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    • 专利摘要:
    一種金屬氧化物金屬(MOM)電容器，包含：一外傳導結構，由一積體電路的複數層金屬層和複數層連接層界定，該外傳導結構包括複數個第一相對面側壁、複數個第二相對面側壁、一具有第一開口和第二開口的腔室、以及複數個於該等第一相對面側壁的開口；一內傳導結構，界定在該積體電路的該等金屬層和該等連接層中。該內傳導結構設置在該外傳導結構的該腔室內並包括一本體、以及複數個傳導延伸件，自該本體延伸通過該等第一相對面側壁內的該等開口；以及氧化物，設置在該外傳導結構和該內傳導結構之間。
    公开号:TW201303933A
    申请号:TW101116535
    申请日:2012-05-09
    公开日:2013-01-16
    发明作者:Sehat Sutardja
    申请人:Marvell World Trade Ltd；
    IPC主号:H01G4-00
    专利说明:
    金屬氧化物金屬電容器構造
    本發明涉及電容器，尤其涉及金屬氧化物金屬(MOM)電容器。
    此處所提供的背景技術說明係對本發明的內容作一般性說明為目的，發明人的構思，亦即描述在本先前技術章節中的構思，以及說明書中關於某些尚未成為本案申請之前的習知技術內容，無論是以明確或隱含的方式呈現均不應視為相對於本發明的習知技術。
    電路如逐次逼近型(SAR)類比數位轉換器(ADC)及/或其他電路可包括具有多個電容器的電容器陣列。該電容器陣列中的電容器通常具有較大幾何形狀外觀以保持寄生電容低於設計規範(通常低於固有電容值)。為了建立具有多個電容器的電容器陣列，則需要較大電容值和陣列面積，因此增加了費用。
    一種金屬氧化物金屬(MOM)電容器，包含：一外傳導結構，由一積體電路的複數層金屬層和複數層連接層界定，該外傳導結構包括複數個第一相對面側壁、複數個第二相對面側壁、一具有第一開口和第二開口的腔室、以及複數個於該等第一相對面側壁的開口；一內傳導結構，由該積體電路的該等金屬層和該等連接層界定，該內傳導結構設置在該外傳導結構的該腔室內並包括一本體、以及複數個傳導延伸件，自該本體延伸通過該等第一相對面側壁內之該等開口；以及氧化物，設置在該外傳導結構和該內傳導結構之間。
    另一方面，該外傳導結構於該等金屬層的每一層中具有一矩形截面。該等連接層中的複數個第一溝槽連接柱用於連接相鄰該外傳導結構的金屬層的複數個傳導部。該內傳導結構於該等金屬層的每一層中具有一矩形截面。複數個第二溝槽連接柱連接相鄰該內傳導結構的金屬層的複數個傳導部。
    再一方面，該外傳導結構於該等金屬層的每一層中具有一矩形截面。該等連接層中的複數個第一孔洞連接柱以複數列設置並連接相鄰該外傳導結構的金屬層的傳導部。該內傳導結構於該等金屬層的每一層中具有一矩形截面。該等連接層中的複數個第二孔洞連接柱以複數列設置並連接相鄰該內傳導結構的金屬層的複數個傳導部。
    又一方面，該內傳導結構於該等金屬層的每一層中具有一矩形截面。該等連接層內的複數個第二孔洞連接柱以單列設置並連接相鄰該內傳導結構的金屬層的複數個傳導部。該等列的每一列設置在該外傳導結構的角落內。
    一種電容器陣列，包含：複數個MOM電容器。該等MOM電容器設置成N行M列。該等MOM電容器的每一個MOM電容器與其相鄰的MOM電容器共用至少兩個該等第一相對面側壁和該等第二相對面側壁。該等MOM電容器之第一選定的該等傳導延伸件相連在一起並連接至一第一電容輸入部。該等MOM電容器的該等外傳導結構連接至一第二電容輸入部。
    另一方面，該等MOM電容器之第二選定的傳導延伸件相連在一起並連接至至一參考阻抗。該等MOM電容器之第二選定的該等內傳導結構未連接至該等MOM電容器的其他MOM電容器。當連接相同列內的MOM電容器時，使用複數個內部連接，並且當連接相鄰列的MOM電容器時，使用複數個外部連接。
    再一方面，一第一傳導壁包括複數個第一開口。該電容器陣列內該等MOM電容器之第一行的該等第一相對面側壁的其中之一的該等開口與該第一傳導壁內之該等開口對準。該第一傳導壁連接至一參考阻抗。
    又一方面，一第二傳導壁包括複數個第二開口。該電容器陣列內該等MOM電容器之最後一行的另一該等第一相對面側壁的該等開口與該第二傳導壁的該等第二開口對準。該第二傳導壁連接至該參考阻抗。
    本發明應用的進一步領域將自詳細說明、申請專利範圍及附圖顯而易見。詳細說明及具體實例僅旨在說明之目的並不旨在限制本公開的範圍。
    本發明描述了各種金屬氧化物金屬(MOM)電容器，該等金屬氧化物金屬(MOM)電容器製造於積體電路中。在根據本發明的MOM電容器的一些實例中，MOM電容器的外傳導結構包圍內傳導結構，透過一個或多個傳導延伸件可連接至該內傳導結構，其中一個或多個傳導延伸件延伸通過該外傳導結構內的開口。亦可形成包括兩個或多個MOM電容器的陣列。在本發明的一些實例中，一法拉第壁設置於鄰近該電容器陣列的外邊界以允許至該陣列的連接，而無需增加寄生電容來圍繞相鄰陣列或MOM電容器的傳導壁。
    現參見第1圖，顯示了根據本發明的MOM電容器100。MOM電容器100可製於多層積體電路內。MOM電容器100包括具有相對面側壁104和相對面側壁106的外傳導結構102。外傳導結構102界定了具有上、下開口107的腔室。相對面側壁106還界定了開口108。在第1圖所示的實例中，外傳導結構102界定了一矩形箱型截面。
    MOM電容器100由積體電路中交替相疊的金屬層和連接層所界定。更具體地，MOM電容器100由金屬層124-1(或金屬1(M1))、124-2(或M2)、124-3(或M3)、124-4(或M4)和124-5(或M5)(通稱為金屬層124)以及中間連接層128-1(或VIA1)、128-2(或VIA2)、128-3(或VIA3)和128-4(或VIA4)(通稱為連接層128)界定。圖中顯示了五個金屬層，額外或更少的金屬層和中間連接層可用於製造MOM電容器100。
    如此處所用，術語“孔洞連接柱”指的是一個傳統連接柱具有一大致矩形。術語“溝槽連接柱”指的是一個傳統連接柱於一個或多個方向上增加尺寸。
    每個外傳導結構102的相對面側壁104、106包括傳導部130-1、130-2、130-3、130-4和130-5(通稱為傳導部130)，分別界定於金屬層124-1、124-2、124-3、124-4和124-5中。每個外傳導結構102的相對面側壁104、106包括溝槽連接柱134-1、134-2、134-3和134-4(通稱為溝槽連接柱134)，分別界定於連接層128-1、128-2、128-3和128-4中。
    MOM電容器100進一步包括內傳導結構140，其設置在外傳導結構102的內部。內傳導結構140包括中心部142和複數個傳導延伸件144，該等傳導延伸件144自中心部142延伸通過外傳導結構102中的複數個開口108。在一些實例中，中心部142具有矩形形狀。雖然各側顯示傳導延伸件，亦可使用額外的複數個傳導延伸件。同樣地，如圖所示該等傳導延伸件144的位置位於沿著內傳導結構140的側面中間，該等傳導延伸件144的位置可處於任意金屬層。因為該等傳導延伸件144延伸通過相對面側壁106，該等傳導延伸件144用作內置連接，且與容易具有更高寄生電容的傳統連接相比，從而最小化或消除了至內傳導結構的連接的固定電容。當調整複數個電容器陣列大小時，進一步增加了傳統設計的更高寄生電容。
    氧化物基材料145位於外傳導結構102和內傳導結構140及兩者連接以外的區域內。
    現參見第2圖，可更詳細地看見內傳導結構140。如圖所示，該等傳導延伸件144延伸通過該等開口108。中心部142包括複數個對準的矩形傳導部146-1、146-2、146-3、146-4和146-5(通稱為傳導延伸件146)(分別設置於金屬層124-1、124-2、124-3、124-4和124-5)。中心部142包括對準的矩形溝槽連接柱148-1，148-2，148-3和148-4(通稱為溝槽連接柱148)(分別設置於連接層128-1、128-2、128-3和128-4)。
    現參見第3圖至第4圖，第1圖的MOM電容器可實施為陣列180。陣列180包括複數個MOM電容器100-11、100-12、...和100-MN(通稱為MOM電容器100)。每個MOM電容器100與相鄰的該等MOM電容器100的其中之一共用至少兩相對面側壁104、106。例如，MOM電容器100-22與MOM電容器100-21、MOM電容器100-12、MOM電容器100-23和MOM電容器100-32共用相對面側壁。
    一列中(如MOM電容器100-11至100-1N)零個或多個MOM電容器100可經由該等傳導延伸件144通過對應的該等開口108而連接。由於該等傳導延伸件144用作內置連接，當計算每個MOM電容器100的總電容值時，需考慮與該等內置連接有關的電容器。因此，可消除或最小化經常由複數傳統連接而導致之電容值的錯誤。各列間的連接可由陣列180外部的連接形成。例如在第3圖中，外部連接190和192可用於連接信號至電容器陣列180內所選定的電容器。
    如第4圖所示，一列中該等MOM電容器100之間的該等連接可改變以調整該列的電容值。同樣地，相鄰列內該等電容器之間的該等連接可改變以調整陣列182的總電容值。在第4圖的實例中，分別與該等MOM電容器100-12、100-13、100-1、100-23和100-24有關之該等內傳導結構140-12、140-13、140-14、140-23和140-24連接至低阻抗參考184(在陣列182的頂端)。分別與該等MOM電容器100-34、100-33、100-32、100-31、100-22、100-21和100-11有關之該等內傳導結構140-34、140-33、140-32、140-31、140-22、140-21和140-11連接至電容器陣列182的輸入(連接未顯示)。所有MOM電容器100的該等外傳導結構102相連在一起並連接至電容器陣列182的另一輸入(連接未顯示)。
    現參見第5圖至第6圖，顯示類似於第1圖之MOM電容器100的MOM電容器200。MOM電容器200使用複數個孔洞連接柱而不是複數個溝槽連接柱以增加複數個連接柱之間的間隔。增加該等連接柱之間的間隔易於減少由於製造期間對位不準而導致之缺陷的機會，MOM電容器200可製造於多層積體電路。在第5圖中，MOM電容器200包括外傳導結構202。外傳導結構202包括相對面側壁204和相對面側壁206。
    MOM電容器200包括複數層金屬層224-1(或M1)、224-2(或M2)、224-3(或M3)、224-4(或M4)和224-5(或M5)(通稱為金屬層224)，和中間連接層228-1(或VIA1)、228-2(或VIA2)、228-3(或VIA3)和228-4(或VIA4)(通稱為連接層228)。雖然只顯示了五層金屬層，亦可使用額外或更少的金屬層和中間連接層。
    相對面側壁204界定了一格子狀結構，包括複數個傳導部248-1、248-2、248-3、248-4和248-5(共同稱為傳導部248)，分別設置於該等金屬層224-1、224-2、224-3、224-4和224-5內、以及複數個間隔開的孔洞連接柱250-11、250-12、...和250-WV(共同稱為孔洞連接柱250)，分別設置於該等連接層228-1、228-2、228-3、228-4和228-5中。
    相對面側壁206由分別於該等金屬層224-1、224-2、224-3、224-4和224-5內的該等傳導部252-1、252-2、252-3和252-4所界定。該等間隔開的孔洞連接柱250-11、250-21、...和250-W1以及250-1V、250-2V、...和250WV可設置在外傳導結構202的角落內。在金屬層224-3內省略了延長的傳導部以允許傳導延伸件244通過相對面側壁206內的開口208。氧化物245位於內和外傳導結構240和202之間。
    在第6圖中，內傳導結構240設置在外傳導結構202的內部，並且包括中心部242和傳導延伸件244。如圖所示，傳導延伸件244延伸通過相對面側壁206。中心部242界定了一格子結構包括設置於該等金屬層224內的複數個延長的傳導部254-1、254-2、254-3、254-4和254-5(通稱為傳導延伸件254)以及於該等連接層228內的複數個間隔開的孔洞連接柱260。在第5圖至第6圖的實例中，每個內傳導結構的該等連接層具有三個孔洞連接柱，亦可使用額外或更少的孔洞連接柱。或者，可結合孔洞連接柱和溝槽連接柱用於此次所述之內和外傳導結構的任意連接層中。
    氧化物基材料245位於外傳導結構202和內傳導結構240及兩者連接以外的區域內。連接柱的列數以及該等列之間的間隔可調節以大於或小於第5圖至第6圖所述之數目及間隔。
    現參見第7圖，第5圖的MOM電容器200可實施於MOM電容器陣列280。MOM電容器陣列280包括複數個MOM電容器200-11、200-12、...和200-MN。每個MOM電容器200與該等相鄰的MOM電容器200的其中之一共用至少兩相對面側壁204和206。例如，MOM電容器200-22與MOM電容器200-21、MOM電容器200-12、MOM電容器200-23和MOM電容器200-32共用相對面側壁。一列中MOM電容器200(如MOM電容器200-11至200-1N)可經由傳導延伸件244選擇性地連接。
    各列間的連接由外部至陣列280的連接(未顯示)來形成。一列中該等MOM電容器之間的連接可改變以調整列的電容值。同樣地，相鄰列中該等電容器之間的連接可改變以調整陣列280的總電容值。至MOM電容器陣列280的連接可類似於第3圖至第4圖所示的方式形成。
    現參見第8圖，顯示了根據本發明的MOM電容器300。該MOM電容器300與MOM電容器200類似，但是增加連接柱的間隔。MOM電容器300可在多層積體電路內製造。MOM器300包括具有相對面側壁304、306的外傳導結構302。
    MOM電容器300包括複數層金屬層324-1(或M1)、324-2(或M2)、324-3(或M3)、324-4(或M4)和324-5(或M5)(通稱為金屬層324)和中間連接層328-1(或VIA1)、328-2(或VIA2)、328-3(或VIA3)和328-4(或VIA4)(通稱為連接層328)。雖然顯示了五個金屬層，亦可使用額外或更少的金屬層和中間連接層。
    相對面側壁304界定了設置於該等金屬層324之延長的傳導部344-1、344-2、344-3、344-4和344-5(通稱為傳導部344)以及設置在外傳導結構302角落內之間隔開的孔洞連接柱350-1、350-2、350-3和350-4(通稱為孔洞連接柱350)。相對面側壁306包括延長的傳導部354-1、354-2、354-3、354-4和354-5(通稱為傳導部354)，分別設置於該等金屬層324-1、324-2、324-3、324-4和324-5。在金屬層324-3內缺少延長的傳導部，從而使傳導延伸件358通過外傳導結構302的相對面側壁306。
    現參見第9圖，內傳導結構340設置在外傳導結構302的內部且包括中心部342和該等傳導延伸件358。如圖所示，該等傳導延伸件358延伸通過外傳導結構302的相對面側壁306。中心部342包括設置於該等金屬層324之延長的傳導部360-1、360-2、...和360-5(通稱為延長部360)以及複數個孔洞連接柱366-1、366-2、366-3和366-4(通稱為孔洞連接柱366)。儘管其他位置也是合適的，該等孔洞連接柱366以列設置在內傳導結構340中心內的該等連接層328中。
    現參見第10圖至第11圖，顯示了根據本發明第3圖描述之MOM電容器陣列具有法拉第壁800-1和800-2。可以理解的是，法拉第壁可與任何其他本發明公開的MOM電容器結合使用。法拉第壁800-1設置於鄰近相對面側壁106並包括分別與相對面側壁106的開口108-1、108-2、108-3和108-4對準的開口804-1、804-2、804-3和804-4，從而使傳導延伸件144-1、144-2、144-3和144-4分別穿越其中。同樣地，第11圖中的法拉第壁800-2設置於鄰近相對面側壁106並包括分別與開口110-1、110-2、110-3和110-4對準的開口804-1、804-2、804-3和804-4，從而使傳導延伸件145-1、145-2、145-3和145-4分別穿越其中。法拉第壁800-1和800-2包括設置於金屬層的傳導延伸件以及設置於連接層的溝槽連接柱或孔洞連接柱。法拉第壁800-1和800-2可固定於一給定電勢並用於減少或防止由於與MOM電容器陣列連接而產生的寄生電容。
    如第11圖所示，一列中的該等MOM電容器100之間的連接可改變以調整該列的電容值。同樣地，相鄰列內該等電容器之間的連接可改變以調整陣列182的總電容值。分別與MOM電容器100-12、100-13、100-14、100-23和100-24有關的內傳導結構140-12、140-13、140-14、140-23和140-24分別連接至法拉第壁800-2。與MOM電容器100-34、100-33、100-32、100-31、100-22、100-21和100-11有關的內傳導結構140-34、140-33、140-32、140-31、140-22、140-21和140-11分別穿越法拉第壁800-1連接至電容器陣列的一輸入(連接未顯示)。所有MOM電容器100的外傳導結構102相連並與電容器陣列的另一輸入連接(連接未顯示)。
    可以瞭解的是，此處揭露的該等MOM電容器可用於包括電容器及/或電容器陣列的任意電路。例如，該等MOM電容器可用於類比數位轉換器(ADCs)如逐次逼近型(SAR)的ADCs。例如，該等MOM電容器還可用於電容式類比數位轉換器(DACs)或SAR型的ADCs內使用的電容式DACs。此處公開的MOM電容器及/或MOM電容器陣列使用在ADC和DAC上尤其有優勢，因為精確電容值是非常理想的。也可考慮其他實施及/或其他電路元件和裝置使用。
    上述描述實際上僅是說明性且不在限制本發明，其應用或使用。本發明的廣泛啟示可為各種形式實施。因此，本發明包括特別實例，本發明的真正範圍不應被限制，因為其他修正透過圖式、說明書及所附申請專利範圍的研究將顯而易見。為了清晰起見，相同的參考數字將用於所附圖式中以表示相似的元件。這裏所使用的用語A、B和C中的至少一個應解釋為利用非排他性的邏輯“或”表示邏輯(A或B或C)。應理解的是，在不改變本發明的原則可以不同順序執行方法步驟。
    本案主張2011年5月9日提交的美國臨時申請第61/484,102號的優先權。上述申請案全部內容合併到本申請案參考。
    100、200、300‧‧‧MOM電容器
    100-11、100-12、100-13、100-14、100-1N‧‧‧MOM電容器
    100-21、100-22、100-23、100-24‧‧‧MOM電容器
    100-31、100-32、100-33、100-34‧‧‧MOM電容器
    100-M1、100-M2、100-MN‧‧‧MOM電容器
    200-11、200-12‧‧‧MOM電容器
    200-21、200-22‧‧‧MOM電容器
    200-32‧‧‧MOM電容器
    200-1N、200-M1、200-MN‧‧‧MOM電容器
    102、202、302‧‧‧外傳導結構
    104、204、304、106、206、306‧‧‧相對面側壁
    107、108、108-1、108-2、108-3、108-4‧‧‧開口
    124-1、124-2、124-3、124-4、124-5‧‧‧金屬層
    224-1、224-2、224-3、224-4、224-5‧‧‧金屬層
    324-1、324-2、324-3、324-4、324-5‧‧‧金屬層
    128-1、128-2、128-3、128-4‧‧‧連接層
    228-1、228-2、228-3、228-4‧‧‧連接層
    328-1、328-2、328-3、328-4‧‧‧連接層
    130-1、130-2、130-3、130-4、130-5‧‧‧傳導部
    248-1、248-2、248-3、248-4、248-5‧‧‧傳導部
    252-1、252-2、252-3、252-4‧‧‧傳導部
    344-1、344-2、344-3、344-4、344-5‧‧‧傳導部
    354-1、354-2、354-3、354-4、354-5‧‧‧傳導部
    360-1、360-2、360-3、360-4、360-5‧‧‧傳導部
    134-1、134-2、134-3、134-4‧‧‧溝槽連接柱
    148-1、148-2、148-3、148-4‧‧‧溝槽連接柱
    140、140-11、140-12、140-13、140-14‧‧‧內傳導結構
    140-21、140-22、140-23、140-24‧‧‧內傳導結構
    140-31、140-32、140-33、140-34‧‧‧內傳導結構
    142、242、342‧‧‧中心部
    145、245‧‧‧氧化物基材料
    144、144-1、144-2、144-3、144-4、144-11‧‧‧傳導延伸件
    145-1、145-2、145-3、145-4‧‧‧傳導延伸件
    146-1、146-2、146-3、146-4、146-5‧‧‧傳導延伸件
    244、254-1、254-2、254-3、254-4、254-5、358‧‧‧傳導延伸件
    180、182、280‧‧‧陣列
    184‧‧‧低阻抗參考
    190‧‧‧外部連接
    192‧‧‧內部連接
    208‧‧‧開口
    240‧‧‧內傳導結構
    250-11、250-12、250-21‧‧‧孔洞連接柱
    250-1V、250-W1、250-WV‧‧‧孔洞連接柱
    260、350、350-1、350-2、350-3、350-4‧‧‧孔洞連接柱
    366-1、366-2、366-3、366-4‧‧‧孔洞連接柱
    800-1、800-2‧‧‧法拉第壁
    804-1、804-2、804-3、804-4‧‧‧開口
    第1圖為根據本發明金屬氧化物金屬器(MOM)電容器的立體圖；第2圖為第1圖MOM電容器的部分透視立體圖；第3圖為第1圖MOM電容器陣列的立體圖；第4圖為第3圖陣列的平面俯視圖；第5圖為根據本發明另一MOM電容器實施例的立體圖；第6圖為第5圖MOM電容器的部分透視立體圖；第7圖為第5圖MOM電容器陣列的立體圖；第8圖為根據本發明又一MOM電容器實施例的立體圖；第9圖為第8圖MOM電容器的部分透視立體圖；第10圖為根據本發明第5圖包括法拉第壁之MOM電容器陣列的部分透視立體圖；以及第11圖為第10圖MOM電容器陣列的平面俯視圖。
    100‧‧‧MOM電容器
    102‧‧‧外傳導結構
    104、106‧‧‧相對面側壁
    107、108‧‧‧開口
    124-1、124-2、124-3、124-4、124-5‧‧‧金屬層
    128-1、128-2、128-3、128-4‧‧‧連接層
    130-1、130-2、130-3、130-4、130-5‧‧‧傳導部
    134-1、134-2、134-3、134-4‧‧‧溝槽連接柱
    140‧‧‧內傳導結構
    142‧‧‧中心部
    144‧‧‧傳導延伸件
    145‧‧‧氧化物基材料
    权利要求:
    Claims (15)
    [1] 一種金屬氧化物金屬(MOM)電容器，包含：一外傳導結構，由一積體電路的複數層金屬層和複數層連接層界定，該外傳導結構包括：複數個第一相對面側壁，複數個第二相對面側壁，一具有第一開口和第二開口的腔室，以及複數個在該等第一相對面側壁的開口；一內傳導結構，由該積體電路的該等金屬層和該等連接層界定，其中該內傳導結構設置在該外傳導結構的該腔室內並包括一本體、以及複數個傳導延伸件，自該本體延伸通過該等第一相對面側壁內的該等開口；以及氧化物，設置在該外傳導結構和該內傳導結構之間。
    [2] 依據申請專利範圍第1項所述的金屬氧化物金屬(MOM)電容器，其中該外傳導結構於該等金屬層的每一層中具有一矩形截面，並且其中於該等連接層中的複數個第一溝槽連接柱用於連接相鄰該外傳導結構的金屬層的複數個傳導部；以及該內傳導結構於該等金屬層的每一層中具有一矩形截面，並且其中複數個第二溝槽連接柱連接相鄰該內傳導結構的金屬層的複數個傳導部。
    [3] 依據申請專利範圍第1項所述的金屬氧化物金屬(MOM)電容器，其中該外傳導結構於該等金屬層的每一層中具有一矩形截面，並且其中於該等連接層中的複數個第一孔洞連接柱以複數列設置並連接相鄰該外傳導結構的金屬層的複數個傳導部。
    [4] 依據申請專利範圍第3項所述的金屬氧化物金屬(MOM)電容器，其中該內傳導結構於該等金屬層的每一層中具有一矩形截面，並且其中於該等連接層中的複數個第二孔洞連接柱以複數列設置並連接相鄰該內傳導結構的金屬層的複數個傳導部。
    [5] 依據申請專利範圍第3項所述的金屬氧化物金屬(MOM)電容器，其中該內傳導結構於該等金屬層的每一層中具有一矩形截面，並且其中該等連接層內的複數個第二孔洞連接柱以單列形式設置並連接相鄰該內傳導結構的金屬層的複數個傳導部。
    [6] 依據申請專利範圍第3項所述的金屬氧化物金屬(MOM)電容器，其中該等列的每一列設置在該外傳導結構的角落內。
    [7] 一種電容器陣列，包含：複數個如申請專利範圍第1項所述的MOM電容器，其中該等MOM電容器設置成N行M列，以及其中該等MOM電容器的每一個與其相鄰的MOM電容器共用至少兩個該等第一相對面側壁和該等第二相對面側壁。
    [8] 依據申請專利範圍第7項所述的電容器陣列，其中該等MOM電容器之第一選定的該等傳導延伸件相連在一起並連接至一第一電容輸入部，以及該等MOM電容器的該等外傳導結構連接至一第二電容輸入部。
    [9] 依據申請專利範圍第8項所述的電容器陣列，其中該等MOM電容器之第二選定的該等傳導延伸件相連在一起並連接至一參考阻抗。
    [10] 依據申請專利範圍第8項所述的電容器陣列，其中該等MOM電容器之第二選定的該等內傳導結構未連接至該等MOM電容器的其他MOM電容器。
    [11] 依據申請專利範圍第7項所述的電容器陣列，其中當連接相同列內的該等MOM電容器時，使用複數個內部連接，並且其中當連接相鄰列的該等MOM電容器時，使用複數個外部連接。
    [12] 依據申請專利範圍第7項所述的電容器陣列，進一步包含：一第一傳導壁，包括複數個第一開口，其中該電容器陣列內該等MOM電容器之第一行的該等第一相對面側壁的其中之一的該等開口與該第一傳導壁的該等開口對準，以及其中該第一傳導壁連接至一參考阻抗。
    [13] 依據申請專利範圍第12項所述的電容器陣列，進一步包含：一第二傳導壁，包括複數個第二開口，其中該電容器陣列內該等MOM電容器之最後一行的另一該等第一相對面側壁內的該等開口與該第二傳導壁的該等第二開口對準，以及其中該第二傳導壁連接至該參考阻抗。
    [14] 一種數位轉類比轉換器，包含如申請專利範圍第7項所述的電容器陣列。
    [15] 一種類比轉數位轉換器，包含如申請專利範圍第7項所述的電容器陣列。
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    同族专利:
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    US20120286394A1|2012-11-15|
    WO2012154720A3|2013-04-25|
    WO2012154720A2|2012-11-15|
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    TWI482187B|2015-04-21|
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