発光ダイオードパッケージ

专利摘要:
キャビティに充填される透光性透明樹脂の充填使用量を減らすとともに樹脂の充填高さを低くして光輝度を向上させることができて、パッケージの大きさを減らして小型化をる発光ダイオードパッケージを提供する。 本発明は少なくとも一つの発光チップと金属ワイヤを媒介に連結される一対のリードフレーム;前記リードフレームが一体に固定されて、上部に開放されたキャビティを形成するように形成されるパッケージ本体;前記パッケージ本体の外部実装面の下部に下向折曲されて形成されるリードフレーム;前記発光チップを覆いながら前記キャビティに充填される透光性透明樹脂;前記キャビティの底面から下部に陥没形成されて前記発光チップを搭載する陥没部;及び前記陥没部及びキャビティに形成される蛍光体を含む透明樹脂;を含む発光ダイオードパッケージを提供する。
公开号:JP2011508416A
申请号:JP2010539313
申请日:2008-12-24
公开日:2011-03-10
发明作者:キム、ホン−ミン；ピョン、イン−ジュン
申请人:サムソン エルイーディー カンパニーリミテッド．；
IPC主号:H01L33-54

专利说明:

[0001] 本発明は、発光ダイオードパッケージに関するもので、さらに詳細には、発光チップを保護するように注入される透光性透明樹脂の使用量を減らして、樹脂の高さを低くして光輝度を向上させることができるように改善した発光ダイオードパッケージに関する。]
背景技術

[0002] 一般的に、発光ダイオード（Ｌｉｇｈｔ Ｅｍｉｔｔｉｎｇ Ｄｉｏｄｅ;ＬＥＤ）は半導体のｐ‐ｎ接合構造を用いて注入された少数キャリア（電子または陽孔）を作り出し、これらの再結合によって電気エネルギーを光エネルギーに変えて発光させる電子部品である。即ち、特定元素の半導体に順方向の電圧を加えると、陽極と陰極の接合部分を通じて電子と正孔が移動しながら相互再結合するが、電子と正孔が離れている時より小さいエネルギーになるため、この際発生するエネルギー差によって光を放出する。]
[0003] このような発光ダイオードは、低電圧で高効率の光を照射することができるため、家電製品、リモコン、電光板、表示器、各種自動化機器などに用いられている。]
[0004] 図１は一般的な発光ダイオードパッケージを図示した縦断面図であり、図示したように、従来の発光ダイオードパッケージ１は電源印加時光を発生させる発光源である発光チップ１５が中央領域に搭載される。] 図１
[0005] 前記発光チップ１５は間隔を置いて配置される一対のリードフレーム１３、１４と金属ワイヤ１６、１７を媒介にワイヤボンディングされて電気的に連結される。]
[0006] 前記陰極及び陽極のリードフレーム１３、１４は本体の殆どが樹脂物で射出成形されるパッケージ本体１１に一体に固定されるが、端部は外部電源と連結されることができるように前記パッケージ本体１１の外部面に露出される。]
[0007] 前記パッケージ本体１１は射出成形時前記発光チップ１５が搭載されて前記金属ワイヤ１６、１７とワイヤボンディングされるリードフレーム１３、１４を外部露出させるように上部に開放されたキャビティＣを備える。]
[0008] このような前記キャビティＣには前記発光チップ１５及び金属ワイヤ１６、１７を外部環境から保護することができるように透光性透明樹脂１８を充填するようになり、このような透光性透明樹脂１８には具現しようとする発光ダイオードの色によって多様な蛍光体が選択的に含まれることができる。]
[0009] そして、前記キャビティＣの内部の傾斜面には前記発光チップ１５から発生される光の反射率を高めることができるように反射物質がコーティングされる反射部材１２を備えることもできる。]
[0010] 一方、このような発光ダイオードパッケージの特性を決定する基準は、色、輝度及び輝度の強さ範囲などであり、これは主として前記発光チップ１５の自体特性によって影響を受けるが、副次的な要素で前記発光チップ１５を実装するパッケージ本体１１の構造、透光性透明樹脂１８の充填量によっても影響を受けるようになる。]
[0011] 図２は一般的な発光ダイオードパッケージで透光性透明樹脂のドッティング（ｄｏｔｔｉｎｇ）量の変化による光輝度の変化を図示したグラフであり、（ａ）は０.６Ｔ発光ダイオードパッケージの場合であり、（ｂ）は０.８Ｔ発光ダイオードパッケージの場合である。] 図２
[0012] 図２（ａ）、（ｂ）に図示したように、前記パッケージ本体１１のキャビティＣに充填される透光性透明樹脂１８のドッティング量が少ないほど光輝度が高くなることが分かる。] 図２
[0013] しかし、前記透光性透明樹脂１８のドッティング量を減らすと光輝度が高くなるという長所があるが、前記透光性透明樹脂１８の高さが低くなり金属ワイヤ１６、１７が外部に露出されるという問題点があった。]
発明が解決しようとする課題

[0014] 本発明は上記の問題点を解決するために導き出されたものであり、本発明の目的は、キャビティに充填される透光性透明樹脂の充填使用量を減らすとともに樹脂の充填高さを低くして光輝度を向上させることができて、パッケージの大きさを減らして小型化を図る発光ダイオードパッケージを提供することにある。]
課題を解決するための手段

[0015] 以上のような目的を達成すべく、本発明は少なくとも一つの発光チップと金属ワイヤを媒介に連結される一対のリードフレーム;前記リードフレームが一体に固定されて、上部に開放されたキャビティを形成するように形成されるパッケージ本体;前記パッケージ本体の外部実装面の下部に下向折曲されて形成されるリードフレーム;前記発光チップを覆いながら前記キャビティに充填される透光性透明樹脂;前記キャビティの底面から下部に陥没形成されて前記発光チップを搭載する陥没部;及び前記陥没部及びキャビティに形成される蛍光体を含む透明樹脂;を含む発光ダイオードパッケージを提供する。]
[0016] また、本発明による発光ダイオードパッケージの前記陥没部の深さは５０uｍ〜４００uｍであることができる。]
[0017] また、本発明による発光ダイオードパッケージの前記蛍光体はＹＡＧ（イットリウム・アルミニウム・ガーネット）系、ＴＡＧ（テルビウム・アルミニウム・ガーネット）系、シリケート（Ｓｉｌｉｃａｔｅ）系、スルフィド（Ｓｕｌｆｉｄｅ）系またはナイトライド（ＮｉＴｒｉｄｅ）系のうち少なくとも何れか一つであることができる。]
[0018] また、本発明による発光ダイオードパッケージの前記陥没部は互いに向い合うリードフレームの端部の間に一定の深さで陥没形成される凹溝で備えられることができる。]
[0019] また、本発明による発光ダイオードパッケージの前記発光チップの外部面と向い合うリードフレームの端部には前記発光チップの光を反射させる反射部材が備えられる下部傾斜面を備えることができる。]
[0020] また、本発明による発光ダイオードパッケージの前記キャビティは前記発光チップの光を反射させる反射部材が備えられる上部傾斜面を備えることができる。]
発明の効果

[0021] 上記の構成の本発明によると、発光チップの搭載のためにリードフレームまたは互いに向い合うリードフレームの間に陥没部を備えることによって、パッケージ本体の高さを低くしてキャビティ内に充填される透光性透明樹脂の充填使用量を減らして、製造コストを低減し、また光輝度を向上させることができる一方、製品の小型化を図ることができる。]
図面の簡単な説明

[0022] 一般的な発光ダイオードパッケージを図示した断面図である。
一般的な発光ダイオードパッケージで透光性透明樹脂のドッティング（ｄｏｔｔｉｎｇ）量の変化による光輝度の変化を図示したグラフで、（ａ）は０.６Ｔ発光ダイオードパッケージの場合であり、（ｂ）は０.８Ｔ発光ダイオードパッケージの場合である。
本発明による発光ダイオードパッケージの第１実施例を図示した断面図である。
本発明による発光ダイオードパッケージの第２実施例を図示した断面図である。
本発明による発光ダイオード層に形成されるＶ-形状の歪曲構造を示したもので、（ａ）は平らな成長面と傾いた成長面を図示した断面模式図であり、（ｂ）は傾いた成長面が点線で示された断面実物写真であり、（ｃ）は表面凹凸が形成された平面写真である。
（ａ）から（ｃ）は本発明による発光ダイオードパッケージで外部のリードフレームを形成する工程を図示した概路図である。]
実施例

[0023] 以下では本発明の具体的な実施例を図面を参照して詳細に説明する。但し、本発明の思想は提示される実施例に制限されず、他の構成要素の追加、変更、削除等によって、退歩的な他の発明や本発明の思想の範囲内に含まれる他の実施例を容易に提案することができる。]
[0024] 図３は本発明による発光ダイオードパッケージの第１実施例を図示した断面図である。] 図３
[0025] 本発明の第１実施例によるパッケージ１００は発光チップ１１１、リードフレーム１１２、１１３、パッケージ本体１１５、透光性透明樹脂１１６及び前記発光チップ１１１が搭載される陥没部１１８を備える。]
[0026] 前記発光チップ１１１は電源印加時光を発生させる発光素子で備えられて、このような発光チップ１１１はＰ極とＮ極がチップの上部面に水平型で備えられる。]
[0027] このような発光チップ１１１は一対の金属ワイヤ１１４ａ、１１４ｂの各一端部とボンディング接続されて、前記リードフレーム１１２、１１３は前記一対の金属ワイヤ１１４ａ、１１４ｂの各他端部と夫々ボンディング接続される。]
[0028] そして、前記パッケージ本体１１５は底面が密閉されて上部は開放されたキャビティ１１７を形成するように樹脂物で射出成形される成形構造物である。]
[0029] ここで、前記キャビティ１１７は一定角度で傾いた上部傾斜面を備えて、前記上部傾斜面には前記発光チップ１１１から発生された光を反射させることができるようにＡｌ、Ａｇ、Ｎｉのように反射率が高い金属材からなる反射部材１１７ａを備えることもできる。]
[0030] このようなパッケージ本体１１５は前記一対のリードフレーム１１２、１１３が一体に成形されてこれを固定して、前記リードフレーム１１２、１１３の一端部の上部面の一部はキャビティ１１７の底面を介して外部に露出される。]
[0031] 前記リードフレーム１１２、１１３の他端部は外部電源と連結されるように前記パッケージ本体１１５の外部面に露出される。]
[0032] 前記陥没部１１８は一対のリードフレーム１１２、１１３のうち前記発光チップ１１１が搭載されるリードフレーム１１２に形成されることができる。]
[0033] 図４は本発明による発光ダイオードパッケージの第２実施例を図示した断面図である。] 図４
[0034] 図４を参照すると、第２実施例の発光ダイオードパッケージは第１実施例の前記陥没部１１８とは異なり、互いに向い合う一対のリードフレーム１１２、１１３の端部の間に前記パッケージ本体１１５の成形時キャビティ１１７の底面から一定の深さで陥没形成される凹溝１１８ａを備える。それ以外の構成要素は第１実施例と同一である。] 図４
[0035] 一方、前記透光性透明樹脂１１６は前記発光チップ１１１及び金属ワイヤ１１４ａ、１１４ｂを覆って外部環境から保護するように、前記キャビティ１１７に充填されるエポキシ、シリコン及びレジン等のような透明な樹脂材からなる。]
[0036] ここで、前記透光性透明樹脂１１６には前記発光チップから発生された光を白色光に変換させることができるＹＡＧ系、ＴＡＧ系、シリケート系、スルフィド系またはナイトライド系のうち何れか一つの波長変換手段である蛍光物質が含まれることができる。]
[0037] ＹＡＧ系及びＴＡＧ系の蛍光物質には（Ｙ、Ｔｂ、Ｌｕ、Ｓｃ、Ｌａ、Ｇｄ、Ｓｍ）３（Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｓｉ、Ｆｅ）５（Ｏ、Ｓ）１２:Ｃｅの中から選択して使用可能であり、シリケート系の蛍光物質には（Ｓｒ、Ｂａ、Ｃａ、Ｍｇ）２ＳｉＯ４:（Ｅｕ、Ｆ、Ｃｌ）の中から選択して使用可能である。また、スルフィド系の蛍光物質には（Ｃａ、Ｓｒ）Ｓ：Ｅｕ、（Ｓｒ、Ｃａ、Ｂａ）（Ａｌ、Ｇａ）２Ｓ４：Ｅｕの中から選択して使用可能であり、ナイトライド系の蛍光物質には（Ｓｒ、Ｃａ、Ｓｉ、Ａｌ、Ｏ）Ｎ：Ｅｕ（例、ＣａＡｌＳｉＮ４：Ｅｕ β-ＳｉＡｌＯＮ：Ｅｕ）またはＣａ-α ＳｉＡｌＯＮ：Ｅｕ系である（Ｃａｘ、Ｍｙ）（Ｓｉ、Ａｌ）１２（Ｏ、Ｎ）１６蛍光体成分の中から選択して使用することができる。ここでＭはＥｕ、Ｔｂ、ＹｂまたはＥｒのうち少なくとも一つの物質であり、ｘとｙは０.０５<（ｘ+ｙ）<０.３、０.０２]
[0038] 前記白色光は青色（Ｂ）ＬＥＤチップに黄色（Ｙ）蛍光体または緑色（Ｇ）及び赤色（Ｒ）蛍光体または黄色（Ｙ）、緑色（Ｇ）、赤色（Ｒ）を含むことができる。黄色、緑色及び赤色蛍光体は、青色ＬＥＤチップによって励起されて夫々黄色光、緑色光及び赤色光を発して、この黄色光、緑色光及び赤色光は青色ＬＥＤチップから放出された一部の青色光と混色されて白色光を出力する。]
[0039] 前記青色ＬＥＤチップは通常的に用いられるIII族窒化物系半導体を用いることができる。前記窒化物系半導体の基板はサファイア、スピンネル（ＭｇＡ１２０４）、ＳｉＣ、Ｓｉ、ＺｎＯ、ＧａＡｓ、ＧａＮ基板のうち何れか一つから選択されることができる。]
[0040] 前記基板上にバッファー層をさらに含むことができて、前記バッファー層は、窒化物半導体系、カーバイド系のうち何れか一つから選択されることが好ましい。]
[0041] 前記バッファー層上にｎ型窒化物半導体層が形成されて、前記ｎ型窒化物半導体層はｎ型ＧａＮ系半導体層とｎ型超格子層を含んで構成されることができる。また、前記ｎ型窒化物半導体層は、アンドープ（ｕｎｄｏｐｅｄ）ＧａＮ層;ｎ型ＧａＮコンタクト層;ｎ型ＧａＮコンタクト層上のｎ型ＧａＮ層;及び前記ｎ型ＧａＮ層上のｎ型超格子層を含んで構成されることができる。この際、前記ｎ型超格子層は、ＧａＮ/ＩｎＧａＮ系、ＡｌＧａＮ/ＧａＮ系、ＡｌＧａＮ/ＧａＮ/ＩｎＧａＮ系の多層の繰り返し構造で構成されることができ、前記ｎ型ＧａＮ系半導体層上にはｎ型電極をさらに含んで構成されることができる。そして、前記ｎ型ＧａＮ系半導体層の断面にはＶ-形状の歪曲構造が形成されることもできる。前記Ｖ-形状の歪曲構造は、平らな成長面と、傾いた成長面がともに存在する。]
[0042] 図５は本発明による発光ダイオード層に形成されるＶ-形状の歪曲構造を示したもので、（ａ）は平らな成長面と傾いた成長面を図示した断面模式図であり、（ｂ）は傾いた成長面が点線で示された断面実物写真であり、（ｃ）は表面凹凸が形成された平面写真である。]
[0043] 発光チップ１１１はＮ型窒化物半導体層で、Ｖ-形状の歪曲構造１２５は平らな成長面１２７と傾いた成長面１２９からなる。図５の（ｂ）では傾いた成長面が点線で示されている。]
[0044] 前記ｎ型窒化物半導体層上には活性層が形成されて、前記活性層は少なくとも一つ以上の量子井戸層を有し、前記量子井戸層はＩｎＧａＮまたはＧａＮで構成されることができて、また前記活性層は少なくとも一つの量子障壁層をさらに含むことができる。前記量子障壁層はＩｎＧａＮ、ＧａＮまたはＡｌＧａＮで構成されることができて、量子障壁層のバンドギャップは量子井戸層よりは大きいことが特徴である。]
[0045] 前記活性層上にはｐ型窒化物半導体層が形成されて前記ｐ型窒化物半導体層はｐ型超格子層とｐ型ＧａＮ系半導体層を含んで構成されて、前記ｐ型超格子層は、ＧａＮ/ＩｎＧａＮ系、ＡｌＧａＮ/ＧａＮ系、ＡｌＧａＮ/ＧａＮ/ＩｎＧａＮ系の多層の繰り返し構造で構成されることができる。また、前記ｐ型窒化物半導体層は、ｐ型超格子層;前記ｐ型超格子層上のｐ型ＧａＮ層;及び前記ｐ型ＧａＮ層上のｐ型ＧａＮコンタクト層を含んで構成されることができる。]
[0046] そして、前記ｐ型窒化物半導体層上に透明電極及びボンディング電極をさらに含んで構成される。前記透明電極は透光性の酸化物導電層であることができる。]
[0047] また、前記Ｖ-形状の歪曲構造は、前記ｎ型半導体層、活性層、ｐ型半導体層のうち少なくとも何れか一つの層に連続して形成されることができる。前記Ｖ-形状の歪曲構造は貫通転位の周りに形成されることができて、この領域の抵抗を高めることによって、前記貫通転位による漏洩電流を防止して、ＥＳＤ効果を向上させることができる。それだけではなく、前記Ｖ-形状の歪曲構造による半導体表面に凹凸構造が形成されてこれによる輝度向上の効果も得ることができる。]
[0048] 即ち、サファイア基板とその上部に形成されるＧａＮ半導体との格子不整合によって貫通転位（ｔｈｒｅａｄｉｎｇ ｄｉｓｌｏｃａｔｉｏｎ）が発生されて、前記貫通転位は静電気が印加される時、電流が集中されて漏洩電流の原因となる。従って、従来には漏洩電流の原因となる貫通転位を減らしてＥＳＤによる破損を減らすために多様な研究が行われて来た。即ち、本発明では、前記貫通転位の周りに任意にＶ-形状の歪曲構造を形成して、前記貫通転位が存在する領域の抵抗を高めることによって、この領域に集中される電流を遮断することで、ＥＳＤの耐性を向上させる効果も得ることができる。この際、前記Ｖ-形状の歪曲構造層は、６００〜９００℃の低い成長温度または化学的エッチングと再成長によって形成することができる。このようにして完成された青色ＬＥＤチップは基板の厚さを研磨またはエッチング法等で調節して、前記青色ＬＥＤチップの全体の厚さを５０uｍ〜４００uｍになるように調節することができる。]
[0049] 前記白色光出力のための赤色蛍光体には、Ｎ（例、ＣａＡｌＳｉＮ３：Ｅｕ）を含む窒化物（Ｎｉｔｒｉｄｅ）系蛍光体を用いることができる。このような窒化物系赤色蛍光体は黄化物（Ｓｕｌｆｉｄｅ）系蛍光体より熱、水分などの外部環境に対する信頼性が優れるだけではなく、変色の恐れが少ない。特に、高色再現性を得るために特定範囲（４３０〜４６５ｎｍ）に限定した青色ＬＥＤチップの主波長で高い蛍光体の励起効率を有する。その他、Ｃａ２Ｓｉ５Ｎ８：Ｅｕなどの他の窒化物系蛍光体や黄化物系蛍光体が赤色蛍光体に用いられることもできる。緑色蛍光体には、β-ＳｉＡｌＯＮ：Ｅｕの窒化物系または（Ｂａx、Ｓｒｙ、Ｍｇｚ）ＳｉＯ４:Ｅｕ２+、Ｆ、Ｃl（０<ｘ、ｙ≦２、０≦z≦２、０ｐｐｍ≦Ｆ、Cl≦５００００００ｐｐｍ）のシリケート（Ｓｉｌｉｃａｔｅ）系蛍光体を用いることができる。このような窒化物系及びシリケート蛍光体も前記青色ＬＥＤチップの主波長の範囲（４３０〜４６５ｎｍ）で高い励起効率を有する。]
[0050] 好ましくは、青色ＬＥＤチップの半値幅（ＦＷＨＭ）は１０〜５０ｎｍであり、緑色蛍光体の半値幅は３０〜１５０ｎｍであり、赤色蛍光体の半値幅は５０〜２００ｎｍ程度である。各光源が上記の範囲の半値幅を有することによって、より良い色均一性及び色品質の白色光を得るようになる。特に、青色ＬＥＤチップの主波長と半値幅を夫々４３０〜４６５ｎｍ及び１０〜５０ｎｍに限定することによって、ＣａＡｌＳｉＮ３:Ｅｕ赤色蛍光体の効率とβ-ＳｉＡｌＯＮ:Ｅｕ系または（Ｂａx、Ｓｒｙ、Ｍｇｚ）ＳｉＯ４:Ｅｕ２+、Ｆ、Ｃl（０<ｘ、ｙ≦２、０≦z≦２、０ｐｐｍ≦Ｆ、Cl≦５００００００ｐｐｍ）系緑色蛍光体の効率を大きく向上させることができる。前記青色ＬＥＤチップは主波長の範囲が３８０〜４３０ｎｍである紫外線（ＵＶ）ＬＥＤチップに変えることもできるが、この場合は白色光を出力するためには透光性透明樹脂１１６に少なくとも青色、緑色、赤色蛍光体が含まれなければならない。青色蛍光体には（Ｂａ、Ｓｒ、Ｃａ)５(ＰＯ４)３Cl:(Ｅｕ２+、Ｍｎ２+）またはＹ２Ｏ３:（Ｂi３+、Ｅｕ２+）の中から選択して用いることができて、緑色及び赤色蛍光体は前記ＹＡＧ系、ＴＡＧ系、シリケート系、スルフィド系またはナイトライド系の中から選択して用いることができる。]
[0051] 白色光を出力するための白色ＬＥＤは蛍光体を用いなくても作ることができる。例えば、青色光を発する窒化物系のＩｎＧａＮ及び/またはＧａＮで構成された第１量子井戸層上及び/または下に前記青色光とは異なる波長（例、黄色光）を出す第２量子井戸層をもう一つ形成することによって前記青色光との組合で白色光を発するＬＥＤチップを作ることができる。前記量子井戸層は多重量子井戸構造であることができて、井戸層を形成するＩｎＧａＮのＩｎ量を調節して第１及び第２量子井戸層を作ることができる。前記第１量子井戸層がＵＶ領域（３８０〜４３０ｎｍ）の光を発するとしたら、前記第２量子井戸層は青色光を、そして第３量子井戸層は黄色光を発するように活性層のＩｎ量を調節して作ることができる。]
[0052] 一方、前記陥没部１１８は前記キャビティ１１７の底面に露出されるリードフレーム１１２、１１３の上部面が下部に一定の深さで陥没形成される。]
[0053] このような前記陥没部１１８は、少なくとも一つの発光チップ１１１が搭載されるリードフレーム１１２の一端部に下向折曲される折曲部で備えられて、このような折曲部は前記発光チップ１１１が搭載される平らな搭載面と、前記搭載面から左右両側に一定角度上向に傾くように延長されて前記発光チップ１１１の外部面と向い合う左右一対の下部傾斜面１１２ａ、１１２ａで備えられる。]
[0054] このような下部傾斜面１１２ａ、１１２ａには前記発光チップ１１１の発光時発生された光を反射させることができるように反射部材が備えられることもできる。]
[0055] このような陥没部１１８、１１８ａの形成深さＨはこれに搭載される発光チップ１１１の高さｈを考慮して５０uｍ〜４００uｍの深さであれば十分である。このようにすることによって、パッケージ本体のキャビティの高さＨを１５０uｍ〜５００uｍに低くすることができて、キャビティ内に充填される透光性透明樹脂の充填使用量を減らして製造コストを低減し、また光輝度を向上させることができる一方、製品の小型化を図ることができる。]
[0056] そして、前記凹溝１１８ａに搭載された発光チップ１１１の外部面と向い合うリードフレーム１１２、１１３の端部には前記発光チップ１１１の発光時発生された光を反射させることができるように反射部材が備えられる下部傾斜面１１２ｂ、１１３ｂを夫々備えることが好ましい。]
[0057] 一方、上述のような構成を有する発光ダイオードパッケージ１００、１００ａはキャビティ１１７の真中に配置される発光チップ１１１が前記リードフレーム１１２に下向折曲形成される折曲部の搭載面に搭載されたり、互いに向い合うリードフレーム１１２、１１３の互いに向い合う端部の間に陥没形成される凹溝１１８ａに搭載されることによって、前記リードフレーム１１２、１１３と金属ワイヤ１１４ａ、１１４ｂを媒介にワイヤボンディングされる発光チップ１１１の上部面は前記リードフレーム１１２、１１３の上部面の高さと略同一になるように配置することもできる。]
[0058] このような場合、前記発光チップ１１１とワイヤボンディングされる金属ワイヤ１１４ａ、１１４ｂの最大の高さは前記発光チップ１１１の搭載高さが低くなっただけ低くすることができる。]
[0059] これによって、前記発光チップ１１１及び金属ワイヤ１１４ａ、１１４ｂを保護するように前記キャビティ１１７に充填される透光性透明樹脂１１６の充填量を減らすことができる一方、前記透光性樹脂の充填高さＨも前記発光チップ１１１の搭載高さが低くなっただけ低くすることができて、これにより前記発光チップの発光時発生された光の光輝度を従来に比べて相対的に高めることができる。]
[0060] そして、前記キャビティ１１７に充填される透光性透明樹脂１１６の充填高さＨを低くすることによって前記パッケージ本体１１５の上端高さも前記充填高さが低くなっただけ低くしてパッケージの全体の大きさをより小型化することができる。]
[0061] 図６の（ａ）から（ｃ）は本発明による発光ダイオードパッケージで外部のリードフレームを形成する工程を図示した概路図である。]
[0062] 図６の（ａ）から（ｃ）を参照すると、まず、陰極及び陽極リードフレーム１１２、１１３は本体の殆どが樹脂物で射出成形されるパッケージ本体１１５に一体に固定されるが、端部は外部電源と連結されるように前記パッケージ本体１１５の外部面に露出される（図６の（ａ））。]
[0063] 前記パッケージ本体１１５の外部に下向露出されたリードフレーム１１２、１１３はパッケージの側面及び/または下面を介して折曲されてキャビティ１１７が形成された発光面とは反対方向に折曲されて形成される。]
[0064] 本発明のパッケージ１００では前記パッケージの外部に下向露出されたリードフレーム１１２、１１３はパッケージの実装面（底面１１９）の側面及び/または裏面（後方または下部）にリードフレームが折曲形成されている。]
[0065] 形成過程は、まずパッケージ底面に露出されたリードフレーム１１２の端部を１次に折曲してパッケージ１００の側面の形状に合わせて（図６の（ｂ））、次にパッケージ底面１１９の後方に折曲して全体リードフレーム１１２の形状を完成する（図６の（ｃ））。]
[0066] 前記のような構成からなる本発明による発光ダイオードパッケージによって、発光チップの搭載のためにリードフレームまたは互いに向い合うリードフレームの間に陥没部を備えることによって、パッケージ本体の高さを低くしてキャビティ内に充填される透光性透明樹脂の充填使用量を減らして製造コストを低減し、また光輝度を向上させることができる一方、製品の小型化を図ることができるため、産業上の利用可能性が非常に高い。]

权利要求:

請求項1
少なくとも一つの発光チップと金属ワイヤを媒介に連結される一対のリードフレーム;前記リードフレームが一体に固定されて、上部に開放されたキャビティを形成するように形成されるパッケージ本体;前記パッケージ本体の外部実装面の下部に下向折曲されて形成されるリードフレーム;前記発光チップを覆いながら前記キャビティに充填される透光性透明樹脂;前記キャビティの底面から下部に陥没形成されて前記発光チップを搭載する陥没部;及び前記陥没部及びキャビティに形成される蛍光体を含む透明樹脂;を含む発光ダイオードパッケージ。
請求項2
前記陥没部の深さは５０uｍ〜４００uｍであることを特徴とする請求項１に記載の発光ダイオードパッケージ。
請求項3
前記蛍光体はＹＡＧ系、ＴＡＧ系、シリケート系、スルフィド系またはナイトライド系のうち少なくとも何れか一つであることを特徴とする請求項１に記載の発光ダイオードパッケージ。
請求項4
前記陥没部は互いに向い合うリードフレームの端部の間に一定の深さで陥没形成される凹溝で備えられることを特徴とする請求項１に記載の発光ダイオードパッケージ。
請求項5
前記発光チップの外部面と向い合うリードフレームの端部には前記発光チップの光を反射させる反射部材が備えられる下部傾斜面を備えることを特徴とする請求項４に記載の発光ダイオードパッケージ。
請求項6
前記キャビティは前記発光チップの光を反射させる反射部材が備えられる上部傾斜面を備えることを特徴とする請求項１に記載の発光ダイオードパッケージ。