专利摘要:
本発明は、少なくとも1つの底部(1)、該底部に割り当てられた回路支持体(2)、ならびに制御装置(4)を封止する蓋部(3)を備えた制御装置(4)に関する。
公开号:JP2011514002A
申请号:JP2010550125
申请日:2009-02-25
公开日:2011-04-28
发明作者:フォイクトレンダー クラウス;キミッヒ ペーター
申请人:ローベルト ボツシユ ゲゼルシヤフト ミツト ベシユレンクテル ハフツングRobert Bosch Gmbh;
IPC主号:H05K7-20
专利说明:

[0001] 先行技術
自動車における多くの制御装置は、少なくとも3つの構成部材、すなわち底部、回路支持体、および蓋部から形成されている。ここでは回路支持体とパワーエレクトロニクスとの間、ないしはこれら2つのケーシング部分の間において良好な熱的コンタクトが保証されることが重要である。回路支持体およびパワーエレクトロニクスの温度は動作中に上昇する。熱放散は、これまで例えば2つのケーシング部分に設けられた冷却リブによって行われてきた。これによって発生した損失熱を放散することができる。]
[0002] この方法の場合には確実な熱放散を保証するために、許容公差を狭くしなければならないという欠点がある。しかしながら非常に狭い許容公差を維持することにより、このような回路支持体の製造の値段は上昇する。熱放散は、水冷却、ペルチェ効果、熱交換、または換気によって行うことも可能である。しかしながらこのような装置を実装することは、とりわけ自動車製造においては非常に困難かつ高コストである。]
[0003] 回路支持体を介して熱を冷却体に伝導することが公知である。構成部材間に使用されるペースト、接着剤、または固体材料によって熱を直接冷却体に伝導させることができる。水を重力とは反対に移動させる、細管の毛管現象も公知であり、この毛管現象を熱放散のために利用することができる。]
[0004] とりわけ比較的大きい出力クラス用の制御装置においては著しい熱量が発生し、この著しい熱量は冷却路によって低減しなければならない。このためにしばしば冷却リブがケーシングに設けられ、付加的に熱伝導性ペーストまたは固体材料が使用される。これによりコストは上昇してしまう。]
[0005] 発明の概要
本発明によれば、少なくとも1つの底部、該底部に割り当てられた回路支持体、ならびに制御装置を封止する蓋部を備えた制御装置が設けられており、該制御装置は、熱を放散する基板および/または熱を放散する構成部材によって所期の温度とすることができる。基板は、冷却路を有する制御装置の内部に収納される。本発明による制御装置の構成によれば、とりわけペーストおよび固体材料の使用を省略することが可能となる。]
[0006] 有利には、冷却路は凹入部および/または溝として構成されている。制御装置の中に組み込まれる冷却路を用いた短い経路により、冷却効果の改善が達成される。冷却路は既存の非常に小さいケーシングに簡単に形成することができる。これによって温度負荷は小さくなる。さらにこのように構成された制御装置は、温度の変動が大きくても使用することができる。小さな構造スペースしか必要としないので、重量を節約することが可能となり、ひいては製造コストを低下させることが可能となる。]
[0007] さらに有利には、冷却路が浅い凹入部として形成されている。冷却路は既存のケーシングに形成することができる。このようなケーシングは、比較的大きな温度変動に損傷なく耐えることができる。]
[0008] さらに有利には、複数の冷却路を互いに接続して、冷却液を冷却路内で循環させることができる。]
[0009] 広幅の冷却路が、狭幅の冷却路の約2倍の幅であると有利である。]
[0010] さらには広幅の溝ないし冷却路の深さが、狭幅の溝ないし冷却路の約半分から2倍であると有利である。]
[0011] 有利には、冷却路は、底部および/または回路支持体および/または蓋部に設けられており、冷却路の深さは200μmよりも小さいか、120μmよりも小さいか、または10μmと120μmの間、とりわけ50μmと110μmの間にある。]
[0012] 本発明の別の実施形態においては、有利には、狭幅の冷却路のサイズは5μmと200μmの間、または10μmと150μmの間、または80μmと120μmの間にある。]
[0013] 有利には、広幅の冷却路のサイズは、100μmと10mmの間、または200μmと500μmの間、または200μmと300μmの間である。狭幅の冷却路が100μと200μmの間にあるとの記載は、実施形態に応じて選択可能な範囲を記載したものである。]
[0014] 有利には溝構造は制御装置の底部に設けられており、溝構造を備える回路支持体と蓋部との間の密封を非常に簡単に行うことができる。密封は、平坦または構造化された底部および蓋部の場合には非常に簡単に実施可能である。]
[0015] 本発明の実施形態および配置の関連において有利には、冷却路は、底部、回路支持体、おおび蓋部の表面にグループとして形成されている、および/または、互いに独立した種々異なるグループとして形成されており、この際それぞれ個々のグループは通流接続されている。]
[0016] さらに有利には、冷却液を制御装置の冷却路に注入した後、所定量の冷却液が、封止された制御装置内で負圧を形成するために再びポンプで排出される。]
[0017] さらに有利には、蓋部および/または底部は、導電性材料または電気絶縁性材料から形成される。]
[0018] 図面に基づき、以下に本発明を詳しく説明する。]
図面の簡単な説明

[0019] 図1は、少なくとも1つの底部と、該底部に割り当てられた回路支持体とを備えた制御装置の断面図である。
図2は、制御装置の別の1つの実施形態を示す図であり、ここでは蓋部に浅い溝が形成されている。
図3は、制御装置の別の1つの実施形態を示す図であり、ここでは蓋部に深い溝および浅い溝が形成されている。
図4は、制御装置の別の1つの実施形態を示す図であり、ここでは回路支持体に深い溝および浅い溝が形成されており、深い溝および浅い溝は交互に現れるのではなく群を形成している。
図5は、制御装置の別の1つの実施形態を示す図であり、ここでは回路支持体に深い溝が形成されており、蓋部に浅い溝が形成されている。
図6は、制御装置の別の1つの実施形態を示す図であり、ここでは回路支持体に浅い溝が形成されており、蓋部に深い溝が形成されており、この配置は底部にも設けることができる。
図7は、図3の平面図であり、ここでは全ての溝が互いに接続されている。
図8は、熱源を備えた、図3による制御装置の別の1つの実施形態を示す平面図である。] 図1 図2 図3 図4 図5 図6 図7 図8
[0020] 実施形態
図1からは、制御装置4に少なくとも1つの底部1、該底部に配置された回路支持体2、ならびに前記制御装置4を封止する蓋部3が設けられている様子が見て取れる。制御装置4は、図面には図示されていない熱を放散する基板および/または熱を放散する構成部材によって所期の温度となる。蓋部3は底部1を真空密に封止している。] 図1
[0021] 封止された制御装置4にて負圧を形成するために、制御装置4の冷却路11および/または12に冷却液を注入した後、所定量の冷却液が再びポンプで排出される。これによって蓋部3と底部1の間の接触圧力が増加する。]
[0022] 3つの部分、すなわち底部1、回路支持体2、蓋部3には、対応する構成部材のうちそれぞれ内部に位置する側に、以下冷却路11,12と呼ぶ凹入部ないし溝が形成されている。冷却路の深さTは最大でも300μmである。]
[0023] 冷却路11の深さTは、200μmよりも小さいか、または120μmよりも小さいか、または10μmと120μmの間、とりわけ50μmと110μmの間とすることができる。]
[0024] この溝構造は共同で空洞システムないし空間の形態の1つまたは複数の開口部を形成する。溝は、成型後に部分的に水または別の冷却液が充填される。溝構造の密閉は、ケーシング部分ないし蓋部3によって行われる。ケーシング部3は制御装置4を真空密に封止する。高い溝および深い溝を形成することができるので、個々の構成部材の製造はさほど手間が掛からない。というのは公知の制御装置の製造時のように製造公差を精確に注意する必要がないからである。]
[0025] 図2によれば、蓋部3には、深い溝および浅い溝11,12が形成されている。この配置は、図1による実施形態においては選択することはできない。なぜならこの配置は、回路支持体2の組み付けによって排除されるからである。冷却路11は、底部1にだけ設けることも、蓋部3にだけ設けることも、回路支持体2にだけ設けることも、全ての部分、すなわち蓋部3、回路支持体2、および底部1に設けることも可能である。] 図1 図2
[0026] 図3においては、蓋部3に、深い溝ないし冷却路および浅い溝ないし冷却路11,12が形成されている。深い溝および浅い溝は、別の冷却路とともにそれぞれグループ10を結成しており、これらは互いに接続されている。しかしながらグループ10同士は互いに接続されていなくてもよい。この配置は、図1による回路支持体3が省略されているので可能である。蓋部3と同じ配置を、底部1に同じように設けることも可能である。] 図1 図3
[0027] 図4には、回路支持体2の中に深いおよび浅い溝、冷却路、ないし冷却空間11,12が形成されている。これらは、順番に交互に現れるのではなく、それぞれグループ10に纏められている。この制御装置4は蓋部3によって封止される。蓋部3に冷却路11,12を配置する代わりに、これらの冷却路を上述したように底部1に設けることも可能である。] 図4
[0028] 図5では、回路支持体2に深い広幅の溝ないし冷却路12が形成されており、蓋部3に浅い狭幅の溝ないし冷却路11が設けられている。] 図5
[0029] 図6では、蓋部3に深い広幅の溝ないし冷却路12が形成されており、回路支持体2に浅い狭幅の溝ないし冷却路11が形成されている。この配置を蓋部3の代わりに底部1に設けることも可能である。] 図6
[0030] 図7には図3の平面図が図示されており、この図面からは、全ての溝ないし冷却路11,12が互いに接続されている様子が見て取れる。個々の冷却路11は、広幅の溝ないし冷却路12に合流している開口部5も有する。溝ないし冷却路11,12は、空洞システムの形態で形成されている。] 図3 図7
[0031] 図8は、図3と同様の平面図において別の1つの実施形態を図示している。この実施例においては、冷却チャネル11を部分的に覆っている熱源21,22が設けられている。これらの熱源は出力要求に応じて、バイポーラトランジスタ、IGBT、またはMOSFETとして構成することができる。さらには集積回路、ASIC、またはドライバICを使用することができる。例えば互いに接続された3つの冷却グループ10を形成することができる。] 図3 図8
[0032] 溝、空間、ないし冷却路11,12を種々の構成部材に形成または嵌め込んだ後、これらの溝には冷却液が、完全に充填されるまで注入される。その後この冷却液は、制御装置4において所定の負圧に調整されるまで部分的に溝ないし冷却路11,12から排出される。その後開口部が封止される、つまりレーザ溶接装置によって、または例えば変形によって、例えばフランジング、施栓、接着によって、開口部が封止される。]
[0033] 液体は毛管現象によって比較的小さい溝に保持される。制御装置4を占める負圧により、比較的大きな溝は広範囲に液体がないままである。]
[0034] 電子回路を回路支持体2の上で使用する場合には、温度は溝システムにおける毛管によって著しく上昇し、したがって液体は局地的に沸点を超えて加熱され、これによって液体は蒸気として漏出する。冷却路11の有利な実施形態および配置によれば、さらなる液体を溝の冷却領域から取り出し、種々異なる空洞内における圧力および温度状態によって、システム内の他の個所において液体を再び凝縮することができる。これによって制御装置の外側部分を均一な温度に保つ、ないしは、冷却または加熱することができる。]
[0035] 微細な溝システムの毛管の他に、制御装置4の外側に付加的な冷却リブを設けることも有利である。]
[0036] 狭幅の冷却路11のサイズは、5μmと200μmの間、または10μmと150μmの間、または50μmと120μmの間、または80μmと120μm間とすることができる。]
[0037] 広幅の冷却路12のサイズは、100μmと10mmの間、または200μmと500μmの間、または200μmと300μmの間である。]
[0038] 回路支持体2は、DCB(direct copper bonded)、IMS(Isolated metal Substrate)、打ち抜きグリッド(リードフレーム)、LTCC(Low temperature cofired ceramic)、HTCC(High temperature cofired ceramic)、またはこれらの材料の組み合わせを含むことができる。]
[0039] 底部1および/または蓋部3は、金属製材料、非金属製材料、または複合材料から形成することができる。これらの材料は、製造方法ないしダイキャスト法または落とし鍛造法において、深絞り成形または射出成形によって、または押し出し加工、押し出し成形、またはブロー成形によって製造することができる。]
[0040] 溝ないし冷却路11,12は、モールディング、エッチング、またはレーザないしフライス加工によって製造される。毛管現象を考慮して冷却路サイズを自由に選択することができる。凝縮プロセスを比較的小さな溝の外側で実施できることさえ保証すればよい。]
[0041] パッキングされた電子素子または電子素子グループの場合には、リードフレームに1つまたは複数の溝構造を設けることができる。さらには、ブランクチップ(blanke chips)の表面に本発明の溝構造を設けることができる。]
[0042] 本発明による制御装置4の実施形態によれば、特許侵害の事例を簡単に証明する良好な手段が提供される。なぜなら証明のために、液体が充填されたチャネルを視認可能とするために構成部材を切開すればよいだけだからである。]
权利要求:

請求項1
少なくとも1つの底部(1)と、該底部(1)に割り当てられた回路支持体(2)と、制御装置(4)を封止する蓋部(3)とを備える制御装置(4)において、前記制御装置(4)は、熱を放散する基板および/または熱を放散する構成部材によって所期の温度になり、前記基板は、冷却路(12)を有する制御装置(4)の内部に収納されている、ことを特徴とする制御装置(4)。
請求項2
前記冷却路(12)は、凹入部および/または溝として形成されている、ことを特徴とする請求項1記載の制御装置。
請求項3
前記冷却路(12)は、浅い凹入部として形成されている、ことを特徴とする請求項1または2記載の制御装置。
請求項4
前記冷却路(12)は互いに接続されており、該冷却路の内部において冷却液が循環する、ことを特徴とする請求項1から3のいずれか一項記載の制御装置。
請求項5
広幅の冷却路(12)は、狭幅の冷却路(11)の約2倍の幅である、ことを特徴とする請求項1から4のいずれか一項記載の制御装置。
請求項6
広幅の溝ないし冷却路の深さは、狭幅の溝ないし冷却路の約半分から2倍である、ことを特徴とする請求項1から5のいずれか一項記載の制御装置。
請求項7
前記冷却路(12)は、前記底部(1)および/または前記回路支持体(2)および/または前記蓋部(3)に設けられている、ことを特徴とする請求項1から6のいずれか一項記載の制御装置。
請求項8
前記冷却路(12)の深さは200μmよりも小さいか、120μmよりも小さいか、または10μmと120μmの間、とりわけ50μmと110μmの間にある、ことを特徴とする請求項1から7のいずれか一項記載の制御装置。
請求項9
狭幅の冷却路(11)のサイズは、5μmと200μmの間、または10μmと150μmの間、または80μmと120μmの間にある、ことを特徴とする請求項1から8のいずれか一項記載の制御装置。
請求項10
広幅の冷却路(12)のサイズは、100μmと10mmの間、または200μmと500μmの間、または200μmと300μmの間にある、ことを特徴とする請求項1から9のいずれか一項記載の制御装置。
請求項11
前記冷却路(12)は、前記底部(1)、前記回路支持体(2)、および/または前記蓋部(3)の表面にてグループ(19)として形成されている、および/または、互いに独立した種々異なるグループ(10)として形成されており、それぞれ個々のグループは通流接続されており、前記蓋部(3)および/または底部(1)は、導電性材料または電気絶縁性材料から形成されている、ことを特徴とする請求項1から10のいずれか一項記載の制御装置。
請求項12
冷却液を前記制御装置(4)の冷却路(12)に注入した後、所定量の冷却液が、封止された制御装置(4)内で負圧を形成するために再びポンプで排出される、ことを特徴とする請求項1から11のいずれか一項記載の制御装置。
类似技术:
公开号 | 公开日 | 专利标题
CN205452265U|2016-08-10|电子功率模块
US8391008B2|2013-03-05|Power electronics modules and power electronics module assemblies
DE102009011233B4|2013-05-08|Verfahren zur Herstellung einer Halbleitervorrichtung
DE10221891C5|2011-08-11|Leistungshalbleitervorrichtung
JP3676719B2|2005-07-27|水冷インバータ
EP2546874B1|2020-03-04|Stacked Half-Bridge Power Module
US20150008574A1|2015-01-08|Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device
US9423192B2|2016-08-23|Heat spreading device and method with sectioning forming multiple chambers
JP5614542B2|2014-10-29|モータ制御装置
US7728413B2|2010-06-01|Resin mold type semiconductor device
US9349709B2|2016-05-24|Electronic component with sheet-like redistribution structure
US7911792B2|2011-03-22|Direct dipping cooled power module and packaging
US9240371B2|2016-01-19|Semiconductor module, semiconductor device having semiconductor module, and method of manufacturing semiconductor module
JP4019989B2|2007-12-12|半導体装置
WO2013157467A1|2013-10-24|半導体装置および半導体装置用冷却器
JP4225310B2|2009-02-18|半導体装置
US8248809B2|2012-08-21|Inverter power module with distributed support for direct substrate cooling
JP4039339B2|2008-01-30|浸漬式両面放熱パワーモジュール
US8488321B2|2013-07-16|Assembly for liquid cooling electronics by direct submersion into circulated engine coolant
JP2008124430A|2008-05-29|パワー半導体モジュール
US9673129B2|2017-06-06|Semiconductor device
US20100091463A1|2010-04-15|Cooling body
US9530712B2|2016-12-27|Power electronic switching device and assembly
JP4617209B2|2011-01-19|放熱装置
EP2538440B1|2020-05-06|Cooling device for a power module, and a related method thereof
同族专利:
公开号 | 公开日
EP2255604B1|2017-04-26|
US20100220444A1|2010-09-02|
DE102008000621A1|2009-09-17|
JP5210398B2|2013-06-12|
WO2009112363A1|2009-09-17|
EP2255604A1|2010-12-01|
引用文献:
公开号 | 申请日 | 公开日 | 申请人 | 专利标题
JPH0919163A|1995-06-28|1997-01-17|Hitachi Ltd|電気車用電力変換装置|
JP2001045601A|1999-07-27|2001-02-16|Hitachi Ltd|自動車駆動装置|
JP2006275302A|2005-03-28|2006-10-12|Sony Corp|熱輸送装置及び電子機器|JP2013084936A|2011-10-12|2013-05-09|Asml Netherlands Bv|放射ビーム溶接方法、本体及びリソグラフィ装置|US5239200A|1991-08-21|1993-08-24|International Business Machines Corporation|Apparatus for cooling integrated circuit chips|
CA2120468A1|1993-04-05|1994-10-06|Kenneth Alan Salisbury|Electronic module containing an internally ribbed, integral heat sink and bonded, flexible printed wiring board with two-sided component population|
US5930113A|1996-06-03|1999-07-27|Scientific-Atlanta, Inc.|Housing for electronic devices including internal fins for volumetric cooling|
US6065530A|1997-05-30|2000-05-23|Alcatel Usa Sourcing, L.P.|Weatherproof design for remote transceiver|
JP3852253B2|1999-10-21|2006-11-29|富士通株式会社|電子部品の冷却装置及び電子機器|
AUPQ729400A0|2000-05-04|2000-05-25|Robert Bosch Gmbh|An electronic control module for a vehicle|
US6377458B1|2000-07-31|2002-04-23|Hewlett-Packard Company|Integrated EMI containment and spray cooling module utilizing a magnetically coupled pump|
US20030121645A1|2001-12-28|2003-07-03|Tien-Lai Wang|Heat dissipater for a central processing unit|
US6917121B2|2002-03-29|2005-07-12|Yamaha Hatsudoki Kabushiki Kaisha|Power generator unit|
JP4034173B2|2002-11-28|2008-01-16|株式会社日立製作所|半導体集積回路装置及びその半導体集積回路チップ|
JP2004274959A|2003-03-12|2004-09-30|Toshiba Mitsubishi-Electric Industrial System Corp|電力変換装置|
JP2005057928A|2003-08-06|2005-03-03|Toyota Motor Corp|車載ユニット|
JP4466256B2|2004-07-29|2010-05-26|アイシン・エィ・ダブリュ株式会社|自動変速機用電子制御装置|
TWI273210B|2004-12-30|2007-02-11|Delta Electronics Inc|Heat-dissipation device and fabricating method thereof|
DE102005062590A1|2005-12-27|2007-06-28|Robert Bosch Gmbh|Circuit arrangement with a heat transfer device|DE102010062944A1|2010-12-13|2012-06-14|Zf Friedrichshafen Ag|Printed circuit board and method for producing such|
DE102017217762A1|2017-10-06|2019-04-11|Zf Friedrichshafen Ag|Wärme ableitende Anordnung und Herstellungsverfahren|
法律状态:
2012-09-25| A977| Report on retrieval|Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20120925 |
2012-10-01| A131| Notification of reasons for refusal|Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20120928 |
2012-12-28| A521| Written amendment|Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20121227 |
2013-01-22| TRDD| Decision of grant or rejection written|
2013-01-28| A01| Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)|Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20130125 |
2013-02-28| A61| First payment of annual fees (during grant procedure)|Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20130222 |
2013-03-01| FPAY| Renewal fee payment (event date is renewal date of database)|Free format text: PAYMENT UNTIL: 20160301 Year of fee payment: 3 |
2013-03-01| R150| Certificate of patent or registration of utility model|Ref document number: 5210398 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
2016-03-01| R250| Receipt of annual fees|Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
2017-02-28| R250| Receipt of annual fees|Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
2018-02-27| R250| Receipt of annual fees|Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
2019-03-05| R250| Receipt of annual fees|Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
2020-02-26| R250| Receipt of annual fees|Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
2021-02-26| R250| Receipt of annual fees|Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
优先权:
申请号 | 申请日 | 专利标题
[返回顶部]