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    • 专利摘要:
    碳膜上之氧化物膜成膜方法係具備有：於被處理體上形成碳膜之製程；於該碳膜上形成被氧化體層之製程；以及一邊氧化該被氧化體層、一邊於該被氧化體層上形成氧化物膜之製程。
    公开号:TW201301393A
    申请号:TW100148504
    申请日:2011-12-26
    公开日:2013-01-01
    发明作者:Akinobu Kakimoto；Atsushi Endo；Kazumi Kubo
    申请人:Tokyo Electron Ltd；
    IPC主号:H01L21-00
    专利说明:
    碳膜上之氧化物成膜方法及成膜裝置
    此揭示係關於一種碳膜上之氧化物膜成膜方法及成膜裝置。
    於半導體裝置之製程中，有時會於碳膜上形成氧化矽(SiO2)膜而進行圖案化之情況。
    例如，以往記載了於非晶碳膜上形成SiO2膜，將此SiO2膜加以圖案化，進而使用經過圖案化之SiO2膜來蝕刻非晶碳膜之技術。
    但是，於碳膜上直接形成SiO2膜之情況，會有碳膜之膜厚減少之情事。例如，若將處理溫度定在室溫而使用電漿進行ALD法，碳膜會減少3~4nm程度。此外，若將處理溫度定在300℃以相同條件使用電漿來進行ALD法，會於碳膜發生5~7nm程度之膜減少。發生此情況之主要因素之一乃因在SiO2膜之成膜初期階段，碳膜表面之碳會和氧(O2)、氧自由基(O＊)發生反應而成為CO2、CO來揮發掉。
    此揭示之第1樣態的碳膜上之氧化物膜成膜方法，係具備有下述製程：(1)於被處理體上形成碳膜之製程；(2)於該碳膜上形成被氧化體層之製程；(3)一邊氧化該被氧化體層、一邊於該被氧化體層上形成氧化物膜之製程。
    此揭示之第2樣態之成膜裝置，係於碳膜上形成氧化物膜；其特徵在於具備有：處理室，係將形成有該碳膜之被處理體加以收容；氣體供給機構，係對該處理室內供給用以形成被氧化體層之被氧化體成膜氣體、以及用以形成氧化物膜之氧化物成膜氣體；以及控制裝置，係控制該氣體供給機構；另外，該控制裝置係以於該處理室內對該被處理體實行前述第1樣態之成膜方法的方式來控制該氣體供給機構。
    (成膜方法)
    圖1A係顯示此揭示之一實施形態的碳膜上之氧化物膜成膜方法之一例的流程圖，圖1B係顯示圖1A中之步驟2之一例的流程圖，圖2A~圖2E係示意顯示圖1A以及圖1B所示程序中之被處理體狀態的截面圖。
    首先，如圖1A中之步驟1所示般，於被處理體上形成碳膜。於本例中，在被處理體方面係使用了半導體晶圓例如矽晶圓W。於此矽晶圓W之矽基板1上形成本例中之非晶碳膜2(圖2A)。非晶碳膜2能以例如下述方法來形成：將處理溫度定在200℃~400℃而使用電漿CVD(Chemical Vapor Deposition)法、電漿ALD(Atomic Layer Deposition)法、或是電漿MLD(Molecular Layer Deposition)法來進行成膜之方法；或是將處理溫度定在700℃~900℃而使用熱CVD法來進行成膜之方法。在成膜氣體方面可使用含碳之氣體例如乙烯(C2H4)氣體等。
    其次，如圖1A中之步驟2所示般，於非晶碳膜2上形成被氧化體層。構成被氧化體層之物質只要是可氧化之物質即可。於本例中，構成被氧化體層之物質係選擇矽，來形成含矽之層。此外，於本例中含矽之層係如圖1B所示般分二階段來形成。
    首先，如圖1B中之步驟21所示般，將形成有非晶碳膜2之矽晶圓W搬入成膜裝置之處理室內，於非晶碳膜2上形成種晶層3(圖2B)。於本例中，係提高處理室內之溫度來將形成有非晶碳膜2之矽晶圓W予以加熱，對加熱後之非晶碳膜2表面供給胺基矽烷系氣體。藉此，於非晶碳膜2之表面上形成種晶層3。
    在胺基矽烷系氣體之例子方面，可舉出BAS(丁基胺基矽烷)、BTBAS(雙特丁基胺基矽烷)、DMAS(二甲基胺基矽烷)、BDMAS(雙二甲基胺基矽烷)、TDMAS(三二甲基胺基矽烷)、DEAS(二乙基胺基矽烷)、BDEAS(雙二乙基胺基矽烷)、DPAS(二丙基胺基矽烷)、DIPAS(二異丙基胺基矽烷)等。於本例中係使用DIPAS。
    步驟21之處理條件之一例為：
    DIPAS流量：400sccm
    處理時間：5min
    處理溫度：400℃
    處理壓力：133Pa(1Torr)
    步驟21之製程在本說明書中以下係稱為前流程(pre-flow)。
    步驟21乃使得矽原料容易吸附於非晶碳膜2之製程。此外，於本說明書中雖記載在步驟21形成種晶層3，惟實際上幾乎並未成膜。種晶層3之厚度較佳為單原子層級之厚度程度。舉出具體之種晶層3厚度為0.1nm以上0.3nm以下。
    其次，如圖1B中之步驟22所示般，於種晶層3上形成矽層4(圖2C)。於本例中，在上述處理室內，將形成有種晶層3之矽晶圓W加熱，而對經加熱之種晶層3表面供給不含胺基之矽烷系氣體。藉此，不含胺基之矽烷系氣體於種晶層3表面上產生熱分解，於種晶層3上形成矽層4。如此般本例之被氧化體層5係包含膜厚0.1nm以上0.3nm以下之種晶層3以及形成於種晶層3上之矽層4，整體膜厚之一例為例如3nm以上5nm以下。
    在不含胺基之矽烷系氣體之例方面可舉出含有SiH2、SiH4、SiH6、Si2H4、Si2H6、以SimH2m+2(其中，m為3以上之自然數)之式所表示之矽氫化物、以及以SinH2n(其中，n為3以上之自然數)之式所表示之矽氫化物中至少一者的氣體。於本例中係使用SiH4(單矽烷)。
    步驟22之處理條件之一例為：
    單矽烷流量：800sccm
    處理時間：3min
    處理溫度：530℃
    處理壓力：133Pa(1Torr)
    上述單矽烷流量、處理溫度、以及處理壓力之條件係以約3分鐘之處理時間(沉積時間)在種晶層3上形成3nm程度之薄矽層4，而形成包含種晶層3以及矽層4之被氧化體層5。
    其次，如圖1A中之步驟3所示般，於上述處理室內，一邊使得被氧化體層5(本例中為包含種晶層3以及矽層4之被氧化體層5)進行氧化(圖2D)、一邊於被氧化體層5上形成氧化物膜。於本例中，在氧化物膜方面係於被氧化體層5上形成氧化矽膜6(圖2E)。
    依據如此之一實施形態之碳膜上之氧化物膜之成膜方法，於本例中係一邊使得形成於非晶碳膜2上之被氧化體層5產生氧化、一邊於非晶碳膜2上形成氧化物膜(本例為氧化矽膜6)。因此，即使於非晶碳膜2上形成氧化矽膜6，也可抑制非晶碳膜2之膜厚減少。
    非晶碳膜2之膜厚減少的主要因素之一乃是於氧化矽膜6之成膜初期階段，一旦氧化劑例如氧(O2)、氧自由基(O＊)和非晶碳膜2表面接觸，則碳會和氧、氧自由基反應，而成為CO2、CO揮發。
    針對如此之情事，於一實施形態中係事先於非晶碳膜2表面上形成被氧化體層5。因此，於氧化矽膜6之成膜初期階段，可抑制氧、氧自由基直接接觸於非晶碳膜2表面。從而，非晶碳膜2之碳變得不易揮發，可抑制其膜厚減少。
    再者，於一實施形態，在被氧化體層5受到氧化後成為與之後所形成之化物膜為同一膜。於本例中，被氧化體層5係設定為含矽之層，氧化物膜係設定為氧化矽膜6。含矽之層受到氧化成為氧化矽層，成為和氧化矽膜6相同。此外，尚有用以形成被氧化體層5之成膜氣體與形成氧化物膜之成膜氣體共通化之優點。於本例中，可將胺基矽烷系氣體或是不含胺基之矽烷系氣體當做氧化物膜之成膜氣體來使用。當然，亦可成為在非晶碳膜2與氧化矽膜6之間夾著有別於氧化矽之氧化物的構造，惟若希望成為不夾著不同氧化物之構造，只要成為本實施形態即可。
    此外，含矽被氧化體層5經過氧化所形成之氧化矽層係發揮氧難以通過之氧障壁層的功能。因此，也可抑制形成氧化矽膜6之過程中氧化劑通過被氧化體層5而到達非晶碳膜2之情事。從而，於形成氧化矽膜6之過程中也可抑制意外性之非晶碳膜2之膜厚減少。
    此外，於一實施形態，被氧化體層5係以種晶層3之形成以及矽層4之形成這二階段來形成。依據此構成，可得到於非晶碳膜2上所形成之被氧化體層5之膜厚成為極薄之優點。舉出極薄膜厚之一例為3nm以上5nm以下。
    矽層通常係使用不含胺基之矽烷系氣體來形成。但是，若使用不含胺基之矽烷系氣體來於非晶碳膜2上形成膜厚為例如3nm以上5nm以下之矽層4，由於矽在晶粒成長階段，故會產生於晶粒間出現間隙之矽層4。以如此之矽層4而言，於氧化矽膜6之成膜初期階段，氧化劑會經由間隙而直接接觸於非晶碳膜2表面。其結果，非晶碳膜2會被氧化而揮發。因此，相較於無間隙之矽層4，抑制非晶碳膜之膜厚減少的效果變弱。
    但是，於一實施形態，在形成矽層4之前，使用胺基矽烷系氣體來於非晶碳膜2上形成種晶層3(前流程)。矽層4係形成於種晶層3上。如此一來，可縮短至開始矽層4之成膜的時間(以下稱為醞釀時間)。醞釀時間短一事係指得到極薄矽層4(例如膜厚為3nm以上5nm以下之矽層4)或是得到無間隙而膜質均勻之矽層4。
    圖3係顯示了沉積時間與矽層4之膜厚的關係。圖3所示結果為底層係氧化矽(SiO2)之情況，惟不論底層為氧化矽或是非晶碳都顯現同樣的傾向。理由在於因前流程亦即胺基矽烷系氣體受熱分解所得之種晶層3形成於底層上之故。矽層4係完全吸附於種晶層3上而成膜。
    於本例所使用之前流程的處理條件為：
    DIPAS流量：500sccm
    處理時間：5min
    處理溫度：400℃
    處理壓力：53.2Pa(0.4Torr)
    同樣用以形成本例所使用之矽層4的處理條件為：
    單矽烷流量：500sccm
    堆積時間：30min/45min/60min
    處理溫度：500℃
    處理壓力：53.2Pa(0.4Torr)
    矽層4之膜厚係針對沉積時間為30min之時、45min之時、以及60min之時的3點來測定。
    圖3中之線I係顯示具有前流程之情況，線II係顯示無前流程之情況的結果。線I、II乃將所測定之3個膜厚以最小平方法取直線近似之直線，式子如下。
    線I：y=17.572x-20.855………(1)
    線II：y=17.605x-34.929………(2)
    如圖3所示般，具有前流程之情況相較於無前流程顯然矽層4之膜厚有增加之傾向。
    當上述(1)、(2)式定y=0、亦即矽層4之膜厚為“0”之時，計算線I、II與沉積時間的交點係如圖4所示。
    此外，圖4係將圖3中之虛線框A內加以放大之放大圖。
    如圖4所示般，當有前流程之時，矽層4之沉積係從處理開始隔約1.2min(x≒1.189)開始產生。相對地，當無前流程之矽層之時，矽層4之沉積係從處理開始隔約2.0min(x≒1.984)開始產生。
    如此般，藉由對於底層進行胺基矽烷系氣體之前流程，則醞釀時間可從約2.0min縮短為約1.2min。此結果，可使用單矽烷來形成薄的膜厚(例如3nm~5nm程度之膜厚)的矽層4。
    如上，依據一實施形態之碳膜上之氧化物膜之成膜方法，可提供一種即使於碳膜上形成氧化物膜也能抑制碳膜之膜厚減少的碳膜上之氧化物膜之成膜方法。
    (成膜裝置)
    其次，說明可實施上述一實施形態之碳膜上之氧化物膜之成膜方法的成膜裝置之一例。
    圖5係示意顯示可實施一實施形態之碳膜上之氧化物膜之成膜方法的成膜裝置之一例的截面圖。
    如圖5所示般，成膜裝置100係具有下端呈開口之有天花板的圓筒體狀處理室101。處理室101之全體係由例如石英所形成。於處理室101內之天花板設有石英製之天花板102。又例如以不鏽鋼成形為圓筒體狀之歧管103係經由O型環等密封構件104來連結於處理室101之下端開口部。
    歧管103係支撐著處理室101之下端。從歧管103之下方可將可多段載置做為被處理體之複數片例如50~100片的半導體晶圓(於本例中為矽晶圓W)之石英製晶圓舟105插入處理室101內。晶圓舟105係具有複數根支柱106，藉由形成於支柱106之溝槽來支撐著複數片之矽晶圓W。
    晶圓舟105係經由石英製保溫筒107而載置在工作台108上。工作台108係被支撐在旋轉軸110(貫通於用以開閉歧管103下端開口部之例如不鏽鋼製蓋部109)上。於旋轉軸110之貫通部設有例如磁性流體密封件111，將旋轉軸110加以氣密地密封並以可旋轉的方式支撐著。於蓋部109之周邊部與歧管103之下端部之間係介設有例如O型環所構成之密封構件112。藉此，處理室101內之密封性受到保持。旋轉軸110係被安裝在例如晶圓舟升降器等升降機構(未圖示)所支撐之臂部113前端。藉此，晶圓舟105以及蓋部109等受到一體性升降而相對於處理室101內進行插入、脫離。
    成膜裝置100係具有：處理氣體供給機構114，係對處理室101內供給處理用氣體；以及惰性氣體供給機構115，係對處理室101內供給惰性氣體。
    處理氣體供給機構114係包含有：含碳之氣體供給源116、胺基矽烷系氣體供給源117、不含胺基之矽烷系氣體供給源118、以及含氧化劑氣體供給源119。含碳氣體之一例為乙烯(C2H4)氣體，含氧化劑氣體之一例為氧(O2)氣體。
    惰性氣體供給機構115係包含有惰性氣體供給源120。惰性氣體係被利用於沖洗氣體等。惰性氣體之一例為氮(N2)氣體。
    含碳之氣體供給源116係經由流量控制器121a以及開閉閥122a來連接於分散噴嘴123。分散噴嘴123係由石英管所構成，而對歧管103之側壁往內側貫通並朝上方彎曲而垂直延伸。於分散噴嘴123之垂直部分，複數氣體流出孔124係隔著既定間隔來形成。含碳之氣體係從各氣體流出孔124沿水平方向朝向處理室101內大致均勻地流出。
    胺基矽烷系氣體供給源117係經由流量控制器121b以及開閉閥122b而連接於分散噴嘴123。胺基矽烷系氣體也從各氣體流出孔124沿著水平方向朝向處理室101內大致均勻地流出。
    此外，不含胺基之矽烷系氣體供給源118也經由流量控制器121c以及開閉閥122c而連接於例如分散噴嘴123。不含胺基之矽烷系氣體也從各氣體流出孔124沿著水平方向朝向處理室101內大致均勻地流出。
    含氧化劑氣體供給機構119係經由流量控制器121d以及開閉閥122d而連接於分散噴嘴125。分散噴嘴125係由石英管所構成，而對歧管103之側壁往內側貫通並朝上方彎曲而垂直延伸。於分散噴嘴125之垂直部分，複數氣體流出孔126係隔著既定間隔來形成。含氧化劑氣體係從各氣體流出孔126沿著水平方向朝向處理室101內大致均勻地流出。
    惰性氣體供給源120係經由流量控制器121e以及開閉閥122e來連接於噴嘴128。噴嘴128係貫通歧管103之側壁，來自其前端之惰性氣體係沿著水平方向朝向處理室101內流出。
    在處理室101內之與分散噴嘴123以及125呈相反側之部分係設有用以對處理室101內進行排氣之排氣口129。排氣口129係將處理室101側壁朝上下方向削除而細長地形成。處理室101對應於排氣口129的部分係以包覆排氣口129的方式焊接裝設有截面形成為ㄈ字形狀的排氣口蓋體構件130。排氣口蓋體構件130係沿著處理室101側壁往上方延伸，將氣體出口131規定於處理室101上方。於氣體出口131連接著包含真空泵等的排氣機構132。排氣機構132係藉由對處理室101內進行排氣來進行處理所使用之處理氣體的排氣、並且將處理室101內之壓力設定為因應於處理之處理壓力。
    於處理室101之外周設有筒體狀加熱裝置133。加熱裝置133係將供給於處理室101內之氣體予以活性化，並將收容在處理室101內之被處理體(本例為矽晶圓W)予以加熱。
    成膜裝置100之各部的控制係例如藉由微處理器(電腦)所構成之控制器150來進行。於控制器150連接著操作者為了管理成膜裝置100而進行指令輸入操作等之鍵盤、將成膜裝置100之運轉狀況予以視覺化顯示之顯示器等所構成之使用者介面151。
    於控制器150連接著記憶部152。記憶部152係儲存有藉由控制器150之控制來實現於成膜裝置100所實行之各種處理的控制程式、用以因應於處理條件而於成膜裝置100之各構成部實行處理的程式(亦即配方)。配方係例如儲存於記憶部152中的記憶媒體。記憶媒體可為硬碟、半導體記憶體，亦可為CD-ROM、DVD、快閃記憶體等可攜式物。此外，也可從其他裝置經由例如專用配線來適宜傳輸配方。配方係視必要性而依據來自使用者介面151的指示等以自記憶部152讀取出，並以控制器150來實行依據所讀取出之配方的處理，藉此，成膜裝置100可基於控制器150的控制來實施所希望之處理。
    於本例中，基於控制器150的控制，來依序實行遵循上述一實施形態之碳膜上之氧化物膜之成膜方法的步驟1、步驟21、步驟22、步驟3的處理。步驟3之氧化物膜之成膜係將含矽氣體(例如不含胺基之矽烷系氣體)以及含氧化劑氣體從不含胺基之矽烷系氣體供給源118以及含氧化劑氣體供給源119往處理室101內作供給，並使用加熱裝置133來加熱矽晶圓W以實行。於此情況，形成做為氧化物膜之氧化矽膜6。
    氧化矽膜6之成膜可採用交替供給含矽氣體與含氧化劑氣體來進行成膜之所謂的ALD(Atomic Layer Deposition)法或是MLD(Molecular Layer Deposition)法；或採用同時供給含矽氣體與含氧化劑氣體來進行成膜之所謂的CVD(Chemical Vapor Deposition)法。在ALD(或是MLD)法的例子方面可舉出將處理溫度設定在室溫(25℃)~400℃之電漿ALD(或是MLD)法或是ALD(或是MLD)法，在熱CVD法的例子方面可舉出將處理溫度設定在400℃~800℃之電漿CVD法或是熱CVD法。
    上述一實施形態之碳膜上之氧化物膜之成膜方法可藉由圖5所示般的成膜裝置100來實施。
    以上，依照一實施形態說明了此揭示，惟此揭示不限定於上述一實施形態，可為各種的變形。此外，此揭示之實施形態並非以上述一實施形態做為唯一的實施形態。
    例如，氧化物膜可使用電漿CVD法來形成。於此情況下，例如於處理室101設置電漿生成機構，而將例如含氧化劑氣體予以電漿化。
    此外，氧化劑也可使用臭氧(O3)氣體，於此情況下，亦可於含氧化劑之氣體供給源119具備用以產生臭氧氣體的臭氧產生器。
    此外，於上述一實施形態，成膜裝置100係具備有含碳之氣體供給源116，而舉出了能以原位(in-situ)進行從非晶碳膜2之成膜到含矽之被氧化體層5以及氧化矽膜6之成膜的成膜裝置100。但是，成膜裝置只要至少具有胺基矽烷系氣體供給源117、不含胺基之矽烷系氣體供給源118、含氧化劑之氣體供給源119即可。即使於如此之成膜裝置，亦可於利用其他成膜裝置所形成的非晶碳膜2上以原位形成含矽之被氧化體層5以及氧化矽膜6，可抑制非晶碳膜2之膜厚減少。
    此外，於上述一實施形態係顯示了本揭示適用於搭載複數矽晶圓W進行一次性成膜的批次式成膜裝置的例子，惟不限定於此，也可適用於針對每一片晶圓進行成膜之單片式成膜裝置。
    此外，在被處理體方面不限定於半導體晶圓，本揭示也可適用於LCD玻璃基板等其他基板。
    其他，此揭示也可在不脫離其旨趣之範圍內進行各種變形。
    依據此發明，可提供一種即使於碳膜上形成氧化物膜也可抑制碳膜的膜厚減少之碳膜上之氧化物膜之成膜方法、以及實施該成膜方法的成膜裝置。
    此申請案係基於2010年12月27日所提出之日本專利申請第2010-290405號的優先權利益，該日本申請案之全部內容係當做參考文獻加入本說明書中。
    1‧‧‧矽基板
    2‧‧‧非晶碳膜
    3‧‧‧種晶層
    4‧‧‧矽層
    5‧‧‧被氧化體層
    6‧‧‧氧化矽膜
    100‧‧‧成膜裝置
    101‧‧‧處理室
    102‧‧‧天花板
    103‧‧‧歧管
    104‧‧‧密封構件
    105‧‧‧晶圓舟
    106‧‧‧支柱
    107‧‧‧保溫筒
    108‧‧‧工作台
    109‧‧‧蓋部
    110‧‧‧旋轉軸
    111‧‧‧磁性流體密封件
    112‧‧‧密封構件
    113‧‧‧臂部
    114‧‧‧處理氣體供給機構
    115‧‧‧惰性氣體供給機構
    116‧‧‧含碳之氣體供給源
    117‧‧‧胺基矽烷系氣體供給源
    118‧‧‧不含胺基之矽烷系氣體供給源
    119‧‧‧含氧化劑之氣體供給源
    120‧‧‧惰性氣體供給源
    121a~121e‧‧‧流量控制器
    122a~122d‧‧‧開閉閥
    123‧‧‧分散噴嘴
    124‧‧‧氣體流出孔
    125‧‧‧分散噴嘴
    126‧‧‧氣體流出孔
    128‧‧‧噴嘴
    129‧‧‧排氣口
    130‧‧‧排氣口蓋體構件
    131‧‧‧氣體出口
    132‧‧‧排氣機構
    133‧‧‧筒體狀加熱裝置
    150‧‧‧控制器
    151‧‧‧使用者介面
    152‧‧‧記憶部
    W‧‧‧矽晶圓
    圖1A係顯示此揭示之一實施形態之碳膜上之氧化物膜之成膜方法之一例的流程圖，圖1B係顯示圖1A中之步驟2一例之流程圖。
    圖2A~圖2E係示意顯示圖1A以及圖1B所示程序中之被處理體狀態之截面圖。
    圖3係顯示沉積時間與矽層4之膜厚關係圖。
    圖4係將圖3中之虛線框A內加以放大之放大圖。
    圖5係示意顯示可實施一實施形態之碳膜上之氧化物膜之成膜方法的成膜裝置之一例的截面圖。
    1‧‧‧矽基板
    2‧‧‧非晶碳膜
    3‧‧‧種晶層
    4‧‧‧矽層
    5‧‧‧被氧化體層
    6‧‧‧氧化矽膜
    权利要求:
    Claims (11)
    [1] 一種碳膜上之氧化物膜成膜方法，係具備有下述製程：(1)於被處理體上形成碳膜之製程；(2)於該碳膜上形成被氧化體層之製程；(3)一邊氧化該被氧化體層、一邊於該被氧化體層上形成氧化物膜之製程。
    [2] 如申請專利範圍第1項之碳膜上之氧化物膜成膜方法，其中該被氧化體層係含矽層。
    [3] 如申請專利範圍第2項之碳膜上之氧化物膜成膜方法，其中該製程(2)係包含有：加熱該被處理體，並對該碳膜表面供給胺基矽烷系氣體以於該碳膜上形成種晶層之製程；將形成有該種晶層之該被處理體予以加熱，並對該種晶層表面供給不含胺基之矽烷系氣體以於該種晶層上形成該矽層之製程。
    [4] 如申請專利範圍第3項之碳膜上之氧化物膜成膜方法，其中該胺基矽烷系氣體係選自含有BAS(丁基胺基矽烷)、BTBAS(雙特丁基胺基矽烷)、DMAS(二甲基胺基矽烷)、BDMAS(雙二甲基胺基矽烷)、TDMAS(三二甲基胺基矽烷)、DEAS(二乙基胺基矽烷)、BDEAS(雙二乙基胺基矽烷)、DPAS(二丙基胺基矽烷)、以及DIPAS(二異丙基胺基矽烷)中至少一者之氣體；該不含胺基之矽烷系氣體係選自含有SiH2、SiH4、SiH6、Si2H4、Si2H6、以SimH2m+2(其中，m為3以上之自然數)之式所表示之矽氫化物、以及以SinH2n(其中，n係3以上之自然數)之式所表示之矽氫化物中至少一者之氣體。
    [5] 如申請專利範圍第4項之碳膜上之氧化物膜成膜方法，其中該以SimH2m+2(其中，m為3以上之自然數)之式所表示之矽氫化物係選自三矽烷(Si3H8)、四矽烷(Si4H10)、五矽烷(Si5H12)、六矽烷(Si6H14)、七矽烷(Si7H16)中至少一者；該以SinH2n(其中，n為3以上之自然數)之式所表示之矽氫化物係選自環三矽烷(Si3H6)、環四矽烷(Si4H8)、環五矽烷(Si5H10)、環六矽烷(Si6H12)、環七矽烷(Si7H14)中至少一者。
    [6] 如申請專利範圍第3項之碳膜上之氧化物膜成膜方法，其中該矽層之膜厚係3nm以上5nm以下。
    [7] 如申請專利範圍第1項之碳膜上之氧化物膜成膜方法，其中該氧化物膜係氧化矽膜。
    [8] 如申請專利範圍第1項之碳膜上之氧化物膜成膜方法，其中該被處理體為半導體晶圓，該成膜方法係用於半導體裝置之製程中。
    [9] 一種成膜裝置，係於碳膜上形成氧化物膜；其特徵在於具備有：處理室，係將形成有該碳膜之被處理體加以收容；氣體供給機構，係對該處理室內供給用以形成被氧化體層之被氧化體成膜氣體、以及用以形成氧化物膜之氧化物成膜氣體；以及控制裝置，係控制該氣體供給機構；該控制裝置係以於該處理室內對該被處理體實行如申請專利範圍第1項之成膜方法的方式來控制該氣體供給機構。
    [10] 如申請專利範圍第9項之成膜裝置，其中形成被氧化體層之被氧化體成膜氣體係包含胺基矽烷系氣體、以及不含胺基之矽烷系氣體；該控制裝置係以於該處理室內對該被處理體實行如申請專利範圍第3項之成膜方法的方式來控制該氣體供給機構。
    [11] 如申請專利範圍第9項之成膜裝置，其中該氣體供給機構係進一步供給含碳之氣體。
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