b95串聯而構成一條通孔導體。通孔導體b92在z軸方向之正方向側之端部連接於內部導體18e之另一端。
    如上述，線圈Ls2，從x軸方向之正方向側俯視時，呈構成字狀之環型線圈。
    電容器Cs2係藉由內部導體38d,38g及接地導體39a,39b構成。內部導體38d,38g分別設在絕緣體層16f,16h之表面上，呈T字狀。通孔導體b89,b90在z軸方向貫通絕緣體層16f,16g。通孔導體b89,b90串聯而構成一條通孔導體。通孔導體b89在z軸方向之正方向側之端部連接於內部導體38d。通孔導體b90在z軸方向之負方向側之端部連接於內部導體38g。內部導體38d,38g與接地導體39a係隔著絕緣體層16f,16g對向。內部導體38g與接地導體39b係隔著絕緣體層16h彼此對向。藉此，在內部導體38d,38g與接地導體39a,39b之間形成有電容器Cs2。
    通孔導體b88在z軸方向之負方向側之端部連接於內部導體38d。又，通孔導體b95在z軸方向之負方向側之端部連接於接地導體39a。再者，通孔導體b96,b97在z軸方向貫通絕緣體層16g,16h。通孔導體b96,b97串聯而構成一條通孔導體。通孔導體b96在z軸方向之正方向側之端部連接於接地導體39a。通孔導體b97在z軸方向之負方向側之端部連接於接地導體39b。藉此，線圈Ls2與電容器Cs2並聯而構成LC並聯諧振器LC2。又，由線圈Ls2與電容器Cs2構成之LC並聯諧振器LC2係透過通孔導體b67,b68連接於焊墊電極14b。
    線圈Ls3，如圖4及圖5所示，係藉由內部導體18c,18f及通孔導體b69~b71,b75~b79構成。更詳細而言，內部導體18c,18f分別設在絕緣體層16b,16c之表面上，在y軸方向延伸，呈在y軸方向之正方向側之端部往x軸方向之負方向側折曲之L字狀。內部導體18c與內部導體18f呈相同形狀，以從z軸方向俯視時一致之狀態重疊。又，通孔導體b69在z軸方向貫通絕緣體層16b，將內部導體18c之一端與內部導體18f之一端加以連接。通孔導體b75在z軸方向貫通絕緣體層16b，將內部導體18c之另一端與內部導體18f之另一端加以連接。藉此，內部導體18c,18f彼此連接。
    通孔導體b70,b71分別在z軸方向貫通絕緣體層16c,16d。通孔導體b70,b71串聯而構成一條通孔導體。通孔導體b70在z軸方向之正方向側之端部連接於內部導體18f之一端。
    通孔導體b76~b79在z軸方向貫通絕緣體層16c~16f。通孔導體b76~b79串聯而構成一條通孔導體。通孔導體b76在z軸方向之正方向側之端部連接於內部導體18f之另一端。
    如上述，線圈Ls3，從x軸方向之正方向側俯視時，呈構成字狀之環型線圈。
    內部導體18m係設在絕緣體層16j之表面上，呈在y軸方向延伸之長方形。內部導體18m，在積層體12內隔著絕緣體層16j與焊墊電極14c對向，具有較焊墊電極14c大之面積，且從z軸方向之正方向側(積層方向)觀察時，包含焊墊電極14c。在內部導體18m與焊墊電極14c之間未設有導體層。
    電容器Cs3係藉由內部導體18m,38e,38h及接地導體39a,39b構成。內部導體38e,38h係分別設在絕緣體層16f,16h之表面上，呈在y軸方向延伸之長方形。
    再者，接地導體39b係設在較內部導體18m更靠z軸方向之正方向側(積層方向之上側)。又，內部導體38h係設在較接地導體39b更靠z軸方向之正方向側(積層方向之上側)。藉此，內部導體18m與接地導體39b係隔著絕緣體層16i彼此對向。同樣地，內部導體38h與接地導體39b係隔著絕緣體層16h彼此對向。亦即，在內部導體18m,38h與接地導體39b之間分別形成有電容。
    再者，接地導體39a係設在較內部導體38h更靠z軸方向之正方向側(積層方向之上側)。又，內部導體38e係設在較接地導體39a更靠z軸方向之正方向側(積層方向之上側)。藉此，內部導體38h與接地導體39a係隔著絕緣體層16g彼此對向。同樣地，內部導體38e與接地導體39a係隔著絕緣體層16f彼此對向。亦即，在內部導體38e,38h與接地導體39a之間分別形成有電容。
    又，通孔導體b72~b74在z軸方向貫通絕緣體層16e~16g。通孔導體b72~b74串聯而構成一條通孔導體。通孔導體b72在z軸方向之正方向側之端部連接於通孔導體b71在z軸方向之負方向側之端部。通孔導體b72在z軸方向之負方向側之端部連接於內部導體38e。通孔導體b74在z軸方向之負方向側之端部連接於內部導體38h。
    又，通孔導體b82,b83在z軸方向貫通絕緣體層16h,16i。通孔導體b82,b83串聯而構成一條通孔導體，通過缺口A2內。通孔導體b82在z軸方向之正方向側之端部連接於內部導體38h。通孔導體b83在z軸方向之負方向側之端部連接於內部導體18m。亦即，通孔導體b82,b83將內部導體18m與內部導體38h加以連接。
    藉由以上述方式連接內部導體18m,38e,38h，連接由內部導體18m,38e,38h及接地導體39a,39b構成之四個電容器。此外，藉由四個電容器形成有電容器Cs3。
    又，如上述，通孔導體b83在z軸方向之負方向側之端部連接於內部導體18m。再者，通孔導體b80,b81在z軸方向貫通絕緣體層16g,16h。通孔導體b80,b81串聯而構成一條通孔導體。通孔導體b80在z軸方向之正方向側之端部連接於通孔導體b79在z軸方向之負方向側之端部。通孔導體b81在z軸方向之負方向側之端部連接於接地導體39b。藉此，線圈Ls3與電容器Cs3並聯而構成LC並聯諧振器LC3。
    又，通孔導體b84在z軸方向貫通絕緣體層16j。通孔導體b84在z軸方向之正方向側之端部連接於內部導體18m。通孔導體b84在z軸方向之負方向側之端部連接於焊墊電極14c。藉此，由線圈Ls3與電容器Cs3構成之LC並聯諧振器LC3係透過通孔導體b84連接於焊墊電極14c。
    又，通孔導體b67,b68在z軸方向貫通絕緣體層16i,16j。通孔導體b67,b68串聯而構成一條通孔導體。通孔導體b67在z軸方向之正方向側之端部連接於接地導體39b。通孔導體b68在z軸方向之負方向側之端部連接於焊墊電極14b。藉此，由線圈Ls3與電容器Cs3構成之LC並聯諧振器LC3係透過通孔導體b67,b68連接於焊墊電極14b。
    電容器Cm1係藉由內部導體38a及內部導體38d構成。內部導體38a係設在絕緣體層16e之表面上，在y軸方向延伸，呈在y軸方向之正方向側之端部往x軸方向之正方向側折曲之L字狀。又，內部導體38a係連接於通孔導體b53,b54。內部導體38d，如上述，係設在絕緣體層16f之表面上，呈T字狀。又，內部導體38d係連接於通孔導體b88,b89。內部導體38a及內部導體38d係隔著絕緣體層16e彼此對向。藉此，在內部導體38a,38d間形成有電容器Cm1。
    電容器Cm2係藉由內部導體38b及內部導體38d構成。內部導體38b係設在絕緣體層16e之表面上，在y軸方向延伸，呈在y軸方向之正方向側之端部往x軸方向之負方向側折曲之L字狀。又，內部導體38b係連接於通孔導體b71,b72。內部導體38d，如上述，係設在絕緣體層16f之表面上，呈T字狀。內部導體38b及內部導體38d係隔著絕緣體層16e彼此對向。藉此，在內部導體38b,38d間形成有電容器Cm2。
    電容器Cp1係藉由內部導體18g及內部導體38a,38b構成。內部導體18g係設在絕緣體層16d之表面上，呈在x軸方向延伸之長方形。內部導體18g及內部導體38a,38b係隔著絕緣體層16d彼此對向。藉此，在內部導體38a,18g間及內部導體18g,38b間形成二個電容器。此等二個電容器串聯而構成電容器Cp1。
    以上述方式構成之電子零件10a係作為例如帶通濾波器使用。然而，電子零件10a之動作與電子零件10之動作相同，因此省略說明。
    (效果)
    在上述電子零件10a，與電子零件10同樣地，在具有所欲電容值之電容器Cs1,Cs3可獲得所欲電容值。再者，在電子零件10a，與電子零件10同樣地，即使獲得具有所欲電容值之電容器Cs1,Cs3之情形，亦可維持焊墊電極14a~14c間之絕緣性。
    又，根據電子零件10a，在絕緣體層16h~16j之積層時，即使絕緣體層16h~16j在x軸方向偏移，電容器Cs1,Cs3之電容值亦不易變動。更詳細而言，如圖6所示，缺口A1,A2在x軸方向之深度D1,D2分別較在內部導體18l,18m,38f,38h與缺口A1,A2重疊之部分在x軸方向之寬度D3,D4大。因此，即使絕緣體層16h~16j在x軸方向偏移，內部導體18l,18m,38f,38h與接地導體39b對向部分之面積亦不會變化。其結果，根據電子零件10a，在絕緣體層16h~16j之積層時，即使絕緣體層16h~16j在x軸方向偏移，電容器Cs1,Cs3之電容值亦不易變動。
    本申請發明人為了使可抑制電容器Cs1,Cs3之電容值變動更明確，進行了以下說明之實驗。具體而言，將電子零件10a製作成第1樣本，將未設置缺口A1,A2之電子零件製作成第2樣本。第2樣本之缺口A1,A2以外之構成與第1樣本相同。接著，使用第1樣本及第2樣本調查頻率與插入損耗之關係。圖7係顯示實驗結果之圖表。縱軸顯示插入損耗，橫軸顯示頻率。
    根據圖7，在第2樣本，可知在高頻訊號之通帶插入損耗較第1樣本大。其原因可認為，在第2樣本，產生積層偏移，電容器Cs1,Cs3之電容值變小。因此，根據電子零件10a，可知電容器Cs1,Cs3之電容值不易變動。
    又，在電子零件10a，可抑制電容器Cs1~Cs3之電容值變動。更詳細而言，電容器Cs1~Cs3係分別藉由複數個內部導體18,38與複數個接地導體39所形成之複數個電容器並聯而構成。因此，構成電容器Cs1~Cs3個別之複數個電容器之電容值較小。因此，即使複數個電容器之中任一個電容器之電容值因積層偏移等而變動，電容器Cs1~Cs3之電容值變動量亦較小即可。因此，在電子零件10a，可抑制電容器Cs1~Cs3之電容值變動。
    (變形例)
    以下，參照圖式說明變形例之內部導體18’l,18’m,38’f,38’h及接地導體39’b。圖8係積層有絕緣體層16h~16j之圖。
    如圖8所示，缺口A1,A2在x軸方向之深度D1,D2分別較在內部導體18’l,18’m,38’f,38’h與缺口A1,A2重疊之部分在x軸方向之寬度D3,D4大。然而，在內部導體18’l,18’m,38’f,38’h與缺口A1,A2重疊之部分在x軸方向之寬度D3,D4較內部導體18’l,18’m,38’f,38’h之其他部分在x軸方向之寬度D5,D6小。藉此，能使缺口A1,A2在x軸方向之深度D1,D2變小。
    (第3實施形態)
    (電子零件之構成)
    以下，參照圖式說明第3實施形態之電子零件10b之構成。圖9係第3實施形態之電子零件10b之分解立體圖。圖10係第3實施形態之電子零件10b之等效電路圖。此外，電子零件10b之外觀立體圖援引圖1。此外，對電子零件10b之構成內、與電子零件10相同之構成賦予相同參照符號。
    電子零件10b與電子零件10之不同點在於通孔導體b14,b30之有無。更詳細而言，如圖9所示，在電子零件10b，在焊墊電極14a與內部電極18l之間未設置通孔導體。因此，焊墊電極14a與內部電極18l在彼此絕緣之狀態下隔著絕緣體層16i彼此對向。藉此，在焊墊電極14a與內部電極18l之間形成有電容器Cx1。又，在焊墊電極14c與內部電極18m之間亦未設置通孔導體。因此，焊墊電極14c與內部電極18m在彼此絕緣之狀態下隔著絕緣體層16i彼此對向。藉此，在焊墊電極14c與內部電極18m之間形成有電容器Cx2。
    以上述方式構成之電子零件10b係作為例如帶通濾波器使用。然而，電子零件10b之動作與電子零件10之動作相同，因此省略說明。
    (效果)
    在上述電子零件10b，與電子零件10同樣地，在電容器Cs1,Cs3可獲得所欲電容值。
    又，根據電子零件10b，在焊墊電極14a,14c之印刷時，即使焊墊電極14a,14c稍微偏移，電容器Cx1,Cx2之電容值亦不易變動。更詳細而言，內部導體18l,18m分別在積層體12內隔著絕緣體層16i與焊墊電極14a,14c對向，具有較焊墊電極14a,14c大之面積，且從z軸方向之正方向側(積層方向)俯視時包含焊墊電極14a,14c。因此，即使構成電容器Cx1,Cx2之內部導體18l,18m或焊墊電極14a,14c稍微偏移，內部導體18l,18m與焊墊電極14a,14c對向部分之面積亦不會變化。其結果，在電子零件10b，在焊墊電極14a,14c之印刷時，即使焊墊電極14a,14c稍微偏移，電容器Cx1,Cx2之電容值亦不易變動。
    再者，根據電子零件10b，即使印刷焊墊電極14a,14c之位置稍微偏移，從z軸方向俯視時，亦維持焊墊電極14a,14c包含在內部導體18l,18m內之狀態。因此，在電子零件10b，可抑制焊墊電極14a,14c從內部導體18l,18m露出而與接地導體19對向形成電容。是以，可抑制電容器Cx1,Cx2從所欲電容值偏離，且能防止電子零件10b之特性因不需要電容而變化。
    如上述，本發明在電子零件有用，尤其是在可獲得具有所欲電容值之電容器之點優異。
    10,10a,10b‧‧‧電子零件
    12‧‧‧積層體
    14(14a~14c)‧‧‧焊墊電極
    16(16a~16j)‧‧‧絕緣體層
    18(18a~18m),38(38a~38h)‧‧‧內部導體
    19,39(39a,39b)‧‧‧接地導體
    b(b1~b41,b51~b97)‧‧‧通孔導體
    Ls1~Ls3‧‧‧線圈
    Cs1~Cs3,Cm1,Cm2,Cp1,Cx1,Cx2‧‧‧電容器
    圖1係本發明第1實施形態之電子零件之外觀立體圖。
    圖2係本發明第1實施形態之電子零件之分解立體圖。
    圖3係本發明第1實施形態之電子零件之等效電路圖。
    圖4係第2實施形態之電子零件之分解立體圖。
    圖5係第2實施形態之電子零件之等效電路圖。
    圖6係積層有絕緣體層之圖。
    圖7係顯示實驗結果之圖表。
    圖8係積層有絕緣體層之圖。
    圖9係第3實施形態之電子零件之分解立體圖。
    圖10係第3實施形態之電子零件之等效電路圖。
    圖11係具備專利文獻1揭示之表面構裝零件之電子裝置之剖面構造圖。
    10‧‧‧電子零件
    12‧‧‧積層體
    14a~14c‧‧‧焊墊電極
    16a~16i‧‧‧絕緣體層
    18a~18m‧‧‧內部導體
    19‧‧‧接地導體
    b1~b41‧‧‧通孔導體
    权利要求:
    Claims (9)
    [1] 一種電子零件，具備：積層體，複數個絕緣體層積層而成；焊墊電極，係設在該積層體之底面；第1電容器導體，在該積層體內隔著該絕緣體層與該焊墊電極對向，具有較該焊墊電極之面積大之面積且從積層方向俯視時包含該焊墊電極；以及第2電容器導體，係設在較該第1電容器導體更靠積層方向之上側，且與該第1電容器導體對向。
    [2] 如申請專利範圍第1項之電子零件，其中，在該焊墊電極與該第1電容器導體之間未設有導體層。
    [3] 如申請專利範圍第1或2項之電子零件，其中，該第2電容器導體係接地導體。
    [4] 如申請專利範圍第1或2項之電子零件，其中，該第1電容器導體及該第2電容器導體形成電容器；該電容器構成內設在該積層體之LC濾波器之一部分。
    [5] 如申請專利範圍第3項之電子零件，其中，該第1電容器導體及該第2電容器導體形成電容器；該電容器構成內設在該積層體之LC濾波器之一部分。
    [6] 如申請專利範圍第1或2項之電子零件，其進一步具備將該焊墊電極與該第1電容器導體加以連接之第2通孔導體。
    [7] 如申請專利範圍第3項之電子零件，其進一步具備將該焊墊電極與該第1電容器導體加以連接之第2通孔導體。
    [8] 如申請專利範圍第4項之電子零件，其進一步具備將該焊墊電極與該第1電容器導體加以連接之第2通孔導體。
    [9] 如申請專利範圍第5項之電子零件，其進一步具備將該焊墊電極與該第1電容器導體加以連接之第2通孔導體。
    类似技术:
    公开号 | 公开日 | 专利标题
    TWI450290B|2014-08-21|Electronic Parts
    JP6074653B2|2017-02-08|コモンモードノイズフィルタ
    JP6332200B2|2018-05-30|電子部品
    JP2000331878A|2000-11-30|角型素子を内蔵した貫通型フィルター
    JP6972485B2|2021-11-24|キャパシター部品
    KR101813380B1|2017-12-28|커패시터 부품
    JP6197882B2|2017-09-20|ノイズフィルタ
    JP6852356B2|2021-03-31|積層型フィルタ
    US20180158614A1|2018-06-07|Multilayer ceramic electronic component and board having the same
    JP2018014430A|2018-01-25|積層貫通コンデンサ及び電子部品装置
    JP2017139403A|2017-08-10|積層貫通コンデンサ及び電子部品装置
    JP2017079362A|2017-04-27|積層型フィルタ
    JP5708245B2|2015-04-30|貫通型積層コンデンサ
    JP2013251374A|2013-12-12|積層コンデンサ
    KR20170122579A|2017-11-06|커패시터 부품
    JP5799794B2|2015-10-28|非可逆回路素子
    JP2010278602A|2010-12-09|積層型誘電体フィルタ
    同族专利:
    公开号 | 公开日
    CN103780217B|2017-05-17|
    JP2014053940A|2014-03-20|
    CN103023450A|2013-04-03|
    US20140098456A1|2014-04-10|
    TWI450290B|2014-08-21|
    JPWO2012111370A1|2014-07-03|
    US8547189B2|2013-10-01|
    JP5057001B2|2012-10-24|
    JP5668821B2|2015-02-12|
    US9576733B2|2017-02-21|
    US20130342283A1|2013-12-26|
    CN103023450B|2015-09-23|
    CN103780217A|2014-05-07|
    CN102754339A|2012-10-24|
    US20120319800A1|2012-12-20|
    TW201237900A|2012-09-16|
    JP5817807B2|2015-11-18|
    CN102754339B|2015-06-10|
    JP2012238872A|2012-12-06|
    US8841978B2|2014-09-23|
    WO2012111370A1|2012-08-23|
    JP2014045506A|2014-03-13|
    TWI386959B|2013-02-21|
    引用文献:
    公开号 | 申请日 | 公开日 | 申请人 | 专利标题
    TWI656543B|2015-10-16|2019-04-11|日商村田製作所股份有限公司|Electronic parts|JP2890951B2|1992-01-21|1999-05-17|株式会社村田製作所|バンドパスフィルタ|
    JPH07240339A|1994-02-28|1995-09-12|Kyocera Corp|積層セラミックコンデンサ|
    US6133809A|1996-04-22|2000-10-17|Murata Manufacturing Co., Ltd.|LC filter with a parallel ground electrode|
    JPH11112264A|1997-10-08|1999-04-23|Murata Mfg Co Ltd|フィルタ|
    JPH11205066A|1998-01-13|1999-07-30|Murata Mfg Co Ltd|フィルタ|
    JP2001053571A|1999-08-06|2001-02-23|Murata Mfg Co Ltd|Ｌｃノイズフィルタ|
    JP2001156569A|1999-11-26|2001-06-08|Murata Mfg Co Ltd|積層型ｌｃ複合部品|
    JP2003068569A|2001-08-22|2003-03-07|Taiyo Yuden Co Ltd|表面実装部品|
    KR100656490B1|2001-11-26|2006-12-12|삼성에스디아이 주식회사|풀칼라 유기전계 발광표시소자 및 그의 제조방법|
    GB2402005B|2001-12-03|2005-03-09|Murata Manufacturing Co|Switching power supply unit|
    JP4458812B2|2002-10-30|2010-04-28|京セラ株式会社|コンデンサ、コンデンサの製造方法、配線基板、デカップリング回路及び高周波回路|
    US7711389B2|2003-11-11|2010-05-04|Murata Manufacturing Co., Ltd.|High frequency module|
    JP3901697B2|2004-03-19|2007-04-04|Ｔｄｋ株式会社|積層コンデンサ|
    US6970057B2|2004-04-02|2005-11-29|Chi Mei Communication Systems, Inc.|Lowpass filter formed in a multi-layer ceramic|
    JP2005328396A|2004-05-14|2005-11-24|Murata Mfg Co Ltd|電子部品の製造方法及び非可逆回路素子の製造方法|
    WO2006022098A1|2004-08-27|2006-03-02|Murata Manufacturing Co., Ltd.|Ｌｃ複合部品|
    DE102005016590A1|2005-04-11|2006-10-26|Epcos Ag|Elektrisches Mehrschicht-Bauelement und Verfahren zur Herstellung eines Mehrschicht-Bauelements|
    JP3918851B2|2005-06-03|2007-05-23|株式会社村田製作所|積層型電子部品および積層型電子部品の製造方法|
    JP2007129565A|2005-11-04|2007-05-24|Alps Electric Co Ltd|ローパスフィルタ|
    JP2007180183A|2005-12-27|2007-07-12|Taiyo Yuden Co Ltd|コンデンサブロック及び積層基板|
    CN2882068Y|2006-01-13|2007-03-21|北京动力源科技股份有限公司|开关电源打嗝保护电路|
    JP4364894B2|2006-08-29|2009-11-18|Ｔｄｋ株式会社|積層型フィルタ|
    JP2010177717A|2007-05-21|2010-08-12|Sanyo Electric Co Ltd|電気素子およびその製造方法|
    TWI350610B|2008-07-29|2011-10-11|Ind Tech Res Inst|Band-pass filter circuit and multi-layer structure and method thereof|
    CN201294372Y|2008-09-04|2009-08-19|陈勇|多功能开关电源保护装置|
    JP2010258402A|2008-09-26|2010-11-11|Sony Corp|静電容量素子及び共振回路|
    JP2010178004A|2009-01-29|2010-08-12|Panasonic Corp|積層デバイスとこれを用いた電子機器|
    CN103023450B|2011-02-16|2015-09-23|株式会社村田制作所|电子元器件|
    JP2013021449A|2011-07-08|2013-01-31|Murata Mfg Co Ltd|ローパスフィルタ|
    JP2013128232A|2011-12-19|2013-06-27|Murata Mfg Co Ltd|バンドパスフィルタ|
    JP5799918B2|2012-09-05|2015-10-28|株式会社村田製作所|フィルタ|
    WO2014045648A1|2012-09-19|2014-03-27|株式会社村田製作所|フィルタ|JP5787760B2|2009-09-18|2015-09-30|株式会社村田製作所|フィルタ|
    JP5549744B2|2010-12-06|2014-07-16|株式会社村田製作所|積層帯域通過フィルタ|
    CN103023450B|2011-02-16|2015-09-23|株式会社村田制作所|电子元器件|
    JP5790789B2|2011-12-28|2015-10-07|株式会社村田製作所|電子部品|
    JP5799918B2|2012-09-05|2015-10-28|株式会社村田製作所|フィルタ|
    JP5621823B2|2012-09-14|2014-11-12|株式会社村田製作所|高周波フィルタ|
    JP6421464B2|2014-06-02|2018-11-14|Tdk株式会社|積層コイル部品|
    CN105187026A|2015-10-12|2015-12-23|深圳振华富电子有限公司|叠层片式滤波网络及其制造方法|
    CN113114150A|2015-12-24|2021-07-13|株式会社村田制作所|滤波器电路以及电容元件|
    JP6538628B2|2016-09-05|2019-07-03|株式会社東芝|フィルタ回路及びワイヤレス電力伝送システム|
    法律状态:
    优先权:
    申请号 | 申请日 | 专利标题
    JP2011030574||2011-02-16||
    PCT/JP2012/050721|WO2012111370A1|2011-02-16|2012-01-16|電子部品|
    [返回顶部]