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    • 专利摘要:
    一種顯示裝置，具有-多個像素(1)，-至少一終端載體(2)，及-多個無機發光二極體晶片(3)，其中-該終端載體(2)包含多個開關(21)，-每一像素(1)包含至少一發光二極體晶片(3)，-每一發光二極體晶片(3)以機械方式固定在該終端載體(2)上且電性連接著，-每一開關(21)用來控制至少一發光二極體晶片(3)，且-多個發光二極體晶片(3)係該顯示裝置之成像元件。
    公开号:TW201303819A
    申请号:TW101111681
    申请日:2012-04-02
    公开日:2013-01-16
    发明作者:Tilman Ruegheimer；Malm Norwin Von；Stefan Illek
    申请人:Osram Opto Semiconductors Gmbh；
    IPC主号:G09G3-00
    专利说明:
    顯示裝置
    本發明提供一種顯示裝置。
    本專利申請案主張德國專利申請案10 2011 016 308.5之優先權，其已揭示的整個內容在此一併作為參考。
    本發明的目的是提供一種顯示裝置，其能以高對比值及快速的切換時間來產生圖像。
    依據顯示裝置之至少一實施形式，該顯示裝置具有多個像素。由顯示裝置之像素組成待產生的圖像。各像素例如以矩陣形式配置成列和行。每一像素例如適合用來顯示三種顏色，大致上是紅、綠和藍。這些顏色由顯示裝置之用來形成圖像的元件產生而成光的形式。
    依據顯示裝置之至少一實施形式，該顯示裝置包括至少一終端載體。此顯示裝置例如可包括多個終端載體，其相鄰地配置著。此外，該顯示裝置亦可包括唯一的終端載體。此終端載體作為顯示裝置之成像元件用之機械載體，其可構成為固定形式或具有可撓性。此外，該終端載體亦可用於電性接觸以及控制各成像元件。於是，該終端載體可形成為可透過輻射、透明或不可透過輻射，例如，可吸收輻射及/或可使輻射發生反射。
    依據顯示裝置之至少一實施形式，該顯示裝置具有多個發光二極體晶片。發光二極體晶片例如是彩色之發光二極體晶片，其在操作時產生彩色光。發光二極體晶片因此可直接產生彩色光。此外，顯示裝置之發光二極體晶片可產生紫外線-輻射或藍光，其由一配屬於該發光二極體晶片之轉換元件轉換成另一彩色之光。顯示裝置之發光二極體晶片的數目因此較佳地是至少等於顯示裝置之像素之數目。
    依據顯示裝置之至少一實施形式，終端載體包含多個開關。每一開關特別是用來控制至少一發光二極體晶片。所述開關例如是薄膜電晶體或互補式金屬氧化物半導體(CMOS)-結構。各開關例如配置在該終端載體之一基體上。每一開關用來控制至少一發光二極體晶片。此種控制例如是配置有該開關之發光二極體晶片之導通及/或關閉。此外，藉由所述開關，例如亦可對用來操作該發光二極體晶片之電流的強度進行調整。每一開關都接觸所對應之發光二極體晶片的n-側或p-側。
    依據顯示裝置之至少一實施形式，每一發光二極體晶片係機械式地固定在顯示裝置之一終端載體上且電性相連接著。於是，發光二極體晶片無外殼地以機械方式固定在該終端載體上且電性相連接著。亦即，發光二極體晶片直接施加在該終端載體上而未設有例如由塑料或陶瓷材料構成的外殼，外殼中可配置該發光二極體晶片。發光二極體晶片因此形成該顯示裝置之成像元件。亦即，該顯示裝置特別是未具有其它的成像元件(例如，LCD-面板)。反之，個別的發光二極體晶片直接產生該顯示裝置之相關像素的光。
    依據顯示裝置之至少一實施形式，該顯示裝置包含多個像素、至少一終端載體及多個發光二極體晶片。該終端載體包含多個開關，每一發光二極體晶片都以機械方式固定在該終端載體上且電性相連接著，每一開關都用來控制至少一發光二極體晶片。該顯示裝置之每一像素包含至少一發光二極體晶片，各發光二極體晶片是該顯示裝置之成像元件。
    此處所述顯示裝置之特徵特別是「其藉由各別發光二極體晶片之例如亮度的各別控制而達到高的對比值」，此乃因特別是藉由一發光二極體晶片之完全關閉而可產生一種「真正的黑色」。另一成像元件(例如，LCD-面板)之省略可容許很高的圖像重複率，這是由於對成像元件而言發光二極體晶片可特別快地受到控制。該顯示裝置因此在使用快門(shutter)-眼罩時可特別良好地用於三維的顯示中。由於發光二極體晶片用之外殼的省略，各別之發光二極體晶片互相之間可很靠近地配置在該終端載體上或配置在多個終端載體上。例如，相鄰之發光二極體晶片的距離是10微米或更小。以此方式，具有高解析度之小的顯示裝置是可行的。此外，另一成像元件之省略可使該顯示裝置達成很平坦的構造，這可使該顯示裝置很薄。又，另一成像元件的省略可使該顯示裝置的總效率提高，此乃因例如在極化濾波器上或另一成像元件本身上的吸收損耗不會發生。
    上述發光二極體晶片特別是可為不具有生長基板或不具有載體基板之發光二極體晶片。亦即，上述發光二極體晶片可只包含磊晶製成之半導體層、接觸層及可能存在的轉換層。這樣亦可造成特別平坦之顯示裝置，其厚度基本上只藉由終端載體之厚度及發光二極體晶片之厚度來決定。因此，上述發光二極體晶片特別是一種無機發光二極體晶片，其例如以III-V-化合物-半導體材料為主。
    依據顯示裝置之至少一實施形式，每一開關都明確地配屬於一發光二極體晶片。亦即，對每一開關而言恰巧存在一發光二極體晶片且對每一發光二極體晶片而言恰巧存在一開關。此種實施形式中，每一開關因此只控制唯一的發光二極體晶片。這樣就可使用特別簡單的開關，其適合用來以特別短的切換時間來對所屬之發光二極體晶片供應電流。
    依據顯示裝置之至少一實施形式，該顯示裝置包含一接觸層，其使至少二個發光二極體晶片可導電地互相連接。例如，發光二極體晶片在一終端側可導電地與所屬之開關相連接。在另一終端側上多個發光二極體晶片經由共用之接觸層而可導電地互相連接且因此可共同地被接觸。於是，多個發光二極體晶片可經由該接觸層而可導電地互相連接。例如，發光二極體晶片之一列或一行可分別藉由該接觸層而互相連接。在極端情況下，全部之發光二極體晶片可經由唯一的共用接觸層而可導電地互相連接。該接觸層因此可輕易地使多個發光二極體晶片互相接觸，此乃因在此種情況下每一晶片之各別的接觸(例如，藉由一條接觸線來達成)可省略。
    依據顯示裝置之至少一實施形式，該接觸層至少依據位置而形成為可使輻射透過。亦即，該接觸層可使發光二極體晶片在操作時所產生的電磁輻射的至少一部份透過。該接觸層因此形成為透明且清新狀。
    該接觸層可至少依據位置而覆蓋多個由該接觸層所達成之可導電地互相連接之發光二極體晶片的輻射透過面。該接觸層例如在該處可與顯示裝置之一發光二極體晶片直接相接觸且經由輻射透過面而將電流施加至發光二極體晶片中。此外，該接觸層可只依據位置而與發光二極體晶片相接觸且在其它位置跨越該輻射透過面而在該處不與發光二極體晶片接觸。
    該輻射透過面例如可形成在發光二極體晶片之遠離該終端載體之此側上。在面向該終端載體之此側上，每一發光二極體晶片可導電地與所屬之開關相連接，例如，直接施加在該開關之接觸位置上。
    依據顯示裝置之至少一實施形式，該接觸層至少依位置而形成為可使輻射透過且該接觸層至少依位置而以一種可使該發光二極體晶片在操作時所產生的電磁輻射反射的材料來形成。亦即，該接觸層在此種情況下劃分成不同的區域。該接觸層包含可透過輻射的區域，例如以可導電、可透過輻射的材料來形成。又，該接觸層包含可使輻射反射之區域，其例如以具有反射性的金屬(例如銀或鋁)來形成。於是，特別是可使該接觸層之反射區域形成在相鄰之發光二極體晶片之間及/或發光二極體晶片之邊緣上。該接觸層之可透過輻射的區域覆蓋該輻射透過面之大部份。這樣所形成的接觸層亦用來使相鄰之發光二極體晶片達成光學去耦合。亦即，由一發光二極體晶片在操作時所產生的電磁輻射可在側面上入射至該接觸層之反射區域且未到達相鄰之發光二極體晶片之區域。以此方式，則發光二極體晶片所配屬之各別像素可特別良好地在光學上互相隔開。又，該接觸層之反射區域在以一具有反射性的金屬來形成時可使反射率(特別是該接觸層之橫向反射率)提高，這樣就可藉助於同一個接觸層來與儘可能多的發光二極體晶片達成電性接觸。
    依據顯示裝置之至少一實施形式，該接觸層依據位置而以透明之導電氧化物(TCO)來形成。特別是該接觸層之可透過輻射的區域亦可由此種材料來形成。
    依據顯示裝置之至少一實施形式，該顯示裝置包含一透鏡體，其配置在發光二極體晶片之至少一部份之後，由發光二極體晶片在操作時所產生之電磁輻射之至少一部份(特別是大部份)將經過該透鏡體且電磁輻射在經過該透鏡體時光學式地被擴大。亦即，該透鏡體使發光二極體晶片之輻射透過面上所發出之電磁輻射擴大成一種橫切面較大的輻射。這在螢幕對角線為1米或更大之大面積的顯示裝置中特別有利。在此種大顯示裝置中，當像素之並非整個面都設有一個或多個發光二極體晶片時是有利的。例如，發光二極體晶片之邊長相對於像素之柵格(grid)之比可以是1：100或更小。然而，為了使顯示裝置所產生的圖像之光學表現形象獲得改良，亦即，使各別的像素之間的隔離儘可能不被觀看者辨認出來，則由發光二極體晶片所產生的電磁輻射擴大成所屬像素的大小已顯示是有利的。這能以透鏡體來達成。於是，亦可在相同的擴大區內配置多個不同彩色之發光二極體晶片，例如，紅色、綠色和藍色發光二極體晶片。亦即，每一像素可包含多個發光二極體晶片，其電磁輻射由該透鏡體分別擴大成所屬像素的大小。
    依據顯示裝置之至少一實施形式，該透鏡體包含不可透過輻射之隔離結構，相鄰的像素在光學上互相隔開。藉由不可透過輻射之隔離結構，可確保「配屬於不同像素之發光二極體晶片之光在通過具有輻射擴大功能之透鏡體之後不重疊」。例如，各隔離結構因此可被校準或形成為具有漫射式反射性。例如，各隔離結構可在透鏡體之基體中形成為凹口，其以金屬來塗佈或以具有漫射式反射性的材料來填充。
    依據顯示裝置之至少一實施形式，該透鏡體具有多個散射結構以使穿過的電磁輻射發生散射，且各隔離結構藉由漫射式反射性的區域來形成。藉由穿過的電磁輻射之散射，則可使輻射擴大且均勻化。以此方式，則一像素在其面上具有特別均勻之亮度。漫射式反射性的隔離結構亦對上述之均勻化有助益。此種結構因此可形成在透鏡體之基體的體積中，該透鏡體可以清新的材料來形成。例如，散射中心是由散射粒子或氣體包體而形成在基體中。此外，散射結構亦可藉由已聚焦之雷射束而適當地產生於基體之材料中且例如藉由材料變化而形成在雷射束之聚焦區域中。
    依據顯示裝置之至少一實施形式，各隔離結構是藉由凹口而形成在透鏡體之基體中，各凹口中以可使輻射散射的材料來填充。例如，該材料包含以下材料之至少一種：TiO2、Al2O3。
    依據顯示裝置之至少一實施形式，各隔離結構由透鏡體之基體之面向發光二極體晶片的此側開始而在該基體之遠離發光二極體晶片之此側的方向中延伸且未完全穿過該基體。特別是在該透鏡體之遠離該發光二極體晶片之此側的附近中不再形成上述隔離結構。亦即，在上述區域中相鄰之像素的電磁輻射會發生小的重疊。這樣對觀看者而言在各像素之間不存在光學隔離區。亦即，該觀看者在理想情況下不能對各別的像素互相區別。該顯示裝置因此是依據一種所謂視網膜(Retina)-顯示裝置的形式來形成。例如，各隔離結構最多可經由該基體之厚度的4/5而延伸。
    依據顯示裝置之至少一實施形式，該接觸層至少依據位置而直接與發光二極體晶片和該透鏡體相鄰接，該接觸層使各發光二極體晶片可導電地互相連接。亦即，該接觸層直接配置在發光二極體晶片和透鏡體之間。該接觸層以此方式而促進二個元件之間的機械式連接。此外，經由該接觸層可使發光二極體晶片在操作時所產生之熱排出至透鏡體上，該透鏡體因此亦用作所覆蓋之發光二極體晶片的冷卻體。又，藉由上述將接觸層劃分成可透過輻射-和可使輻射反射之區域，則可在電磁輻射入射至透鏡體之前在相鄰之像素之間達成-或促進一種光學隔離。
    以下，將依據各實施例及所屬的圖式來詳述上述之顯示裝置。
    各圖式中相同、相同形式或作用相同的各組件設有相同的參考符號。各圖式和各圖式中所示的各元件之間的大小比例未必依比例繪出。反之，為了清楚及/或易於理解，各別元件可予以放大地顯示出。
    依據圖1之切面圖，詳述此處所述之顯示裝置之第一實施例。此顯示裝置包含多個像素1。這些像素1共同形成由該顯示裝置所示之圖像。各像素例如依據矩陣的形式而配置成列和行。目前至少一發光二極體晶片3配屬於每一像素1。發光二極體晶片3配置在一終端載體2上。此終端載體2用來使發光二極體晶片3達成機械式固定及電性連接且控制發光二極體晶片3。
    終端載體2包含開關21。藉由開關21可各別地對發光二極體晶片3供應電流。各開關21例如用於導通、關閉及決定電流強度，藉此將電流供應至所屬之發光二極體晶片3。例如，開關21可以是薄膜電晶體。發光二極體晶片3因此可與開關21之終端區直接相接觸。基體22例如可形成為電路板，其將各別的開關21與用於發光二極體晶片和開關的電流供應器相連接。
    在各別的發光二極體晶片3之間可形成隔離元件7，其對該終端載體2和配置在發光二極體之後的透鏡體6之間的一固定距離進行調整。此外，各隔離元件7形成為可使輻射反射或可吸收輻射，使其亦可用來在相鄰的發光二極體晶片3之間達成光學去耦合。
    顯示裝置另又包含一接觸層4，其配置在發光二極體晶片3之遠離該終端載體2之此側上。目前該接觸層4形成為可透過輻射且可導電，其例如能以透明之導電氧化物(例如，ITO)來形成。例如，該接觸層4作為該顯示裝置之全部發光二極體晶片3用-或該顯示裝置之一部份的全部發光二極體晶片3用之共同陰極或共同陽極。
    透鏡體6可與該接觸層4直接相接觸，該透鏡體6目前例如以可透過輻射(特別是透明)之材料(例如，玻璃)來形成。於是，該材料亦可以是清新者。由於在透鏡體6之界面上的例如反射和折射效應，則會使穿過的電磁輻射5擴大成各別像素1的大小。此外，透鏡體6之體積中的散射效應會使穿過的電磁輻射5擴大。
    圖1中示出一顯示裝置，其中發光二極體晶片3直接作為顯示裝置之成像元件。發光二極體晶片3是無機發光二極體晶片，其例如以III-V-半導體材料來形成。發光二極體晶片3可包含一轉換層，其適合用來對所穿過之電磁輻射進行所謂「下降(down)-轉換」。此轉換層亦可包含有機材料。發光二極體晶片3例如未設有生長基板及/或載體基板。亦即，發光二極體晶片3基本上是由磊晶生長之材料構成。
    圖2中詳細顯示此處所述之顯示裝置之另一實施例。本實施例中，該接觸層4具有可使輻射反射之區域4b及可透過輻射之區域4a。可透過輻射之區域4a例如以透明之導電氧化物來形成。可使輻射反射之區域4b例如以一種反射金屬(例如，銀或鋁)來形成。可使輻射反射之區域4b促進各別之發光二極體晶片3之間的光學隔離且使該接觸層4之橫向導電性獲得改良。該接觸層4目前只在發光二極體晶片3之邊緣區中與發光二極體晶片3形成電性接觸。在發光二極體晶片3之中央區中該接觸層4延伸至輻射透過面3a之某一距離處。
    又，該顯示裝置在圖2所示之本實施例中包含一透鏡體6，其具有多個隔離結構62，各隔離結構62使相鄰的成像元件1在光學上互相去耦合。例如，各隔離結構在透鏡體6之基體64中形成為凹口，凹口中以漫射式反射性的材料(例如，二氧化鈦)來填充。各隔離結構62目前未經由整個基體64而延伸而是例如最多經由基體64之4/5的長度而延伸。以此方式，則各別像素直接在透鏡體6之遠離發光二極體晶片3的輻射透過面上非「光學顯著地」互相隔離。以此方式對觀看者而言在相鄰的像素之間不能辨認出「隔離區」(例如，暗色的樑)。
    透鏡體6具有一基體64，其中設置著多個散射結構63。各散射結構63適合用來使發光二極體晶片3在操作時所產生的電磁輻射散射且促進該電磁輻射擴大成該透鏡體6之遠離發光二極體晶片3之此側上的像素1之大小。透鏡體6另外包含多個耦出結構61，其例如形成為該透鏡體6之基體64的粗糙區且使電磁輻射由透鏡體6發出之機率提高。
    目前每一像素1可存在多個發光二極體晶片3，其例如發出不同彩色之光。各散射結構63因此在光由透鏡體6發出之前促進光之混合，使每一像素1之透鏡體6上可發出混合光，其具有在像素1上特別均勻之亮度及特別均勻的彩色位置。
    圖3A和圖3B之圖式中描述發光二極體晶片3之接觸方法，其亦可用在圖1和圖2中所示之接觸層4中。顯示裝置之此實施例中，與圖1和圖2之實施例不同之處在於，發光二極體晶片3之p-側和n-側可由終端載體2之側面來達成接觸。發光二極體晶片3包含n-導電區31、p-導電區32和用來產生輻射之活性區34，其配置在該二個導電區之間。該p-導電區32可經由n-導電區31中的通孔而在p-接觸區35之區域中被接觸。該通孔依據位置而在橫向中全側都由n-導電區32包圍著。
    以此方式，則發光二極體晶片3之輻射透過面3a上之至少一部份可吸收輻射之接觸層4可省略。因此，載體33(可為生長基板或事後施加之可透過輻射的載體)可選擇地(optionally)存在著，電磁輻射.5可經由載體而離開發光二極體晶片3。
    整體而言，目前描述了顯示裝置，其中發光二極體晶片藉由主動式-矩陣控制而直接操作為成像元件。此顯示裝置另外所具有的特徵為高的對比值和小的厚度。
    本發明當然不限於依據各實施例中所作的描述。反之，本發明包含每一新的特徵和各特徵的每一種組合，特別是包含各申請專利範圍、或不同實施例之各別特徵之每一種組合，當相關的特徵或相關的組合本身未明顯地顯示在各申請專利範圍中或各實施例中時亦屬本發明。
    1‧‧‧像素
    2‧‧‧終端載體
    21‧‧‧開關
    22‧‧‧基體
    3‧‧‧發光二極體晶片
    31‧‧‧n-導電區
    32‧‧‧p-導電區
    33‧‧‧載體
    34‧‧‧活性區
    35‧‧‧p-接觸區
    3a‧‧‧輻射透過面
    4‧‧‧接觸層
    4a‧‧‧可透過輻射之區域
    4b‧‧‧可使輻射反射之區域
    5‧‧‧電磁輻射
    6‧‧‧透鏡體
    61‧‧‧耦出結構
    62‧‧‧隔離結構
    63‧‧‧散射結構
    64‧‧‧基體
    7‧‧‧隔離元件
    圖1和圖2顯示上述顯示裝置之實施例的切面圖。
    圖3A和圖3B顯示用來接觸上述顯示裝置之發光二極體晶片的可能方式之圖解。
    1‧‧‧像素
    2‧‧‧終端載體
    21‧‧‧開關
    22‧‧‧基體
    3‧‧‧發光二極體晶片
    3a‧‧‧輻射透過面
    4‧‧‧接觸層
    5‧‧‧電磁輻射
    6‧‧‧透鏡體
    7‧‧‧隔離元件
    权利要求:
    Claims (15)
    [1] 一種顯示裝置，具有-多個像素(1)，-至少一終端載體(2)，及-多個無機發光二極體晶片(3)，其中-該終端載體(2)包含多個開關(21)，-每一像素(1)包含至少一發光二極體晶片(3)，-每一發光二極體晶片(3)以機械方式固定在該終端載體(2)上且電性連接著，-每一開關(21)係用來控制至少一發光二極體晶片(3)及/或每一開關(21)明確地配屬於一發光二極體晶片(3)，且-多個發光二極體晶片(3)係為該顯示裝置之成像元件。
    [2] 如申請專利範圍第1項之顯示裝置，其具有-接觸層(4)，其使至少二個發光二極體晶片(3)可導電地互相連接，及-透鏡體(6)，其配置在所述發光二極體晶片(3)之至少一部份之後，其中-輻射透過面(3a)形成在所述發光二極體晶片(3)之遠離該終端載體(2)之此側上，-該接觸層(4)依位置而形成為可使輻射透過，-該接觸層(4)依位置而以一種在所述發光二極體晶片(3)操作時使所產生之電磁輻射發生反射的材料來形成，-所述發光二極體晶片(3)操作時所產生之電磁輻射(5)的至少一部份係經由該透鏡體(6)，且-該電磁輻射(5)在經由該透鏡體(6)時係光學式地被擴大，-該透鏡體(6)包含不可透過輻射之隔離結構(62)，其使相鄰之像素(1)在光學上互相隔開，-所述隔離結構(62)由該透鏡體(6)之外殼(64)之面向所述所述發光二極體晶片(3)之此側開始在該基體(64)之遠離所述發光二極體晶片(3)之此側的方向中延伸且未完全穿過該基體(64)，且-所述隔離結構(62)藉由該透鏡體(6)之一基體(64)中的凹口來形成，所述凹口中以下述材料之至少一種來填充：TiO2、Al2O3。
    [3] 如申請專利範圍第1或2項之顯示裝置，其具有-接觸層(4)，其使至少二個所述發光二極體晶片(3)可導電地互相連接。
    [4] 如申請專利範圍第1至3項中任一項之顯示裝置，其中-該接觸層(4)至少依位置而形成為可使輻射透過，及-該接觸層至少依位置而覆蓋藉由該接觸層(4)而可導電地互相連接之所述發光二極體晶片(3)的輻射透過面(3a)。
    [5] 如申請專利範圍第1至4項中任一項之顯示裝置，其中-所述輻射透過面(3a)形成在所述發光二極體晶片(3)之遠離該終端載體(2)之此側上。
    [6] 如申請專利範圍第3至5項中任一項之顯示裝置，其中-該接觸層(4)至少依位置而形成為可使輻射透過，且-該接觸層(4)至少依位置而以一種使所述發光二極體晶片(3)操作時所產生之電磁輻射發生反射之材料來形成。
    [7] 如申請專利範圍第3至6項中任一項之顯示裝置，其中-該接觸層(4)依位置而以透明之導電氧化物來形成。
    [8] 如申請專利範圍第3至7項中任一項之顯示裝置，其中-該接觸層(4)依位置而以具有反射性之金屬，例如，銀或鋁，來形成。
    [9] 如申請專利範圍第1至8項中任一項之顯示裝置，其具有-透鏡體(6)，其配置在所述發光二極體晶片(3)之至少一部份之後，其中-由所述發光二極體晶片(3)操作時所產生之電磁輻射(5)的至少一部份係經由該透鏡體(6)，且-該電磁輻射(5)在經由該透鏡體(6)時係光學式地被擴大。
    [10] 如申請專利範圍第1至9項中任一項之顯示裝置，其中-該透鏡體(6)包含不可透過輻射之隔離結構(62)，其使相鄰之像素(1)在光學上互相隔開。
    [11] 如申請專利範圍第9或10項之顯示裝置，其中-該透鏡體(6)包含散射結構(63)，使穿過之電磁輻射(5)散射，且-所述隔離結構(62)藉由(特別是漫射式)反射性的區域來形成。
    [12] 如申請專利範圍第10或11項之顯示裝置，其中-所述隔離結構(62)藉由該透鏡體(6)之基體(64)中的凹口來形成，所述凹口中以下述材料之至少一種來填充：TiO2、Al2O3。
    [13] 如申請專利範圍第10至12項中任一項之顯示裝置，其中-所述隔離結構(62)由該透鏡體(6)之該基體(64)之面向所述發光二極體晶片的此側開始而在該基體(64)之遠離所述發光二極體晶片(3)之此側的方向中延伸且未完全穿過該基體(64)。
    [14] 如申請專利範圍第9至13項中任一項之顯示裝置，其中-該接觸層(4)至少依位置而直接與所述發光二極體晶片(3)和該透鏡體(6)相鄰接，該接觸層(4)使多個所述發光二極體晶片(3)可導電地互相連接。
    [15] 如申請專利範圍第1至14項中任一項之顯示裝置，其中每一個所述發光二極體晶片(3)之p-側和n-側都可由該終端載體(2)之側面來達成接觸，其中-所述發光二極體晶片(3)包含n-導電區(31)、p-導電區(32)及用來產生輻射之活性區(34)，其配置在所述二個導電區之間，及-該p-導電區(32)經由該n-導電區(31)中之至少一通孔而達成接觸。
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