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    本發明之透明導電性積層體係於第一透明樹脂膜之單面或雙面具有被覆層之被覆膜與於第二透明樹脂膜之單面具有透明導電體層之透明導電性膜，以被覆膜之被覆層之側與透明導電性膜之不具有透明導電體層之側相對之方式，經由黏著劑層而積層，上述黏著劑層於120℃下之儲存彈性模數為80000 Pa以下，且上述黏著劑層與被覆層之接著力為5~20 N/25 mm。該透明導電性積層體即便於透明導電體層經圖案化並藉由加熱處理而使透明導電體層結晶化之情形時，亦可防止因圖案化所形成之階差變得大於設計值而使外觀變差。
    公开号:TW201303908A
    申请号:TW101116996
    申请日:2012-05-11
    公开日:2013-01-16
    发明作者:Mari Tanabe；Hidehiko Andou；Hideo Sugawara
    申请人:Nitto Denko Corp；
    IPC主号:B32B7-00
    专利说明:
    透明導電性積層體及觸控面板
    本發明係關於一種經由黏著劑層積層被覆膜與透明導電性膜而成之透明導電性積層體。本發明之透明導電性積層體係於液晶顯示器、電致發光顯示器等顯示器方式或光學方式、超音波方式、靜電容量方式、電阻膜方式等之觸控面板等中之透明電極中使用。尤其是對透明導電體層進行圖案化之透明導電性積層體較佳地用於靜電容量方式之觸控面板之輸入裝置之電極基板中。另外，透明導電性膜亦於透明物品之抗靜電或電磁波阻斷、液晶調光玻璃、透明加熱器等中使用。
    先前，作為透明導電性膜，已知有於透明之樹脂膜基材上積層有透明導電體層(例如ITO(Indium Tin Oxide，銦‧錫複合氧化物)膜)而成者。於上述透明導電性膜於靜電容量方式之觸控面板之電極基板中使用之情形時，使用將上述透明導電體層進行圖案化者(專利文獻1、2)。此種具有經圖案化之透明導電體層之透明導電性膜可與其他透明導電性膜等一併積層而使用，較佳地用於可同時使用2根以上之手指進行操作之多點觸控方式之輸入裝置中。
    然而，若使透明導電體層圖案化，則因圖案化而於透明導電體層上產生階差，從而使圖案化部與非圖案化部之差異明顯而使外觀變差。即，於來自可見面側之外部光於透明導電體層上反射時、或來自顯示元件側之內部光透過透明導電體層時，圖案化之有無變得明顯而使外觀變差。
    另外，透明導電性膜係用作於樹脂膜基材上未設置透明導電體層之側經由黏著劑層而積層有其他透明之樹脂膜基材的積層體。例如於電阻膜方式等之觸控面板等中之透明電極中所使用之透明導電膜中，就外觀、可見性之觀點而言，使用經由黏著劑層積層透明導電性膜與被覆膜而成之透明導電性積層體(專利文獻3、4)。然而，上述使用被覆膜之透明導電性積層體若對透明導電體層進行圖案化而使用，則與未使用被覆膜之透明導電性膜相比，圖案化之有無變得明顯，外觀變差。 先前技術文獻專利文獻
    專利文獻1：日本專利特開2009-076432號公報專利文獻2：日本專利第4364938號說明書專利文獻3：日本專利特開2002-103504號公報專利文獻4：日本專利特開平07-013695號公報
    於為了使上述透明導電體層結晶化而對上述透明導電性膜或透明導電性積層體實施加熱處理之情形時，上述由圖案化引起之外觀不良變得明顯。認為其原因在於，藉由加熱處理而於透明導電性膜或透明導電性積層體上產生較大之波狀之起伏，從而使因上述圖案化所形成之透明導電體層之階差變得大於設計值以上(例如於膜基材為聚對苯二甲酸乙二酯膜之情形時，階差成為設計值之5倍以上)。上述起伏於透明導電性積層體上較於透明導電性膜上更可辨認，尤其是於將被覆膜之被覆層之側積層於黏著劑層之態樣之透明導電性積層體中，起伏變大。
    本發明之目的在於提供一種透明導電性積層體，其係被覆膜之被覆層與透明導電性膜之未設置透明導電體層之側經由黏著劑層而積層者，且即便於透明導電體層經圖案化，藉由加熱處理而使透明導電體層結晶化之情形時，亦可防止因圖案化所形成之階差變得大於設計值而使外觀變差。
    另外，本發明之目的在於提供一種使用上述透明導電性積層體之靜電容量方式觸控面板。
    本發明者等人為了解決上述課題進行努力研究，結果藉由下述透明導電性積層體而最終完成本發明。
    即，本發明係關於一種透明導電性積層體，其特徵在於：其係於第一透明樹脂膜之單面或雙面具有被覆層之被覆膜與於第二透明樹脂膜之單面具有透明導電體層之透明導電性膜，以被覆膜之被覆層之側與透明導電性膜之不具有透明導電體層之側相對之方式，經由黏著劑層而積層者，且上述黏著劑層於120℃下之儲存彈性模數為80000 Pa以下，且上述黏著劑層與被覆層之接著力為5~20 N/25 mm。
    於上述透明導電性積層體中，上述透明導電體層即便於經圖案化之情形時亦可較佳地使用。
    於上述透明導電性積層體中，較佳為上述透明導電體層經由至少1層之底塗層而積層於上述第二透明樹脂膜上。
    於上述透明導電性積層體中，較佳為積層於上述黏著劑層上之被覆層於對被覆膜實施150℃、1小時之熱處理之後，被覆層表面之表面自由能為25 mN/m~40 mN/m。
    於上述透明導電性積層體中，較佳為積層於上述黏著劑層上之被覆層之被覆層表面之算術平均粗糙度(Ra)為10 nm以下。
    於上述透明導電性積層體中，較佳為積層於上述黏著劑層上之被覆層之被覆層表面之均方根粗糙度(Rq)為12 nm以下。
    上述透明導電性積層體較佳地於觸控面板中使用。另外，作為應用上述透明導電性積層體之觸控面板，較佳為靜電容量方式觸控面板。
    另外，本發明係關於一種觸控面板，其特徵在於：其具備至少1個上述透明導電性積層體。
    已知於具有經圖案化之透明導電體層之透明導電性膜的透明導電體層之圖案化部與非圖案化部，線膨脹係數有所不同。另外，為了使透明導電體層結晶化，而對透明導電性膜實施加熱處理並於其後進行冷卻時，上述線膨脹係數之差異會於透明導電性膜之圖案化部與非圖案化部使膨脹及收縮行為有所不同。並且，認為由此種線膨脹係數之差異引起之膨脹及收縮行為於透明導電性膜本身上成為較大之波狀之起伏，而使因上述圖案化所形成之透明導電體層之階差變得明顯，外觀較差。即，認為於透明導電性膜中，由於進行圖案化，從而使殘留透明導電體層之圖案化部與透明樹脂膜基材相比更硬，透明樹脂膜基材不易產生熱收縮，但未殘留透明導電體層之非圖案化部變得易於產生熱收縮，由該差異會產生起伏，外觀變差。
    另外，認為於經由黏著劑層積層透明導電性膜與其他樹脂膜基材之透明導電性積層體中，黏著劑層追隨透明導電性膜上產生之起伏，進而，起伏經由黏著劑層而傳播至其他樹脂膜基材。其結果會於透明導電性積層體中，較大地增加起伏。尤其是於其他樹脂膜基材為被覆膜且將該被覆膜中之被覆層之側積層於黏著劑層之情形時，較大地增加起伏。
    於本發明之透明導電性積層體中，積層透明導電性膜與被覆膜之黏著劑層設計成於120℃下之儲存彈性模數為80000 Pa以下、且上述黏著劑層與被覆層之接著力為5~20 N/25 mm。藉由使用滿足上述特定範圍之儲存彈性模數之黏著劑層，而即便於實施有加熱處理之情形時，亦可抑制黏著劑層吸收透明導電性膜上產生之波狀之起伏而使起伏傳播，亦可防止因圖案化所形成之階差變得大於設計值。另外，藉由將上述黏著劑層之接著力控制為上述特定範圍之相對較弱之接著力，即便黏著劑層追隨透明導電性膜上產生之起伏，亦於黏著劑層與被覆膜之間產生偏移，從而亦可抑制由黏著劑層傳播之起伏。
    以下一面參照圖式，一面對本發明之透明導電性積層體之實施形態進行說明。圖1至圖3係表示本發明之透明導電性積層體A之一實施形態的剖面圖。於圖1至3中，被覆膜1與透明導電性膜2經由黏著劑層3而積層。
    被覆膜1係於第一透明樹脂膜10之單面具有第一被覆層11或於雙面具有第一、第二被覆層11、12。於圖1、圖3中，為於第一透明樹脂膜10之雙面具有第一、第二被覆層11、12之情形，於圖2中，為僅於單面具有第一被覆層11之情形。再者，於在雙面設置第一、第二被覆層11、12之情形時，兩者之材料、厚度等可相同亦可不同。於本發明之透明導電性積層體A中，於上述第一被覆層11之側積層有黏著劑層3。
    透明導電性膜2係於第二透明樹脂膜20之單面具有透明導電體層21。圖1、圖2係於第二透明樹脂膜20上直接設置有透明導電體層21之情形。如圖3所示，透明導電體層21可經由底塗層22而設置。底塗層22可為1層亦可為2層以上。於透明導電性膜2之不具有透明導電體層21之側經由黏著劑層3而積層有被覆膜1。再者，儘管於圖1~圖3中未表示，但透明導電體層21亦可使用經適當圖案化者。
    作為被覆膜1之第一透明樹脂膜10，並無特別限制，可使用具有透明性之各種塑膠膜。例如作為其材料，可列舉：聚酯系樹脂、乙酸酯系樹脂、聚醚碸系樹脂、聚碳酸酯系樹脂、聚醯胺系樹脂、聚醯亞胺系樹脂、聚烯烴系樹脂、(甲基)丙烯酸系樹脂、聚氯乙烯系樹脂、聚偏二氯乙烯系樹脂、聚苯乙烯系樹脂、聚乙烯醇系樹脂、聚芳酯系樹脂、聚苯硫醚系樹脂等。該等之中，尤其較佳為聚酯系樹脂、聚碳酸酯系樹脂、聚烯烴系樹脂。
    另外，亦可列舉日本專利特開2001-343529號公報(WO 01/37007)中記載之高分子膜，例如含有(A)於側鏈具有經取代及/或未經取代之醯亞胺基之熱塑性樹脂、與(B)於側鏈具有經取代及/未經取代之苯基及腈基之熱塑性樹脂的樹脂組合物。具體而言，可使用含有包含異丁烯及N-甲基順丁烯二醯亞胺之交替共聚物、與丙烯腈-苯乙烯共聚物的樹脂組合物之高分子膜。
    就抑制起伏之觀點而言，上述第一透明樹脂膜10之厚度通常較佳為70~300 μm，更佳為100~200 μm。
    被覆層係形成於第一透明樹脂膜之單面或雙面。其中，第一被覆層11係選擇使用其與黏著劑層3之關係中滿足黏著劑層3之接著力為5~20 N/25 mm者。
    於上述透明導電性積層體中，較佳為上述第一被覆層於對被覆膜實施150℃、1小時之熱處理之後，被覆層表面之表面自由能為25 mN/m~40 mN/m。
    另外，較佳為上述第一被覆層之被覆層表面之算術平均粗糙度(Ra)較佳為10 nm以下，進而較佳為1 nm~8 nm，進而較佳為3 nm~6 nm。另外，較佳為上述第一被覆層之被覆層表面之均方根粗糙度(Rq)較佳為12 nm以下，進而較佳為2 nm~10 nm，進而較佳為4 nm~8 nm。
    第一、第二被覆層11、12之厚度可根據形成被覆層之材料而適當決定，較佳為15 nm~10 μm。就防止於加熱透明導電性積層體時低聚物自第一透明樹脂膜中析出之觀點而言，上述第一、第二被覆層11、12之厚度較佳為20 nm~1 μm。另一方面，就抑制加熱透明導電性積層體時之捲曲或保護第一透明樹脂膜之表面之觀點而言，上述第一、第二被覆層11、12之厚度較佳為1 μm~10 μm，進而較佳為2 μm~10 μm。再者，於在第一透明樹脂膜之雙面設置第一被覆層11及第二被覆層12之情形時，兩者之厚度、材料可相同亦可不同。
    作為被覆層之形成材料，例如可使用先前硬塗層中所使用之各種材料，例如可列舉：三聚氰胺系樹脂、胺基甲酸酯系樹脂、醇酸系樹脂、丙烯酸系樹脂、矽酮系樹脂、丙烯酸-胺基甲酸酯系樹脂等硬化型樹脂。由該等形成材料可形成作為硬化樹脂層之被覆層。
    作為上述硬化型樹脂之具體例，例如可列舉：日本專利特開2008-151998號公報中記載之含有(A)成分：丙烯酸胺基甲酸酯及甲基丙烯酸胺基甲酸酯之至少一者、(B)成分：多元醇丙烯酸酯及多元醇甲基丙烯酸酯之至少一者、(C)成分：由下述(C1)及下述(C2)之至少一者所形成之聚合物或共聚物或者上述聚合物與共聚物之混合聚合物的組合物，上述(C1)為具有羥基及丙烯醯基中之至少一種基的具有烷基之丙烯酸烷基酯，(C2)為具有羥基及丙烯醯基中之至少一種基的具有烷基之甲基丙烯酸烷基酯。
    另外，作為被覆層之形成材料，亦可使用下述底塗層之形成材料、低聚物防止層之形成材料。另外，作為被覆層，可使用下述硬化樹脂層1、2。
    再者，可於被覆層之形成材料中適當添加溶劑、根據需要之調平劑、抗靜電劑、塑化劑、界面活性劑、抗氧化劑、及紫外線吸收劑等常用添加劑等各種添加劑。
    <硬化樹脂層1>
    作為被覆層之形成材料，可使用含有基於物性之差而產生相分離之至少2種成分之樹脂組合物。藉由使用該組合物之硬化樹脂層1，而可於硬化樹脂層1表面形成凹凸。
    (樹脂組合物)
    作為用於形成硬化樹脂層1之樹脂組合物，例如可較佳地使用國際公開WO 2005/073763號手冊中記載之含有基於物性之差而產生相分離之至少2種成分之組合物。即，於將該樹脂組合物塗佈於基板上而形成硬化樹脂層1時，基於樹脂組合物中所含之第一成分與第二成分之物性之差，兩者產生相分離，藉此可形成於表面具有無規之凹凸之樹脂層。作為該樹脂組合物中所含有之具體之第一及第二成分，可分別獨立地選自由單體、低聚物及聚合物所組成之群中。
    作為第一成分及第二成分，例如可使用多官能性單體等單體，骨架結構中包含(甲基)丙烯酸樹脂、烯烴樹脂、聚醚樹脂、聚酯樹脂、聚胺基甲酸酯樹脂、聚矽氧烷樹脂、聚矽烷樹脂、聚醯亞胺樹脂或氟樹脂的樹脂等。該等樹脂亦可為低分子量之所謂低聚物。作為多官能性單體，例如可使用多元醇與(甲基)丙烯酸酯之脫醇反應物，具體而言，可使用二季戊四醇六(甲基)丙烯酸酯、三羥甲基丙烷三(甲基)丙烯酸酯等。
    作為低聚物及聚合物，可為包含2種以上之上述骨架結構的共聚物，亦可為包含上述骨架結構與其以外之單體的共聚物。
    樹脂組合物之第一成分及第二成分可使用包含同種骨架結構之低聚物或聚合物，另外亦可使用包含互不相同之骨架結構的低聚物或聚合物。另外，亦可為第一成分及第二成分中之任一者為單體，另一者為低聚物或聚合物。
    較佳為樹脂組合物之第一成分及第二成分分別具有互相反應之官能基。藉由使此種官能基互相反應，可提高硬化樹脂層1之硬度。作為此種官能基之組合，例如可列舉：具有活性氫之官能基(羥基、胺基、硫醇基、羧基等)與環氧基之組合、具有活性氫之官能基與異氰酸酯基之組合、乙烯性不飽和基與乙烯性不飽和基之組合、矽烷醇基與矽烷醇基之組合、矽烷醇基與環氧基之組合、具有活性氫之官能基與具有活性氫之官能基的組合、活性亞甲基與丙烯醯基之組合、唑啉基與羧基之組合等。
    此處所謂「互相反應之官能基」，亦包括雖然僅混合第一成分及第二成分時未反應，但藉由一併混合觸媒或硬化劑而互相反應的情況。作為此處可使用之觸媒，例如可列舉：光起始劑、自由基起始劑、酸-鹼觸媒、金屬觸媒等。作為可使用之硬化劑，例如可列舉：三聚氰胺硬化劑、(嵌段)異氰酸酯硬化劑、環氧硬化劑等。
    於樹脂組合物之第一成分及第二成分分別具有互相反應之官能基之情形時，第一成分與第二成分之混合物具有熱硬化性、光硬化性(紫外線硬化性、可見光硬化性、紅外線硬化性等)之硬化性。
    於本發明中，較佳為可使用骨架結構中包含(甲基)丙烯酸樹脂之樹脂作為第一成分及第二成分。另外，第一成分及第二成分之分子量以分子量(第一成分及第二成分為樹脂之情形時為重量平均分子量)計較佳為100~100000。
    作為可造成第一成分與第二成分之相分離之各成分之物性的差，例如可列舉各自之樹脂之SP值、玻璃轉移溫度(Tg)、表面張力、數量平均分子量等具有一定之差異的情況。
    所謂SP值，係solubility parameter(溶解性參數)的簡稱，成為溶解性之尺度。SP值之數值越大表示極性越高，相反，數值越小表示極性越低。SP值可藉由例如SUH,CLARKE,J.P.S.A-1,5,1671~1681(1967)中記載之方法來測定。
    於造成第一成分與第二成分之相分離之第一成分及第二成分各自之物性的差為SP值之差之情形時，較佳為第一成分之SP值與第二成分之SP值的差為0.5以上，更佳為0.8以上。該SP值之差的上限並無特別限定，通常為15以下。於第一成分之SP值與第二成分之SP值的差為0.5以上之情形時，認為樹脂之相互的相容性較低，藉此造成塗佈被覆組合物之後第一成分與第二成分相分離。
    如下文所述，樹脂組合物作為包含有機溶劑之被覆組合物塗佈於基板上而形成硬化樹脂層1，更佳為關於該被覆組合物中所含之第一成分、第二成分及有機溶劑，第一成分之SP值(SP1)、第二成分之SP值(SP2)及有機溶劑之SP值(SPsol)為滿足下述條件的關係：SP1<SP2、且SP1與SPsol之差為2以下；藉由使SP1與SPsol之差為2以下，可製備低霧度且因相分離引起之凹凸之形成性優異的硬化樹脂層1。SP1與SPsol之差進而較佳為1以下，即在0~1之範圍內。再者，只要SP1與SPsol之差為2以下即可，可為SP1<SPsol，亦可為SP1>SPsol。
    樹脂組合物中之上述第一成分與第二成分之比率可適當設定以使兩者產生相分離，以重量比計較佳為1：99~99：1，更佳為1：99~50：50，進而較佳以1：99~20：80之比例使用。另外，樹脂組合物中，除上述第一成分及第二成分以外，亦可包含通常所使用之樹脂。
    另外，於使用上述樹脂組合物作為被覆層之形成材料之情形時，較佳為於該樹脂組合物中調配微粒。
    (微粒)
    作為硬化樹脂層1中所含有之微粒，可無特別限制地使用各種金屬氧化物、玻璃、塑膠等具有透明性之微粒。例如可列舉：二氧化矽、氧化鋁、氧化鈦、氧化鋯、氧化鈣等無機系微粒，包含聚甲基丙烯酸甲酯、聚苯乙烯、聚胺基甲酸酯、丙烯酸系樹脂、丙烯酸-苯乙烯共聚物、苯并胍胺、三聚氰胺、聚碳酸酯等各種聚合物之交聯或未交聯之有機系微粒或矽酮系微粒等。上述微粒可適當選擇1種或2種以上使用，較佳為有機系微粒。作為有機系微粒，就折射率之觀點而言，較佳為丙烯酸系樹脂。
    硬化樹脂層1中之微粒之平均粒徑較佳為硬化樹脂層1之厚度之25~80%，更佳為30%~70%，進而較佳為35%~65%。若微粒之平均粒徑超過硬化樹脂層1之厚度之80%，則有產生霧度上升從而透明性受損、或形成硬化樹脂層1時產生由粒子引起之條紋等的外觀上之不良的傾向。另一方面，若微粒之平均粒徑小於硬化樹脂層1之厚度之25%，則表面之凹凸形成並不充分。
    就抑制霧度上升之觀點而言，微粒之平均粒徑較佳為2400 nm以下，更佳為2000 nm以下，進而較佳為1000 nm以下。微粒之平均粒徑較佳為250 nm以上，更佳為500 nm以上，進而較佳為700 nm以上。
    硬化樹脂層1中之微粒之含量較佳為相對於樹脂組合物之固形物成分100重量份為0.01~5重量份，更佳為0.05~2重量份，進而較佳為0.1~1重量份。若硬化樹脂層1中之微粒之含量較小，則有難以於硬化樹脂層1之表面形成充分之凹凸的傾向。另一方面，若微粒之含量過大，則有由微粒之光散射引起透明導電性膜之霧度變高、可見性降低的傾向。另外，若微粒之含量過大，則有硬化樹脂層1形成時(塗佈溶液時)產生條紋、可見性受損之情況。
    如上所述，硬化樹脂層1中之微粒之粒徑小於硬化樹脂層1之厚度，另外，微粒之含量為少量。因此，通常不易考慮到僅藉由存在此種粒子而形成足以賦予抗黏連性或易滑性之表面凹凸。於本發明中，添加此種少量之微粒而形成表面凹凸之理由尚不明確，推測為微粒成為樹脂組合物產生相分離之引子，促進相分離，從而易形成較大之凹凸。
    (被覆組合物)
    用以形成硬化樹脂層1之被覆組合物包含上述樹脂組合物及溶劑。如上所述，被覆組合物中可含有微粒。另外，根據需要，被覆組合物中可添加各種添加劑。作為此種添加劑，可列舉：抗靜電劑、塑化劑、界面活性劑、抗氧化劑、及紫外線吸收劑等常用之添加劑。
    被覆組合物係藉由將上述第一成分與第二成分及其他樹脂、根據需要之上述微粒、以及溶劑及添加劑、觸媒等加以混合來製備。被覆組合物中之溶劑並無特別限定，可考慮第一成分及第二成分、成為塗裝之基底之部分的材質及組合物之塗裝方法等而適當選擇。作為溶劑之具體例，例如可列舉：甲苯、二甲苯等芳香族系溶劑；甲基乙基酮、丙酮、甲基異丁基酮、環己酮等酮系溶劑；二乙醚、異丙醚、四氫呋喃等醚系溶劑；乙酸乙酯、乙酸丁酯等酯系溶劑；二甲基甲醯胺、二乙基甲醯胺、N-甲基吡咯烷酮等醯胺系溶劑；甲基溶纖劑、乙基溶纖劑、丁基溶纖劑等溶纖劑系溶劑；甲醇、乙醇、丙醇等醇系溶劑；二氯甲烷、氯仿等鹵素系溶劑等。該等溶劑可單獨使用，另外亦可併用2種以上使用。該等溶劑之中，較佳為使用酯系溶劑、醚系溶劑、醇系溶劑及酮系溶劑。
    於造成第一成分與第二成分相分離之物性的差為SP值之差之情形時，如上所述就使SP1與SPsol之差為2以下之觀點而言，作為溶劑，例如可列舉：甲基乙基酮、丙酮、甲基異丁基酮、環己酮等酮系溶劑；甲醇、乙醇、丙醇、異丙醇、丁醇等醇系溶劑；苯甲醚、苯乙醚丙二醇單甲醚、乙二醇二甲醚、乙二醇二乙醚、二乙二醇二甲醚、二乙二醇二乙醚等醚系溶劑等。該等溶劑可單獨使用1種，另外亦可混合2種以上之有機溶劑使用。另外，於使用2種以上之有機溶劑之情形時，只要所使用之有機溶劑中至少1種使用使SP1與SPsol之差為2以下的溶劑即可。
    於被覆組合物中，較佳為微粒分散於溶液中。作為使微粒分散於溶液中之方法，可採用將微粒添加於樹脂組合物溶液中進行混合的方法、或將預先分散於溶劑中之微粒添加於樹脂組合物溶液中的方法等各種公知之方法。
    (塗佈及硬化)
    硬化樹脂層1係藉由塗佈上述被覆組合物而形成。被覆組合物之塗佈方法可根據被覆組合物及塗裝步驟之狀況而適當選擇，例如可藉由浸塗法、氣刀塗佈法、簾式塗佈法、輥塗法、線棒塗佈法、凹版塗佈法或擠壓塗佈法等進行塗佈。
    塗佈於基材之塗膜可直接進行硬化，另外亦可於硬化前將塗膜乾燥而於硬化前預先進行相分離。於將塗膜硬化之前進行乾燥之情形時，可於30~200℃、更佳為40~150℃下乾燥0.1~60分鐘、更佳為1~30分鐘，除去溶劑，預先進行相分離。於第一成分與第二成分之混合物為光硬化性之情形時，於硬化前乾燥而預先進行相分離，具有可有效地除去硬化樹脂層1中之溶劑且容易形成表面凹凸的優點。
    作為於硬化之前進行相分離之其他方法，亦可使用向塗膜照射光而進行相分離之方法。作為照射之光，例如可使用曝光量0.1~1.5 J/cm2之光、較佳為0.5~1.5 J/cm2之光。另外，該照射光之波長並無特別限定，例如可使用具有360 nm以下之波長之照射光等。藉由照射光進行相分離，具有可避免由被覆組合物所含之溶劑之乾燥不均引起的表面形狀之不均的優點。
    塗佈被覆組合物後，根據需要進行乾燥並使塗膜硬化，藉此形成硬化樹脂層1。於第一成分與第二成分之混合物為熱硬化性之情形時，可藉由於40~280℃、更佳為80~250℃下加熱0.1~180分鐘、更佳為1~60分鐘，而進行硬化。於第一成分與第二成分之混合物為光硬化性之情形時，可藉由使用發出依需要之波長之光的光源來照射光，而進行硬化。再者，亦可使用光照射以進行如上所述之相分離。
    <硬化樹脂層2>
    硬化樹脂層2係藉由使含有硬化型化合物及無機氧化物粒子之組合物硬化而形成之硬化層。硬化樹脂層2具有防止第一透明樹脂膜10中之轉移成分例如聚酯膜中之轉移成分即聚酯之低分子量低聚物成分轉移等功能。
    硬化樹脂層2之厚度較佳為設為120 nm以上。硬化樹脂層2之厚度較佳為150 nm以上，進而較佳為300 nm以上。另一方面，硬化樹脂層2之厚度並無特別限制，通常就抑制被覆膜1之捲曲或成本削減之方面而言，較佳為1 μm以下，進而較佳為500 nm以下。
    作為硬化型化合物，使用於分子中含有具有至少一個聚合性雙鍵之官能基且可形成樹脂層之材料。作為具有聚合性雙鍵之官能基，可列舉：乙烯基、(甲基)丙烯醯基等。再者，所謂(甲基)丙烯醯基，意指丙烯醯基及/或甲基丙烯醯基，於本發明中與(甲基)之情況相同。
    作為硬化型化合物，可列舉含有上述具有聚合性雙鍵之官能基之硬化型樹脂。例如可列舉：矽酮樹脂、聚酯樹脂、聚醚樹脂、環氧樹脂、胺基甲酸酯樹脂、醇酸樹脂、螺縮醛樹脂、聚丁二烯樹脂、多硫醇多烯樹脂、多元醇等多官能化合物之丙烯酸酯或甲基丙烯酸酯等之低聚物或預聚物等。該等可單獨使用1種，亦可併用2種以上。
    另外，作為硬化型化合物，除上述活性能量射線硬化型樹脂以外，亦可使用分子中含有具有至少一個聚合性雙鍵之官能基之反應性稀釋劑。作為反應性稀釋劑，例如可列舉：(甲基)丙烯酸羥基乙酯、(甲基)丙烯酸羥基丙酯、(甲基)丙烯酸羥基丁酯等單官能(甲基)丙烯酸酯。另外，例如可列舉：二乙二醇二(甲基)丙烯酸酯、三乙二醇二(甲基)丙烯酸酯、二丙二醇二(甲基)丙烯酸酯等二官能(甲基)丙烯酸酯；進而可列舉三官能以上之(甲基)丙烯酸酯。除此以外，例如亦可列舉：丁二醇甘油醚二(甲基)丙烯酸酯、異三聚氰酸之(甲基)丙烯酸酯等。反應性稀釋劑可單獨使用1種，亦可併用2種以上。
    另外，於形成硬化樹脂層2之組合物中除上述硬化型化合物以外亦可含有無機氧化物粒子。作為無機氧化物粒子，例如可列舉：氧化矽(二氧化矽)、氧化鈦、氧化鋁、氧化鋅、氧化錫、氧化鋯、雲母等之微粒。該等之中，較佳為氧化矽(二氧化矽)、氧化鈦、氧化鋁、氧化鋅、氧化錫、氧化鋯之微粒。該等可單獨使用1種，亦可併用2種以上。
    無機氧化物粒子較佳為重量平均粒徑為1 nm~200 nm之範圍之所謂奈米粒子。上述重量平均粒徑更佳為1 nm~100 nm之範圍。再者，無機氧化物粒子之重量平均粒徑係藉由庫爾特計數法測定微粒之重量平均粒徑。具體而言，使用利用細孔電阻法之粒度分佈測定裝置(商品名：Coulter Multisizer，Beckman．Coulter公司製造)，測定相當於微粒通過細孔時之微粒之體積的電解液之電阻，藉此測定微粒之數量與體積，從而計算出重量平均粒徑。
    上述無機氧化物粒子可使用與包含聚合性不飽和基之有機化合物結合(表面改質)者。上述聚合性不飽和基與硬化型化合物進行反應硬化，藉此提高低聚物防止層之硬度。作為上述聚合性不飽和基，例如較佳為丙烯醯基、甲基丙烯醯基、乙烯基、丙烯基、丁二烯基、苯乙烯基、乙快基、桂皮醯基、順丁烯二酸酯基、丙烯醯胺基。另外，上述包含聚合性不飽和基之有機化合物較佳為於分子內具有矽烷醇基之化合物、或藉由水解而生成矽烷醇基之化合物。上述包含聚合性不飽和基之有機化合物亦較佳為具有感光性基者。
    藉由於硬化型化合物中調配上述無機氧化物粒子，而控制硬化樹脂層2之折射率。控制硬化樹脂層2之折射率以使與黏著劑層3之折射率之差成為0.04以下。藉由該折射率差之控制，而可抑制由硬化樹脂層2引起之干涉條紋之產生。該折射率之差更佳為0.03以下，進而較佳為0.02以下。
    上述無機氧化物粒子之調配量係以如上所述藉由與硬化型化合物一併併用而使上述折射率之差成為0.04以下之比例使用。黏著劑層3之折射率通常為1.46~1.49(例如丙烯酸系黏著劑層之折射率約為1.47)，以使硬化樹脂層2之折射率與黏著劑層13之折射率的差成為0.04以下之方式，並考慮到硬化型化合物、無機氧化物粒子之折射率，來決定上述無機氧化物粒子之調配量。就該觀點而言，上述無機氧化物粒子(例如於折射率為1.43~1.47之情形時)相對於硬化型化合物(例如折射率為1.51~1.55)100重量份為50~300重量份，較佳為100~200重量份之範圍，更佳為100~150重量份之範圍。上述調配量就對硬化樹脂層2賦予硬度並抑制捲曲之產生、或賦予耐磨性之方面而言亦較佳。
    另外，於形成硬化樹脂層2之組合物中除上述硬化型化合物及上述無機氧化物粒子以外亦可含有無機氧化物粒子以外之平均粒徑為300 nm~2 μm之第二粒子。藉由使硬化樹脂層2中含有上述第二粒子，而可對硬化樹脂層2賦予抗黏連性。例如於硬化樹脂層2含有第二粒子之情形時，可於不使用保護膜之情況下將長條狀之被覆膜1捲繞成輥狀。於第二粒子之平均粒徑小於300 nm之情形時，抗黏連性之賦予並不充分，另一方面，於超過2 μm之情形時，有霧度上升之情況故而欠佳。第二粒子之平均粒徑較佳為400~1500 nm，更佳為500~1000 nm。第二粒子之平均粒徑係藉由雷射法所測定之值。
    另外，第二粒子之調配比例較佳為相對於上述硬化型化合物100重量份為0.01~10重量份。於第二粒子之調配比例小於0.01重量份之情形時，抗黏連性之賦予並不充分，另一方面，於超過10重量份之情形時，有霧度上升之情況故而欠佳。第二粒子之調配比例較佳為0.03~5重量份，進而較佳為0.05~1重量份。
    作為上述第二粒子，並無特別限制，例如可列舉：包含聚甲基丙烯酸甲酯、聚胺基甲酸酯、聚苯乙烯、丙烯酸-苯乙烯共聚物、三聚氰胺樹脂等各種聚合物之交聯或未交聯之有機系粒子；玻璃、二氧化矽、氧化鋁、氧化鈣、氧化鈦、氧化鋯、氧化鋅等無機系粒子。再者，上述第二粒子係使用上述無機氧化物粒子以外者，上述第二粒子與上述無機氧化物粒子可於平均粒徑上有差別，上述第二粒子之材料中可包含無機氧化物。作為上述第二粒子，就折射率差對霧度造成影響之方面而言，較佳為使用有機系粒子。另外，作為上述第二粒子，較佳為使用其折射率與上述硬化型化合物及上述無機氧化物粒子之平均折射率的差為0.1以下者。藉由使上述折射率之差成為0.1以下，可將由調配第二粒子引起之霧度上升抑制成較小。上述折射率之差較佳為0.05以下，進而較佳為0.03以下。硬化型化合物及上述無機氧化物粒子之平均折射率係由該等材料所形成之硬化樹脂層2之折射率。
    形成硬化樹脂層2作為含有硬化型化合物及無機氧化物粒子之組合物之硬化層。該硬化層之形成可藉由活性能量射線硬化或熱硬化而進行，於上述組合物中調配有基於硬化方法之聚合起始劑。聚合起始劑於採用電子束作為活性能量射線之情形時並非特別必需，但於採用紫外線作為活性能量射線之情形時使用光聚合起始劑。另外，於熱硬化型黏著劑組合物之情形時，使用熱裂解型聚合起始劑。硬化層之形成較佳為使用紫外線作為活性能量射線。
    作為光聚合起始劑，例如可列舉先前公知之二苯甲酮系化合物、芳香族酮化合物、苯乙酮系化合物、安息香醚系化合物、芳香族縮酮系化合物、芳香族磺醯氯系化合物、光活性肟系化合物、噻噸酮系化合物等。
    光聚合起始劑之使用量並無特別限制，較佳為相對於活性能量射線硬化型化合物100重量份為0.1~10重量份。上述光聚合起始劑之使用量較佳為1重量份以上，進而較佳為2重量份以上。另一方面，上述光聚合起始劑之使用量較佳為8重量份以下，進而較佳為5重量份以下。
    另外，上述組合物可適當用作藉由溶劑加以稀釋之組合物溶液。將於上述組合物中含有溶劑之組合物溶液塗覆於第一透明樹脂膜10上而形成塗覆層之後乾燥溶劑，其後使其硬化。
    作為組合物溶液中所使用之溶劑，選擇可溶解硬化型化合物等者。作為溶劑之具體例，可使用二丁醚、二甲氧基甲烷、二甲氧基乙烷等醚系；丙酮、甲基乙基酮、甲基異丁基酮等酮系；乙酸乙酯、乙酸丁酯、丙酸甲酯等酯系；乙醯丙酮、二丙酮醇、乙醯乙酸甲酯等乙醯丙酮系；甲醇、乙醇、丙醇等醇系；乙二醇單乙醚乙酸酯、乙二醇單乙醚、乙二醇單丁醚等二醇醚系等各種溶劑。該等溶劑可單獨使用1種，或亦可組合2種以上使用。組合物溶液之濃度通常為1~60重量%，較佳為2~10重量%。
    作為組合物溶液之塗覆法，可採用反向塗佈、凹版印刷塗佈等輥式塗佈法、旋轉塗佈法、網版印刷塗佈法、噴注式塗佈法、浸漬法、噴霧法等。塗覆層之形成係以使最終所獲得之硬化樹脂層2之厚度成為120 nm以上之方式而進行。
    繼而，進行上述塗覆層中所含之溶劑之乾燥後使其硬化。硬化方法根據熱硬化或活性能量射線硬化而適當選擇，作為硬化方法，通常較佳為藉由照射紫外線而進行。紫外線照射時可使用高壓水銀燈、低壓水銀燈、鹵素燈、氙氣燈、金屬鹵化物燈等。紫外線照射較佳為照射累積光量50~500 mJ/cm2之波長365 nm之紫外線。若照射量為50 mJ/cm2以上，則硬化變得更充分，所形成之硬化樹脂層2之硬度亦變得更充分。另外，若為500 mJ/cm2以下，則可防止所形成之硬化樹脂層2之著色。
    另外，根據需要可於被覆膜1之第一透明樹脂膜10之未積層於未黏著劑層3之側設置功能層。作為功能層，可設置以提高可見性為目的之防眩處理層或抗反射層。功能層可與第二被覆層12一併設置。作為防眩處理層之構成材料，並無特別限定，例如可使用電離放射線硬化型樹脂、熱硬化型樹脂、熱塑性樹脂等。防眩處理層之厚度較佳為0.1~30 μm。作為抗反射層，可使用氧化鈦、氧化鋯、氧化矽、氟化鎂等。抗反射層可設置複數層。
    作為透明導電性膜2之第二透明樹脂膜20，可例示與上述第一透明樹脂膜10相同之樹脂膜。第二透明樹脂膜20可使用與第一透明樹脂膜10相同之材料。上述第二透明樹脂膜20之厚度通常較佳為2~200 μm，進而較佳為2~100 μm。若第二透明樹脂膜20之厚度未達2 μm，則有第二透明樹脂膜20之機械強度不足，不易進行將該第二透明樹脂膜20捲成輥狀並連續形成底塗層或透明導電體層之操作的情形。另一方面，若厚度超過200 μm，則有不能實現提高透明導電體層21之耐磨性及作為觸控面板用之打點特性的情況。
    於第二透明樹脂膜20中，於未積層上述黏著劑層3之另一側單面上直接或經由底塗層22而具有透明導電體層21。
    亦可對第二透明樹脂膜20之表面預先實施濺鍍、電暈放電、火焰、紫外線照射、電子束照射、化學轉化、氧化等蝕刻處理或底塗處理。藉此，可提高設置於其上之透明導電體層21或底塗層22之對第二透明樹脂膜20之密著性。另外，於設置透明導電體層21或底塗層22之前，可根據需要，藉由溶劑清洗或超音波清洗等對第二透明樹脂膜20之表面進行除塵而將其清潔化。
    作為透明導電體層21之構成材料，並無特別限定，可使用選自由銦、錫、鋅、鎵、銻、鈦、矽、鋯、鎂、鋁、金、銀、銅、鈀、鎢所組成之群中的至少1種金屬之金屬氧化物。該金屬氧化物中，根據需要可進而含有上述群所示之金屬原子。較佳為使用例如含有氧化錫之氧化銦、含有銻之氧化錫等。
    透明導電體層21之厚度並無特別限制，較佳為設為10 nm以上，更佳為15~40 nm，進而較佳為20~30 nm。若透明導電體層21之厚度為15 nm以上，則易於使表面電阻成為1×103 Ω/□以下之良好者。另外，易於形成連續覆膜。另外，若透明導電體層21之厚度為40 nm以下，則可製作透明性更高之層。
    作為透明導電體層21之形成方法，並無特別限定，可採用先前公知之方法。具體而言，例如可例示：真空蒸鍍法、濺鍍法、離子電鍍法。另外，亦可根據所需之膜厚而採用適當之方法。
    透明導電體層21較佳為使與下述底塗層22之折射率之差成為0.1以上。透明導電體層21之折射率通常為1.95~2.05左右。
    底塗層22可藉由無機物、有機物、或無機物與有機物之混合物而形成。例如作為無機物，可列舉：NaF(1.3)、Na3AlF6(1.35)、LiF(1.36)、MgF2(1.38)、CaF2(1.4)、BaF2(1.3)、SiO2(1.46)、LaF3(1.55)、CeF3(1.63)、Al2O3(1.63)等無機物[上述各材料之括號內之數值為折射率]。該等之中，較佳為使用SiO2、MgF2、Al2O3等。尤其較佳為SiO2。除上述以外，亦可使用相對於氧化銦而含有氧化鈰10~40重量份左右、氧化錫0~20重量份左右之複合氧化物。
    另外，作為上述有機物，可列舉：丙烯酸樹脂、胺基甲酸酯樹脂、三聚氰胺樹脂、醇酸樹脂、矽氧烷系聚合物、有機矽烷縮合物等。該等有機物至少使用1種。作為有機物，尤其理想為使用包含三聚氰胺樹脂、醇酸樹脂及有機矽烷縮合物之混合物之熱硬化型樹脂。
    再者，形成上述透明導電體層21之後，根據需要可於100~150℃之範圍內實施退火處理而進行結晶化。因此，第一、第二透明樹脂膜10、20較佳為具有100℃以上、進而較佳為150℃以上之耐熱性。於本發明中，透明導電體層21可藉由蝕刻而進行圖案化。若對透明導電體層21進行結晶化，則有難以進行蝕刻之情況，因此透明導電體層21之退火化處理較佳為於對透明導電體層21進行圖案化之後進行。進而於對底塗層22進行蝕刻之情形時，較佳為於蝕刻底塗層22之後進行透明導電體層21之退火化處理。
    黏著劑層3係用以積層被覆膜1之第一被覆層11之側、與透明導電性膜2之不具有透明導電體層21之側。黏著劑層3於120℃下之儲存彈性模數為80000 Pa以下，且控制黏著劑層3之接著力以使與第一被覆層11之關係中成為5~20 N/25 mm。藉由使用具有該儲存彈性模數之黏著劑層3，可緩和起伏，並抑制透明導電性膜1上產生之起伏波及至被覆膜1。
    就維持形成黏著劑層3後之表面形狀之均勻性之觀點而言，上述黏著劑層3之儲存彈性模數較佳為45000 Pa以上。若上述黏著劑層3之儲存彈性模數超過80000 Pa，則有無法充分抑制起伏之虞。
    上述黏著劑層3之儲存彈性模數、接著力可根據黏著劑之基底聚合物之種類、Tg、交聯劑之種類、調配量等而加以控制。
    例如作為將上述黏著劑層3之儲存彈性模數控制為80000 Pa以下之方法之一種，有如下方法：藉由構成基底聚合物之主骨架之單體與共聚合於構成主骨架之單體之單體的組合，降低黏著劑層3於120℃下之儲存彈性模數，藉此將黏著劑層3之儲存彈性模數控制為80000 Pa以下。認為120℃下之儲存彈性模數降低之原因在於，藉由黏著劑層之加熱，黏著劑層中未反應而殘留之與主骨架共聚合之單體具有自由基，該自由基會切斷基底聚合物之主鏈。藉由使用上述方法，即便於黏著劑層3於常溫下具有大於80000 Pa之儲存彈性模數之情形時，亦可藉由黏著劑層3之加熱，而使120℃下之儲存彈性模數成為80000 Pa以下之值。另外，於黏著劑層3於常溫下具有80000 Pa以下之儲存彈性模數之情形時，亦可藉由加熱黏著劑層3，而使120℃下之儲存彈性模數成為80000 Pa以下之所期望之值。
    作為黏著劑層3，只要為滿足上述儲存彈性模數、接著力者則可無特別限制地使用。具體而言，例如可適當選擇以丙烯酸系聚合物、矽酮系聚合物、聚酯、聚胺基甲酸酯、聚醯胺、聚乙烯醚、乙酸乙烯酯/氯乙烯共聚物、改性聚烯烴、環氧系、氟系、天然橡膠、合成橡膠等橡膠系等聚合物為基底聚合物之材料而使用。尤其是就光學透明性優異，表現出適當之濕潤性、凝聚性及接著性等黏著特性，耐候性或耐熱性等亦優異之方面而言，較佳為使用丙烯酸系黏著劑。
    作為上述丙烯酸系黏著劑，可使用將以(甲基)丙烯酸烷基酯之單體單元為主骨架之丙烯酸系聚合物作為基底聚合物者。再者，(甲基)丙烯酸酯係指丙烯酸酯及/或甲基丙烯酸酯，與本發明之(甲基)之情況相同。
    構成丙烯酸系聚合物之主骨架之(甲基)丙烯酸烷基酯之烷基的碳數為1~14左右，作為(甲基)丙烯酸烷基酯之具體例，可例示：(甲基)丙烯酸甲酯、(甲基)丙烯酸乙酯、(甲基)丙烯酸丙酯、(甲基)丙烯酸異丙酯、(甲基)丙烯酸正丁酯、(甲基)丙烯酸異丁酯、(甲基)丙烯酸戊酯、(甲基)丙烯酸己酯、(甲基)丙烯酸2-乙基己酯、(甲基)丙烯酸辛酯、(甲基)丙烯酸異辛酯、(甲基)丙烯酸壬酯、(甲基)丙烯酸異壬酯、(甲基)丙烯酸癸酯、(甲基)丙烯酸十二烷酯、(甲基)丙烯酸硬脂酯等，該等可單獨或組合使用。該等之中，較佳為烷基之碳數1~9之(甲基)丙烯酸烷基酯。
    為了改善接著性或耐熱性，可藉由共聚合而於上述丙烯酸系聚合物中導入1種以上之各種單體。作為此種共聚合單體之具體例，可列舉：含有羧基之單體、含有羥基之單體、含有氮之單體(包括含有雜環之單體)、含有芳香族之單體等。
    作為含有羧基之單體，例如可列舉：丙烯酸、甲基丙烯酸、(甲基)丙烯酸羧基乙酯、(甲基)丙烯酸羧基戊酯、亞甲基丁二酸、順丁烯二酸、反丁烯二酸、丁烯酸等。該等之中，較佳為丙烯酸、甲基丙烯酸。
    作為含有羥基之單體，可列舉：(甲基)丙烯酸2-羥基乙酯、(甲基)丙烯酸2-羥基丙酯、(甲基)丙烯酸4-羥基丁酯、(甲基)丙烯酸6-羥基己酯、(甲基)丙烯酸8-羥基辛酯、(甲基)丙烯酸10-羥基癸酯、(甲基)丙烯酸12-羥基月桂酯或丙烯酸(4-羥基甲基環己基)甲酯等。
    另外，作為含有氮之單體，例如可列舉：順丁烯二醯亞胺、N-環己基順丁烯二醯亞胺、N-苯基順丁烯二醯亞胺；N-丙烯醯基啉；(甲基)丙烯醯胺、N,N-二甲基(甲基)丙烯醯胺、N,N-二乙基(甲基)丙烯醯胺、N-己基(甲基)丙烯醯胺、N-甲基(甲基)丙烯醯胺、N-丁基(甲基)丙烯醯胺、N-丁基(甲基)丙烯醯胺或N-羥甲基(甲基)丙烯醯胺、N-羥甲基丙烷(甲基)丙烯醯胺等(N-取代)醯胺系單體；(甲基)丙烯酸胺基乙酯、(甲基)丙烯酸胺基丙酯、(甲基)丙烯酸N,N-二甲基胺基乙酯、(甲基)丙烯酸第三丁基胺基乙酯、(甲基)丙烯酸3-(3-吡啶基)丙酯等(甲基)丙烯酸烷基胺基烷基酯系單體；(甲基)丙烯酸甲氧基乙酯、(甲基)丙烯酸乙氧基乙酯等(甲基)丙烯酸烷氧基烷基酯系單體；亦可列舉：N-(甲基)丙烯醯氧基亞甲基琥珀醯亞胺或N-(甲基)丙烯醯基-6-氧基六亞甲基琥珀醯亞胺、N-(甲基)丙烯醯基-8-氧基八亞甲基琥珀醯亞胺、N-丙烯醯基啉等琥珀醯亞胺系單體等作為以改質為目的之單體。
    作為含有芳香族之單體，例如可列舉：(甲基)丙烯酸苄酯、(甲基)丙烯酸苯酯、(甲基)丙烯酸苯氧基乙酯等。
    除上述單體以外，亦可列舉：順丁烯二酸酐、亞甲基丁二酸酐等含有酸酐基之單體；丙烯酸之己內酯加成物；苯乙烯磺酸或烯丙基磺酸、2-(甲基)丙烯醯胺-2-甲基丙磺酸、(甲基)丙烯醯胺丙磺酸、(甲基)丙烯酸磺丙酯、(甲基)丙烯醯氧基萘磺酸等含有磺酸基之單體；磷酸2-羥基乙基丙烯醯酯等含有磷酸基之單體等。
    進而，亦可使用乙酸乙烯酯、丙酸乙烯酯、N-乙烯基吡咯烷酮、甲基乙烯基吡咯烷酮、乙烯基吡啶、乙烯基哌啶酮、乙烯基嘧啶、乙烯基哌、乙烯基吡、乙烯基吡咯、乙烯基咪唑、乙烯基唑、乙烯基啉、N-乙烯基羧醯胺類，苯乙烯、α-甲基苯乙烯、N-乙烯基己內醯胺等乙烯基系單體；丙烯腈、甲基丙烯腈等氰基丙烯酸酯系單體；(甲基)丙烯酸縮水甘油酯等含有環氧基之丙烯酸系單體；聚乙二醇(甲基)丙烯酸酯、聚丙二醇(甲基)丙烯酸酯、乙二醇(甲基)丙烯酸甲氧基酯、聚丙二醇(甲基)丙烯酸甲氧基酯等二醇系丙烯酸酯單體；(甲基)丙烯酸四氫糠酯、含氟(甲基)丙烯酸酯、矽酮(甲基)丙烯酸酯或丙烯酸2-甲氧基乙酯等丙烯酸酯系單體等。
    於藉由丙烯酸系黏著劑形成黏著劑層3之情形時，作為與構成丙烯酸系聚合物之主骨架之單體即烷基之碳數1~9之(甲基)丙烯酸烷基酯組合的共聚合單體，較佳為含有羥基之單體。例如就降低120℃下之黏著劑層之儲存彈性模數之方面而言，較佳為使用(甲基)丙烯酸丁酯作為構成主骨架之單體、使用(甲基)丙烯酸2-羥基乙酯作為含有羥基之單體。
    該等之中，就與交聯劑之反應性良好之方面而言，較佳為使用含有羥基之單體。另外，就接著性、接著耐久性之方面而言，較佳為使用丙烯酸等含有羧基之單體。
    丙烯酸系聚合物中之上述共聚合單體之比例並無特別限制，以重量比率計，為50重量%以下。較佳為0.1~10重量%，更佳為0.5~8重量%，進而較佳為1~6重量%。
    丙烯酸系聚合物之平均分子量並無特別限制，重量平均分子量較佳為30萬~250萬左右。上述丙烯酸系聚合物之製造可藉由各種公知之方法而製造，例如可適當選擇塊體聚合法、溶液聚合法、懸浮聚合法等自由基聚合法。作為自由基聚合起始劑，可使用偶氮系、過氧化物系之各種公知者。反應溫度通常設為50~80℃左右，反應時間設為1~8小時。另外，上述製造法之中，較佳為溶液聚合法，作為丙烯酸系聚合物之溶劑，通常使用乙酸乙酯、甲苯等。
    上述丙烯酸系聚合物中所調配之交聯劑可提高與透明導電性膜之密著性或耐久性，另外可實現高溫下之可靠性或保持黏著劑本身之形狀。作為交聯劑，可適當使用異氰酸酯系、環氧系、過氧化物系、金屬螯合物系、唑啉系等。該等交聯劑可使用1種或組合2種以上使用。
    異氰酸酯系交聯劑使用異氰酸酯化合物。作為異氰酸酯化合物，可列舉：甲苯二異氰酸酯、氯苯二異氰酸酯、六亞甲基二異氰酸酯、四亞甲基二異氰酸酯、異佛爾酮二異氰酸酯、苯二亞甲基二異氰酸酯、二苯基甲烷二異氰酸酯、經氫化之二苯基甲烷二異氰酸酯等異氰酸酯單體及使該等異氰酸酯單體與三羥甲基丙烷等加成而成之加成物系異氰酸酯化合物；使異氰尿酸酯化物、縮二脲型化合物，進而公知之聚醚多元醇或聚酯多元醇、丙烯酸多元醇、聚丁二烯多元醇、聚異戊二烯多元醇等進行加成反應而成之胺基甲酸酯預聚物型之異氰酸酯等。
    上述異氰酸酯系交聯劑可單獨使用1種，另外亦可混合2種以上使用，作為整體之含量，相對於上述(甲基)丙烯酸系聚合物(A)100重量份，較佳為含有上述聚異氰酸酯化合物交聯劑0.01~2重量份而成，更佳為含有0.02~2重量份而成，進而較佳為含有0.05~1.5重量份而成。可考慮凝聚力、耐久性試驗中之剝離之阻止等而適當含有。
    作為過氧化物系交聯劑，使用各種過氧化物。作為過氧化物，可列舉：過氧化二碳酸二(2-乙基己基)酯、過氧化二碳酸二(4-第三丁基環己基)酯、過氧化二碳酸二第二丁酯、過氧化新癸酸第三丁酯、過氧化特戊酸第三己酯、過氧化特戊酸第三丁酯、過氧化二月桂醯、過氧化二正辛醯、過氧化異丁酸1,1,3,3-四甲基丁酯、過氧化(2-乙基己酸)1,1,3,3-四甲基丁酯、過氧化二(4-甲基苯甲醯)、過氧化二苯甲醯、過氧化異丁酸第三丁酯等。該等之中，尤其較佳為使用交聯反應效率優異之過氧化二碳酸二(4-第三丁基環己基)酯、過氧化二月桂醯、過氧化二苯甲醯。
    上述過氧化物可單獨使用1種，另外亦可混合2種以上使用，作為整體之含量，相對於上述(甲基)丙烯酸系聚合物(A)100重量份，上述過氧化物為0.01~2重量份，較佳為含有0.04~1.5重量份而成，更佳為含有0.05~1重量份而成。為了調整加工性、二次加工性、交聯穩定性、剝離性等，可於該範圍內適當選擇。
    進而，於本發明之黏著劑中可含有矽烷偶合劑。藉由使用矽烷偶合劑，可提高耐久性。作為矽烷偶合劑，可使用具有任意之適當之官能基者。具體而言，作為官能基，例如可列舉：乙烯基、環氧基、胺基、巰基、(甲基)丙烯醯氧基、乙醯乙醯基、異氰酸酯基、苯乙烯基、多硫基等。具體而言，例如可列舉：乙烯基三乙氧基矽烷、乙烯基三丙氧基矽烷、乙烯基三異丙氧基矽烷、乙烯基三丁氧基矽烷等含有乙烯基之矽烷偶合劑；γ-縮水甘油氧基丙基三甲氧基矽烷、γ-縮水甘油氧基丙基三乙氧基矽烷、3-縮水甘油氧基丙基甲基二乙氧基矽烷、2-(3,4-環氧環己基)乙基三甲氧基矽烷等含有環氧基之矽烷偶合劑；γ-胺基丙基三甲氧基矽烷、N-β-(胺基乙基)-γ-胺基丙基甲基二甲氧基矽烷、N-(2-胺基乙基)3-胺基丙基甲基二甲氧基矽烷、γ-三乙氧基矽烷基-N-(1,3-二甲基亞丁基)丙基胺、N-苯基-γ-胺基丙基三甲氧基矽烷等含有胺基之矽烷偶合劑；γ-巰基丙基甲基二甲氧基矽烷等含有巰基之矽烷偶合劑；對苯乙烯基三甲氧基矽烷等含有苯乙烯基之矽烷偶合劑；γ-丙烯醯氧基丙基三甲氧基矽烷、γ-甲基丙烯醯氧基丙基三乙氧基矽烷等含有(甲基)丙烯醯基之矽烷偶合劑；3-異氰酸酯丙基三乙氧基矽烷等含有異氰酸酯基之矽烷偶合劑；雙(三乙氧基矽烷基丙基)四硫化物等含有多硫基之矽烷偶合劑等。
    上述矽烷偶合劑可單獨使用，另外亦可混合2種以上使用，作為整體之含量，相對於上述丙烯酸系聚合物100重量份，上述矽烷偶合劑較佳為0.001~5重量份，進而較佳為0.01~1重量份，進而更佳為0.02~1重量份，進而較佳為0.05~0.6重量份。
    另外，根據需要，亦可於黏著劑層3中調配例如包含天然物或合成物之樹脂類、玻璃纖維或玻璃珠、金屬粉或其他無機粉末等之填充劑、顏料、著色劑、抗氧化劑等適當之添加劑。另外，亦可製成含有透明微粒而賦予有光擴散性之黏著劑層3。
    再者，上述透明微粒可使用1種或2種以上之例如平均粒徑為0.5~20 μm之二氧化矽、氧化鈣、氧化鋁、氧化鈦、氧化鋯、氧化錫、氧化銦、氧化鎘、氧化銻等導電性之無機系微粒或者包含如聚甲基丙烯酸甲酯、聚胺基甲酸酯之適當之聚合物的交聯或未交聯之有機系微粒等適當者。
    黏著劑層3通常用作使基底聚合物或其組合物溶解或分散於溶劑中之固形物成分濃度為10~50重量%左右之黏著劑溶液。作為上述溶劑，可適當選擇甲苯或乙酸乙酯等有機溶劑或者水等根據黏著劑之種類者而使用。
    作為黏著劑層3之形成方法，並無特別限制，可列舉：塗覆黏著劑(溶液)並加以乾燥之方法、藉由設置有黏著劑層之脫模膜而轉印之方法等。塗覆法可採用反向塗佈、凹版印刷塗佈等輥式塗佈法、旋轉塗佈法、網版印刷塗佈法、噴注式塗佈法、浸漬法、噴霧法等。
    被覆膜1之第一被覆層11與透明導電性膜2之未設置有透明導電體層21之側的貼合可以先於透明導電性膜2之側設置上述黏著劑層3，繼而於其上貼合上述被覆膜1之第一被覆層11側的方式進行，亦可以相反先於被覆膜1之第一被覆層11側設置上述黏著劑層3，繼而於其上貼合透明導電性膜2的方式進行。
    黏著劑層之厚度可根據使用目的或接著力等而適當決定，通常為1~500 μm，較佳為1~50 μm。進而較佳為1~40 μm，進而較佳為5~30 μm，尤其較佳為10~25 μm。若薄於1 μm，則耐久性變差，若變厚，則易於產生由發泡等引起之隆起或剝離，易引起外觀不良。
    另外，雖未圖式，但亦可於第二透明樹脂膜20之積層有黏著劑層3之側經由低聚物防止層而積層黏著劑層3。
    作為低聚物防止層之形成材料，使用可形成透明之膜之適當者，可為無機物、有機物或該等之複合材料。其膜厚較佳為0.01~20 μm。另外，該低聚物防止層之形成較多利用使用塗佈機之塗佈法或噴霧法、旋轉塗佈法、線上塗佈法等，但亦可利用真空蒸鍍法、濺鍍法、離子電鍍法、噴霧熱分解法、化學鍍敷法、電氣鍍敷法等方法。於塗敷法中，可使用聚乙烯醇系樹脂、丙烯酸系樹脂、胺基甲酸酯系樹脂、三聚氰胺系樹脂、UV硬化型樹脂、環氧系樹脂等樹脂成分或該等與氧化鋁、二氧化矽、雲母等無機粒子之混合物。另外，藉由共擠出2層以上之高分子基板可使基材成分具有防止層5之功能。另外，於真空蒸鍍法、濺鍍法、離子電鍍法、噴霧熱分解法、化學鍍敷法、電氣鍍敷法等方法中，可使用包含金、銀、鉑、鈀、銅、鋁、鎳、鉻、鈦、鐵、鈷或錫或者該等之合金等的金屬，或包含氧化銦、氧化錫、氧化鈦、氧化鎘或該等之混合物的金屬氧化物，包含碘化鋼等之其他金屬化合物。
    於圖案化步驟中，可藉由蝕刻上述透明導電體層21而進行圖案化。於蝕刻時，藉由用以形成圖案之掩模覆蓋透明導電體層21，藉由蝕刻液蝕刻透明導電體層21。
    透明導電體層21較佳地使用含有氧化錫之氧化銦、含有銻之氧化錫，因此作為蝕刻液，較佳使用酸。作為酸，例如可列舉：氯化氫、溴化氫、硫酸、硝酸、磷酸等無機酸，乙酸等有機酸，及該等之混合物，以及該等之水溶液。
    於底塗層22有至少2層之情形時，可僅蝕刻透明導電體層21而進行圖案化，另外亦可於藉由酸而蝕刻透明導電體層21並進行圖案化後，與透明導電體層21同樣地至少蝕刻距離第二透明樹脂膜20最遠之底塗層從而進行圖案化。較佳為可與透明導電體層21同樣地蝕刻除自第二透明樹脂膜20開始第一層之底塗層以外之底塗層而進行圖案化。
    於底塗層22之蝕刻時，藉由與蝕刻透明導電體層21之情形相同之用以形成圖案之掩模覆蓋底塗層22，藉由蝕刻液而蝕刻底塗層22。第二層以上之底塗層如上所述，較佳為使用SiO2等無機物，因此作為蝕刻液，較佳使用鹼。作為鹼，例如可列舉：氫氧化鈉、氫氧化鉀、氨、氫氧化四甲基銨等之水溶液，及該等之混合物。再者，第一層之底塗層較佳為由無法藉由酸或鹼進行蝕刻之有機物所形成。
    進而，可對本發明之透明導電性積層體實施於60~200℃下進行加熱處理而使透明導電體層21結晶化之步驟。藉由結晶化步驟之加熱處理，將透明導電體層21結晶化。本發明之透明導電性積層體積層有具有上述特定之儲存彈性模數、接著力之黏著劑層3，因此即便於實施有加熱處理之情形時，亦可將膜之起伏抑制成較小。
    結晶化時之加熱溫度通常為60~200℃左右，較佳為100~150℃。另外，加熱處理時間為5~250分鐘。若就該觀點而言，由於要對第一、第二透明樹脂膜10、20實施上述加熱處理，故而第一、第二透明樹脂膜10、20較佳為具有100℃以上、進而較佳150℃以上之耐熱性。
    另外，於藉由圖案化步驟使透明導電體層21圖案化之情形時，有膜之起伏變大、由透明導電體層之階差引起之外觀之不良變得明顯的傾向。因此，上述結晶化步驟較佳為於對上述透明導電性積層體實施圖案化步驟之後實施。另外，若使透明導電體層21結晶化，則有難以進行蝕刻之情況，就該方面而言，結晶化步驟亦較佳為於藉由圖案化步驟使透明導電體層21圖案化之後進行。進而，於蝕刻底塗層22之情形時，較佳為於底塗層22之蝕刻之後進行結晶化步驟。
    本發明之透明導電性積層體可較佳地用於靜電容量方式之觸控面板之輸入裝置之電極基板中。靜電容量方式之觸控面板可採用多點觸控方式，本發明之附有黏著劑層之透明導電性膜可用作上述電極基板之一部分。 實施例
    以下，利用實施例對本發明進行詳細說明，但本發明於不超過其主旨之範圍內並不限定於以下之實施例。另外，於各例中，份、%只要無特別說明則均為重量基準。
    <藉由凝膠滲透層析法(GPC，Gel Permeation Chromatography)之重量平均分子量(Mw)之測定>
    裝置：Tosoh公司製造之凝膠滲透層析儀(HLC-8020)管柱：將Tosoh公司製造之TSKgel GMHXL、G4000HXL及G5000HXL串聯連結溶離劑：四氫呋喃溶離劑流量：1.0 ml/min管柱溫度：40℃檢測方法：示差折射率(RI)校準曲線：使用標準聚苯乙烯而製作
    <各層之厚度>
    對於膜基材、被覆層、黏著劑層等具有1 μm以上之厚度者，藉由Mitutoyo製造之微計測器式厚度計進行測定。於被覆層、黏著劑層等難以直接計測厚度之層之情形時，測定設置有各層之基材之總厚度，減去基材之厚度，藉此計算出各層之膜厚。
    第一層之底塗層、第二層之底塗層、ITO膜等之厚度係使用大塚電子(股)製造之瞬間多通道光電探測器(Intensified Multichannel Photodetector)即MCPD2000(商品名)，以干涉譜之波形為基礎而計算。
    <底塗層之表面電阻>
    依據基於JIS K 6911(1995)之雙輪(double-ring)法，使用三菱化學(股)製造之表面高電阻計，測定底塗層之表面電阻(Ω/□)。
    <黏著劑溶液(1)之製備>
    於附有冷卻管、攪拌翼、溫度計之四口燒瓶中，將丙烯酸丁酯95份、丙烯酸4.9份、丙烯酸2-羥基乙酯0.1份、及2,2'-偶氮雙異丁腈0.1份與乙酸乙酯140份一併添加，充分地進行氮置換之後，於氮氣流下一面攪拌一面於55℃下使其反應8小時，獲得重量平均分子量240萬之丙烯酸系聚合物之溶液。相對於該丙烯酸系聚合物之溶液之固形物成分100份，添加包含三羥甲基丙烷之甲苯二異氰酸酯加成物之聚異氰酸酯系交聯劑(Coronate L，日本聚胺酯公司製造)以固形物成分計0.6份及矽烷偶合劑(Shin-Etsu Silicones股份有限公司製造，KBM403)0.1份，製備黏著劑溶液(1)。
    <黏著劑溶液(2)之製備>
    於附有冷卻管、攪拌翼、溫度計之四口燒瓶中，將丙烯酸丁酯50份、丙烯酸苯氧基乙酯48.7份、丙烯酸1份、丙烯酸2-羥基乙酯0.3份、及2,2'-偶氮雙異丁腈0.1份與乙酸乙酯140份一併添加，充分地進行氮置換之後，於氮氣流下一面攪拌一面於55℃下使其反應8小時，獲得重量平均分子量250萬之丙烯酸系聚合物之溶液。相對於該丙烯酸系聚合物之溶液之固形物成分100份，添加包含三羥甲基丙烷之甲苯二異氰酸酯加成物之聚異氰酸酯系交聯劑(Coronate L，日本聚胺酯公司製造)以固形物成分計0.6份及矽烷偶合劑(Shin-Etsu Silicones股份有限公司製造，KBM403)0.1份，製備黏著劑溶液(2)。
    <黏著劑溶液(3)之製備>
    於附有冷卻管、攪拌翼、溫度計之四口燒瓶中，將丙烯酸丁酯82.1份、丙烯酸苄酯13份、丙烯酸4.8份、丙烯酸4-羥基丁酯0.1份、及2,2'-偶氮雙異丁腈0.1份與乙酸乙酯100份一併添加，充分地進行氮置換之後，於氮氣流下一面攪拌一面於55℃下使其反應8小時，獲得重量平均分子量220萬之丙烯酸系聚合物之溶液。相對於該丙烯酸系聚合物之溶液之固形物成分100份，調配包含三羥甲基丙烷之甲苯二異氰酸酯加成物之聚異氰酸酯系交聯劑(Coronate L，日本聚胺酯公司製造)以固形物成分計0.45重量份及過氧化苯甲醯(日本油脂公司製造，Nyper BMT)0.1份，製備黏著劑溶液(3)。
    <藉由形成材料(1)之被覆層之形成>
    準備如下樹脂溶液：於甲基乙基酮及甲基異丁基酮之混合溶劑中含有以固形物成分濃度60重量%計包含藉由相分離來形成表面凹凸之樹脂組合物、光聚合起始劑的樹脂溶液(NIPPON PAINT公司製造之商品名「Lucifural NAB-007」)。使丙烯酸系微粒(積水化成品工業公司製造之商品名「BMSA-18GN_」(平均粒徑0.8 μm))分散於甲基異丁基酮中，將該分散液與上述樹脂溶液加以混合，製備相對於100重量份樹脂成分含有0.1重量份丙烯酸系微粒且固形物成分濃度為40重量%的被覆組合物(形成材料(1))。
    使用棒式塗佈機將上述被覆組合物(形成材料(1))塗佈於厚度125 μm之聚對苯二甲酸乙二酯膜(以下稱作PET膜)上，藉由於60℃下加熱1分鐘而使塗膜乾燥。其後，藉由用高壓水銀燈照射累積光量300 mJ/cm2之紫外線，對樹脂組合物進行硬化處理，形成厚度5 μm之被覆層。再者，被覆層之厚度係使用分光計測儀(大塚電子製造之商品名「MCPD2000」)，根據對膜之寬度方向等間隔之5點測定的厚度之平均值而求出。
    <藉由形成材料(2)之被覆層之形成>
    於丙烯酸-胺基甲酸酯系樹脂(大日本油墨化學(股)製造之UNIDIC17-806)100份中添加作為光聚合起始劑之羥基環己基苯基酮(Ciba Specialty Chemicals公司製造之Irgacure184)5份，利用甲苯稀釋成30重量%之濃度，製備被覆組合物(形成材料(2))。
    使用棒式塗佈機將上述被覆組合物(形成材料(2))塗佈於厚度125 μm之PET膜上，於100℃下乾燥3分鐘。其後，立即用臭氧型高壓水銀燈(能量密度80 W/cm2，15 cm集光型)2燈照射紫外線，形成厚度5 μm之被覆層。
    <藉由形成材料(3)之被覆層之形成>
    準備包含使無機氧化物粒子與含有聚合性不飽和基之有機化合物結合而成之分散有奈米二氧化矽(Nano-silica)粒子的活性能量射線硬化型化合物之被覆層形成材料(JSR(股)製造，商品名「Opstar Z7540」，固形物成分：56重量%，溶劑：乙酸丁酯/甲基乙基酮(MEK，Methyl Ethyl Ketone)=76/24(重量比)，折射率1.49)。於上述被覆層形成材料中，以前者：後者=2：3之重量比含有二季戊四醇及異佛爾酮二異氰酸酯系聚胺基甲酸酯、表面經有機分子改質之二氧化矽微粒(重量平均粒徑100 nm以下)作為活性能量射線硬化型化合物。相對於該被覆層形成材料之活性能量射線硬化型化合物之固形物成分每100重量份，混合光聚合起始劑(Ciba Specialty Chemicals公司製造之商品名「Irgacure127」)5重量份。於該混合物中以固形物成分濃度成為5重量%之方式添加甲基乙基酮並進行稀釋，製備被覆組合物(形成材料(3))。
    使用刮刀式塗佈機將上述被覆組合物(形成材料(3))塗佈於厚度125 μm之PET膜上，形成塗覆層。繼而，於145℃下加熱1分鐘，使上述塗覆層乾燥。其後，用高壓水銀燈照射累積光量300 mJ/cm2之紫外線，形成厚度300 nm之被覆層。
    <藉由形成材料(4)之被覆層之形成>
    於包含異氰尿酸系丙烯酸酯、季戊四醇三丙烯酸酯、異佛爾酮二異氰酸酯聚胺基甲酸酯之紫外線硬化型樹脂(大日本油墨化學工業公司製造之商品名「GRANDICPC-1070」)中，相對於樹脂固形物成分每100重量份，添加調平劑(大日本油墨化學工業公司製造之商品名「GRANDICPC-4100」)1重量份，將上述所得者，藉由乙酸乙酯以固形物成分濃度成為50重量%之方式進行稀釋，製備被覆組合物(形成材料(4))。
    使用狹縫擠壓式塗佈機將上述被覆組合物(形成材料(4))塗覆於厚度125 μm之PET膜上，形成塗覆層。繼而，藉由於100℃下加熱1分鐘而使上述塗膜乾燥。其後，用高壓水銀燈照射累積光量300 mJ/cm2之紫外線，形成厚度5 μm之被覆層。
    <藉由形成材料(5)之被覆層之形成>
    利用乙醇以固形物成分濃度成為2%之方式稀釋矽溶膠(COLCOAT(股)製造，COLCOAT P)，製備被覆組合物(形成材料(5))。
    藉由二氧化矽塗佈法將上述被覆組合物(形成材料(5))塗佈於厚度125 μm之PET膜上，其後於150℃下乾燥2分鐘而使其硬化，形成厚度50 nm之被覆層。 實施例1
    <黏著劑層(1)之形成>
    於包含實施有脫模處理之聚酯膜(厚度38 μm)之隔離膜上，以乾燥後之黏著劑層之厚度成為20 μm之方式，藉由反輥塗佈法塗佈上述黏著劑溶液(1)，於130℃下進行3分鐘之加熱處理，使溶劑揮發，獲得黏著劑層(1)。
    <被覆膜之製作>
    於作為第一透明樹脂膜之厚度125 μm之PET之雙面上，依據上述<藉由形成材料(1)之被覆層之形成>，形成第一及第二被覆層，製作被覆膜。
    <透明導電性膜之製作>
    (底塗層之形成)
    於包含厚度23 μm之聚對苯二甲酸乙二酯膜(以下稱作PET膜)之膜基材之一個面上，藉由三聚氰胺樹脂：醇酸樹脂：有機矽烷縮合物之重量比2：2：1之熱硬化型樹脂(光之折射率n=1.54)形成厚度185 nm之第一層之底塗層。繼而，利用乙醇以固形物成分濃度成為2%之方式稀釋矽溶膠(COLCOAT(股)製造，COLCOAT P)，於第一層之底塗層上藉由二氧化矽塗佈法塗佈上述經稀釋之矽溶膠，其後於150℃下乾燥2分鐘而使其硬化，形成厚度33 nm之第二層之底塗層(SiO2膜，光之折射率1.46)。形成第一層、第二層之底塗層之後之表面電阻均為1×1012 Ω/□以上。
    (透明導電體層之形成)
    繼而，於包含氬氣98%與氧氣2%之0.4 Pa的環境中，藉由使用包含氧化銦97重量%、氧化錫3重量%之燒結體材料的反應性濺鍍法，於第二層之底塗層上形成厚度22 nm之ITO膜(光之折射率2.00)，獲得透明導電性膜。
    <透明導電性積層體之製作>
    於上述雙面具有被覆層之被覆膜之一個面上轉印上文所形成之厚度20 μm之黏著劑層(1)之後，剝離隔離膜。繼而，於該黏著劑層(1)側貼合上述透明導電性膜(未形成透明導電體層之側之面)，製作透明導電性積層體。
    (ITO膜之藉由蝕刻之圖案化)
    於透明導電性積層體之透明導電體層上塗佈圖案化成條紋狀之抗蝕劑，加以乾燥硬化後，於25℃、5%之鹽酸(氯化氫水溶液)中浸漬1分鐘，進行ITO膜之蝕刻。
    (ITO膜之藉由蝕刻之圖案化)
    於透明導電性積層體之透明導電體層上，塗佈圖案化成2 mm寬度之條紋狀之抗蝕劑，加以乾燥硬化後，於25℃、5%之鹽酸(氯化氫水溶液)中浸漬1分鐘，進行ITO膜之蝕刻。
    (第二層之底塗層之藉由蝕刻之圖案化)
    於進行上述ITO膜之蝕刻後，繼而，以積層抗蝕劑之狀態下，於45℃、2%之氫氧化鈉水溶液中浸漬3分鐘，進行第二層之底塗層之蝕刻，其後除去抗蝕劑。
    (透明導電體層之結晶化)
    於進行上述第二層之底塗層之蝕刻之後，於140℃下進行90分鐘之加熱處理，使ITO膜結晶化。 實施例2~5、比較例1~4
    於實施例1中，如表1所示改變黏著劑層(黏著劑溶液)之種類、被覆層之形成材料之種類、厚度，除此以外，以與實施例1相同之方式製作透明導電性積層體，另外，其後進行圖案化、結晶化。再者，被覆膜中之第一被覆層、第二被覆層之形成係分別依據上述<藉由形成材料(1)~(5)之被覆層之形成>而進行。 參考例1
    於實施例1中所製作之透明導電性膜之未形成透明導電體層之側之面上，轉印實施例1中所形成之厚度20 μm之黏著劑層(1)，製作附有黏著劑層之透明導電性膜。
    <評價>
    對於實施例及比較例中所獲得之被覆膜、透明導電性積層體、參考例1中所獲得之附有黏著劑層之透明導電性膜，進行下述評價。將結果示於表1。於表1中一併表示被覆層、第二被覆層之形成材料、厚度、黏著劑層之厚度。
    《表面自由能》
    表面自由能(mN/m)之測定係於150℃下對實施例1、3、5及比較例1中所獲得之被覆膜進行1小時之加熱之前與之後進行。表面自由能之測定係使用協和界面科學(股)製造之「全自動接觸角計DM700」，測定水、二碘甲烷、1-溴萘相對於被覆膜之第一被覆層之接觸角，利用解析軟體FAMAS計算出表面自由能而進行。計算方法係使用基於Kitazaki-Hat理論之成分解析。其中，對於參考例1中所獲得之附有黏著劑層之透明導電性膜，進行與上述相同之處理後，對黏著劑層上之隔離膜表面測定表面自由能。
    《表面粗糙度》
    使用原子力顯微鏡(AFM，Digital Instruments公司製造之商品名「Nanscope IV」)，測定實施例1、3、5及比較例1中所獲得之被覆膜之第一被覆層之表面的算術平均粗糙度(Ra)及被覆層表面之均方根粗糙度(Rq)。其中，對於參考例1中所獲得之附有黏著劑層之透明導電性膜，測定黏著劑層上之隔離膜之表面的各表面粗糙度。
    《儲存彈性模數》
    對於各例中所使用之形成於隔離膜上之黏著劑層，藉由以下之方法而求出儲存彈性模數。
    [儲存彈性模數之測定方法]
    儲存彈性模數之測定係使用Rheometric公司製造之黏彈性分光儀(商品名：RSA-II)而進行。儲存彈性模數係設為於測定條件：頻率1 Hz、試樣厚度2 mm、壓合加重100 g、升溫速度5℃/min下之-50℃~200℃之範圍中之23℃下之測定值。
    《接著力》
    將實施例及比較例中所獲得之透明導電性積層體切割成寬度25 mm、長度100 mm，依據JIS Z 0237，使用NMB-Minebea公司製造之自動立體測圖儀(型號：TCM-IKNB)，以剝離速度300 mm/min進行180度剝離試驗，測定黏著劑層與第一被覆層之接著力(N/25 mm)。其中，對於參考例1中所獲得之附有黏著劑層之透明導電性膜，測定黏著劑層與隔離膜之接著力。
    《階差目視評價》
    利用膠帶，將實施例及比較例中所獲得之透明導電性積層體，以形成有透明導電體層(ITO膜)之面朝上之方式固定於玻璃板上，並將其設為試樣。其中，於參考例1中，藉由附有黏著劑層之透明導電性膜之黏著劑層，以形成有ITO膜之面朝向之方式所固定，並設為試樣。利用非接觸式表面形狀測定機(Veeco公司製造之WYKO)，以目鏡10倍、物鏡0.5倍觀察試樣。測定係3次測定形成有ITO膜之部分之最高部分、與鄰接於該ITO膜之未形成ITO膜之部分之最低部分的高度之差，並將其平均值設為起伏(μm)。
    1‧‧‧被覆膜
    2‧‧‧透明導電性積層體
    3‧‧‧黏著劑層
    10‧‧‧第一透明樹脂膜
    11‧‧‧第一被覆層
    12‧‧‧第二被覆層
    20‧‧‧第二透明樹脂膜
    21‧‧‧透明導電體層
    22‧‧‧底塗層
    A‧‧‧透明導電性積層體
    a‧‧‧圖案化部
    b‧‧‧非圖案化部
    圖1係表示本發明之透明導電性積層體之實施形態之一例之剖面圖。
    圖2係表示本發明之透明導電性積層體之實施形態之一例之剖面圖。
    圖3係表示本發明之透明導電性積層體之實施形態之一例之剖面圖。
    圖4係表示本發明之透明導電性積層體之圖案之一例之俯視圖。
    1‧‧‧被覆膜
    2‧‧‧透明導電性積層體
    3‧‧‧黏著劑層
    10‧‧‧第一透明樹脂膜
    11‧‧‧第一被覆層
    12‧‧‧第二被覆層
    20‧‧‧第二透明樹脂膜
    21‧‧‧透明導電體層
    22‧‧‧底塗層
    A‧‧‧透明導電性積層體
    权利要求:
    Claims (9)
    [1] 一種透明導電性積層體，其特徵在於：其係於第一透明樹脂膜之單面或雙面具有被覆層之被覆膜與於第二透明樹脂膜之單面具有透明導電體層之透明導電性膜，以被覆膜之被覆層之側與透明導電性膜之不具有透明導電體層之側相對之方式，經由黏著劑層而積層者，且上述黏著劑層於120℃下之儲存彈性模數為80000 Pa以下，且上述黏著劑層與被覆層之接著力為5~20 N/25 mm。
    [2] 如請求項1之透明導電性積層體，其中上述透明導電體層經圖案化。
    [3] 如請求項1之透明導電性積層體，其中上述透明導電體層經由至少1層之底塗層而積層於上述第二透明樹脂膜上。
    [4] 如請求項1之透明導電性積層體，其中積層於上述黏著劑層上之被覆層於對被覆膜實施150℃、1小時之熱處理之後，被覆層表面之表面自由能為25 mN/m~40 mN/m。
    [5] 如請求項1之透明導電性積層體，其中積層於上述黏著劑層上之被覆層之被覆層表面之算術平均粗糙度(Ra)為10 nm以下。
    [6] 如請求項1之透明導電性積層體，其中積層於上述黏著劑層上之被覆層之被覆層表面之均方根粗糙度(Rq)為12 nm以下。
    [7] 如請求項1至6中任一項之透明導電性積層體，其係於觸控面板中使用。
    [8] 如請求項7之透明導電性積層體，其中觸控面板為靜電容量方式觸控面板。
    [9] 一種觸控面板，其特徵在於：其具備至少1個如請求項1至8中任一項之透明導電性積層體。
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    优先权:
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