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    本發明揭示一種具有空間解析冷卻的光學元件以及投影曝光設備。本發明有關一種用於半導體微影之投影曝光設備的光學元件，其包含一光學作用表面(9)及用於冷卻該光學元件的至少一個冷卻構件，其中該冷卻構件連接至至少兩個獨立冷卻回路及以如此方式體現，致使該光學作用表面(9)可在至少一個局部區域中比另一個局部區域以更大的程度冷卻。本發明另外有關一種投影曝光設備，其包含根據本發明的光學元件。
    公开号:TW201303518A
    申请号:TW101109305
    申请日:2012-03-19
    公开日:2013-01-16
    发明作者:Joachim Hartjes；Damian Fiolka；Boaz Pnini-Mittler
    申请人:Zeiss Carl Smt Gmbh；
    IPC主号:G02B7-00
    专利说明:
    光學元件
    本發明有關具有至少一個光學作用表面(optically active surface)的光學元件。在此例中，光學元件尤其可以是用於半導體微影之EUV照明系統中的光學個別構件，諸如偏向鏡(deflection mirror)。同樣地，亦可以一或複數個光學個別構件建構一光學元件。舉例而言，下文同樣將由反射鏡承載體(mirror carrying body)及許多個別反射鏡琢面(mirror facet)構成的琢面鏡(facet mirror)定名為「光學元件」。
    所提光學元件通常安裝於諸如EUV照明系統的較大單元中。在此例中，光學元件是三維幾何體，其一般由複數個表面劃定界限，及用來實現一或複數個光學功能，諸如電磁輻射的偏向或其他操控。根據光束路徑，電磁輻射至少撞擊(impinge)在光學元件的一個表面上，其中在此將該表面定名為「光學作用表面」。光學作用表面可細分成複數個局部表面，其局部剖面可為凸面或凹面彎曲，及其亦可含有如在繞射光學結構中很常見的形貌障礙物(topography jump)。光學作用表面永遠可以在光學元件之一表面處找到，其中光學作用表面尤其還可由多層組成，及/或可包含其他塗層，諸如還有吸收體層(absorber layer)。個別光學元件可以不同材料建構及/或一般亦具有不同的構件幾何形狀。此外，在照明系統操作期間，可以設定不同的照明設定，諸如環形設定、雙極、四極或某其他多極設定或還有類星體(quasar)或Cquad設定。這具有以下結果：取決於照明設定，電磁輻射以局部不同的強度撞擊在光學元件上。此外，在此在所關注的一些光學元件中塗覆局部不同的吸收體層。使用該等吸收體層以在這些光學元件上反射EUV輻射之後，獲得反射輻射之清晰的空間解析強度分布(spatially resolved intensity distribution)。取決於EUV輻射吸收的大小，在光學元件處輸入的能量可以局部不同。在照明系統操作期間，來自其他光學元件或機械構件的IR輻射另外亦可撞擊在所關注的光學元件上，及在此可被全部或局部吸收。IR輻射可例如亦源自先前已吸收EUV輻射的被加熱構件，諸如所謂的「Σ隔板(sigma diaphragm)」。因此，大體說來，在光學元件的光學作用表面上可出現局部不同的熱分布。尤其，甚至在均勻或對稱能量輸入的情況中，如果例如電磁輻射的吸收性質在構件上的空間解析方式不同，亦可發生非對稱局部熱分布。在照明系統操作期間，在光學元件未冷卻情況的一些實例中，可出現自100℃至200℃或更高的溫度。空間解析熱分布可導致光學元件之不想要的變形。特別在照明設定改變時及在熱負載維持恆定超過特定時間週期的情況中，在相對於周圍溫度下的熱卸載基本狀態(thermally unloaded basic state)或先前設定的某個其他穩態或半穩態條件的時間性考量下，可發生光學元件變形。
    本發明基於以下目的：明確說明一種光學元件及一種投影曝光設備，其中在操作期間減少所提到的熱引發變形(thermally induced deformation)。
    此目的利用包含申請專利範圍獨立項中提出之特徵的光學元件及投影曝光設備來達成。申請專利範圍附屬項有關本發明的有利變化與具體實施例。
    為了冷卻具有光學作用表面的光學元件，利用連接至至少兩個獨立冷卻回路(cooling circuit)的至少一個冷卻構件。該冷卻構件因此以如此方式體現，致使光學作用表面在至少一個局部區域(partial region)中比另一個局部區域以更大的程度冷卻。冷卻因此反制(counteract)局部不同的輻射引發能量輸入，致使光學作用表面的變形儘可能不形成或至少減少。冷卻所帶來的優點是避免在電磁輻射撞擊在所關注光學元件上後的進一步路線上產生干擾效應(disturbing effect)。構件中的熱負載及尤其是熱分布亦可隨著時間改變，如，在照明設定改變時。除了局部調適，在此使用的冷卻現在亦可以時間上調適的方式(temporally adaptive fashion)體現。
    為了分析光學元件的局部熱分布及局部變形，亦可使用FEM分析。尤其可使用FEM計算的結果來設計冷卻系統，且藉由封閉迴路控制及開放迴路控制來控制冷卻系統。
    如，取決於所設定的照明設定，可在光學元件中以局部及時間上調適的方式實行局部及時間上調適的冷卻。此外，一模組的光學元件亦可冷卻至不同的程度。第三，亦可將冷卻主體(cooling body)裝配至光學元件，其中冷卻主體具有個別或複數個局部調適冷卻帶(locally adapted cooling zone)。
    光學元件亦可例如是用於EUV微影的多層反射鏡(multilayer mirror)。在此例中，多層反射鏡可提供有冷卻主體，或具有體現為冷卻主體的反射鏡載體(mirror carrier)。在此構成冷卻構件的冷卻主體可分成不同的局部區域及可在此以不同的程度冷卻。除了將光學元件塗覆至獨立冷卻主體的選項之外，還可以使用反射鏡載體本身對光學作用表面進行空間解析冷卻。在這些例子中，反射鏡載體係體現為冷卻構件。
    用來冷卻光學元件的冷卻主體可具有配置在不同冷卻帶中的一或複數個冷卻通道(cooling channel)。光學作用表面例如藉由在不同冷卻帶的冷卻通道中流動的冷卻介質冷卻。具有引入之冷卻通道的冷卻帶在此對應於可以不同程度冷卻的局部區域。
    不同的冷卻帶亦可配置在關於z方向的不同平面中。z方向通常對應於法線方向，其整體而言可被指派至光學作用表面上的光學元件。
    冷卻通道可連接至獨立冷卻回路。這尤其帶來以下優點：藉由挑選局部調適之定義冷卻率的參數，執行不同局部區域的冷卻。在使用獨立冷卻回路時，例如可因此彼此獨立地設定該等參數，諸如流率，及在時間上針對各個冷卻回路單獨改變該等參數。
    可利用鑄造方法(casting method)、模製方法(moulding method)、侵蝕(eroding)、蝕刻(etching)或機械加工製造方法(machining production method)，形成冷卻通道。
    冷卻通道另外亦可體現為連接至冷卻主體的冷卻線(cooling line)。冷卻線因此是裝配至冷卻主體的獨立構件。
    冷卻線可例如藉由熔接(welding)、接合(bonding)或焊接(soldering)而連接至冷卻主體。
    冷卻通道可以曲折方式(meandering fashion)體現，且在不同的冷卻帶中亦可具有不同的幾何形狀。在光學元件中出現複數個冷卻帶時，如果在想像容積單位(imaginary volume unit)之冷卻通道表面的總和與另一個冷卻帶不同，則冷卻帶是與冷卻通道之頻率不同。例如，如果冷卻通道在一冷卻帶中的幾何剖面例如為多重週期性的重複，其中重複數大於另一冷卻帶，則亦出現不同頻率。
    光學元件亦可藉由以下做法利用冷卻主體冷卻：冷卻主體經由連接元件與光學元件熱接觸；及藉由以下做法在一個局部區域中達成更大的冷卻：在連接元件及光學元件之間的接觸面積比另一個局部區域大。針對所要局部冷卻率而調適形成連接元件因此構成另一個關於在不同局部區域中冷卻光學元件的替代方案。在此例中，藉由調換連接元件，可以簡單的方式針對新的條件而調適系統的整體組態(overall configuration)。
    光學元件可在光學作用表面上具備EUV吸收體層(EUV absorber layer)，該EUV吸收體層在光學作用表面的不同區域中具有不同的厚度。藉由塗覆EUV吸收體層，尤其可以獲得撞擊在光學元件上的電磁輻射的位置調適強度的調變(location-adapted intensity modulation)。在吸收體層之具有較高厚度的局部區域中，由於此處的能量輸入比具有較小厚度之EUV吸收體層的局部區域大，因此需要以不同的程度冷卻。
    光學元件亦可以是具有複數個個別反射鏡琢面的琢面鏡。在此例中，可在至少一個個別反射鏡琢面中整合具有冷卻通道的微型冷卻器(micro cooler)。在此例中，利用個別或若干組以不同程度冷卻的個別反射鏡琢面，達成所要的空間解析冷卻。
    微型冷卻器可整合於個別反射鏡琢面的鏡射表面(mirroring surface)下方，且一般具有在起源位置(originating location)儘可能反制熱能量輸入的功能。
    個別反射鏡琢面的反射鏡載體，也就是說個別反射鏡琢面承載鏡射表面的部分，可含有冷卻劑的進給線(feed line)及排放線(discharge line)。
    進給線例如可在個別反射鏡琢面之中央的區域中展開(open)，及排放線可連接至循環體現的邊緣通道(circularly embodied edge channel)。
    可藉由蝕刻或微銑切(micro milling)製造冷卻通道。
    琢面鏡的反射鏡承載體，也就是說其中整合個別反射鏡琢面的主體，亦可連接至其他冷卻構件。
    在此例中，反射鏡承載體的冷卻構件同樣可組態，致使反射鏡承載體可在至少一個局部區域中比另一個局部區域以更大的程度冷卻。藉由此手法，可進一步改良空間解析冷卻。
    另外，亦可在光學元件中整合溫度感測器，因而可以在光學元件上達成例如溫度分布的開放迴路/封閉迴路控制。
    在與照明設定改變相關聯的計劃熱負載改變(planned thermal load change)中，亦可藉由冷卻流(cooling flow)防止在此例中預期發生的變形。針對相對緩慢之冷卻回路的開放迴路及封閉迴路控制，這例如利用選擇合適的時間性參數來防止。
    為了空間解析冷卻光學元件的這些熱分布，在此使用冷卻主體1、23(圖1、2及5)。所顯示的冷卻主體1例如可裝配至琢面鏡或偏向鏡，或體現為EUV偏向鏡的反射鏡載體(圖4及6)。將微型冷卻器10整合至個別反射鏡琢面8的可能性顯示於圖3a。
    圖1及圖2顯示具有引入兩個冷卻帶2及3中之冷卻通道4的冷卻主體1，其中第一冷卻帶2針對環形熱負載(annular thermal load)而設計，及第二冷卻帶3針對雙極型熱負載(dipole-type thermal load)而設計。圖1未圖解光學元件的光學作用表面；在所顯示的範例中，該光學作用表面位在箭頭7指示的區域中。冷卻帶3沿著所繪z方向，位在比冷卻帶2更深層級處的平面中。在冷卻主體1中，另外亦可實施諸如根據先前技術針對均勻冷卻使用及並不用於局部調適冷卻的冷卻通道。圖1顯示冷卻主體1，其中僅描繪用於局部調適冷卻的冷卻通道4。冷卻主體1的有利材料例如可以是鋼、鋁、陶瓷及銅。在此所顯示的冷卻通道4實質上以曲折方式體現，但亦可具有例如平直的或圓形剖面。可使用機械加工製造方法以及侵蝕及/或蝕刻方法及還有鑄造及模製方法製造冷卻通道4。另一個可能性(在此未顯示)如在相關聯光學元件之光學非作用表面的區域中由冷卻線與冷卻主體1的連接組成，該等冷卻線因而對應於冷卻通道4。如藉由焊接、錫焊、接合或另外藉由其他連接技術，可實行冷卻線(在此未圖解)與冷卻主體1的連接。可行的有其中利用以下方式執行冷卻的具體實施例：利用專門實施於冷卻主體1中的冷卻線、利用專門實施於冷卻主體1中的冷卻通道4、或利用實施之冷卻線及冷卻通道4的組合。圖1及圖2中圖解的冷卻通道4或還有冷卻線(未圖解)各經由入口5及出口6連接至冷卻回路(圖式中未描繪)，致使冷卻介質可透過冷卻通道4從入口5流至出口6。冷卻介質例如可以是水、乙二醇或液態金屬。管直徑可在約5 mm至9 mm的範圍中，及冷卻介質的容量流率例如可以是每分鐘3公升。預計各個冷卻回路的壓力損失不超過約1 bar的值。
    舉例而言，在圖1中，冷卻主體1受到環形熱負載(圖1中以彎曲的箭頭7指示)的影響。為了達到冷卻的目的，在此尤其可以使用第一冷卻帶2，其中冷卻介質流動通過該冷卻帶2的冷卻通道4。為冷卻由複數個環狀照明區域的不同環形照明設定造成的熱分布，亦可將其他冷卻帶引入冷卻主體1中；除了環狀冷卻帶2外，還有該等其他冷卻帶沿著具有較小或較大直徑的圓環延伸。僅是舉例而言，在圖1的冷卻主體1中提供一個環狀冷卻帶2。
    圖1中的剖面圖I-I以平面圖顯示冷卻通道4在環狀冷卻帶2中的曲折路線。
    有益的是同時以不同組態的冷卻帶設計冷卻主體1。這在光學元件的熱負載隨著時間改變時特別有利。
    圖2如剖面II-II顯示圖1中圖解的冷卻主體1在沿著所繪z方向之更深層級處的平面中具有第二冷卻帶3。該冷卻帶3由局部冷卻帶3.1及3.2組成，該等冷卻帶一起形成雙極型配置。在雙極型熱負載的情況中，可使用冷卻帶3以位置調適方式(location-adapted manner)補償冷卻主體中的非對稱熱分布。冷卻帶3同樣具有入口5及出口6，冷卻介質可分別從入口流入及從出口流出。該冷卻帶3的冷卻通道4連接至冷卻回路(在圖式中未圖解)。
    為了冷卻局部不同熱分布的目的，除了獨立使用不同的冷卻帶2及3，尤其還有結合使用該等冷卻帶2及3中之冷卻通道4的可能性，以便亦能夠對其他照明設定作出反應。個別冷卻帶2及3及還有個別冷卻通道4針對快速改變而設計。換言之，在此具體實施例的情況中，可在簡短的時間內，將個別冷卻通道4及(若需要的話)冷卻帶2及3的冷卻線可與冷卻回路斷開或連接。由冷卻主體1及冷卻回路建立的冷卻系統一般在時間上較為緩慢。因此，在施行計劃的照明設定改變時，在此例中，在有關第一冷卻帶2之時間上受限制的冷卻流期間，再補充連接第二冷卻帶3。
    為了決定個別冷卻帶2及3的溫度，其中亦可另外實施溫度感測器，其亦可由冷卻系統的開放迴路及封閉迴路控制使用。
    冷卻通道4中的流動可以是層流的或擾動的，或呈現中間狀態。在此例中，擾流相對於層流具有更有效冷卻的優點。然而，必須小心確保冷卻介質的流動不會引發任何機械震盪，這在光學曝光程序中是不想要的。為了使冷卻主體1的全面性區域均勻冷卻的目的，尤其亦可實施根據逆流原理(countercurrent principle)操作的冷卻通道4。
    個別光學元件的熱分布一般亦取決於其材料及其構件幾何形狀。經驗值、實驗測量及還有FEM計算的使用有利於決定空間解析熱分布及發生的局部變形，及有利於設計具有冷卻通道4的冷卻主體1及設計開放迴路及封閉迴路控制。
    圖3a顯示本發明的變化，其中在琢面鏡的個別反射鏡琢面中應用根據本發明的原理。可在EUV照明系統中含有的此類琢面鏡例如可由500至600個個別反射鏡琢面8組成，且一般在反射鏡承載體(未在圖中圖解)的孔洞中實施。在相關聯投影曝光設備的操作期間，入射EUV輻射加熱個別反射鏡琢面8及反射鏡承載體，其中尤其是個別反射鏡琢面8之光學作用表面9的變形亦證實對光學照明程序不利。此外，由反射鏡承載體及許多個別反射鏡琢面組成的整個模組亦可由於熱負載而變形。
    圖3a圖解個別反射鏡琢面8，其中將具有冷卻通道4'的微型冷卻器10直接整合於光學作用表面9下方。因此實質上極為接近由EUV輻射引發的能量輸入來實行冷卻，及因此反制光學作用表面9的變形。所顯示個別反射鏡琢面8中的微型冷卻器10以環狀方式體現且具有曲折的冷卻通道4'。個別反射鏡琢面8的反射鏡載體11含有進給線12及排放線13，其可例如藉由蝕刻製造。反射鏡載體11在此以如此方式體現，致使冷卻介質流動通過用作進給線12的中央中間通道，到達反射鏡的中央。從此處，冷卻介質徑向進給至個別反射鏡琢面的微型通道中，然後經由循環體現的邊緣通道到達反射鏡載體11的排放線13。冷卻介質可因此經由入口5流動通過進給線12至冷卻通道4'。經由同樣整合至反射鏡載體11中的排放線13，冷卻介質從冷卻通道4'通到兩個出口6。入口5及兩個出口6連接至冷卻回路(在此未明確地圖解)。冷卻通道4'可例如藉由使用氫氟酸及使用光罩(photomask)以蝕刻來製造。然而，在此例中，使用光罩以應用在要蝕刻的結構並不構成必要的步驟。引入結構的其他可能性包括在事先塗覆於反射鏡後側的層中進行微銑切及浮凸壓印(embossing)，該層例如可由鎳構成。然而，引入結構的較佳方法為蝕刻及微銑切，因為可因此在沒有額外其他層的均勻材料中進行熱傳送。反射鏡後側14與反射鏡載體11的連接較佳可利用擴散焊接(diffusion welding)或雷射接合(laser bonding)施行。
    在圖3b顯示的例示性具體實施例中，琢面鏡的基本冷卻亦可經由反射鏡承載體1'實行，其中該反射鏡承載體因而可體現為如具有用於空間解析冷卻的三個個別冷卻帶16、17及18的冷卻主體。舉例而言，反射鏡承載體1'在此含有冷卻劑在其中流動的不同冷卻通道4"。因此首先可以反制整個模組的變形。相比之下，實質上以整合的微型冷卻器10避免及減少個別反射鏡琢面8之光學作用表面9的變形。
    圖4、圖5及圖6各以在三個冷卻帶16、17及18中進行空間解析冷卻的不同可能性，顯示用於EUV微影的多層反射鏡15。多層反射鏡15位在真空中，由基板(substrate)19、用於反射EUV輻射的MoSi層20、及具有局部不同厚度的EUV吸收體層21組成。EUV吸收體層21例如可由釕、鉬或矽組成，及在此所顯示的例子中例如具有線性厚度梯度，致使EUV輻射在操作期間，在EUV吸收體層21局部以不同程度被吸收。反射輻射相對於入射輻射尤其具有強度調變(intensity modulation)，其由具有EUV吸收體層21的多層反射鏡15的吸收所造成。由於EUV輻射的熱輸入因此局部不同，致使在多層反射鏡15中可形成溫度梯度，此溫度梯度視情況亦導致多層反射鏡15的應變及變形。因此尤其可因多層反射鏡15之光學作用表面9的變形而發生成像像差(imaging aberration)及波前像差(wavefront aberration)。
    圖4圖解具有局部不同厚度之EUV吸收體層21的多層反射鏡15，其中利用適當挑選冷卻回路的參數實行空間解析冷卻。為此目的，冷卻回路分成三個局部冷卻回路，獨立冷卻通道4"連接至各個局部冷卻回路。這因此在此範例中形成三個冷卻帶16、17及18。在操作期間，尤其可以設定各個冷卻帶的冷卻介質、初始溫度、通流率(throughflow rate)、及相異流動狀態的類型並隨著時間更改這些項目。流動狀態可為層流的或擾動的，或呈現中間狀態。舉例而言，可經由可調整閥(adjust valve)影響流動狀態。在操作期間，尤其亦可實行以下兩個特殊狀態：其中在第一個狀態中，維持恆定的輸入溫度，及針對由吸收的EUV輻射產生的能量率，個別地調適通流率。在第二個特殊狀態中，提供恆定的流速，但可局部不同地調適冷卻介質的輸入溫度。大體說來，冷卻帶中的冷卻率必須反制由EUV輻射引發的空間解析能量輸入。在圖4所顯示的範例中，基板19同時實現冷卻主體的功能。
    圖5顯示具有局部不同EUV吸收體層21及三個冷卻帶16、17及18的多層反射鏡15。各具備不同大小之接觸面積的三個連接元件22裝配於基板19。接觸面積觸及多層反射鏡15的基板19。基板19在此範例中不具備冷卻通道4；而是出現獨立冷卻主體23，冷卻通道4'''在該冷卻主體中延伸。例如利用在基板19及冷卻主體23之間之接觸面積的大小，個別地設定三個冷卻帶16、17及18中的熱傳送係數，以便能夠反制因EUV輻射造成的空間解析能量輸入。
    圖6圖解具有局部不同EUV吸收體層21的多層反射鏡15，其中在此所圖解三個冷卻帶16、17及18中的冷卻通道4具有不同幾何形狀。冷卻通道4在此以曲折的方式體現，且隨著EUV吸收體層21的梯度具有不同的頻率。
    作為圖5及6中圖解的替代方案，亦可針對冷卻帶，在各情況中或部分地使用獨立的冷卻回路，而非共同的冷卻回路。
    1‧‧‧冷卻主體
    1'‧‧‧反射鏡承載體
    2‧‧‧冷卻帶
    3‧‧‧冷卻帶
    3.1‧‧‧冷卻帶
    3.2‧‧‧冷卻帶
    4‧‧‧冷卻通道
    4'‧‧‧冷卻通道
    4"‧‧‧冷卻通道
    5‧‧‧入口
    6‧‧‧出口
    7‧‧‧箭頭
    8‧‧‧個別反射鏡琢面
    9‧‧‧光學作用表面
    10‧‧‧微型冷卻器
    11‧‧‧反射鏡載體
    12‧‧‧進給線
    13‧‧‧排放線
    14‧‧‧反射鏡後側
    15‧‧‧多層反射鏡
    16‧‧‧冷卻帶
    17‧‧‧冷卻帶
    18‧‧‧冷卻帶
    19‧‧‧基板
    20‧‧‧MoSi層
    21‧‧‧EUV吸收體層
    22‧‧‧連接元件
    23‧‧‧冷卻主體
    z‧‧‧方向
    參考圖式詳細解說本發明的例示性具體實施例，其中：圖1顯示具有環形熱負載之第一冷卻帶的冷卻主體；圖2顯示具有雙極型熱負載之第二冷卻帶的該冷卻主體；圖3a顯示其中整合微型冷卻器的光學個別反射鏡琢面；圖3b顯示具有三個冷卻帶及六個實施的個別反射鏡琢面之琢面鏡的反射鏡承載體；圖4顯示具有局部不同EUV吸收性及三個冷卻帶的光學多層反射鏡，其中可調適個別局部冷卻回路的參數；圖5顯示具有局部不同EUV吸收性及三個冷卻帶的光學多層反射鏡，其中有關光學多層反射鏡的接觸面積製作得局部不同；圖6顯示具有局部不同EUV吸收性及三個冷卻帶的光學多層反射鏡，其中冷卻通道的幾何形狀製作得局部不同。
    1‧‧‧冷卻主體
    2‧‧‧冷卻帶
    3‧‧‧冷卻帶
    4‧‧‧冷卻通道
    5‧‧‧入口
    6‧‧‧出口
    7‧‧‧箭頭
    z‧‧‧方向
    权利要求:
    Claims (20)
    [1] 一種用於半導體微影之投影曝光設備的光學元件，其包含一光學作用表面及用於冷卻該光學元件的至少一個冷卻構件，其特徵在於：該冷卻構件連接至至少兩個獨立冷卻回路，致使該光學作用表面可在至少一個局部區域中比另一個局部區域以更大的程度冷卻。
    [2] 如申請專利範圍第1項所述之光學元件，其特徵在於：該光學元件係用於EUV微影的一多層反射鏡，其中該多層反射鏡具有一反射鏡載體其提供有一冷卻主體或為一冷卻主體。
    [3] 如申請專利範圍第2項所述之光學元件，其特徵在於：該冷卻主體具有配置在不同冷卻帶以冷卻多個個別局部區域的多個冷卻通道。
    [4] 如申請專利範圍第3項所述之光學元件，其特徵在於：該等不同冷卻帶配置在關於z方向的不同平面中。
    [5] 如申請專利範圍第3或4項所述之光學元件，其特徵在於：該等冷卻通道連接至多個獨立冷卻回路。
    [6] 如申請專利範圍第3至5項中任一項所述之光學元件，其特徵在於：該等冷卻通道藉由鑄造方法、模製方法、侵蝕、蝕刻或機械加工製造方法形成。
    [7] 如申請專利範圍第3至5項中任一項所述之光學元件，其特徵在於：該等冷卻通道為連接至該冷卻主體的多個冷卻線。
    [8] 如申請專利範圍第7項所述之光學元件，其特徵在於：該等冷卻線藉由熔接、接合或焊接連接至該冷卻主體。
    [9] 如申請專利範圍第3項所述之光學元件，其特徵在於：該等冷卻通道表現為曲折方式且對於不同冷卻帶具有不同幾何形狀。
    [10] 如申請專利範圍第2項所述之光學元件，其特徵在於：該冷卻主體經由多個連接元件與該光學元件熱接觸，及藉由以下做法在一個局部區域中達成較大的冷卻：在連接元件及光學元件之間的接觸面積大於其他的局部區域。
    [11] 如申請專利範圍前述任一項所述之光學元件，其特徵在於：一EUV吸收體層配置在該光學作用表面上，該EUV吸收體層在該光學作用表面的不同區域中具有不同的厚度。
    [12] 如申請專利範圍第1項所述之光學元件，其特徵在於：該光學元件係具有複數個個別反射鏡琢面的一琢面鏡，及在於：將具有多個冷卻通道的一微型冷卻器整合至至少一個個別反射鏡琢面中。
    [13] 如申請專利範圍第12項所述之光學元件，其特徵在於：將該微型冷卻器整合於該個別反射鏡琢面的一鏡射表面下方。
    [14] 如申請專利範圍第12及13項中任一項所述之光學元件，其特徵在於：該個別反射鏡琢面的一反射鏡載體含有冷卻劑的進給線及排放線。
    [15] 如申請專利範圍第12至14項中任一項所述之光學元件，其特徵在於：一進給線在該個別反射鏡琢面之中央的區域中展開，及一排放線連接至一循環的邊緣通道。
    [16] 如申請專利範圍第12至15項中任一項所述之光學元件，其特徵在於：藉由蝕刻或微銑切製造該等冷卻通道。
    [17] 如申請專利範圍第12至16項中任一項所述之光學元件，其特徵在於：該琢面鏡的一反射鏡承載體連接至其他冷卻構件。
    [18] 如申請專利範圍第17項所述之光學元件，其特徵在於：該反射鏡承載體的該等冷卻構件組態，致使該反射鏡承載體在至少一個局部區域中可比另一個局部區域以更大的程度冷卻。
    [19] 如申請專利範圍前述任一項所述之光學元件，其特徵在於：存在溫度感測器。
    [20] 一種用於半導體微影的投影曝光設備，尤其用於EUV微影，包含一如申請專利範圍第1至19項中任一項所述之光學元件。
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