ウエハーの接合中に欠陥を処理するプロセス

专利摘要:
本発明は、薄層によって規定される平面に垂直な方向に表面トポロジー、従って高さまたはレベルの変化を有する、基板（８）上に転写されるべき薄層を準備するプロセスに関し、このプロセスは、薄層上への接着材料の層（４）の形成ステップを含み、それの厚さは、接合の分子的性質を介した基板（８）との組立てに備えて、どんな欠陥もしくは空隙（２４、２６）も、またはほとんどどんな欠陥もしくは空隙も排除するために、その表面の複数の研磨ステップを行うことを可能にする。
公开号:JP2011510495A
申请号:JP2010542633
申请日:2009-01-16
公开日:2011-03-31
发明作者:ラガエ クリステル；アスパル バーナード
申请人:エス．オー．アイ．テック シリコン オン インシュレータ テクノロジーズ；
IPC主号:H01L21-02

专利说明:

[0001] 本発明は、マイクロエレクトロニクスの分野およびとりわけそれらの表面に構成要素を有することもあるウエハーの処理を行うためにこの分野で使用される技術に関する。]
背景技術

[0002] マイクロエレクトロニクスのこの分野では、回路を含む薄層の転写を行うことができることは、特に重要である。薄層のこれらの転写はとりわけ、回路を作製するために使用されたウエハーと異なるウエハー上に回路を転写することを可能にする。]
[0003] 例えば、これらのウエハーは、電子構成要素を含む半導体ウエハーまたは構成要素を作製するために使用された基板と異なる特性を有するウエハーであることもある。]
[0004] ある場合には、構成要素の後面、構成要素がその上にまたはそれから準備された可能性がある基板上にあるその面にアクセスできることが求められる。]
[0005] これをするための周知の技術は、図１Ａ〜１Ｄで例示される。これは、処理される薄層５が形成される第１のウエハー２を第２のウエハー８と前面で接合するステップ、およびその基板１を後面上で薄くするまたは除去するステップから成る。] 図１Ａ 図１Ｂ 図１Ｃ 図１Ｄ
[0006] ウエハー２、またはむしろその処理される薄層５は、特にいくつかの回路３、６を含む（図１Ａ）。] 図１Ａ
[0007] この第２のウエハー８との分子接着による接合に備えて、一般に接合材料の層４が、平坦化され、直接接合に適合するために薄層５の前面に堆積される（図１Ａ）。そのような平坦化層４がないと、非接合ゾーン（回路の表面上のトポロジーを持つゾーンに対応する）が、接合界面に存在し、薄層５の転写を妨げることもある。] 図１Ａ
[0008] 第２のウエハー８はその部分としては、表面酸化される（図１Ｂ）。参照番号１０は、酸化物の表面層を示す。] 図１Ｂ
[0009] 接合ステップは次いで、接着層４が平坦化された後に、行うことができる（図１Ｃ）。] 図１Ｃ
[0010] 最後に、処理されるゾーンを含まない第１のウエハー２の部分１が、例えば平削りによって、または化学エッチング（ドライまたはウェット）によって薄くされるまたは除去される（図１Ｄ）。回路３、６を含むウエハー５の表面５’はその結果、接合層４によって形成される接合界面に埋め込まれる。] 図１Ｄ
[0011] ある場合には、薄層５は、非常に精巧なこともあり、従って非常に高コストなこともあるいくつかの構成要素３、６を備える層であり、１００％に等しい、または１００％に非常に近い効率で第２のウエハー８上への転写ステップを行うことができないことは、容認できない。]
[0012] より一般には、チップまたは構成要素に沿って垂直に接合欠陥があるという純然たる事実は、それを使用できなくする。欠陥は、表面に存在し、洗浄することが困難な粒子であることもあり、または酸化物層内に埋め込まれた欠陥であることもある。]
[0013] 従って、平坦化表面上の欠陥の存在は、接合欠陥を引き起こし、それは、いくつかのチップを使用できなくすることによって収量に大きく影響を及ぼす。]
[0014] 例えば、図１Ｄで例示されるステップの後に、矢印１１、１３によって示される線（図１Ｄ）などの切断線に沿って、個別の回路への切断が、行われることもある。もし欠陥または空隙が、層４と基板８との間の接合界面に存在するならば、これは、ウエハー全体を使用できなくすることもある。] 図１Ｄ
[0015] 同じ問題は、構造化されるが均一である（すなわち、異なる性質の多様な層および材料を含まない）表面、例えば構成要素３、６のない薄層５の少なくとも一部分の表面であって、しかしながら接合中に欠陥または空隙に関するトポロジーを有する、この表面の場合に現れることもある。]
[0016] さらに、いくつかの回路または構成要素を含むこともあり、表面トポロジーを有する薄層５などの層を、第２のウエハー８などの支持体上に転写を行うことを容易にするための新規のプロセスを見いだす問題が、提起される。]
先行技術

[0017] 国際公開第２００５／０６４３２０号パンフレット]
[0018] 本発明者らは、接着材料の層４を研磨する作業中に（図１Ｂ）、この層の表面４’が、薄層５の初期トポロジーに従って再現するトポロジーのために、困難が、現れることもあることを見いだした。] 図１Ｂ
[0019] 薄層５のこの表面トポロジーは、この表面の高いゾーンと低いゾーンとの間のレベルの差ｅに起因し、それは、薄層５の平面に垂直な軸に関して異なる高さにあるいくつかのレベルに、例えば異なるゾーン内の金属のいくつかのレベルに、またはより一般には、異なるゾーン内の材料の異なる積層に対応することもある。これらのレベルの差は、約数μｍほどの大きさのこともあり、例えば５００ｎｍまたは１μｍと５μｍまたは１０μｍ未満との間である。]
[0020] 接着層４の表面４’のトポロジーは、図１Ａおよび１Ｂでは見えないが、図２Ａで示される。] 図１Ａ 図２Ａ
[0021] ５μｍまたは１０μｍほどの大きさのこともある、上で示されたかなりのトポロジーを考慮すると、表面４’は、平坦ではなく、図２Ａでのように、むしろ非常に不規則であり、ピーク２０および浮き彫りのパターンを持つ。これらのピークまたはパターンのいくつかは、約数μｍのこともある高さｈに対して、数μｍまたは数十μｍと約１００μｍとの間の幅Ｌを持つ基部を有することもある。] 図２Ａ
[0022] 従って、接着層４のこの表面４’は、外形が図２Ａで示される中間平面ＡＡ’に関して、ピークの形のパターン２０およびピットの形のパターン２２を有する。] 図２Ａ
[0023] 本発明者らは、第２の基板８との組立てより前に実施される、接着層４の、例えば機械的／化学的形式の研磨技術の使用にもかかわらず、表面欠陥、ピークまたは「空隙」２４、２６が、図２Ｂで例示されるように、残ることもあることを示した。従って、上ですでに述べられた問題は、残る。] 図２Ｂ
[0024] 図２Ｂは、研磨ステップの後の、接着材料の層４の表面をより詳細に示す。ミリメートル未満または約１ミリメートルのこともある幅または直径φを有することもあるピークまたはピット２４、２６は、第２の基板８との完全接合または分子的組立てを行えなくすることになる。それ故に、高さが０．３μｍから数μｍの粒子型の欠陥は、約１ｍｍから数ｍｍの接合欠陥を生じさせることもある。] 図２Ｂ
[0025] この問題を解決するために、本発明の目的は、基板上に転写されるべき層、例えば薄層を準備するためのプロセスであり、この層は、例えば１μｍと５μｍとの間の最大振幅を持つ表面トポロジーを有していてもよく、このプロセスは、前記層上への、接着材料、例えば酸化シリコン（ＳｉＯx）または酸窒化シリコン（ＳｉＯxＮy）などの酸化物の層の形成ステップを含み、それの厚さは、非接合ゾーンを制限するために分子的性質の接合による組立てに備えて、どんな欠陥もしくはどんな「空隙」も、またはほとんどどんな欠陥もしくは「空隙」も排除するために、その表面を平坦化（または平面化、表現「平面化」および「平坦化」は、ここおよびこの明細書の残りでは等価と考えられる）するおよび／もしくは調整する１つのステップ、またはその表面を平坦化するおよび／もしくは調整する複数のステップを行うことを可能にする。]
[0026] 接着層は好ましくは、分子的性質の接合による組立てを視野に入れて、
− 単一の平坦化（または平面化）および／または調整ステップの後に、良好な分子接合を得ること、すなわち接合欠陥なしにまたはほとんど接合欠陥なしに接触することを可能にする最小厚さＥminと、
− いくつかの研磨ステップの後に、良好な分子接合を得ることを可能にする、すなわちどんな欠陥もしくは「空隙」もまたはほとんどどんな欠陥もしくは空隙も排除することを可能にする最大値Ｅmaxと
の間にある初期厚さを有する。]
[0027] 好ましくは、接着層の厚さＥはまた、それが堆積されるウエハーの変形をもたらす可能性がある過度の高応力を引き起こす危険のない値に制限される。典型的には、１２μｍ未満のＥ値は、半導体ウエハーの処理の分野での要件に対応する。]
[0028] 従って、初期厚さＥは、１０μｍまたは１２μｍ未満で、好ましくは０．５μｍまたは３μｍより大きいように選択される。]
[0029] 薄層または接着層は、薄層によって規定される平面に垂直な方向に表面トポロジー、従って高さまたはレベルの変化を有してもよい。]
[0030] 薄層は、例えば電子および／もしくは光回路型の、ならびに／またはマイクロシステム型のいくつかの構成要素を備えてもよい。]
[0031] 本発明による準備プロセスはまた、好ましくは分子接着接合を介しての、第２の基板との組立てステップ、および例えば超音波顕微鏡法または赤外顕微鏡法による、接触または接合界面内の欠陥に対する識別または検出ステップを含んでもよい。]
[0032] 第２の基板および接着層は、もし識別ステップが、接合界面に存在しがちな１つまたは複数の欠陥の存在を明らかにするならば、分離されてもよく、接着層は、平坦化および／または調整、組立てならびに検出の新しいステップを受ける。このサイクルは、薄層上にある接着層が厚さＥminを有するという事実のおかげで、良好な接合（欠陥がないまたは欠陥が非常に少ない）を得るために必要なだけ何度も再開されてもよい。]
[0033] 従って、本発明の別の目的は、基板上への転写に備えて層を準備するプロセスであり、この層は、薄層によって規定される平面に垂直な方向に表面トポロジー、従って高さまたはレベルの変化を備え、このプロセスは、
ａ）転写されるべき薄層上への、接着材料の層の形成ステップであって、それの厚さＥは、表面の平坦化および／または調整の少なくとも１つの（およびことによるとｎの、ただしｎは、整数で、ｎ＞１、例えばｎ＝２または３である）ステップを行うことを可能にする値を有する、形成ステップと、
ｂ）前記表面を平坦化（または平面化）するおよび／または調整するステップと、
ｃ）好ましくは分子接合によって、接着材料の層を基板と組み立てるステップであって、組立ては好ましくは、分子接合によって行われる、組み立てるステップと、
ｄ）接合界面上の欠陥を検出するステップと、
ｅ）欠陥の存在が、接合界面に、または準備方法の終わりに検出されるとき、基板および接着層表面を接合界面で分離するステップ、ならびにステップｂ）への帰還と
を含む。]
[0034] 第２の基板、または最終基板はそれ自体、接合または接着層を担ってもよく、それはまた、上で述べられた処理を受けてもよい。]
[0035] 最終基板は、最終基板によって規定される平面に垂直な方向に表面トポロジー、従って高さまたはレベルの変化を備えてもよい。]
[0036] 最終基板上の接着層は、その表面の平坦化（または平面化）および／または調整の少なくとも１つのステップを行うことを可能にする厚さを有してもよい。加えて、ステップｃ）の前に、最終基板上の接着層の表面の平坦化および／または調整のステップが、行われてもよい。]
[0037] 本発明の別の目的は、層および最終基板を、この最終基板上へのこの層の転写に備えて準備するプロセスであり、この層は、薄層によって規定される平面に垂直な方向に表面トポロジー、従って高さまたはレベルの変化を有し、このプロセスは、
ａ）転写されるべき薄層上への、接着材料の層の形成、および最終基板上への、接着材料の層の形成ステップであって、それの厚さＥは、表面を平坦化するおよび／または調整する少なくとも１つの（およびことによるとｎの、ただしｎは、整数で、ｎ＞１、例えばｎ＝２または３である）ステップを行うことを可能にする値を有する、形成ステップと、
ｂ）最終基板上に形成される接着層の前記表面を平坦化（または平面化）するおよび／または調整するステップと、
ｃ）薄層上に形成される接着材料の層を、最終基板上に形成される接着材料の層と組み立てるステップであって、組立ては好ましくは、分子接合によって行われる、組み立てるステップと、
ｄ）接合界面上の欠陥を検出するステップと、
ｅ）欠陥の存在が、接合界面に、または準備方法の終わりに検出されるとき、最終基板上に形成される接着材料の層および薄層上に形成される接着層表面を接合界面で分離するステップ、ならびにステップｂ）への帰還と
を含む。]
[0038] 最終基板は、最終基板によって規定される平面に垂直な方向に表面トポロジー、従って高さまたはレベルの変化を備えてもよい。]
[0039] 従って、すべての場合において、それらを再度組み立て、上のサイクルの１つまたは複数の後に良質の接合界面を得るために、接合表面もしくは複数の表面または層を再調整するために基板から層を取り外すことは、可能である。初期ウエハーおよび／もしくは初期基板、またはそれらの各接合層は、接合のための良好な表面を得ることに備えて再加工されてもよい。]
[0040] もし２つの接合層があるならば、付加価値を有するウエハー、すなわちもしそれが回路を備えるならば薄層が、好ましくは再加工されることになる。第２の支持体８は、欠陥のないウエハーであってもよい。]
[0041] 従って、基板および接合層のこの分離ならびに新しい研磨ステップは、少なくとも２回行われてもよい。]
[0042] 表面のすべてまたは一部分を除去することを可能にする、各平坦化（または平面化）および／または調整ステップの後に、ならびに接合の前に、平坦化（または平面化）および／または研磨などの第２の表面処理が、適用されてもよく、おそらくその後に洗浄が続く。この第２の表面処理は、より短い研磨継続時間、および／またはより低い印加圧縮力、および／または別の織物もしくは研磨剤などの別の消耗品の使用を通じて、第１の平坦化（平面化）および／または調整ステップと異なってもよい。]
[0043] 本発明による、基板上に層を転写するプロセスは、上で開示されたような準備プロセスを含み、薄層は、初期に支持体上にあり、この転写プロセスはまた、薄層が作製された初期支持体のすべてまたは一部分の除去も含む。]
[0044] 本発明のいずれの実施形態でも、接着層は、行われるべき接合または組立てを考慮して選択される。それは例えば、酸化シリコン（化学量論的またはそうでない）または酸窒化シリコンなどの酸化物の層である。]
[0045] 本発明のいずれの実施形態でも、接着層の初期厚さは、例えばｎ＝２または３で、ｎの研磨ステップを行うことができるように選択されてもよい。好ましくは、各研磨ステップは、接着層の材料を最大で約１μｍ、例えば０．２μｍから０．５μｍ除去することができる。各研磨ステップの後には、組立ておよび界面の品質の検査が続く。界面が、複数の欠陥、または相当な数の欠陥を有するならば、別の研磨ステップが、行われてもよい。]
[0046] 本発明によるプロセスは、接合界面が満足できると考えられるとき、またはもし欠陥が全くもしくはほんの少ししか接合界面に検出されないならば、止められてもよい。]
[0047] 本発明のいずれの実施形態でも、厚さＥが、表面を平坦化するおよび／または調整する少なくともｎの（ただしｎは、整数で、ｎ＞１、例えばｎ＝２または３である）ステップを行うことを可能にする値を有し、一方、ｎ−１だけまたはｎ−２だけまたはｎ−ｐだけ（ただしｐは整数で、１≦ｐ＜ｎ）の平面化および／または調整ステップならびに検出ステップが、行われ、界面が、ｎ−ｐの平面化および／または調整ステップの後に欠陥を全くまたはほんの少ししか有さない、接着材料の層を有することが可能である。初期接着層の一部分は、ｎの平坦化および／または調整ステップの後に転写されるべき薄層上に残る。]
図面の簡単な説明

[0048] 周知の簡単な転写方法のステップを描写する図である。
周知の簡単な転写方法のステップを描写する図である。
周知の簡単な転写方法のステップを描写する図である。
周知の簡単な転写方法のステップを描写する図である。
接合表面のトポロジーおよびこれから生じる可能性がある問題を例示する図である。
接合表面のトポロジーおよびこれから生じる可能性がある問題を例示する図である。
接合材料の過度の厚さのもとでのウエハーの屈曲状況を描写する図である。]
実施例

[0049] 従って、本発明によれば、図２Ａでのそれと同じ型の構造が考えられ、従って、図２Ｂで例示されるように、顕微鏡スケールで、非常に顕著なこともあるトポロジーを有する。このトポロジーは、見てきたように、構成要素３、６を含む薄層５のトポロジーに起因する。薄層５の構成要素または複数の構成要素３、６は、電子および／もしくは光回路型、ならびに／またはマイクロシステム型、ことによると図で示されない接点によって制御できる構成要素または複数の構成要素の機能性の１つもしくは複数であってもよい。] 図２Ａ 図２Ｂ
[0050] トポロジーは、この薄層の高いゾーンと低いゾーンとの間の高さまたはレベルの差として定義され（薄層によって規定される平面に垂直な方向に関して）、それは、例えば金属のいくつかのレベルに、より一般には異なる材料が積層されてもよい異なるゾーンでのいくつかのレベルに対応する。その振幅を通じてのトポロジーのこの定義は、おそらくトポロジーの表面分布、ならびに／またはトポロジーの周波数および／もしくは表面の全体に対する浮き彫りのトポロジーの比率によって補完されてもよい。]
[0051] レベルの差は、約数μｍの値（層５によって規定され、図１Ａで線ＡＡ’よって表わされる平面に垂直な方向ｚで）に達してもよく、これらは、例えば０．５μｍと数μｍとの間、例えば０．５μｍと５μｍとの間または０．５μｍと１０μｍとの間である。] 図１Ａ
[0052] このレベルの最大差は本質的に、表面の最高点と表面の最低点との間の差ｈを反映し、それは、接着層４の厚さを規定するために考慮することを求められることになり、それは次いで、その全表面にわたって平坦化されることが求められることになる。]
[0053] 接着材料のこの接着層４の初期厚さは、分子的性質の接合による第２の基板８との組立てに備えて、どんな欠陥または「空隙」２４、２６も排除するために、その表面に１つの平坦化および／もしくは調整ステップまたは複数の平坦化および／もしくは調整ステップを行うことを可能にするように選択される。初期接着層４の一部分は、その平坦化および／もしくは調整ステップまたは複数の平坦化および／もしくは調整ステップの後も残る。]
[0054] 単一の平坦化または研磨ステップは、接着層４の厚さを約１μｍ除去することを可能にすることになる。この除去は、研磨ステップの継続時間ならびに使用される研磨プロセス、特に使用される消耗品、織物、および研磨剤に従って変化してもよい。]
[0055] 例えば、２つの研磨および調整ステップの適用は、１μｍと５μｍとの間に含まれるこの接着層４の厚さの除去を可能にする。除去されるべき厚さは、排除されるべきトポロジー欠陥の寸法に従って適合される。]
[0056] 従って、この例では、例えば０．５μｍと１０μｍとの間にある接着層４の初期厚さが、選択されることになる。別の態様が、接着層４の厚さを選択するために考慮されなければならないこともある。この態様は、図３との関連で説明されることになり、そこでは参照番号２は、図１Ａでのように、第１の基板１上に処理される薄層５を備える全体的な積層を示す。上で説明されたように、この薄層５の前面は、接着材料の層４を用いて第２のウエハー８と接合されることを意図される。後者は、ある臨界厚さからは、転写されるべき薄層の変形（弓または縦糸型の）をもたらす応力を引き起こす可能性があり、その臨界厚さは、最大で約１０μｍまたは１２μｍに位置する可能性がある。この変形は、誇張されたやり方で、図３で示される。] 図１Ａ 図３
[0057] この変形は、転写される層の変形を引き起こす可能性があるので、組み立てられるべきウエハー２、８間の良好な整列のための良好な接合を得るために有害である。従って、好ましくは、接着層４の厚さは、ウエハーのこの変形を引き起こす危険のない値に制限される。１０μｍまたは１２μｍより下のＥ値は、半導体ウエハーを処理する分野での要件に対応する。]
[0058] この接着層４の表面４’は、例えば０．５μｍと数μｍとの間、例えば０．５μｍと５μｍとの間または０．５μｍと１０μｍとの間の、レベルまたは振幅の同様の差を持つ、薄層５のそれを反映するトポロジーを有する。]
[0059] 本発明はまた、層が構造化されるが「均一」である場合にも適用でき、例えば、どれも金属性ではないゾーンを有する、構成要素３、６のない薄層５の場合であって、これらの異なるゾーンは、上で説明されたような、特に上で示された範囲内の表面トポロジー、従って高さの変化を有する、場合にも適用できる。]
[0060] 接着材料の接着層４は例えば、酸化シリコン（化学量論的またはそうでない）または酸窒化シリコンなどの酸化物の層である。]
[0061] この接着層４の材料は、その接合品質に対して選択され、それは、新しい表面活性化ステップ、例えば機械的／化学的研磨などの、この層の表面仕上げの準備によって強化されることになる。]
[0062] 表面仕上げを準備するこのステップの後に、最終支持体８との組立てが、図１Ｄで例示されるように、行われてもよい。] 図１Ｄ
[0063] この最終支持体８は、熱処理ステップを受けてもよい。接着材料の表面および酸化物のそれは両方とも、分子接着による組立てを視野に入れて、親水性にされてもよい。]
[0064] 組立ての後に、および接合界面を強固にするための任意の熱処理の適用の前に、接着層と最終基板８との間の界面の品質を検査することが、可能である。この目的のために、特許文献１で述べられるように、例えば超音波顕微鏡法または赤外撮像もしくは顕微鏡法などの技術を使用することが、可能である。赤外技術は、たとえ分解能が劣っても、超音波顕微鏡技術よりも迅速であるという利点を有する。]
[0065] もしこの識別ステップが、接合欠陥（組み立てられたウエハーの表面上の、およびよりありそうには扁平な回路ウエハーの表面上の表面欠陥または「空隙」２４、２６に起因する）を明らかにするならば、最終基板８は、再度接着層４から分離され、再度後者の表面の平坦化および／または調整ステップが、最大数の欠陥を排除するために行われる。]
[0066] 従って、接着層４の初期厚さは、複数の、例えば２もしくは３の、またはｎ（ｎ＞３）の研磨ステップが、実行できることになるように、設計される。各ステップの後に、組立ておよび界面の品質の検査が続く、または続いてもよい。もし前記品質が、満足できないならば、そのとき基板は、上で説明されたように接合界面で分離され、別の研磨ステップが行われ、次いで基板は、再び組み立てられる。さらなる検出ステップがまた、行われてもよい。好ましくは、各ステップは、層４の材料を最大で約１μｍ、より一般には０．２μｍから０．５μｍ除去することができる。]
[0067] これらのさまざまな準備ステップの後に、最終支持体８との最終組立てが、図１Ｃで例示されるように、行われてもよい。最終支持体８とのこの組立ての後に、初期支持体１のすべてまたは一部分は、除去されてもよく、薄層５の後面５’’へのアクセスを可能にする（図１Ｄ）。] 図１Ｃ 図１Ｄ
[0068] 最終支持体８は、固体基板または多層構造であってもよい。それはまた、例えばその上または中にいくつかの回路がすでに存在する、表面トポロジーを有する基板に対応してもよい。この基板は、本発明によるウエハー２と同じ平坦化処理を受けてもよい。]
[0069] もし基板８上にもまた接着層があるならば、分離後の界面は、２つの接着層間に位置することになる。]
[0070] 変形形態では、本発明による処理を受けるのは、基板８上の層１０であり、それは、この層１０の表面の平坦化および／または調整の少なくとも１つのステップを行うことを可能にする厚さＥを有する。厚さＥは特に、１つもしくは複数またはｎ（ｎ＞１）の研磨および／または調整ステップを可能にするように、上で示された範囲または限度内で選択されてもよい。上ですでに述べられたその他のステップ、すなわち組立て、不良検出、分離、ならびに再度の、必要ならば数回の層１０の表面の研磨および／または調整が、実施される。]
[0071] 大まかに言えば、接合界面は、接合エネルギーを強化するための熱処理をまだ受けておらず、従って分解できるので、分離は、接合界面で起こる。それ故に、図２Ｂでの場合には、分離は、接着層の表面４’で起こる。] 図２Ｂ
[0072] この組立て体は次いで、接着層４と最終基板８との間の接合を強化するために、初期支持体１の除去の後に、または好ましくは前に、熱処理ステップを受けてもよい。接着材料の表面４’および最終基板８の酸化物１０のそれは両方とも、好ましくは分子的組立てに備えて平坦化の後に洗浄ステップを受けているであろう。]

权利要求:

請求項1
基板（８）上への転写に備えて層（５）を準備するプロセスであって、この層は、前記薄層によって規定される平面に垂直な方向に表面トポロジー、従って高さまたはレベルの変化を備え、このプロセスは、ａ）転写されるべき前記薄層（５）上への、接着材料の層または接着層（４）の形成ステップであって、前記接着層（４）の厚さＥは、前記表面の平坦化および／または調整の少なくとも１つのステップを行うことを可能にする値を有する、形成ステップと、ｂ）前記表面を平坦化するおよび／または調整するステップと、ｃ）前記接着材料の層（４）を前記基板（８）と組み立てるステップと、ｄ）接合界面上の欠陥（２４、２６）を検出するステップと、ｅ）欠陥（２４、２６）の存在が、前記接合界面に、または前記準備方法の終わりに検出されるとき、前記基板（８）および前記接着層表面（４）を前記接合界面で分離するステップ、ならびにステップｂ）への帰還とを含むことを特徴とするプロセス。
請求項2
前記最終基板（８）はまた、接着層も備えることを特徴とする請求項１に記載のプロセス。
請求項3
前記最終基板（８）は、前記最終基板によって規定される平面に垂直な方向に表面トポロジー、従って高さまたはレベルの変化を有することを特徴とする請求項２に記載のプロセス。
請求項4
前記最終基板（８）上の前記接着層（１０）は、その表面を平坦化するおよび／または調整する少なくとも１つのステップを行うことを可能にする厚さを有することを特徴とする請求項２または３に記載のプロセス。
請求項5
ステップｃ）の前に、前記最終基板上の前記接着層の表面の平坦化および／または調整のステップもまた含むことを特徴とする請求項４に記載のプロセス。
請求項6
層（５）および最終基板（８）を、この最終基板上へのこの層の転写に備えて準備するプロセスであって、この層は、前記薄層によって規定される平面に垂直な方向に表面トポロジー、従って高さまたはレベルの変化を有し、このプロセスは、ａ）転写されるべき前記薄層（５）上への、接着材料の層または接着層（４）の形成、および前記最終基板（８）上への、接着材料の層（１０）の形成ステップであって、前記接着材料の層（１０）の厚さＥは、表面を平坦化するおよび／または調整する少なくとも１つのステップを行うことを可能にする値を有する、形成ステップと、ｂ）前記最終基板（８）上に形成される前記接着層（１０）の前記表面を平坦化するおよび／または調整するステップと、ｃ）前記薄層上に形成される前記接着材料の層（４）を、前記最終基板（８）上に形成される前記接着材料の層（１０）と組み立てるステップと、ｄ）接合界面上の欠陥（２４、２６）を検出するステップと、ｅ）欠陥（２４、２６）の存在が、前記接合界面に、または前記準備方法の終わりに検出されるとき、前記最終基板（８）上に形成される前記接着材料の層（１０）および前記薄層上に形成される前記接着層表面（４）を前記接合界面で分離するステップ、ならびにステップｂ）への帰還とを含むことを特徴とするプロセス。
請求項7
前記最終基板（８）は、前記最終基板によって規定される平面に垂直な方向に表面トポロジー、従って高さまたはレベルの変化を有することを特徴とする請求項６に記載のプロセス。
請求項8
ステップｅ）およびステップｂ）への前記帰還は、少なくとも２回行われることを特徴とする請求項１乃至７の１項に記載のプロセス。
請求項9
前記初期厚さＥは、１０μｍ未満であることを特徴とする請求項１乃至８の１項に記載のプロセス。
請求項10
前記初期厚さＥは、０．５μｍよりも大きいことを特徴とする請求項１乃至９の１項に記載のプロセス。
請求項11
ステップｄ）は、超音波顕微鏡法または赤外顕微鏡法によって行われることを特徴とする請求項１乃至１０の１項に記載のプロセス。
請求項12
層（５）を最終基板（８）上に転写するプロセスであって、請求項１乃至１１の１項に記載の準備プロセスを含み、前記薄層（５）は、初期に支持体（１）上にあり、この転写プロセスはまた、この初期支持体（１）のすべてまたは一部分の除去ステップも含むことを特徴とするプロセス。
請求項13
ステップｃ）は、分子接着を介する接合ステップであることを特徴とする請求項１乃至１２の１項に記載のプロセス。
請求項14
前記接着層または複数の層（４、１０）は、酸化物でできていることを特徴とする請求項１乃至１３の１項に記載のプロセス。
請求項15
前記接着層または複数の層（４、１０）は、酸化シリコン（ＳｉＯx）または酸窒化シリコン（ＳｉＯxＮy）であることを特徴とする請求項１４に記載のプロセス。
請求項16
回路に対しての、転写されるべき前記層（５）の前記初期トポロジーは、１０μｍ未満の最大振幅を有することを特徴とする請求項１乃至１５の１項に記載のプロセス。
請求項17
前記回路に対しての、転写されるべき前記薄層（５）の前記初期トポロジーは、１μｍと５μｍとの間の最大振幅を有することを特徴とする請求項１６に記載のプロセス。
請求項18
前記薄層（５）は、構成要素（３、６）を備えることを特徴とする請求項１乃至１７の１項に記載のプロセス。
請求項19
前記構成要素は、電子および／もしくは光回路型、ならびに／またはマイクロシステム型であることを特徴とする請求項１８に記載のプロセス。
請求項20
前記接着層の１つの平坦化の少なくとも１つのステップｂ）の後に、および次のステップｃ）の前に、この接着層の表面の研磨および／または調整ステップ、後に続くこの同じ表面の洗浄ステップを含むことを特徴とする請求項１乃至１９の１項に記載のプロセス。